半导体制冷装置的控制方法与流程

本发明涉及一种半导体制冷装置的控制方法。

背景技术：

随着人们生活水平的提高，人们对冰箱的要求也日益提高。半导体冰箱因其环保、噪声低、重量轻等优势而愈来愈受用户的青睐。然而，现有半导体制冷片的冷端和热端的温差只能达到25~29℃，只能满足一般冰箱的冷藏室的制冷需求，无法达到冷冻室的制冷需求，更无法实现深度制冷。

有鉴于此，有必要对现有的半导体制冷装置及其控制方法予以改进，以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种半导体制冷装置的控制方法，以解决现有半导体冰箱无法实现深度制冷的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种半导体制冷装置的控制方法，所述半导体制冷装置的控制方法包括：

S1：提供半导体制冷装置，所述半导体制冷装置包括制冷间室和用以给所述制冷间室制冷的制冷系统，所述制冷系统包括：至少三个半导体制冷片、控制系统和检测单元，每一所述半导体制冷片均包括冷端和热端，至少三个所述半导体制冷片的冷端和热端依次连接，至少三个所述半导体制冷片包括冷端为自由端的第一半导体制冷片和热端为自由端的第二半导体制冷片，所述第一半导体制冷片的冷端设置在所述制冷间室内，所述第二半导体制冷片的热端设置在所述制冷间室外，所述控制系统与每一所述半导体制冷片电性连接以分别控制每一所述半导体制冷片的工作，所述检测单元与所述控制系统电性连接，用以检测间室温度T₁和制冷间室外的室外温度T₂并传送至控制系统；

S2：设置预设温度T₀；

S3：所述检测单元检测间室温度T₁和室外温度T₂并传送至控制系统；

S4：所述控制系统根据预设温度T₀与室外温度T₂的第一差值∆T₁或者间室温度T₁与室外温度T₂的第二差值∆T₂以控制不同数量的半导体制冷片工作。

作为本发明的进一步改进，所述半导体制冷装置的控制方法还包括在步骤S4前的步骤S31，S31：比较间室温度T₁和预设温度T₀，若间室温度T₁大于预设温度T₀，则进入步骤S4；若间室温度T₁小于等于预设温度T₀，则控制系统控制半导体制冷片停止工作并进入步骤S3。

作为本发明的进一步改进，所述制冷系统包括三个半导体制冷片，所述控制系统内预存第一温度预设值T_a、第二温度预设值T_b及预设时间t，其中第一温度预设值T_a大于第二温度预设值T_b。

作为本发明的进一步改进，步骤S4进一步包括如下步骤：

S41：比较第一差值∆T₁与第一温度预设值T_a，若第一差值∆T₁大于第一温度预设值T_a，则控制系统控制三个半导体制冷片工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31；若第一差值∆T₁小于等于第一温度预设值T_a，则进入步骤S42；

S42：比较第一差值∆T₁与第二温度预设值T_b，若第一差值∆T₁大于第二温度预设值T_b，则控制系统控制两个半导体制冷片工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31；若第一差值∆T₁小于等于第二温度预设值T_b，则控制系统控制两个半导体制冷片工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31。

作为本发明的进一步改进，步骤S4进一步包括如下步骤：

S4a：比较第二差值∆T₂与第一温度预设值T_a，若第二差值∆T₂大于第一温度预设值T_a，则控制系统控制三个半导体制冷片工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31；若第二差值∆T₂小于等于第一温度预设值T_a，则进入步骤S42；

S4b：比较第二差值∆T₂与第二温度预设值T_b，若第二差值∆T₂大于第二温度预设值T_b，则控制系统控制两个半导体制冷片工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31；若第二差值∆T₂小于等于第二温度预设值T_b，则控制系统控制两个半导体制冷片工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31。

作为本发明的进一步改进，第一温度预设值T_a为40℃，第二温度预设值T_b为15℃。

本发明的有益效果是：本发明的半导体制冷装置的控制方法，根据预设温度T₀、间室温度T₁、室外温度T₂从而选择合适数量的半导体制冷片工作，实现节能效果。

附图说明

图1是本发明半导体制冷装置的结构示意图；

图2是本发明半导体制冷装置的控制方法的流程图；

图3是本发明半导体制冷装置的另一控制方法的流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。

如图1至图3所示，一种半导体制冷装置100，包括制冷间室1和用以给所述制冷间室1制冷的制冷系统2。

所述制冷系统2包括至少三个半导体制冷片21、控制系统22、检测单元（未图示）、第一风扇23和第二风扇24。

每一所述半导体制冷片21均包括冷端和热端，至少三个所述半导体制冷片21的冷端和热端依次连接。至少三个所述半导体制冷片21包括冷端为自由端的第一半导体制冷片211和热端为自由端的第二半导体制冷片212，所述第一半导体制冷片211的冷端设置在所述制冷间室1内，所述第二半导体制冷片212的热端设置在所述制冷间室1外。

本实施例中，所述制冷系统2包括三个半导体制冷片21，除了上述第一半导体制冷片211和第二半导体制冷片212，还有设在中部的第三半导体制冷片213。当然，在其他实施例中也可设置更多的半导体制冷片21，从而实现所述半导体制冷装置100的深度制冷。

