电子产品高温烧结炉的制作方法

本发明属于电子窑炉设施技术领域，具体涉及一种电子产品高温烧结炉。

背景技术：

前述的电子产品主要包括各类电子元器件和电子粉体材料。如业界所知，不论是用于烧结各类电子元器件，还是用于烧结各种普通的以及特殊并且高端的电子粉体材料的烧结炉，炉体的炉膛结构以及加热部件及其设置方式系其十分重要的组成部分。对此可以由中国专利cn105783517a推荐的“电池材料烧结炉的炉膛结构”以及cn204934610u提供的“min烧结炉的炉膛加热装置”印证。

进而如业界所知，有些电子材料如氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片等等的烧结温度相对较高，并且在1500-1600℃左右，于是如果使用传统的电热丝之类的加热元件，那么因极易氧化而无法满足业界期望的加热元件使用寿命，并且因停炉更换频繁而一方面影响产能，另一方面不利于节省能耗，再一方面设备管护人员的工作量大。

仍如业界所知，硅钼棒实质上为二硅化钼电热组件，是一种以硅化钼为基础的电阻发热组件，在氧化气氛下加热至高温，表面生成的一层致密的石英玻璃膜能起到良好的保护作用，使硅钼棒不再氧化。因此鉴于硅钼棒具有拔萃的高温抗氧化性能，在氧化气氛下最高可达1800℃，并且其通常的适用温度为1500-1700℃左右，因而对于烧结前述氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片以及高端电子磁性材料、高档冶金材料、耐火材料等等能发挥良好的积极作用。

前述硅钼棒的形状主要有w字形、一字形和u字形，由于w字形的硅钼棒通常为水平放置使用，例如由于电炉内发热端分布较多，热效率较高，因而为了节省成本，w字形的硅钼棒适合于炉膛高度较矮的电炉，并不适合作为长度相对冗长且炉膛高度相对较高的前述电子元器件及电子粉体材料的烧结炉的加热部件；一字形的硅钼棒主要用于结构相对简单且体积较小的加热炉如中国专利cn208382876u推荐的“利用硅钼棒加热的搪瓷加热炉”，此外由于一字形的硅钼棒是处于纵向状态使用的，因而固定相对困难；由于u字形的硅钼棒能将前述w字形以及一字形的硅钼棒的优势兼得，例如在使用状态下能像一字形的硅钼棒那样纵向悬置使用，而无需象w字形的硅钼棒那样卧置使用，又如能够满足长度相对冗长并且高度相对较高的前述犹如隧道式的烧结炉的使用要求，因而较受业界的器重。

依然由业界所知，电子元器件烧结炉的炉膛通常由沿着炉体长度方向的两侧砌筑的炉壁砖、位于炉体底部的炉底砖以及位于炉体顶部的炉顶砖构建（即围合）而成，前述u字形的硅钼棒的上端被定位在对应于炉膛上方的炉顶砖上，而下端伸展到炉膛内，并且在炉膛的长度方向的两侧均以间隔状态设置硅钼棒。

传统的方法是：在对应于炉膛顶部的炉顶砖上并且在对应于u字形的硅钼棒的位置预设有供u字形的硅钼棒的上部两端穿过的硅钼棒让位孔，并且使硅钼棒的上部两端伸展到位于最上部的炉顶砖的上方以满足与电源连接的要求，而硅钼棒的下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛底部。这种结构设置虽然能够满足使用要求，但是当使用了一个时期例如使用了一至两年而需要对硅钼棒更换时，只能将前述炉顶砖拆除，才得以将硅钼棒取出，更换后返回硅钼棒时，又需将炉顶砖重新砌筑，于是不仅更换硅钼棒的工程量大，造成更换硅钼棒的成本高，而且由于需要对炉顶砖进行较大程度的结构拆装，因而存在对炉体整体结构产生影响之虞，进而由于更换硅钼棒耗时长并且作为一个工程来对待并处理，因而烧结炉停用时间长，影响电子元器件和/或电子粉体材料的烧结效率，还由于每次更换硅钼棒需拆卸炉顶砖，因而难以保障初始时的密封效果，进而由于在高温下硅钼棒会在炉顶砖的前述钼棒让位孔的部位与炉顶砖胀合为趋于一体的结构，因而造成取离炉顶砖困难，因为需将由硅钼棒胀住的复数根炉顶炉一并拆除，因而操作者的作业强度大。鉴于并非限于前述的技术问题，有必要加以合理改进，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。

