其全部 在61°C下在氮气流中进行聚合处理6小时，以获得丙烯酸聚合物A。
[0219] 向丙烯酸聚合物A中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯，并将其全部在 50°C下在空气流中进行加成反应处理48小时，以获得丙烯酸聚合物A'。
[0220] 接着，将8份多异氰酸酯化合物（商品名"C0L0NATEL"，由NipponPolyurethane IndustryCo.，Ltd?制造）和5份光聚合引发剂（商品名"IRGACURE651"，由Ciba SpecialtyChemicals制造）添加至100份丙稀酸聚合物A'，以获得压敏粘合剂组合物溶 液A0
[0221] 将压敏粘合剂组合物溶液A施涂至PET剥离衬垫（具有其中聚对苯二甲酸乙二酯 膜的一个表面已进行硅酮处理的形式的剥离衬垫）的硅酮处理表面上，接着在120°C下干 燥2分钟，以形成具有厚度10ym的压敏粘合剂层。接着，将聚烯烃膜粘贴至形成的压敏粘 合剂层上。聚烯烃膜具有厚度l〇〇ym，并包含预先在对应于框架粘贴区域的部分上形成的 屏蔽放射线用印刷层。然后，将粘贴聚烯烃膜的压敏粘合剂层在50°C下加热24小时以进 行交联处理，并进一步借助于由NittoSeikiCo. ,Ltd.制造的紫外线照射设备（商品名 "UM-810"）从聚烯烃膜侧用紫外光以照度20mW/cm照射以致累积光量变为400mJ/cm2,由此 制造切割带A。
[0222] 〈半导体背面用切割带集成膜的制造〉
[0223] 将半导体背面用膜A使用手动辊粘贴至上述切割带A的压敏粘合剂层上，以制造 半导体背面用切割带集成膜。
[0224] 此外，在根据实施例1和2的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的厚 度（平均厚度）为20ym。此外，关于切割带（商品名"V-8-S"和"V-8-T"，全部由Nitto DenkoCorporation制造），基材的厚度（平均厚度）为65ym，压敏粘合剂层的厚度（平 均厚度）为10ym，总厚度为75ym。因此，在根据实施例1和2的半导体背面用切割带集 成膜中，半导体背面用膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比例（半导体背面用膜厚度 /切割带的压敏粘合剂层厚度；平均厚度的比）为20/10,半导体背面用膜厚度与切割带厚 度（基材和压敏粘合剂层的总厚度）的比例（半导体背面用膜厚度/切割带厚度；平均厚 度的比）为20/75。
[0225] (半导体背面用膜物理性质的测量）
[0226] 关于在实施例和比较例中制备的半导体背面用切割带集成膜中的各半导体背面 用膜A，分别以以下方式测量可见光透过率（％)、吸湿度（重量％ )和重量减少率（重 量％ )。测量结果示于下表1中。
[0227] 〈可见光透过率的测量方法〉
[0228] 将在实施例和比较例中制备的各半导体背面用膜（平均厚度：20iim)使用 "ABSORPTIONSPECTR0PHOTOMETER"（商品名，由ShimadzuCorporation制造）利用可见 光照射。将可见光的波长调整为400nm-800nm。测量并根据以下表达式计算通过该照射而 透过半导体背面用膜的可见光的光强度。
[0229] 可见光透过率（％) = [(透过半导体背面用膜后的可见光的光强度V(可见光的 初始光强度）]X100
[0230] 〈吸湿度的测量方法〉
[0231] 将在实施例和比较例中制备的各半导体背面用膜在温度85°C和湿度85%RH的恒 温恒湿室中静置168小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算吸湿度（重量％)。
[0232] 吸湿度（重量％ ) = [{(使半导体背面用膜静置后的重量）_(使半导体背面用膜 静置前的重量）}八使半导体背面用膜静置前的重量）]X100
[0233] 〈重量减少率的测量方法〉
[0234] 将在实施例和比较例中制备的各半导体背面用膜在温度250°C的干燥机中静置1 小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算重量减少率（重量％ )。
[0235] 重量减少率（重量％ ) = [{(使半导体背面用膜静置前的重量）_(使半导体背面 用膜静置后的重量）}八使半导体背面用膜静置前的重量）]X100
[0236] 表 1
[0237]
[0238] (评价）
[0239] 关于在实施例1及2和比较例1及2中制造的各半导体背面用切割带集成膜，通 过以下评价或测量方法来评价或测量半导体背面用膜与切割带的压敏粘合剂层之间的剥 离力、切割性、拾取性、倒装芯片接合性、晶片背面的标识性和晶片背面的外观性。评价或测 量结果示于表2中。
[0240] 〈半导体背面用膜与切割带之间的剥离力的测量方法〉
