专利名称：半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂。
背景技术：
在半导体包装组装工序中，通过在半导体芯片的铝电极和内部引线之间热压接金属线来进行电连接的方法现在成为主流。另外，近年来伴随着电子器件的小型化、轻量化、 高性能化的市场动向，电子部件的高集成化、多引脚化逐年发展。因此，要求比以前更复杂的焊线工序，使用铜制引线框时，由于在200 250°C的高温状态长时间暴露，因而铜表面的氧化更加进行。这种状况下，即使以往的对于未氧化的铜表面的粘合性优异的半导体封装材料， 对于表面状态不同的氧化铜也常有粘合性差的情况，从而出现在树脂封装后除去铸模时、 回焊时引起剥离的问题。用于抑制剥离的插入物与封装材料树脂的粘合性是与对于模具的脱模性相反的指标，因此，存在如果使粘合性提高则脱模性较差、成型性降低这类问题。采用电子部件的高集成化而铜框的氧化成为问题的以前，为了兼顾粘合性和脱模性，提出了添加氧化聚乙烯蜡以及α烯烃与马来酸的共聚物的半酯化物作为脱模剂的方法。(例如参照专利文献1、 2。)根据该方法，虽然对未氧化的铜的粘合性和脱模性优异，但由于并用了氧化聚乙烯蜡， 因而存在封装树脂对被氧化的铜框的粘合性降低的问题。而且，对于α烯烃部分短至碳原子为25个以下的共聚物脱模剂(例如参照专利文献幻，存在连续成型性(通气口堵塞等的脱模性)较差的问题。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特许第3975386号公报专利文献2 日本特许第4010176号公报专利文献3 日本特公昭61_5观62号公报
发明内容
本发明是鉴于所述情况而完成的，要提供对氧化铜的粘合性良好并且脱模性、连续成型性也优异的半导体封装用环氧树脂组合物、及具备利用其进行了封装的元件的半导体装置以及脱模剂。 本发明人为了解决上述的课题，反复深入研究，结果发现，通过在半导体封装用环氧树脂组合物中使用特定的脱模剂能够达到上述的目的，至此完成了本发明。SP，本发明如下。[1] 一种半导体封装用环氧树脂组合物，其含有㈧环氧树脂、⑶固化剂、(C)无机填充材料、以及脱模剂，其中，所述脱模剂含有(D)用碳原子数为10 25的长链脂肪族醇将碳原子数为观 60的α -烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。[2]根据[1]所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其进一步含有下述通式(I )
表示的硅氧烷加成聚合物改性物。
权利要求
1.一种半导体封装用环氧树脂组合物，其特征在于，含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、 (C)无机填充材料、以及脱模剂，其中，所述脱模剂含有(D)用碳原子数为10 25的长链脂肪族醇将碳原子数为观 60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
2.根据权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，进一步含有下述通式 (I)表示的硅氧烷加成聚合物改性物，
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，相对于所述脱模剂的总量100质量％，所述(D)用碳原子数为10 25的长链脂肪族醇将碳原子数为观 60 的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物的含量为阳质量<% 100质量％。
4.根据权利要求2所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，相对于所述半导体封装用环氧树脂组合物的总量100质量％，所述硅氧烷加成聚合物改性物的含量为0. 1质量％ 2质量％。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中，所述(A) 环氧树脂包含选自联苯型环氧树脂、对二甲苯型环氧树脂以及具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂中的至少一种。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物，用于具备含铜引线框的半导体装置中的半导体元件的封装。
7.一种半导体装置，其特征在于，用权利要求1 6中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物的固化物封装半导体元件。
8.一种脱模剂，其特征在于，含有(D)用碳原子数为10 25的长链脂肪族醇将碳原子数为观 60的α -烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
9.根据权利要求8所述的脱模剂，用于半导体封装用环氧树脂组合物。
10.根据权利要求9所述的脱模剂，其中，所述半导体封装用环氧树脂组合物用于具备含铜引线框的半导体装置中的半导体元件的封装。
全文摘要
本发明涉及一种用于半导体封装的环氧树脂组合物，其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料、以及脱模剂，所述脱模剂含有(D)用碳原子数为10～25的长链脂肪族醇将碳原子数为28～60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
文档编号H01L23/31GK102575085SQ20108004722
公开日2012年7月11日 申请日期2010年10月7日 优先权日2009年10月20日
发明者田部井纯一 申请人:住友电木株式会社