半导体树脂模塑用脱模膜的制作方法

专利名称：：半导体树脂模塑用脱模膜的制作方法
技术领域：
：本发明涉及半导体树脂模塑用脱模膜，特别涉及可降低模具污染的半导体树脂模塑用脱模膜。
背景技术：
：通常，为了将半导体元件(芯片)从外部环境(外界气体、污染物质、光、磁、高频波、冲击等)中保护、隔离起来，用树脂(模塑树脂)将其密封，以将芯片收容于内部的半导体封装的形态安装在基板上。代表性的是通过传递成形而形成的半导体封装，传递成形是指将环氧树脂等热固性树脂(模塑树脂)加热熔融后，移送至安装了半导体芯片的模具内，使其填充、固化。在模塑树脂中添加固化剂、固化促进剂、填充剂等的同时，为确保成形的封装从模具中的顺畅的脱模性，还添加了脱模剂。另一方面，随着人们对半导体封装的大幅度的生产性提高的需求，存在树脂附着在模具上、需要频繁地清洗污染的模具，和对应于大型封装而采用低收縮性密封树脂时、即使通过添加脱模剂也无法得到足够的脱模性等的问题，因此，开发了使用树脂模塑用脱模膜(以下称为"脱模膜")的技术，并取得了一定的成果(例如，参照专利文献13等)，该技术是在以脱模膜被覆模具的树脂成形部(模腔面)的状态下将树脂注入模具内，藉此在不使密封树脂与模具的模腔面直接接触的情况下形成半导体封装。然而，最近，用于半导体元件的封装的模塑树脂为应对环境问题，逐渐变更为非卤化模塑树脂，此外，为应对半导体的细间距化(finepitch)、薄型化、叠层芯片封装化及LED等，模塑树脂的低粘度化和液态树脂化更进了一层。因此，在半导体元件的树脂模塑工序中，来自高温环境下的熔融模塑树脂的气体和低粘度物质的发生量增大，透过上述模塑用脱模膜的气体和低粘度物质与高温的模具接触，模具污染更为严重。此外，脱模膜的被覆是用真空使该膜吸附支持在模具面上来进行的，但是膜中的低聚物(oligomer)等挥发性成分可能会移动至上述被吸附的模具侧，引起模具污染。即使是在上述使用脱模膜的情况下，安装膜的一侧的模具也容易被污染，此外，一旦发生了污染，就会产生为了其洗净而不得不停止半导体的模塑工序，使半导体的生产效率下降的问题。另外，从该角度来看，上述专利文献12中记载了为减少透过的污染物质，在脱模膜的一面(与模具面接触的面)形成金属或金属氧化物的蒸镀层的技术方案。然而，该金属蒸镀层等是直接与模具面物理性地接触来使用的，金属粉末等易从膜表面或膜的切面上剥离，其在半导体树脂模塑工序中的使用受到限制。此外，专利文献12中用二氧化碳气体的透过率规定了脱模膜的气体透过性，但其作为评价来自树脂等的低粘度物质等的透过性的指标并不妥当。另外，虽然脱模膜被要求与模塑树脂间具有较高的脱模性，但对于上述脱模膜，存在未就这些问题作任何考虑，脱模性不足的问题。此外，使用凹凸较大的形状的模具时，在树脂密封前使脱模膜真空吸附在模具上的时候，该脱模膜被要求具有模具随动性，模具随动性是指可跟随模具的该凹凸充分延伸至与其对应的周长。专利文献1:日本专利特开2002-361643号公报(专利权利要求的范围(权利要求1权利要求3)，(0002)(0028))专利文献2:日本专利特开2004-79566号公报(专利权利要求的范围(权利要求1权利要求3)(0002)〔0015))专利文献3:日本专利特开2001-250838号公报(专利权利要求的范围(权利要求16)〔0002〕(0032〕)发明的揭示本发明的目的是提供基于上述背景被强烈要求开发的，与以往相比气体透过性显著较低，且由模塑树脂导致的模具污染非常少的脱模膜。此外，本发明的目的是通过气体透过率来规定可有效地抑制该模具污染的脱模膜所必需的气体透过性，该气体透过率与来自作为模具污染物质的树脂等的低粘度物质更实际地相对应。本发明的目的还包括提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的脱模膜。藉由本发明，可提供下述具备粘接层的叠层体。