[0241] 关于半导体背面用膜与切割带的压敏粘合剂层之间的剥离力，在温度为23°C 下在剥离角为180°、拉伸速率为300mm/min的条件下，通过使用剥离试验机（商品名： "AUTOGRAPHAGS-J"，由ShimadzuCorporation制造），将实施例1及2和比较例1及2的各 半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜从切割带（即，从切割带的压敏粘合剂层） 剥离（在半导体背面用膜与切割带的压敏粘合剂层之间的界面处剥离），以测量剥离时负 荷的最大载荷（从其中除去测量开始时峰顶的载荷的最大值），将确定的最大载荷作为半 导体背面用膜与切割带的压敏粘合剂层之间的剥离力（切割带的压敏粘合剂层相对于半 导体背面用膜的粘合力）（粘合力：N/20mm-宽度）。
[0242] 〈切割性/拾取性的评价方法〉
[0243] 使用实施例1及2和比较例1及2的各半导体背面用切割带集成膜，通过实际切 割半导体晶片评价切割性，然后评价剥离性，从而评价半导体背面用切割带集成膜的切割 性能或拾取性能。
[0244] 将半导体晶片（直径：8英寸，厚度：0? 6mm;硅镜面晶片）进行背面抛光处理，并使 用具有厚度〇. 2mm的镜面晶片作为工件。从半导体背面用切割带集成膜剥离隔离体后，将 镜面晶片（工件）在70°C下通过辊压接合粘贴至半导体背面用膜上，并进一步进行切割。 此处，所述切割作为完全切断进行，以成为IOmm见方的芯片尺寸。在这点上，半导体晶片磨 削条件、粘贴条件和切割条件如下。
[0245](半导体晶片磨削条件）
[0246]磨削设备：商品名 "DFG-8560"，由DISCOCorporation制造
[0247] 半导体晶片：8英寸直径（将背面从厚度0. 6mm磨削直至厚度0. 2mm)
[0248](粘贴条件）
[0249]粘贴设备：商品名 "MA-3000III"，由NittoSeikiCo.，Ltd?制造
[0250] 粘贴速度：10mm/min
[0251]粘贴压力：0?I5MPa
[0252] 粘贴时的阶段温度：70°C
[0253] (切割条件）
[0254]切割设备：商品名 "DFD-6361"，由DISCOCorporation制造
[0255]切割环："2-8-1 "（由DISCOCorporation制造）
[0256]切割速度：30mm/sec
[0257]切割刀：
[0258]Zl;"2030-SE27HCDD"，由DISCOCorporation制造
[0259]Z2 ;"2030-SE27HCBB"，由DISCOCorporation制造
[0260] 切割刀旋转速度：
[0261] Zl；40, 000r/min
[0262]Z2 ；45, 000r/min
[0263] 切割方法：阶梯切割
[0264] 晶片芯片尺寸：10.0 mm见方
[0265] 在切割中，确认镜面晶片（工件）是否牢固保持在半导体背面用切割带集成膜上 而未剥离以进行令人满意的切割。将良好进行切割的情况评级为"良好"，将未良好进行切 割的情况评级为"差"，由此评价切割性能（dicingability)。
[0266] 接下来，通过用针状物从半导体背面用切割带集成膜的切割带侧向上推动工件， 将通过切割获得的芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，由此 拾取处于背面用半导体背面用膜保护的状态的芯片形工件。测定此时的芯片（总计400片） 的拾取率（％)，以评价拾取性。因此，当拾取率越接近于100%时，拾取性越好。
[0267] 此处，拾取条件如下。
[0268](半导体晶片的拾取条件）
[0269] 拾取设备：商品名 "SPA-300"，由ShinkawaCo.，Ltd?制造
[0270] 拾取针状物的数量：9个针状物
[0271] 针状物的向上推动速度：20mm/s
[0272] 针状物的向上推动距离：500ym
[0273] 拾取时间：1秒
[0274] 切割带扩展量：3mm
[0275]〈倒装芯片接合性的评价方法〉
[0276] 关于通过使用根据各实施例或比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述〈切 割性/拾取性的评价方法〉获得的根据各实施例或比较例的芯片形工件，以芯片形工件的 表面（电路面）与具有对应于电路面的布线的电路板表面相对的形式，使在芯片形工件的 电路面处形成的凸块与连接至电路板连接垫的连结用导电性材料（焊料）接触，使导电性 材料通过升高温度至260°C在加压下熔融，然后冷却至室温，由此将芯片形工件固定至电路 板上，从而制造半导体器件。根据以下评价标准评价此时的倒装芯片接合性。
[0277](倒装芯片接合性的评价标准）
[0278] 良好：通过倒装芯片接合法能够实现安装而没有任何问题；
[0279] 差：通过倒装芯片接合法不能实现安装。
[0280]〈晶片背面标识性的评价方法〉
[0281] 在通过上述〈倒装芯片接合性的评价方法〉获得的半导体器件中的芯片形工件的 背面（即，半导体背面用膜的最外层）上用YAG激光器实施激光标识。关于通过激光标识 获得的信息（条形码信息），根据以下评价标准评价使用根据各实施例或比较例的半导体 背面用切割带集成膜获得的半导体器件的标识性（激光标识性）。
[0282](标识性的评价方法）
[0283] 良好：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10 个成年人中的8人以上；