技术实现要素：

本发明的任务在于提供一种有助于显著减少更换硅钼棒的工程量而得以降低更换硅钼棒的成本、有利于显著缩短更换硅钼棒的时间而得以保障对电子元器件及电子粉体材料等的烧结效率、有益于避免因更换硅钼棒对炉膛顶部的密封产生影响而得以保障炉体初始的密封效果、有便于避免硅钼棒与砖体胀结为一体而得以方便更换硅钼棒并且得以显著降低更换硅钼棒的作业强度的电子产品高温烧结炉。

本发明的任务是这样来完成的，一种电子产品高温烧结炉，包括炉体，该炉体的中央位置构成有一自炉体的长度方向的前端贯通至后端的一炉膛，该炉膛由沿着炉体的长度方向的内侧底部水平砌筑的炉底砖、沿着炉体的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以所述炉底砖为基础纵向砌筑的炉壁砖以及沿着炉体的长度方向的顶部并且以所述炉壁砖为基础水平砌筑的炉顶砖围设而成；硅钼棒左加热元件和硅钼棒右加热元件，硅钼棒左加热元件在对应于所述炉膛的左侧的位置以间隔状态自炉膛的长度方向的前端分布至炉膛的后端，硅钼棒右加热元件在对应于炉膛的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛的长度方向的前端分布至炉膛的后端，该硅钼棒左加热元件以及硅钼棒右加热元件的形状呈u字形并且下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛的底部，特征在于还包括有左塞砖机构、右塞砖机构、左提取释放砖和右提取释放砖，左塞砖机构的数量与所述硅钼棒左加热元件的数量相等并且在对应于硅钼棒左加热元件的位置砌筑在所述炉顶砖内，右塞砖机构的数量与所述硅钼棒右加热元件的数量相等并且在对应于硅钼棒右加热元件的位置同样砌筑在所述炉顶砖内，左提取释放砖位于所述炉体的顶部并且与所述左塞砖机构的上部插拔配合，右提取释放砖位于所述炉体的顶部并且与所述右塞砖机构的上部插拔配合，所述硅钼棒左加热元件的下端穿过所述左塞砖机构并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛的底部，而硅钼棒左加热元件的上端由下向上穿过所述左提取释放砖并且探出左提取释放砖的上表面，所述硅钼棒右加热元件的下端穿过所述右塞砖机构并且以纵向悬臂状态伸展到所述炉膛的底部，而硅钼棒右加热元件的上端由下向上穿过右提取释放砖并且探出右提取释放砖的上表面。

在本发明的一个具体的实施例中，在所述的炉顶砖中，位于底层的并且与所述炉膛的顶部相对应的炉顶砖构成为炉膛顶壁砖，与炉膛顶壁砖的左侧接壤的并且与所述左塞砖机构的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒左加热元件让位孔砖，而与炉膛顶壁砖的右侧接壤的并且与所述右塞砖机构的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒右加热元件让位孔砖；在位于所述炉膛的底部的所述炉底砖上并且在对应于所述硅钼棒左加热元件的位置开设有一硅钼棒左加热元件下端探入槽，而在对应于硅钼棒右加热元件的位置开设有一硅钼棒右加热元件下端探入槽；所述的硅钼棒左加热元件的下端在依次穿过所述左塞砖机构以及硅钼棒左加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉腔的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽内，所述的硅钼棒右加热元件的下端在依次穿过所述右塞砖机构以及硅钼棒右加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入硅钼棒右加热元件下端探入槽内。

在本发明的另一个具体的实施例中，所述左塞砖机构包括左下塞砖、左中间塞砖和左上塞砖，左下塞砖支承在所述硅钼棒左加热元件让位孔砖朝向上的一侧，左中间塞砖叠置在左下塞砖的上部，左上塞砖叠置在左中间塞砖的上部，所述的左提取释放砖在位于所述炉体的顶部的位置与所述左上塞砖的顶部插拔配合，所述左下塞砖、左中间塞砖以及左上塞砖由所述炉顶砖砌筑固定，所述硅钼棒左加热元件的下端在依次穿过左上塞砖、左中间塞砖、左下塞砖和硅钼棒左加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽内，而硅钼棒左加热元件的上端在自所述左提取释放砖的下方向上穿过左提取释放砖后探出左提取释放砖的上表面后并且固定有硅钼棒电源左连接电缆连接夹；所述的炉膛顶壁砖的左侧上部与所述左下塞砖的下部右侧相配合。

