真空熔覆均温装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及真空炉加热技术领域，尤其涉及一种真空熔覆均温装置，包括炉壳、加热元件和炉床，炉壳内设有隔热筒，隔热筒内壁上涂覆有隔热层，加热元件的一端固定在隔热筒内的底部，加热元件的另一端靠近隔热筒的进料口处，加热元件呈周向均布，炉床固定在隔热筒的内壁上，炉床上的两端设有导热板，一块导热板靠近隔热筒内的底部，另一块导热板靠近隔热筒的进料口处。本实用新型的真空熔覆均温装置，通过在真空炉进料口和进料口相对应的炉膛内底面放置整体厚壁的碳化硅陶瓷板，可以对炉内的辐射均匀性提供补偿，而且由于碳化硅自身的蓄热能力，因而温度升高时需要一定的过程，故本实用新型适用于缓慢加热的表面溶覆工艺过程。
【专利说明】
真空熔覆均温装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及真空炉加热技术领域，尤其涉及一种真空熔覆均温装置。
【背景技术】
[0002]热的传递方式有三种:传导、对流、辐射;但在真空炉中，由于真空度的要求，所以炉内缺乏传导、对流的介质，炉内温度的提升是通过辐射达到的。
[0003]辐射传热的热流量，与物体所处位置有关，靠近周边发热碳棒的区间由于相对于发热碳棒的发射角变大，所以温度提升较快，当距离发热碳棒的距离远时，相对碳棒的发射角变小，所以可以吸收的热流量降低，温度提升较慢。
[0004]由于真空炉的传热途径单一，主要只有辐射换热，辐射换热与被加热物体所处位置有关，同时发热元件的布置非对称化，从而造成了真空炉内的温度均匀性差。进一步了解真空炉会发现，由于真空炉的真空度要求和高温加热的要求，炉内的传统温度均匀化措施非常难以实现，比如加入风扇，由于没有对流介质，风扇不促进对流换热，无法提高温度均匀性;另一种方式是转动工件，利用工件的转动提高均匀性，也不可行，真空炉密闭要求高，同时高温的特点，力矩传递的方案对真空密封性能破坏大，一般不建议推广，采用炉内动力的方案，由于炉内高温的因素造成实施困难。
[0005]真空炉表面溶覆工艺对炉内工作区域内的温度均匀性要求很高，建议2度以内，因为被附着的涂层在给定温度时需要同时熔化，达到半熔化塑性变形状态，如果一旦整体温度的均匀性差，势必造成工件的部分达到熔化或过熔状态，而部分工件温度低于熔化温度，过熔部分由于表面张力的原因会收缩，聚集造成涂层的不均匀，影响涂层性能；低温区，达不到溶覆要求，涂层的附着力和涂层强度达不到要求。所以使真空炉内辐射加热方向更加对称会大大提高炉温均匀性，使真空熔覆工艺质量得以提高。
[0006]大型真空炉无论是卧式还是立式的，发热碳棒往往是垂直于进料口布置，也就是卧式发热碳棒水平布置，立式是垂直布置;这样对于整个的工作区间来看，发热元件是非对称布置的，容易造成真空炉内温度不均。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型要解决的技术问题是:为了解决现有技术中真空炉内加热温度分布不均，影响加热效果的技术问题，本实用新型提供一种真空熔覆均温装置。
[0008]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种真空熔覆均温装置，包括炉壳、加热元件和炉床，炉壳内设有隔热筒，隔热筒内壁上涂覆有隔热层，所述加热元件的一端固定在隔热筒内的底部，加热元件的另一端靠近隔热筒的进料口处，加热元件呈周向均布，所述炉床固定在隔热筒的内壁上，其特征在于:所述炉床上的两端设有导热板，一块导热板靠近隔热筒内的底部，另一块导热板靠近隔热筒的进料口处。本实用新型通过在炉膛内的两端增加导热层，使得炉膛内两端的低温区得到补偿，以提高炉膛内的温度的均匀性。
[0009]所述导热板为碳化硅陶瓷板。由于碳化硅的导热性能非常好，导热系数与金属铝相近，温度梯度低，这样在该陶瓷板出现区域会提高温度的均匀性，由于该陶瓷材料的发射系数较高，同时对炉内的辐射均匀性提供补偿。而且碳化硅的耐高温性能好，有一定的机械强度，可以配合加工出所需的形状。
[0010]当所述隔热筒内设置有多个被加热小零件时，所述被加热小零件周围设置有碳化硅陶瓷板。
[0011]本实用新型的有益效果是，本实用新型的真空熔覆均温装置，通过在真空炉进料口和进料口相对应的炉膛内底面放置整体厚壁的碳化硅陶瓷板，由于碳化硅的导热性能非常好，导热系数与金属铝相近，温度梯度低，从而可以对炉内的辐射均匀性提供补偿;而且由于碳化硅自身的蓄热能力，因而温度升高时需要一定的过程，故本实用新型适用于缓慢加热的表面溶覆工艺过程。
【附图说明】
[0012]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0013]图1是本实用新型真空熔覆均温装置最优实施例的结构示意图。
[0014]图2是本实用新型真空熔覆均温装的导热板的主视图。
[0015]图中:1、炉壳，2、加热元件，3、炉床，4、隔热筒，5、隔热层，6、炉膛，7、导热板。
【具体实施方式】
[0016]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
[0017]如图1、2所示，是本实用新型最优实施例，一种真空熔覆均温装置，包括炉壳1、加热元件2和炉床3，炉壳I内设有隔热筒4，隔热筒4内壁上涂覆有隔热层5，加热元件2的一端固定在隔热筒4内的底部，加热元件2的另一端靠近隔热筒4的进料口处，加热元件2呈周向均布，炉床3固定在隔热筒4的内壁上，炉床3上的两端设有导热板7，一块导热板7靠近隔热筒4内的底部，另一块导热板7靠近隔热筒4的进料口处。导热板7为碳化硅陶瓷板。当隔热筒4内设置有多个被加热小零件时，被加热小零件周围放置有碳化硅陶瓷板。
[0018]本实用新型在靠近隔热筒4内的底部以及隔热筒4的进料口处增设碳化硅陶瓷板，即在炉膛6内的两端低温区增加了导热板7，使得炉膛6内两端的低温区得到补偿，以提高炉膛6内的温度的均匀性。
[0019]以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【主权项】
1.一种真空熔覆均温装置，包括炉壳(1)、加热元件(2)和炉床(3)，炉壳(I)内设有隔热筒(4)，隔热筒(4)内壁上涂覆有隔热层(5)，所述加热元件(2)的一端固定在隔热筒(4)内的底部，加热元件(2)的另一端靠近隔热筒(4)的进料口处，加热元件(2)呈周向均布，所述炉床(3)固定在隔热筒(4)的内壁上，其特征在于:所述炉床(3)上的两端设有导热板(7)，一块导热板(7)靠近隔热筒(4)内的底部，另一块导热板(7)靠近隔热筒(4)的进料口处。2.如权利要求1所述的真空熔覆均温装置，其特征在于:所述导热板(7)为碳化硅陶瓷板。3.如权利要求1所述的真空熔覆均温装置，其特征在于:当所述隔热筒(4)内设置有多个被加热小零件时，所述被加热小零件周围设置有碳化硅陶瓷板。
【文档编号】F27B5/05GK205448662SQ201620246822
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月29日
【发明人】马玉山, 常占东, 何涛, 刘海波, 周永兴, 贾华
【申请人】吴忠仪表有限责任公司