(1)气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜的特征在于，具有脱模性优良的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)，该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之间，且该脱模膜在17(TC下的二甲苯气体透过性为10—I5(kmol*m/(S'ra2'kPa))以下。(2〕上述(1〕记载的脱模膜中，上述脱模层(I)由氟树脂形成。〔3〕上述(2〕记载的脱模膜中，上述氟树脂为乙烯/四氟乙烯系共聚物。(4〕上述〔1)〔3〕中任一项记载的脱模膜中，上述塑料支持层(II)在17CTC下拉伸200%时的拉伸强度为lMPa100MPa。〔5〕上述(1〕(4)中任一项记载的脱模膜中，上述塑料支持层(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。〔6〕上述(1〕(5〕中任一项记载的脱模膜中，上述气体透过抑制层(ni)形成于上述塑料支持层(ii)上。〔7〕上述〔1〕(6〕中任一项记载的脱模膜中，上述气体透过抑制层(ni)是选自氧化铝、氧化硅及氧化镁的至少一种的氧化物。〔8)上述(1〕(6)中任一项记载的脱模膜中，上述气体透过抑制层(III)是选自铝、锡、铬及不锈钢的至少一种的金属层。(9)上述(1〕(8)中任一项记载的脱模膜中，在上述气体透过抑制层(III)上形成树脂保护层(in')。〔10)上述〔1〕〔9)中任一项记载的脱模膜中，上述脱模膜的至少一面被梨皮加工。利用本发明，可提供与以往相比气体透过性显著较低、由模塑树脂导致的模具污染非常少的脱模膜。此外，通过气体透过率来规定可有效地抑制该模具污染的脱模膜所必需的气体透过性，该气体透过率与来自作为模具污染物质的树脂等的低粘度物质更实际地相对应。利用本发明，还可提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的脱模膜。此外，本发明的脱模膜可提供模具随动性优良的脱模膜。所以，通过使用本发明的脱模膜，半导体的树脂模塑工序中模具的污染非常少，可大幅减少模具清洗次数，因此能大幅提高半导体元件的树脂模塑的生产效率。对附图的简单说明图1是表示本发明的气体屏蔽性脱模膜的层结构的说明图。图2是表示本发明的气体屏蔽性脱模膜的层结构的说明图。图3是表示本发明的气体屏蔽性脱模膜的层结构的说明图。图4是表示本发明的气体屏蔽性脱模膜的层结构的说明图。图5是表示本发明的气体屏蔽性脱模膜的层结构的说明图。图6是表示本发明的气体屏蔽性脱模膜的层结构的说明图。符号说明1:气体屏蔽性脱模膜I:脱模层n:塑料支持层HI:金属氧化物蒸镀层等气体屏蔽层(气体透过抑制层)III':树脂保护层实施发明的最佳方式下面，详细说明本发明。本发明的半导体树脂模塑用脱模膜l如图l所示，其特征在于，至少具有层结构，并且其在17(TC下的二甲苯气体透过性为10—15(kmol*m/(s*m2'kPa))以下，该层结构由脱模性优良的脱模层(i)和支持该脱模层的塑料支持层(n)构成，在该脱模层和支持层之间形成由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)。(脱模层(I))本发明的脱模膜中的脱模层(I)是向半导体元件的被密封面配置，并与注入模具内的模塑树脂接触的层，是赋予固化后的模塑树脂足够的脱模性的层。作为形成脱模层的树脂，是对环氧树脂等模塑树脂具有脱模性的树脂即可，无特别限制，但特优选由脱模性优良的氟树脂形成脱模层。作为氟树脂，可例举乙烯/四氟乙烯系共聚物(以下称为"ETFE"。)、三氟氯乙烯系树脂(以下称为"CTFE"。)、聚四氟乙烯(以下称为"PTFE"。)、偏氟乙烯系树脂(以下称为"VdF"。)、氟乙烯系树脂(以下称为"VF"。)、四氟乙烯/六氟丙烯系共聚物(以下称为"FEP"。)、四氟乙烯/全氟(丙基乙烯基醚)系共聚物(以下称为"PFA"。)、四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物以及这些树脂的复合物等。