在本发明的又一个具体的实施例中，在所述硅钼棒左加热元件让位孔砖上开设有一贯穿硅钼棒左加热元件让位孔砖的厚度方向的硅钼棒左加热元件让位贯通孔，在所述左下塞砖上并且在对应于硅钼棒左加热元件让位贯通孔的位置开设有一自左下塞砖的顶部贯通至底部的左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔，在所述左中间塞砖上并且在对应于左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔的位置开设有一自左中间塞砖的顶部贯通至底部的左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔，在所述左上塞砖上并且在对应于左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔的位置开设有一自左上塞砖的顶部贯通至底部的左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔，在所述左提取释放砖上并且在对应于左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔的两端的位置各开设有一左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔，其中，所述硅钼棒左加热元件让位贯通孔、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔以及左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔的形状是相同的并且均呈哑铃状孔，所述的左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔为圆形孔，所述硅钼棒左加热元件的下端在由上向下依次穿过所述左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔和硅钼棒左加热元件让位贯通孔后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽内，硅钼棒左加热元件的上端在对应于所述左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔的位置自左提取释放砖的下方向上穿过左提取释放砖并且探出左提取释放砖的上表面，固定在所述硅钼棒左加热元件的上端的所述硅钼棒电源左连接电缆连接夹的底面与左提取释放砖的顶表面接触。

在本发明的再一个具体的实施例中，在所述左下塞砖的高度方向的中部并且围绕左下塞砖的四周构成有一左下塞砖砌固台阶腔，左下塞砖的上端构成为左下塞砖凸台，在左下塞砖的右侧下部构成有一左下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔，所述的炉顶砖与左下塞砖砌固台阶腔砌配，所述炉膛顶壁砖的左侧上部与所述左下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔砌配；在所述左中间塞砖的底部并且在对应于所述左下塞砖凸台的位置构成有一左中间塞砖凹腔，左下塞砖凸台的上部探入该左中间塞砖凹腔内，在左中间塞砖的中部构成有一左中间塞砖砌配腔，所述炉顶砖与该左中间塞砖砌配腔嵌砌配合，在左中间塞砖的上部构成有一左中间塞砖凸台；在所述左上塞砖的底部并且在对应于所述左中间塞砖凸台的位置构成有一左上塞砖凹腔，左中间塞砖凸台的上部探入该左上塞砖凹腔内；在所述左提取释放砖朝向下的一侧构成有一用于与所述左上塞砖的上部插拔配合的左提取释放砖塞片；在所述炉膛顶壁砖的左侧下部并且在对应于所述硅钼棒左加热元件让位孔砖的位置构成有一炉膛顶壁砖左配合斜面，而在硅钼棒左加热元件让位孔砖的右侧并且在对应于炉膛顶壁砖左配合斜面的位置构成有一硅钼棒左加热元件让位孔砖斜面，该硅钼棒左加热元件让位孔砖斜面与炉膛顶壁砖左配合斜面的倾斜方向相反并且相互配合。

在本发明的还有一个具体的实施例中，所述右塞砖机构包括右下塞砖、右中间塞砖和右上塞砖，右下塞砖支承在所述硅钼棒右加热元件让位孔砖朝向上的一侧，右中间塞砖叠置在右下塞砖的上部，右上塞砖叠置在右中间塞砖的上部，所述的右提取释放砖在位于所述炉体的顶部的位置与所述右上塞砖的顶部插拔配合，所述右下塞砖、右中间塞砖以及右上塞砖由所述炉顶砖砌筑固定，所述硅钼棒右加热元件的下端在依次穿过右上塞砖、右中间塞砖、右下塞砖和硅钼棒右加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入所述的硅钼棒右加热元件下端探入槽内，而硅钼棒右加热元件的上端在自所述右提取释放砖的下方向上穿过右提取释放砖后探出右提取释放砖的上表面后并且固定有硅钼棒电源右连接电缆连接夹；所述的炉膛顶壁砖的右侧上部与所述右下塞砖的下部左侧相配合。

在本发明的更而一个具体的实施例中，在所述硅钼棒右加热元件让位孔砖上开设有一贯穿硅钼棒右加热元件让位孔砖的厚度方向的硅钼棒右加热元件让位贯通孔，在所述右下塞砖上并且在对应于硅钼棒右加热元件让位贯通孔的位置开设有一自右下塞砖的顶部贯通至底部的右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔，在所述右中间塞砖上并且在对应于右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔的位置开设有一自右中间塞砖的顶部贯通至底部的右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔，在所述右上塞砖上并且在对应于右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔的位置开设有一自右上塞砖的顶部贯通至底部的右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔，在所述右提取释放砖上并且在对应于右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔的两端的位置各开设有一右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔，其中，所述硅钼棒右加热元件让位贯通孔、右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔、右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔以及右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔的形状是相同的并且均呈哑铃状孔，所述的右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔为圆形孔，所述硅钼棒右加热元件的下端在由上向下依次穿过所述右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔、右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔、右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔和硅钼棒右加热元件让位贯通孔后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入所述的硅钼棒右加热元件下端探入槽内，硅钼棒右加热元件的上端在对应于所述右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔的位置自右提取释放砖的下方向上穿过右提取释放砖并且探出右提取释放砖的上表面，固定在所述硅钼棒右加热元件的上端的所述硅钼棒电源右连接电缆连接夹的底面与右提取释放砖的顶表面接触。

