基板清洗装置的制作方法

本实用新型涉及一种基板清洗装置，更为详细地涉及一种基板清洗装置，所述基板清洗装置在一对清洗刷之间对基板进行接触清洗的过程中更为有效地去除残留在基板的表面的微小异物。

背景技术：

对显示装置中所使用的基板或半导体元件的制作中所使用的晶元(以下，将其统称为“基板”)进行处理后，进行去除在处理工艺中附着于表面的异物的清洗工艺。

图1是示出现有的基板清洗装置1的图。现有的基板清洗装置1如果通过基板移送部将基板W移送至一对清洗刷10之间，则一对清洗刷10中任意一个上下移动10d从而使得基板W以夹在中间的状态在清洗刷10所规定的一个位置进行旋转，同时对基板W 的表面进行清洗。

换句话说，如图2a所示，如果基板W位于沿着上下方向间隔开的清洗刷10之间，则如图2b所示，清洗刷10以规定的移动速度V10向清洗工艺中的位置移动，从而在清洗刷10的外周面与基板W的表面接触的状态下通过驱动部M得到旋转驱动。

就基板W的清洗工艺而言，为了提高通过清洗刷10和基板W的摩擦接触的清洗效果，向基板W或清洗刷10中任意一个供给纯水80a，并通过喷嘴40向基板W供给清洗液(用于清洗的化学制剂，40a)。

此时，基板W通过旋转的基板支撑部90得到旋转支撑。为此，基板支撑部90以将基板W设置于多个支撑物(holder)95的状态使支撑物95旋转90d，因此基板W在清洗工艺中得到旋转。

但是，根据如上所述构成的现有的基板清洗装置1通过清洗刷20以规定的速度对基板W进行旋转接触的同时对基板W的表面进行清洗，由此，在去除附着于基板W的表面的异物方面存在局限。尤其是，在40μm以下的微小颗粒(particle)的情况下通过和刷式清洗的摩擦很难将其从基板W分离从而具有清洗效率较低的问题。

不仅如此，为了提高接触特性，在清洗刷20外周面以规定的间隔10x凸出形成多个清洗凸起10a，在清洗刷20的摩擦接触上，清洗凸起10a的夹缝相对减小了接触的摩擦力。因此，如图4所示，在基板W的表面以与清洗凸起10a的间隔10x相对应的间隔10x’生成以带状未被去除的异物的带88，因而具有清洗效率较低的问题。

另外，在刷式清洗工艺中将清洗刷10的旋转10r速度保持一定的同时进行对基板 W的接触清洗的情况下，在基板W的旋转线速度V1、V2、V3和清洗刷10的外周面上的线速度10w一致的位置Rx上，摩擦力不作用于清洗刷10和基板W之间，因而也具有该位置Rx的清洗效率较低的问题，所述基板W的旋转线速度V1、V2、V3是距离旋转中心与半径位置成比例的速度。

技术实现要素：

本实用新型为了解决所述问题，其目的在于，使残留在基板的表面的微小异物最小化，并较为干净地进行清洗。

另外，本实用新型的目的在于，在利用具备按规则排列的清洗凸起的一对清洗刷对正在自转的圆形基板进行清洗时，对不与清洗凸起接触的区域也能干净地进行清洗。

并且，本实用新型的目的在于，通过去除基板的线速度和清洗刷的线速度一致的区域，对基板的整个表面进行干净地清洗。

为了实现如上所述的技术课题，本实用新型提供一种刷式清洗装置，其特征在于，包括：基板支撑部，其对基板进行支撑；清洗刷，其在旋转的同时对基板进行接触清洗，并且使得旋转中心和所述基板表面保持接触状态的间隔距离在清洗工艺中发生变化。

如此，可获得的有利效果在于，通过使清洗刷的旋转中心和基板的距离发生变化从而在使得加压基板的清洗刷的摩擦力变化的同时，不仅可大大提高去除残留在基板的表面的100μm以上的较大异物的效果，还可提高40μm至100nm以下的微小异物的去除效果。