优选ETFE、PTFE、FEP及PFA，更优选ETFE。此外，ETFE在不损伤赋予脱模性这一本质的特性的范围内，可含有基于一种以上的其它单体的重复单元。作为其它单体，可例举丙烯、丁烯等a—烯烃类；以CHfCX(CF丄Y(这里，X及Y独立地是氢或氟原子，n为l8的整数。)表示的化合物；偏氟乙烯、氟乙烯、二氟乙烯(DFE)、三氟乙烯(TFE)、五氟丙烯(PFP)、六氟异丁烯(HFIB)等的不饱和基上含有氢原子的氟代链烯烃；六氟丙烯(HFP)、三氟氯乙烯(CTFE)、全氟(甲基乙烯基醚)(PMVE)、全氟(乙基乙烯基醚)(PEVE)、全氟(丙基乙烯基醚)(PPVE)、全氟(丁基乙烯基醚)(PBVE)、其它全氟(烷基乙烯基醚)(PAVE)等的不饱和基上不含有氢原子的氟代链烯烃。可使用l种或2种以上的这些其它单体。本发明的脱模膜l中，如图1所示，脱模层(I)被具有必要的刚性的塑料支持层(II)支持，所以脱模层的厚度可以是足以赋予其脱模性的厚度。通常，作为厚度通常为375nm，较好为630nm。另外，图中(III)是后面详述的气体透过抑制层。此外，该脱模膜中，如图2所示，较好的是为使与支持层(II)相对的、与气体透过抑制层(III)等层积、粘接的一侧的脱模层(I)的表面的粘接性提高，按常规方法进行表面处理。作为表面处理法，可使用其自身公知的空气中的电晕放电处理、有机化合物存在下的电晕放电处理、有机化合物存在下的等离子体放电处理、由惰性气体、聚合性不饱和化合物气体及烃氧化物气体组成的混合气体中的放电处理等，特优选空气中的电晕放电处理。(塑料支持层(II))本发明的脱模膜中的塑料支持层(II)是层积脱模层(I)、支持它、赋予脱模膜必要的刚性和强度的层。此外，通过将脱模层(I)层积于该支持层上，可减少高价的ETFE等的使用量。作为形成上述塑料支持层(II)的树脂，无特别限制，用于一般的脱模膜的树脂的任一种均可使用，例如作为可使用的树脂，可例举聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯等聚酯树脂，6—尼龙、6，6—尼龙、12—尼龙等聚酰胺，聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、高密度聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、丙烯酸树脂，聚碳酸酯、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、乙烯/乙烯醇共聚物等。其中，优选聚酯树脂，更优选聚对苯二甲酸乙二酯。此外，它们以是拉伸的膜或未拉伸的膜。此外，塑料支持层(II)在17(TC下拉伸200%时的拉伸强度较好为lMPa10MPa。如果该支持层的强度较之过大，则脱模膜的伸长不充分，因此在使用凹凸较大的形状的模具时等的情况下，在被真空吸附的脱模膜与模具之间产生空隙，成为脱模膜断裂和树脂泄漏的主要原因。此外，如果强度较之小，则会成为由塑料支持层的厚度、也由密封树脂压力等导致塑料支持层的树脂渗出至脱模膜外而污染装置的主要原因。如果塑料支持层具有上述规定的拉伸强度，则脱模膜在高温下柔软，对凹凸较大的形状的模具的模具随动性优良，因而较好。如上所述，像凹凸较大的形状的模具等那样对脱模膜特别要求模具随动性时，作为塑料支持层(n)，较好的是由乙烯/乙烯醇共聚物等树脂构成。构成塑料支持层(II)的塑料膜或塑料片的厚度无特别限制，但通常为13OOum，较好为6200wm，更好为10100um左右。(由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(in))例如如图l所示，本发明的脱模膜的特征在于，在脱模层(I)与塑料支持层(n)之间形成由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(ni)。作为形成气体透过抑制层(in)的金属，例如可例举铝、锡、铬及不锈钢等；此外，作为金属氧化物，可例举氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化锆等。