在本发明的进而一个具体的实施例中，在所述右下塞砖的高度方向的中部并且围绕右下塞砖的四周构成有一右下塞砖砌固台阶腔，右下塞砖的上端构成为右下塞砖凸台，在右下塞砖的左侧下部构成有一右下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔，所述的炉顶砖与右下塞砖砌固台阶腔砌配，所述炉膛顶壁砖的右侧上部与所述右下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔砌配；在所述右中间塞砖的底部并且在对应于所述右下塞砖凸台的位置构成有一右中间塞砖凹腔，右下塞砖凸台的上部探入该右中间塞砖凹腔内，在右中间塞砖的中部构成有一右中间塞砖砌配腔，所述炉顶砖与该右中间塞砖砌配腔嵌砌配合，在右中间塞砖的上部构成有一右中间塞砖凸台；在所述右上塞砖的底部并且在对应于所述右中间塞砖凸台的位置构成有一右上塞砖凹腔，右中间塞砖凸台的上部探入该右上塞砖凹腔内；在所述右提取释放砖朝向下的一侧构成有一用于与所述右上塞砖的上部插拔配合的右提取释放砖塞片；在所述炉膛顶壁砖的右侧下部并且在对应于所述硅钼棒右加热元件让位孔砖的位置构成有一炉膛顶壁砖右配合斜面，而在硅钼棒右加热元件让位孔砖的左侧并且在对应于炉膛顶壁砖右配合斜面的位置构成有一硅钼棒右加热元件让位孔砖斜面，该硅钼棒右加热元件让位孔砖斜面与炉膛顶壁砖右配合斜面的倾斜方向相反并且相互配合。

在本发明的又更而一个具体的实施例中，在所述炉膛的长度方向由炉膛温区隔离砖隔设有复数个烧结温度不同的炉膛温区，炉膛的通道宽度在对应于炉膛温区隔离砖的位置是收窄的；在所述炉顶砖上并且在对应于所述炉膛温区的位置开设有自炉顶砖的顶部贯至炉顶砖的底部的炉顶砖热电偶让位孔，在所述炉膛顶壁砖上并且在对应于炉顶砖热电偶让位孔的位置开设有炉膛顶壁砖热电偶让位孔，该炉膛顶壁砖热电偶让位孔与炉顶砖热电偶让位孔相通并且还同时与炉膛相通。

在本发明的又进而一个具体的实施例中，在所述炉膛的底部并且沿着炉膛的长度方向设置有炉膛推板导轨，在使用状态下，在炉膛推板导轨上设置推板。

本发明提供的技术方案的技术效果之一，由于采用了得以与炉顶砖砌筑固定并且能分别供硅钼棒左、右加热元件的下端向炉膛方向插入的左、右塞砖机构，又由于在炉体的顶部设置了分别与左、右塞砖机构插拔配合的并且供硅钼棒左、右加热元件的上端穿过的左、右提取释放砖，因而当要更换硅钼棒左、右加热元件时，只要将左、右提取释放砖向上提移而使硅钼棒左、右加热元件取出并更换，有助于显著减少工作量而得以降低更换硅钼棒的工程成本；之二，由于更换硅钼棒左、右加热元件的时间短、效率高，因而有利于提高烧结炉对电子元器件及电子粉体材料等的烧结效率；之三，由于更换硅钼棒左、右加热元件只需向上提起左、右提取释放砖，无需对炉顶砖拆移，因而不会对炉膛的顶部的初始状态改变并且不会影响密封效果；之四，由于硅钼棒左、右加热元件不会与左、右塞砖机构粘结，因而既可方便更换又能减轻操作者的作业强度。

附图说明

图1为本发明的实施例示意图。

图2为图1所示的硅钼棒右加热元件与右塞砖机构的详细结构图。

具体实施方式

为了能够更加清楚地理解本发明的技术实质和有益效果，申请人在下面以实施例的方式作详细说明，但是对实施例的描述均不是对本发明方案的限制，任何依据本发明构思所作出的仅仅为形式上的而非实质性的等效变换都应视为本发明的技术方案范畴。