最重要的是，相比于所述清洗刷在与所述基板间隔第一距离大小的第一位置上的第一移动速度，在间隔小于所述第一距离的第二距离大小的第二位置上的所述清洗刷的第二移动速度可调节为更小。换句话说，可获得的效果在于，相比于清洗刷与所述基板以第一距离大小接触，在清洗刷在与所述基板更为接触的第二距离上，通过进一步降低向基板靠近的移动速度，从而提高通过清洗刷的旋转将残留于基板的表面的微小异物从基板去除的效率。

此处，所述第二移动速度可设定为所述第一移动速度的3％至50％。如果第二移动速度低于第一移动速度的3％则清洗刷的上下移动效率降低，如果第二移动速度高于第一移动速度的50％则在提升去除微小异物的效率方面存在局限。

不仅如此，优选地，相比在所述第一位置上的所述清洗刷的旋转速度，在所述第二位置上的所述清洗刷的旋转速度调节为更高。据此，可获得的效果在于，在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离更大的第一位置上以较低的加压力高速旋转的同时使得较大的异物从基板分离，并且在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离更小的第二位置上以较大的加压力低速旋转的同时使得较小的异物从基板分离，从而清洗工艺效率得到提高。

换句话说，具有的效果在于，在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离较小的状态下，随着通过清洗刷的按压量变得更大而以更大的加压力慢慢清扫，从而有效地去除微小异物，并且在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离变大的状态下，随着清洗刷的按压量变得更小而以更小的加压力快速地清扫，从而强力地推动相对较大的异物并将其从基板去除，因此可对各种大小的异物和以各种附着力附着于基板表面的异物全部进行去除。

另外，可解决的问题在于，所述清洗刷的旋转速度在所述清洗工艺中并非固定为某一个，而是在清洗工艺中发生变化，据此，清洗刷的外周面的线速度发生变化。因此，可解决在基板的线速度和清洗刷的线速度一致的区域内清洗效率较低的问题，所述基板的线速度是距离基板的旋转中心的半径长度上的速度。

此时，所述清洗刷的最低旋转速度可设定为所述清洗刷的最高旋转速度的5％至 80％。

另一方面，所述清洗刷在所述清洗工艺中相对所述基板高度发生周期性变化，由此，清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离在清洗工艺中可发生变化。

所述间隔距离在所述清洗刷和所述基板保持相互接触状态的范围内可发生清洗刷的上下移动位移，并且所述间隔距离包括所述清洗刷和所述基板互不接触的状态，从而在反复接触和不接触的同时也可发生清洗刷的上下移动位移。

并且，在基板的清洗工艺中使所述清洗刷的所述间隔距离发生变化包括：在开始所述清洗工艺时将所述清洗刷以旋转的状态向所述基板移动，从而在接触所述基板时形成的间隔距离。

换句话说，本实用新型提供一种刷式清洗装置，其特征在于，包括：基板支撑部，其对基板进行支撑；清洗刷，在清洗工艺的开始阶段以旋转状态用第一移动速度向所述基板靠近，如果旋转中心和所述基板的表面的距离达到规定的距离，则以低于所述第一移动速度的第二移动速度移动至所述基板的设定位置，同时对所述基板进行接触清洗。

换句话说，虽然在清洗工艺中上下移动清洗刷的同时使间隔距离发生变化最为有效，但是在开始清洗工艺的阶段，清洗刷以旋转状态靠近基板，从而使得清洗刷从清洗刷的外周面(或清洗凸起)和基板接触的状态的第一位置(包括开始接触的状态)进一步向基板移动至第二位置，由此也可以进行。

此时，所述规定的距离既可以是所述清洗刷的外周面接触所述基板之前，所述规定的距离也可以是所述清洗刷的外周面接触所述基板的状态。

如此，通过使得第二移动速度相比于第一移动速度更小地调节的两个阶段的速度调节，使得清洗刷按压基板的加压力变化的同时使得靠近的移动速度也变慢，因而通过清洗刷慢慢地按压基板进行清扫，从而可提高去除微小异物的效率，所述第一移动速度是直到所述清洗刷和所述基板接触时的移动速度，所述第二移动速度是使得清洗刷以更小的间隔距离向所述基板靠近移动的速度。