[0284] 差：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个 成年人中的7人以下；
[0285]〈晶片背面外观性的评价方法〉
[0286] 关于通过使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述〈切 割性/拾取性的评价方法〉获得的根据各实施例和比较例的芯片形工件，根据以下评价标 准目视评价芯片形工件背面的外观性。
[0287](外观性的评价标准）
[0288] 良好：在芯片形工件中的晶片（硅晶片）背面和半导体背面用膜之间没有观察到 剥离（浮起）；
[0289] 差：在芯片形工件中的晶片（硅晶片）背面和半导体背面用膜之间观察到剥离 (浮起）。
[0290]表2
[0291]
[0292] 从表2中，确认根据各施例1和2的半导体背面用切割带集成膜以优良水平具有 作为切割带的功能和作为半导体背面用膜的功能。
[0293] 在根据本发明的半导体背面用切割带集成膜中，由于切割带和半导体背面用膜以 集成的方式形成以及切割带的压敏粘合剂层相对于半导体背面用膜之间的剥离力（温度： 23°C，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0. 05N/20mm至I. 5N/20mm，因此从半导体晶 片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用半导体背面用切割带集成膜。 即，在通过倒装芯片接合法生产半导体器件时，根据本发明的半导体背面用切割带集成膜 可适合用作具有切割带和半导体背面用膜两种功能的半导体背面用切割带集成膜。
[0294] 虽然已详细地并参考其具体实施方案描述本发明，但对于本领域技术人员来说， 其中可进行各种变化和改进而不背离其范围将是显而易见的。
[0295] 本申请基于2009年12月24日提交的日本专利申请2009-292769和2010年11 月11日提交的日本专利申请2010-253088,在此将其全部内容引入以作参考。
【主权项】
1. 一种半导体背面用切割带集成膜，其包括： 在基材上具有压敏粘合剂层的切割带；和 倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂 层上， 其中所述切割带的压敏粘合剂层与热固化前的所述倒装芯片型半导体背面用膜之间 的剥离力（温度：23°C，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0? 05N/20mm至I. 5N/20mm， 所述倒装芯片型半导体背面用膜的透光率为不大于20%。2. 根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中将所述倒装芯片型半导体 背面用膜着色。3. 根据权利要求1或2所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述倒装芯片型半导 体背面用膜具有激光标识性。4. 根据权利要求1至3任一项所述的半导体背面用切割带集成膜，其用于倒装芯片安 装的半导体器件。5. -种生产半导体器件的方法，其为使用半导体背面用切割带集成膜的半导体器件的 生产方法，所述方法包括如下工序： 将工件粘贴至根据权利要求1至4任一项所述的半导体背面用切割带集成膜的倒装芯 片型半导体背面用膜上， 切割所述工件以形成芯片形工件， 将所述芯片形工件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合 剂层剥离，和 将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。6. -种倒装芯片安装的半导体器件，其使用根据权利要求1至4任一项所述的半导体 背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件具有：在芯片形工件的背面粘贴半导体背面用 切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜而成的结构。
【专利摘要】本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述切割带的压敏粘合剂层与所述倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm。
【IPC分类】H01L23/488, C09J7/02, H01L21/68, H01L21/50, H01L21/77
【公开号】CN105086867
【申请号】CN201510486937
【发明人】高本尚英, 松村健, 志贺豪士
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2010年12月24日
【公告号】CN102161869A, CN102161869B, US8692389, US20110156280, US20140159254