在下面的描述中凡是涉及上、下、左、右、前和后的方向性或称方位性的概念都是以图1所处的位置状态为基准的，因而不能将其理解为对本发明提供的技术方案的特别限定。

请参见图1，示出了属于隧道窑炉范畴的并且长度可达十几米乃至数十米甚至更长的炉体1，该炉体1的中央位置构成有一自炉体1的外壳（即炉壳）长度方向的前端贯通至后端的一炉膛11，该炉膛11由沿着炉体1的长度方向的内侧底部水平砌筑的炉底砖12、沿着炉体1的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以前述炉底砖12为基础纵向砌筑的炉壁砖13以及沿着炉体1的长度方向的顶部并且以前述炉壁砖13为基础水平砌筑的炉顶砖14围设而成；硅钼棒左加热元件2和硅钼棒右加热元件3，硅钼棒左加热元件2在对应于前述炉膛11的左侧的位置以间隔状态自炉膛11的长度方向的前端分布至炉膛11的后端，硅钼棒右加热元件3在对应于炉膛11的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛11的长度方向的前端分布至炉膛11的后端，该硅钼棒左加热元件2以及硅钼棒右加热元件3的形状呈u字形并且下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛11的底部。

作为本发明提供的技术方案的技术要点：在前述电子产品高温烧结炉的结构体系中还包括有左塞砖机构4、右塞砖机构5、左提取释放砖6和右提取释放砖7，左塞砖机构4的数量与前述硅钼棒左加热元件2的数量相等并且在对应于硅钼棒左加热元件2的位置砌筑在前述炉顶砖14内，右塞砖机构5的数量与前述硅钼棒右加热元件3的数量相等并且在对应于硅钼棒右加热元件3的位置同样砌筑在前述炉顶砖14内，左提取释放砖6位于前述炉体1的顶部并且与前述左塞砖机构4的上部插拔配合，右提取释放砖7位于前述炉体1的顶部并且与前述右塞砖机构5的上部插拔配合，前述硅钼棒左加热元件2的下端穿过前述左塞砖机构4并且以纵向悬臂状态伸展到前述炉膛11的底部，而硅钼棒左加热元件2的上端由下向上穿过前述左提取释放砖6并且探出左提取释放砖6的上表面，前述硅钼棒右加热元件3的下端穿过前述右塞砖机构5并且以纵向悬臂状态伸展到前述炉膛11的底部，而硅钼棒右加热元件3的上端由下向上穿过右提取释放砖7并且探出右提取释放砖7的上表面。

通过上面的说明并且结合图1所示，可以确定：前述左、右提取释放砖6、7的数量是分别与前述左、右塞砖机构4、5的数量相等的。具体而言，硅钼棒左加热元件2、左塞砖机构4以及左提取释放砖6三者的第一数量相等；硅钼棒右加热元件3、右塞砖机构5以及右提取释放砖7三者的第二数量相等，并且第一、第二数量彼此相同。

继续见图1，在前述的炉顶砖14中，位于底层的并且与前述炉膛11的顶部相对应的炉顶砖构成为炉膛顶壁砖141，与炉膛顶壁砖141的左侧接壤的并且与前述左塞砖机构4的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒左加热元件让位孔砖142，而与炉膛顶壁砖141的右侧接壤的并且与前述右塞砖机构5的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒右加热元件让位孔砖143；在位于前述炉膛11的底部的前述炉底砖12上并且在对应于前述硅钼棒左加热元件2的位置开设有一硅钼棒左加热元件下端探入槽121，而在对应于硅钼棒右加热元件3的位置开设有一硅钼棒右加热元件下端探入槽122；前述的硅钼棒左加热元件2的下端在依次穿过前述左塞砖机构4以及硅钼棒左加热元件让位孔砖142后以纵向悬臂状态朝着前述炉腔11的底部伸展并且探入前述的硅钼棒左加热元件下端探入槽121内，前述的硅钼棒右加热元件3的下端在依次穿过前述右塞砖机构5以及硅钼棒右加热元件让位孔砖143后以纵向悬臂状态朝着前述炉膛11的底部伸展并且探入硅钼棒右加热元件下端探入槽122内。

继续见图1，前述左塞砖机构4包括左下塞砖41、左中间塞砖42和左上塞砖43，左下塞砖41支承在前述硅钼棒左加热元件让位孔砖142朝向上的一侧，左中间塞砖42叠置在左下塞砖41的上部，左上塞砖43叠置在左中间塞砖42的上部，前述的左提取释放砖6在位于前述炉体1的顶部的位置与前述左上塞砖43的顶部插拔配合，前述左下塞砖41、左中间塞砖42以及左上塞砖43由前述炉顶砖14砌筑固定，前述硅钼棒左加热元件2的下端在依次穿过左上塞砖43、左中间塞砖42、左下塞砖41和硅钼棒左加热元件让位孔砖142后以纵向悬臂状态朝着前述炉膛11的底部伸展并且探入前述的硅钼棒左加热元件下端探入槽121内，而硅钼棒左加热元件2的上端在自前述左提取释放砖6的下方向上穿过左提取释放砖6后探出左提取释放砖6的上表面后并且固定有硅钼棒电源左连接电缆连接夹61；前述的炉膛顶壁砖141的左侧上部与前述左下塞砖41的下部右侧相配合。

