本实用新型涉及废水处理设施领域，具体是涉及一种应用于合成革废水处理的装置。
背景技术：
合成革生产过程使用DMF作为有机溶剂，有毒性，生产废水的主要污染因子有COD、DMF、阴离子表面活性剂和SS等，目前的处理技术中物化法、化学法都存在二次污染、处理效果不明显、运行成本较高、维护困难等缺陷，导致在实际的废水处理过程中难以得到广泛的应用，而生化法虽然运行费用低，但是TN浓度经常难以稳定达标。
技术实现要素：
针对上述现有技术中存在的缺陷或不足，本实用新型采取如下技术方案：一种应用于合成革废水处理的装置，包括箱体，箱体用隔板分开为两部分，分别是缺氧反应区、好氧反应区，缺氧反应区内设填料、搅拌器、污泥，好氧反应区内设填料、污泥，底部设曝气管，缺氧反应区上设进水管，好氧反应区上设回水管，回水管接到进水管。
作为一种优选的，填料的材质为聚乙烯。
本技术方案的有益效果是：1)实现深度脱氮，实现较高浓度的NH3-N的有效脱氮；
2)实现反硝化的碳氮比低，减少外部碳源的投加量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为含氰废水多级处理装置原理意图；
图中数字表示：1、箱体；2、填料；3、搅拌器；4、缺氧反应区；5、好氧反应区；6、隔板；7、曝气管；8、污泥；9、进水管；10、回水管。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所秒速的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的 术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图1所示，按照本实施例的一种应用于合成革废水处理的装置，包括箱体1，箱体1用隔板6分开为两部分，分别是缺氧反应区4、好氧反应区5，缺氧反应区内设填料2、搅拌器3、污泥8，好氧反应区内设填料2、污泥8，底部设曝气管7，缺氧反应区4上设进水管9，好氧反应区5上设回水管10，回水管10接到进水管9。
箱体1、隔板6采用非金属制作，缺氧反应区4的外观尺寸为400mm×220mm×500mm，有效容积为38L，好氧反应区5的外观尺寸为400mm×250mm×500mm，有效容积为43L，HRT约48h。
填料2为PE(聚乙烯)材质，外观为空圆柱形，高8mm，直径12mm，内部有十字支撑，外部有翅片，密度小于水，空隙率为90％，供生物膜附着的比表面积约500m2/m3，这种载体的特殊形状使微生物在有保护的载体内表面生长。
投加的污泥8采自污水处理厂的好氧段和缺氧段，质量浓度为1800～2300mm/L，填料2填充比为45％，其中好氧反应区5的气水比为10：1，保证填料能以均匀翻滚呈现流化状态，溶解氧的质量浓度为5～7mg/L，满足硝化过程的所需溶解氧，通过回流管10将污水回流到缺氧反应区4，污水回流比为200％，温度控制为20～30℃；缺氧反应区4采用搅拌器3电动搅拌，温度控制为20～30℃。
进水管9接到缺氧反应区4，采用原有废水经过混凝沉淀-接触氧化后的出水，其中TN以NH3-N形式为主，当进水的质量浓度为200～350mg/L的浓度水平时，装置对TN的去除率不断上升，平均去除率为91.2％，出水TN的质量浓度降低到8mg/L。
控制反应区的PH值为6.5～8.5，缺氧反应区4和好氧反应区5对NH3-N的平均去除率为81.5％，当NH3-N的质量浓度低于50mg/L时，可将87％以上的NH3-N有效地去除，但是过高的NH3-N会对硝化菌有抑制作用，使处理效果欠佳。对于过高的NH3-N采用缺氧流化床生物膜反应，效果较好。
如有机物浓度低，需要额外投加葡萄糖或乙酸钠等有机物，来促进有机物降解菌、硝化菌和反硝化俊的富集、以及活性的维持。本装置的碳氮比在2.5～4.0之间就可以达到较高的有机物和TN去除率，很大程度减少了外部碳源的投加量。
最后应当指出，以上实施例仅是本实用新型较有代表性的例子。显然本实用新型不限于上述实施例，还可以有许多变形。凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均应认为属于本实用新型的保护范围。