其中，优选氧化铝、氧化硅、氧化镁，更优选氧化铝、氧化硅。由上述金属氧化物形成气体透过抑制层时，脱模膜的气体屏蔽性优良，半导体树脂模塑工序中的模具污染显著减少，因而较佳。形成由这些金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)时，较为理想的是例如如图2所示，在作为塑料支持层(n)的塑料膜上，通过真空蒸镀、溅射(sputtering)、化学气相蒸镀(CVD)、离子镀(ionplating)等常规的薄膜形成方法形成，将作为脱模层(I)的ETFE系树脂膜等，较好的是用介以粘接剂的干式层压(drylaminate)、热固化、UV固化等方法粘接于其上，层积而制成脱模f。此外，也可以将铝等金属箔千式层压于支持层上。由金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)的厚度通常为1100mn，较好为550nm，更好为1030nm。如果该厚度较之薄，则气体透过抑制效果无法充分地体现，而以超过其的厚度也无法体现出更好的气体抑制效果，此外，作为脱模膜的操作(handling)性变差，因而不佳。(树脂保护层(nr))本发明的脱模膜中，在由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(ni)上形成用于保护其不受外部冲击等的影响的树脂保护层(nr)也是优选形态。作为该树脂保护层(in'),是可如图3所示，在形成于作为塑料支持层(iI)的塑料膜上的气体透过抑制层(III)上，通过涂布、印刷、浸渍(dipping)等的涂覆(coating)方法形成的树脂保护层即可，无特别限制，例如作为优选的树脂可例举三聚氰胺树脂、丙烯酸系树脂、聚偏二氯乙烯、乙烯一乙烯醇系树脂及聚乙烯醇系树脂等树脂。其中，更优选三聚氰胺树脂或丙烯酸系树脂，最优选三聚氰胺树脂。另外，根据情况的不同也可以用非晶质碳形成树脂保护层(nr)。该树脂保护层(in')的厚度通常为11500nm，较好为101000rnn，更好为50400nm左右。(二甲苯气体透过性)本发明的脱模膜是170。C下的二甲苯气体透过性为10—15(kmol*m/(S'm2*kPa))以下的气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜。本来，脱模膜的气体透过性较好的是作为低粘度物质等对该膜的透过性进行评价，该低粘度物质来自作为模塑树脂的环氧树脂等。以往，如前述专利文献1及专利文献2所记载，通过二氧化碳气体的膜透过性进行评价，但是该低粘度物质与二氧化碳气体作为化学物质有很大的差异，相关性不能说充分。本发明者发现，与此相对，二甲苯蒸气(气体)在17(TC下的膜透过性可与来自环氧树脂等的物质的气体透过性良好地关联。S口，发现二甲苯气体的透过系数是从环氧树脂等半导体树脂模塑树脂中产生的有机物的屏蔽性的良好的指标，该值越小，就表示半导体树脂模塑工序中的模具污染越少。并且发现，本发明中，通过将脱模膜的气体透过性设为特定的值，具体地说，通过将170。C下二甲苯气体的透过性设为10—15(kmolm/(sm2kPa))以下、较好为5X10—，kmol'm/(s'm、kPa))以下，模具的污染性明显减少。本发明的脱模膜的气体透过性如后述实施例所述，是用透过率测定膜(试样膜)将上部容器和下部容器的连通口(开口面)封闭，将二甲苯气体导入保持于17(TC的上部容器，使二甲苯气体通过该试样膜向保持真空的下部容器透过，测定透过的该二甲苯气体的浓度(压力)随时间的变化，从该稳定状态下的压力变化，作为17(TC环境下的二甲苯气体透过系数算出的。