继续见图1，在前述硅钼棒左加热元件让位孔砖142上开设有一贯穿硅钼棒左加热元件让位孔砖142的厚度方向即自上部贯通至下部的硅钼棒左加热元件让位贯通孔1421，在前述左下塞砖41上并且在对应于硅钼棒左加热元件让位贯通孔1421的位置开设有一自左下塞砖41的顶部贯通至底部的左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔411，在前述左中间塞砖42上并且在对应于左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔411的位置开设有一自左中间塞砖42的顶部贯通至底部的左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔421，在前述左上塞砖43上并且在对应于左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔421的位置开设有一自左上塞砖43的顶部贯通至底部的左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431，在前述左提取释放砖6上并且在对应于左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431的两端的位置各开设有一左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔62，由此可知，左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔62有一对，相应的硅钼棒电源左连接电缆连接夹61也有一对。其中，前述硅钼棒左加热元件让位贯通孔1421、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔411、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔421以及左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431的形状是相同的并且均呈哑铃状孔，前述的左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔62为圆形孔，前述硅钼棒左加热元件2的下端在由上向下依次穿过前述左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔421、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔411和硅钼棒左加热元件让位贯通孔1421后以纵向悬臂状态朝着前述炉膛11的底部伸展并且探入前述的硅钼棒左加热元件下端探入槽121内，硅钼棒左加热元件2的上端在对应于前述左提取释放砖硅钼棒左加热元件让位孔62的位置自左提取释放砖6的下方向上穿过左提取释放砖6并且探出左提取释放砖6的上表面，固定在前述硅钼棒左加热元件2的上端的前述硅钼棒电源左连接电缆连接夹61的底面与左提取释放砖6的顶表面接触。

继续见图1，在前述左下塞砖41的高度方向的中部并且围绕左下塞砖41的四周构成有一左下塞砖砌固台阶腔412，左下塞砖41的上端即上部构成为左下塞砖凸台413，在左下塞砖41的右侧下部构成有一左下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔414，前述的炉顶砖14与左下塞砖砌固台阶腔412砌配，也就是说，炉顶砖14在对应于左下塞砖砌固台阶腔412的位置将左下塞砖41砌筑固定，前述炉膛顶壁砖141的左侧上部与前述左下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔414砌配即砌筑配合；在前述左中间塞砖42的底部并且在对应于前述左下塞砖凸台413的位置构成有一左中间塞砖凹腔422，左下塞砖凸台413的上部探入该左中间塞砖凹腔422内，在左中间塞砖42的中部构成有一左中间塞砖砌配腔423，前述炉顶砖14与该左中间塞砖砌配腔423嵌砌配合，在左中间塞砖42的上部构成有一左中间塞砖凸台424；在前述左上塞砖43的底部并且在对应于前述左中间塞砖凸台424的位置构成有一左上塞砖凹腔432，左中间塞砖凸台424的上部探入该左上塞砖凹腔432内；在前述左提取释放砖6朝向下的一侧构成有一用于与前述左上塞砖43的上部插拔配合的左提取释放砖塞片63，该左提取释放砖塞片63与左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431的中部插拔配合；在前述炉膛顶壁砖141的左侧下部并且在对应于前述硅钼棒左加热元件让位孔砖142的位置构成有一炉膛顶壁砖左配合斜面1411，而在硅钼棒左加热元件让位孔砖142的右侧并且在对应于炉膛顶壁砖左配合斜面1411的位置构成有一硅钼棒左加热元件让位孔砖斜面1422，该硅钼棒左加热元件让位孔砖斜面1422与炉膛顶壁砖左配合斜面1411的倾斜方向相反并且相互配合（具体由图1详示）。

请参见图2并且结合图1，前述右塞砖机构5包括右下塞砖51、右中间塞砖52和右上塞砖53，右下塞砖51支承在前述硅钼棒右加热元件让位孔砖143朝向上的一侧，右中间塞砖52叠置在右下塞砖51的上部，右上塞砖53叠置在右中间塞砖52的上部，前述的右提取释放砖7在位于前述炉体1的顶部的位置与前述右上塞砖53的顶部插拔配合，前述右下塞砖51、右中间塞砖52以及右上塞砖53由前述炉顶砖14砌筑固定，前述硅钼棒右加热元件3的下端在依次穿过右上塞砖53、右中间塞砖52、右下塞砖51和硅钼棒右加热元件让位孔砖143后以纵向悬臂状态朝着前述炉膛11的底部伸展并且探入前述的硅钼棒右加热元件下端探入槽122内，而硅钼棒右加热元件3的上端在自前述右提取释放砖7的下方向上穿过右提取释放砖7后探出右提取释放砖7的上表面后并且固定有硅钼棒电源右连接电缆连接夹71；前述的炉膛顶壁砖141的右侧上部与前述右下塞砖51的下部左侧相配合。