并且，优选地，在清洗刷的两个阶段移动速度调节中得到减速的第二移动速度定为减速之前的第一移动速度的3％至50％。在第二移动速度为所述第一移动速度的3％以下时，从第一位置到第二位置所消耗的时间变长而扫除较大的异物的时间相对变少，在第二移动速度为第一移动速度的50％以上时，去除微小异物的时间相对变少，因而从同时去除微小异物和较大异物的侧面来说不是优选的。

另一方面，所述清洗刷由吸水的材质形成，如果和所述基板相压的程度发生变化则所述间隔距离得到调整。因此，清洗刷和基板的间隔距离变化的同时可对移动速度及旋转速度进行多种调节。

并且，在所述清洗刷的表面凸出形成有以规定的间隔隔开的多个清洗凸起。

并且，虽然所述基板支撑部可使得所述基板以固定的状态位于所述清洗工艺中，但是通过使基板旋转从而提高基板和清洗刷之间的摩擦清洗效率。

并且，虽然所述清洗刷也可只对所述基板的一个板面进行清洗，但在基板上使得作用于板面的力均衡协调，且使异物能够从反面向清洗面移动，因此优选针对两板面同时进行接触清洗。

另一方面，所述清洗刷在所述清洗工艺中也可沿着所述清洗刷的轴线方向做往复摆动运动。

与此同时地或不同时地，所述清洗刷在所述清洗工艺中也可沿着垂直于所述清洗刷的轴线方向和平行于所述基板的板面的方向做往复摆动运动。

据此，可防止在凸出于清洗刷的表面的清洗凸起之间的间隔中清洗效率降低。

另一方面，根据本实用新型的其他领域，本实用新型提供一种基板清洗方法，其作为用清洗刷对基板进行接触清洗的方法，所述基板清洗方法的特征在于，包括：清洗步骤，以和所述基板的表面接触的状态进行旋转的同时对基板进行接触清洗；间隔距离变化步骤，使所述基板的表面和所述清洗刷的旋转中心的间隔距离发生变化。

此处，所述间隔距离变化步骤包括：为了开始所述清洗步骤将所述清洗刷以旋转的状态向所述基板的表面靠近的同时进行。

最重要的是，在进行所述间隔距离变化步骤的过程中还包括：刷移动速度调节步骤，将所述清洗刷的第二移动速度调节为小于所述清洗刷的第一移动速度，所述清洗刷的第二移动速度为所述清洗刷和所述基板的间隔距离为第二距离的第二位置上的移动速度，所述清洗刷的第一移动速度为所述清洗刷和所述基板的间隔距离为大于所述第二距离的第一距离的第一位置上的移动速度，从而可更加提高清洗刷根据按压基板的加压力的变化所致的清洗效果。

另外，相比于所述第二位置上的所述清洗刷的旋转速度，所述第一位置上的所述清洗刷的旋转速度调节为更大。

本说明书及权利要求书中所记载的“移动速度”及与之相似的术语定义为，沿着清洗刷的旋转中心和基板表面的距离变化的方向移动的速度。

本说明书及权利要求书中所记载的“旋转速度”及与之相似的术语定义为，清洗刷自转的旋转速度。

本说明书及权利要求书中所记载的“间隔距离”及与之相似的术语指的是清洗刷 (包括清洗凸起)的旋转中心和基板表面的距离。因此，在清洗刷和基板的表面接触的状态和非接触的状态下都存在间隔距离。

本说明书及权利要求书中所记载的清洗刷并非局限于以刷子形态形成的结构，其定义为包括由海绵、布等多种形态的表皮构成并和基板的表面接触从而进行清洗的所有形态的清洗装置。