(脱模膜的层结构)本发明的脱模膜可以是如下的膜基本结构是图l所示的由脱模层(I)/气体透过抑制层(III)/塑料支持层(II)构成的层结构，但也可以是图3所示的由脱模层(i)/树脂保护层(in')/气体透过抑制层(III)/塑料支持层(II)构成的层结构；图4所示的由脱模层(I)/气体透过抑制层(III)/塑料支持层(II)/脱模层(I)构成的层结构；或图5所示的由脱模层(I)/树脂保护层(III')/气体透过抑制层(ni)/塑料支持层(n)/脱模层(i)构成的层结构；还有图6所示的由脱模层(i)/气体透过抑制层(in)/塑料支持层(ii)/气体透过抑制层(ni)/脱模层(i)构成的层结构。此外，气体透过抑制层(ni)和树脂保护层(nr)可层积数层，此时在塑料支持层(ii)上面有树脂保护层(in')，在其上面可重复地层积气体透过抑制层(in)和树脂保护层(nr)。在任一层结构中，脱模层(i)与透过抑制层(ni)、或是脱模层(i)与树脂保护层(ni')之间可以有粘接层。作为形成该粘接层的粘接剂，例如可以是异氰酸酯系、聚氨酯系、聚酯系等的任一种。该粘接层换算成干膜厚较好的是在0.15um的范围内，更好的是在0.22um的范围内。此外，层积的顺序无特别限制，但较好的是例如如图2所示，在塑料支持层(II)上用真空蒸镀等方法形成气体透过抑制层(III)，然后层积脱模层(I)。此时，同样较好的是如图3所示，在气体透过抑制层(ni)上进一步形成树脂保护层(nr)，然后层积脱模层(i)。此外，本发明的脱模膜在使用时吸附于模具面，因此为减少脱模膜的成分向模具面的转移，在靠近模具面的一侧也可以具有气体透过抑制层(in)。(各层厚度)如果要对本发明的气体屏蔽性脱模膜的各层的厚度进行总体地描述，则各层的厚度为脱模层(I)的厚度通常为375um，较好为630um。塑料支持层(II)的厚度通常为1300"m，较好为6200nm，更好为10100nm。形成于塑料支持层(II)上的气体透过抑制层(III)的厚度通常为1100nm，较好为550nm，更好为1030nm。形成于气体透过抑制层(III)等上的树脂保护层(III')的厚度通常为11500nm，较好为101000nm，更好为50400nm左右。(梨皮形成)可对本发明的脱模膜中作为表面层的脱模层(I)及塑料支持层(II)进行梨皮加工。进行梨皮加工时的表面层的表面的算术表面粗糙度较好的是在0.013.5um的范围内，更好的是在0.152.5ixm的范围内。如果表面粗糙度在该范围内，则可防止成形品的外观缺陷，在使原材料利用率提高的同时，使标记于成形品上的批号的视觉辨认度提高的效果也优良。(模塑)在半导体元件的树脂模塑工序中，本发明的半导体模塑用脱模膜自身可与以往的脱模膜一样地使用。即，在成形模具内的指定位置上设置要模塑的半导体元件和本发明的脱模膜，合模后用真空吸引使该脱模膜吸附于模具面，将模塑树脂在半导体元件与被覆模具面的半导体模塑用脱模膜之间注射成形即可。固化后的模塑树脂与本发明的脱模膜可容易地脱模。实施例下面，例举实施例对本发明作具体说明，但本发明的技术范围不限定于此。另外，二甲苯气体的透过系数是以如下方法测定的。〔二甲苯气体透过系数(kmolm/(sm2kPa))的测定方法)以JISK7126—1987为基准用差压法测定。这里，试验温度为170°C，试样气体为二甲苯气体，高压侧压力为5kPa，试样膜的透过面直径为50mm。将二甲苯气体导入保持于17(TC的上部容器，介以透过率测定膜(试样膜)使二甲苯气体向保持真空的下部容器透过，测定透过的该二甲苯气体的浓度(压力)随时间的变化，从该稳定状态下的压力变化算出17(TC环境下的二甲苯气体透过系数。(实施例1〕(1)使用厚12um的ETFE膜(旭硝子社制，商品名FluonETFE)作为脱模层(I)。另外，为提高粘接性，对该ETFE膜的一面(与支持层相对的面(粘接面))以40Wmin/m2的放电量进行电晕放电处理。此外，准备一种膜(凸版印刷社制，商品名GX膜(GXfilm))，该膜是将12pm的聚对苯二甲酸乙二酯膜作为塑料支持层(II)，在其一面上蒸镀作为金属氧化物的氧化铝，形成气体透过抑制层(III)，然后通过涂覆在其上形成树脂保护层(nr)。