继续见图1，在前述硅钼棒右加热元件让位孔砖143上开设有一贯穿硅钼棒右加热元件让位孔砖143的厚度方向即自上部贯通至下部的硅钼棒右加热元件让位贯通孔1431，在前述右下塞砖51上并且在对应于硅钼棒右加热元件让位贯通孔1431的位置开设有一自右下塞砖51的顶部贯通至底部的右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔511，在前述右中间塞砖52上并且在对应于右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔511的位置开设有一自右中间塞砖52的顶部贯通至底部的右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔521，在前述右上塞砖53上并且在对应于右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔521的位置开设有一自右上塞砖53的顶部贯通至底部的右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔531，在前述右提取释放砖7上并且在对应于右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔531的两端的位置各开设有一右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔72，由此可知，右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔72有一对，相应的硅钼棒电源右连接电缆连接夹71也有一对。其中，前述硅钼棒右加热元件让位贯通孔1431、右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔511、右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔521以及右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔531的形状是相同的并且均呈哑铃状孔，前述的右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔72为圆形孔，前述硅钼棒右加热元件3的下端在由上向下依次穿过前述右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔531、右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔521、右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔511和硅钼棒右加热元件让位贯通孔1431后以纵向悬臂状态朝着前述炉膛11的底部伸展并且探入前述的硅钼棒右加热元件下端探入槽122内，硅钼棒右加热元件3的上端在对应于前述右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔72的位置自右提取释放砖7的下方向上穿过右提取释放砖7并且探出右提取释放砖7的上表面，固定在前述硅钼棒右加热元件3的上端的前述硅钼棒电源右连接电缆连接夹71的底面与右提取释放砖7的顶表面接触。

继续见图2并且结合图1，在前述右下塞砖51的高度方向的中部并且围绕右下塞砖51的四周构成有一右下塞砖砌固台阶腔512，右下塞砖51的上端即上部构成为右下塞砖凸台513，在右下塞砖51的左侧下部构成有一右下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔514，前述的炉顶砖14与右下塞砖砌固台阶腔512砌配，也就是说，炉顶砖14在对应于右下塞砖砌固台阶腔512的位置将右下塞砖51砌筑固定，前述炉膛顶壁砖141的右侧上部与前述右下塞砖炉膛顶壁砖嵌砌腔514砌配即砌筑配合；在前述右中间塞砖52的底部并且在对应于前述右下塞砖凸台513的位置构成有一右中间塞砖凹腔522，右下塞砖凸台513的上部探入该右中间塞砖凹腔522内，在右中间塞砖52的中部构成有一右中间塞砖砌配腔523，前述炉顶砖14与该右中间塞砖砌配腔523嵌砌配合，在右中间塞砖52的上部构成有一右中间塞砖凸台524；在前述右上塞砖53的底部并且在对应于前述右中间塞砖凸台524的位置构成有一右上塞砖凹腔532，右中间塞砖凸台524的上部探入该右上塞砖凹腔532内；在前述右提取释放砖7朝向下的一侧构成有一用于与前述右上塞砖53的上部插拔配合的右提取释放砖塞片73，该右提取释放砖塞片73与右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔531的中部插拔配合；在前述炉膛顶壁砖141的右侧下部并且在对应于前述硅钼棒右加热元件让位孔砖143的位置构成有一炉膛顶壁砖右配合斜面1412，而在硅钼棒右加热元件让位孔砖143的左侧并且在对应于炉膛顶壁砖右配合斜面1412的位置构成有一硅钼棒右加热元件让位孔砖斜面1432，该硅钼棒右加热元件让位孔砖斜面1432与炉膛顶壁砖右配合斜面1412的倾斜方向相反并且相互配合（具体由图1详示）。

上面提及的哑铃状孔实质上为横截面形状呈哑铃状的孔，该横截面形状呈哑铃状的孔的概念是指由两端的各一个圆孔和位于两圆孔之间的长孔构成。以右下塞砖51为例并且由图2所示，前述的右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔511由一对右下塞砖圆孔5111和一右下塞砖矩形长孔5112构成，右下塞砖矩形长孔5112位于一对右下塞砖圆孔5111之间。由于前述的右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔521、右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔531、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔411、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔421以及左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431与前述右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔511同例，因而不再赘述。