所述控制系统22与每一所述半导体制冷片21电性连接以分别控制每一所述半导体制冷片21的工作。所述控制系统22可以控制全部或部分半导体制冷片21工作。

本实施例中，控制部分半导体制冷片21工作时，其余未工作的半导体制冷片21仅起到导热作用，可以导通热量。

所述检测单元与所述控制系统22电性连接，用以检测间室温度和制冷间室1外的室外温度并传送至控制系统22。

所述检测单元包括第一温度传感器（未图示）和第二温度传感器（未图示）。所述第一温度传感器设置在所述制冷间室1内并与所述控制系统22电性连接，所述第一温度传感器用以检测间室温度并传送至控制系统22；所述第二温度传感器设置在所述制冷间室1外并与所述控制系统22电性连接，所述第二温度传感器用以检测室外温度并传送至控制系统22。

所述第一风扇23设置在所述制冷间室1的内部，用以给所述第一半导体制冷片211的冷端散热。所述第一风扇23与所述控制系统22电性连接，所述控制系统22根据所述半导体制冷片21的工作与否控制第一风扇23的工作。

所述第二风扇24设置在所述制冷间室1的外部，用以给所述第二半导体制冷片212的热端散热。所述第二风扇24与所述控制系统22电性连接，所述控制系统22根据所述半导体制冷片21的工作与否控制第二风扇24的工作。

本发明的半导体制冷装置100制冷装置，虽设置多个半导体制冷片21，但是实际使用时根据室内外的温度选择合适数量的半导体制冷片21开启，可以实现节能的效果。

所述第一风扇23与第二风扇24一般同时工作。且只要有半导体制冷片21工作，所述控制系统22即控制第一风扇23和第二风扇24工作。

本实施例中半导体制冷装置100的控制方法包括如下步骤：

S1：提供上述半导体制冷装置100，并在所述控制系统22内预存第一温度预设值T_a、第二温度预设值T_b及预设时间t，其中第一温度预设值T_a大于第二温度预设值T_b；

S2：设置预设温度T₀；

S3：所述检测单元检测间室温度T₁和室外温度T₂并传送至控制系统22；

S31：比较间室温度T₁和预设温度T₀，若间室温度T₁大于预设温度T₀，则进入步骤S4；若间室温度T₁小于等于预设温度T₀，则控制系统22控制半导体制冷片21停止工作并进入步骤S3；

S4：所述控制系统22根据预设温度T₀与室外温度T₂的第一差值∆T₁或者间室温度T₁与室外温度T₂的第二差值∆T₂以控制不同数量的半导体制冷片21工作。

当根据第一差值∆T₁判断半导体制冷片21工作状态，步骤S4进一步包括如下步骤：

S41：比较第一差值∆T₁与第一温度预设值T_a，若第一差值∆T₁大于第一温度预设值T_a，则控制系统22控制三个半导体制冷片21工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31；若第一差值∆T₁小于等于第一温度预设值T_a，则进入步骤S42；

S42：比较第一差值∆T₁与第二温度预设值T_b，若第一差值∆T₁大于第二温度预设值T_b，则控制系统22控制两个半导体制冷片21工作，且在工作了预设时间t后，进入步骤S31；若第一差值∆T₁小于等于第二温度预设值T_b，则控制系统22控制一个半导体制冷片21工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31。

所述控制系统22根据第一差值∆T₁判断需要工作的半导体制冷片21的数量，从而直接控制能够满足制冷效果数量的半导体制冷片21工作，使得间室温度T₁迅速达到预设温度T₀。

当根据第二差值∆T₂判断半导体制冷片21工作状态，步骤S4进一步包括如下步骤：

S4a：比较第二差值∆T₂与第一温度预设值T_a，若第二差值∆T₂大于第二温度预设值T_b，则控制系统22控制三个半导体制冷片21工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31；若第二差值∆T₂小于等于第一温度预设值T_a，则进入步骤S42；

S4b：比较第二差值∆T₂与第二温度预设值T_b，若第二差值∆T₂大于第二温度预设值T_b，则控制系统22控制两个半导体制冷片21工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31；若第二差值∆T₂小于等于第二温度预设值T_b，则控制系统22控制一个半导体制冷片21工作，且在工作了预设之间t后，进入步骤S31。

所述控制系统22根据第二差值∆T₂判断需要工作的半导体制冷片21的数量，从而在间室温度T₁变化时，逐渐改变工作的半导体制冷片21的数量，实现最节能的方式使得间室温度T₁达到预设温度T₀。

在其他实施例中，若半导体制冷片21的数量在三个以上，控制方法大体一致，仅在于增加温度预设值，并进一步增加比较过程。温度预设值的设置与所述半导体制冷片21的效果的相关，本发明中，所述第一温度预设值T_a为40℃，第二温度预设值T_b为15℃，而若增加半导体的数量，还可设置第三温度预设值60℃或第四预设值80℃等。

本发明的半导体制冷装置100，通过设置三个以上半导体制冷片21并使得冷端和热端依次连接，从而实现所述半导体制冷装置100的深度制冷；本发明的半导体制冷装置100的控制方法，根据预设温度T₀、间室温度T₁、室外温度T₂从而选择合适数量的半导体制冷片21工作，实现节能效果。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。