(2)在上述膜(GX膜)的树脂保护层(in')面上，以换算成干膜厚度0.4um的厚度涂布聚酯系粘接剂(旭硝子社制，商品名AG—9014A),使其干燥，如图3所示与相对的脱模层(i)一起进行干式层压，得到层结构((i)/(nr)/(nD/(n))的脱模膜(以下称为"脱模膜i"。)。(3)对所得脱模膜1，以上述方法测定17(TC环境下的二甲苯气体透过系数。结果如表i所示。(4)以下述方法测定上述所得的脱模膜1对模塑用环氧树脂的脱模性。即，将裁成口字形状的厚度0.l鹏的Al作为框架(间隔物(印acer))设置在脱模膜1与作为柔性印刷基板的基板材料的KAPTON膜(聚酰亚胺膜，杜邦公司商标)(对照膜)之间，将半导体用模塑用环氧树脂注入该A1框架内。用175r环境下的平板压机加压，通过该模塑用环氧树脂将脱模膜1与KAPT0N膜粘接。(这里，以脱模膜1的脱模层(I)与环氧树脂相接触的状态配置。)将该粘接了半导体用模塑用树脂的脱模膜l切断成宽25mm的长方形，一边剥离其端部，一边进行其与半导体模塑树脂的180°剥离试验，测定脱模强度。结果如表l所示。(5)将未模塑基板安装在175t:环境下的传递成形的下模具上，将脱模膜1真空吸附在上模具上后，闭合上下模具，将半导体模塑用环氧树脂在7MPa、90sec的条件下进行传递成形。在上述条件下反复进行模注射(moldshot)，以目测检测模具的污染，结果即使重复2000次以上也无法观察到模具污染。(比较例l)(1)将厚50um的单体ETFE膜(旭硝子社制，商品名FluonETFE)直接作为脱模膜样品(以下称为"脱模膜2"。)用于试验。(2)除用该脱模膜2替代上述脱模膜1夕卜，与实施例l相同算出17(TC环境下的二甲苯气体透过系数，此外，与实施例1相同进行180。剥离试验。结果如表1所示。(3)还与实施例1相同，用脱模膜2反复进行模注射，结果不到2000次时模具污染就变得显著。(实施例2〕(1)除使用12um的乙烯/乙烯醇共聚物(可乐丽(kuraray)社制，商品名evalEF—F)作为塑料支持层(II)，使用在其一面上溅射10nm作为金属的铝、形成气体透过抑制层(in)的膜，未形成树脂保护层(nr)外，与实施例l相同得到脱模膜(以下称为"脱模膜3"。)。(2)对脱模膜3，与实施例相同算出17(TC环境下的二甲苯气体透过系数，此外，与实施例1相同用180。剥离试验测定剥离强度。脱模膜3的二甲苯气体透过系数为1X10—16(kmol'm/(S.m2*kPa))，由180°剥离试验得到的脱模强度为0(N/m)。结果如表l所示。(3)还与实施例1相同，用脱模膜3反复进行模注射，结果即使重复模注射2000次以上也未观察到模具污染。(4)将具有凹部的模具保持在17(TC，使脱模膜3真空吸附在该模具凹部上，结果可知，该脱模膜与模具之间几乎没有空隙，与实施例l相同，模具随动性优良。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>从表1的实施例1及2，以及比较例l的结果可知，本发明的脱模膜l及3不仅如其180。剥离试验(N/cm)所示，是与半导体模塑用环氧树脂的脱模性极优的脱模膜，而且其二甲苯气体透过系数为8X10—17(kmolm/(sm2kPa))，或为1X10—16(kmol'm/(s.m、kPa))，比起本发明规定的值足够地小。因此该结果表示，在使用该脱模膜1及3的传递成形试验中，任何一个都表现出即使重复2000次以上也未观察到模具污染的优良的效果。与此相对，将ETFE膜自身作为脱模膜2使用时，虽然脱模性优良，但其二甲苯气体透过系数为1X10—14(kmoltii/(s*m2*kPa))，比本发明规定的值差，担心通过该膜的环氧树脂成分向模具透过。和预想的一样，在使用该脱模膜2的传递成形试验中，重复不到2000次时模具污染就变得显著。产业上利用的可能性利用本发明，可提供与以往相比气体透过性显著较低、由模塑树脂导致的模具污染非常少的脱模膜，此外，可提供具有对模塑树脂的脱模性的脱模膜。所以，通过使用本发明的气体屏蔽性脱模膜，半导体的树脂模塑工序中模具的污染非常少，可显著减少模具清洗次数，能使半导体元件的树脂模塑的生产效率大幅提高，因此产业上利用的可能性极大。