由图2的示意可知，硅钼棒右加热元件3的一对上端较粗，该对上端可称为硅钼棒冷端31，该硅钼棒冷端31对应于右提取释放砖硅钼棒右加热元件让位孔72、右上塞砖硅钼棒右加热元件让位孔531、右中间塞砖硅钼棒右加热元件让位孔521、右下塞砖硅钼棒右加热元件让位孔511以及硅钼棒右加热元件让位贯通孔1431；硅钼棒右加热元件3的下端相对较细并且是联结成u字形的即呈u字形联结，申请人将硅钼棒右加热元件3的前述下端称为硅钼棒加热端32，该硅钼棒加热端32位于炉膛11内。之所以称硅钼棒冷端31以及硅钼棒加热端32是因为两者的材料成分有所差异。由于上面提及的硅钼棒左加热元件2与硅钼棒右加热元件3相同，因而申请人不再赘述。

在本实施例中，前述的左、右下塞砖41、51以及左、右提取释放砖6、7由氧化铝空心球材料制成，而中间左、右塞砖42、52以及左、右上塞砖43、53由莫来石聚轻砖担当，从而能保障左、右提取释放砖6、7具有良好的刚性，而左、右下塞砖41、51的材料能耐受接近炉膛11的温度的高温，中间左、右塞砖42、52以及左、右上塞砖43、53能体现良好的隔热性，使炉体1的顶部的温度得以大大降低，相应地炉膛能耗显著降低。

由图1所示，由于炉膛11的不同区域的温度是相异的，因此在前述炉膛11的长度方向由炉膛温区隔离砖111隔设有复数个烧结温度不同的炉膛温区，炉膛11的通道宽度在对应于炉膛温区隔离砖111的位置是收窄的；在前述炉顶砖14上并且在对应于前述炉膛温区的位置开设有自炉顶砖14的顶部贯至炉顶砖14的底部的炉顶砖热电偶让位孔144，在前述炉膛顶壁砖141上并且在对应于炉顶砖热电偶让位孔144的位置开设有炉膛顶壁砖热电偶让位孔1413，该炉膛顶壁砖热电偶让位孔1413与炉顶砖热电偶让位孔144相通并且还同时与炉膛11相通。在使用时，将热电偶插入炉顶砖热电偶让位孔144并经炉膛顶壁砖热电偶让位孔1413探入炉膛11，炉膛11内的温度由热电偶感知。

由图1所示，在前述炉膛11的底部并且沿着炉膛11的长度方向设置有炉膛推板导轨112，在使用状态下，在炉膛推板导轨112上设置推板8。当对电子元器件例如前述的氧化铝基片、氮化铝基片或陶瓷基片等烧结时，那么将氧化铝基片、氮化铝基片或陶瓷基片有序地码垛在推板8上，在用于驱使推板8移动的动力装置（公知技术，图中未示出）的作用下，使推板8载着前述任意一种基片从炉膛11的进料口如炉膛11的前端的进料口向炉膛11的出料口如炉膛11的后端的出料口行出，完成烧结。如果所要烧结的是电子粉体材料，那么将电子粉体材料装入匣钵9，由匣钵9载着电子粉体材料置于推板8上，由推板8带动匣钵9，具体过程同前述。

当要更换硅钼棒左加热元件2时，那么在停炉状态并且在炉温降至常温即在烧结炉处于对产品非烧结的状态下，由操作者向上提起左提取释放砖6，由于硅钼棒左加热元件2的上端固定有硅钼棒电源左连接电缆连接夹61，因而当左提取释放砖6上提至其底部的左提取释放砖塞片63从左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431的中部退出并继而上提左提取释放砖6，从而使硅钼棒左加热元件2的下端向上位移，在向上位移的过程中，依次退出硅钼棒左加热元件下端探入槽121、炉膛11、硅钼棒左加热元件让位贯通孔1421、左下塞砖硅钼棒左加热元件让位孔411、左中间塞砖硅钼棒左加热元件让位孔421和左上塞砖硅钼棒左加热元件让位孔431，从而将硅钼棒左加热元件2整体移出炉体1外，接着松启硅钼棒电源左连接电缆连接夹61并将其与新启用的硅钼棒左加热元件2探出左提取释放砖6的上表面的一端即上端固定，再按前述相反过程使硅钼棒左加热元件2返回炉体1并呈由图1所示的状态。由于更换硅钼棒右加热元件3的方式与前述更换硅钼棒左加热元件2相同，因而不再重复说明。

综上所述，由于硅钼棒左、右加热元件2、3不会分别与左、右塞砖机构4、5粘结为一体，又由于左、右塞砖机构4、5的上方分别配设左、右提取释放砖6、7，因而得以全面地体现申请人在上面的技术效果栏中记载的技术效果，不失为是一个极致的技术方案。