本发明的脱模膜特别适用于半导体树脂模塑用途，除此之外，也能用于各种需要脱模性的用途。这里引用2006年4月25日提出申请的日本专利申请2006-120573号、以及2006年7月12日提出申请的日本专利申请2006-191872号的说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。权利要求1.气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，具有脱模性优良的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)，该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之间，且所述脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。2.如权利要求l所述的脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)由氟树脂形成。3.如权利要求2所述的脱模膜，其特征在于，所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯系共聚物。4.如权利要求13中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述塑料支持层(II)在17(TC下拉伸200%时的拉伸强度为lMPa100MPa。5.如权利要求14中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述塑料支持层(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。6.如权利要求15中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述气体透过抑制层(III)形成于所述塑料支持层(II)上。7.如权利要求16中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述气体透过抑制层(ni)是选自氧化铝、氧化硅及氧化镁的至少一种的氧化物层。8.如权利要求16中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述气体透过抑制层(III)是选自铝、锡、铬及不锈钢中的至少一种的金属层。9.如权利要求18中任一项所述的脱模膜，其特征在于，在所述气体透过抑制层(in)上形成树脂保护层(in')。10.如权利要求19中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述脱模膜的至少一面被梨皮加工。全文摘要本发明提供气体透过性显著较低，由模塑树脂导致的模具污染非常少，具有高脱模性的脱模膜。它是气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，具有脱模性优良的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)，该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之间，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为10^-15(kmol·m/(s·m²·kPa))以下。脱模层(I)较好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，此外作为金属氧化物层，较好的是氧化铝、氧化硅或氧化镁等的氧化物层。文档编号B29C33/56GK101427358SQ20078001409公开日2009年5月6日申请日期2007年4月20日优先权日2006年4月25日发明者奥屋珠生,有贺广志,樋口义明申请人:旭硝子株式会社