如上所述，本实用新型可获得的有利效果在于，在旋转清洗刷的同时对基板进行接触清洗的清洗工艺中，使清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离变化的同时进行清洗从而通过清洗刷使对基板加压的加压力及摩擦力变化，因而不仅可大大提高去除残留在基板的表面的较大异物的效果，还可提高微小异物的去除效果。

另外，本实用新型可获得的有利效果在于，通过在刷式清洗工艺中使清洗刷的旋转速度变化，从而解决在正在旋转的基板的线速度和清洗刷的线速度一致的基板区域内清洗效率较低的问题。

最重要的是，本实用新型可获得的有利效果在于，通过将清洗刷的第二移动速度调节为小于清洗刷的第一移动速度，从而提高通过清洗刷的旋转将残留于基板的表面的微小异物从基板去除的效率，所述第一移动速度是旋转的清洗刷从与所述基板间隔第一距离大小的第一位置向基板靠近或远离的速度，所述第二移动速度是从以小于所述第一距离的第二距离大小间隔的第二位置向基板靠近或远离的速度。

与此同时，本实用新型可获得的有利效果在于，通过将所述第二位置上的所述清洗刷的旋转速度调节为比所述第一位置上的所述清洗刷的旋转速度更高，从而在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离更大的第一位置上以较小的加压力高速旋转的同时使较大的异物从基板分离，并且在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离更小的第二位置上以较大的加压力低速旋转的同时使较小的异物从基板分离，使清洗工艺效率最大化。

另外，本实用新型可获得的优点在于，通过在刷式清洗工艺中使得清洗刷沿前后方向或轴线方向进行水平摆动运动，可消除在清洗刷的清洗凸起的之间的区域清洗效率较低的问题。

附图说明

图1是示出除了基板支撑部之外的现有的基板清洗装置的结构的主视图，

图2a及图2b是用于说明图1的基板清洗装置的工作原理的图，

图3是示出用图1的基板清洗装置对基板进行清洗的结构的平面图，

图4是示出用图1的基板清洗装置进行清洗的基板的形状的图，

图5是示出根据本实用新型的一个实施例的基板清洗装置的结构的立体图，

图6是图5的主视图，

图7是示出使图6的清洗刷旋转及移动的结构的略图，

图8是按顺序示出利用图5的基板清洗装置的清洗方法的顺序图，

图9a至图9h是示出根据图8的清洗方法的基板清洗装置的结构的图。

具体实施方式

以下，参照附图对根据本实用新型的一个实施例的基板清洗装置100进行具体说明。但是，在对本实用新型进行说明上，为了明确本实用新型的要旨，针对众所周知的功能或结构进行省略，并且针对相同或相似的功能或结构赋予相同或类似的附图标号。

如图5及图6所示，根据本实用新型的一个实施例的基板清洗装置100构成包括：基板支撑部9，其在进行清洗工艺的期间对基板W进行支撑；清洗刷110，其旋转的同时对基板W的表面进行接触清洗；支架120，其包括用于清洗刷110的旋转及移动的结构并支撑一端部；控制部130，其对清洗刷110的旋转及移动进行控制。

如图5所示，所述基板支撑部9包括：多个驱动支架90，其包括对基板W的边缘进行接触支撑的支撑物95；感知支架90'，其包括和基板W接触从而通过摩擦而进行旋转的支撑物95。

如果基板W从外部被供给至基板支撑部9的搁置针(pin)93上，则每两个支架90、 90'向着相互靠近的方向通过驱动部97移动从而使基板W的边缘到达支撑物95的规定位置。并且，多个驱动支架90通过驱动马达(motor)进行旋转驱动的同时使基板W旋转。

此时，感知支架90'和基板W的边缘通过摩擦得到旋转驱动，并且对感知支架90' 的旋转轴的转数进行感知，从而用于在清洗工艺中对基板W的转数进行感知并对基板W 的清洗程度进行预测。

附图中所示的基板支撑部9虽然是在基板的清洗工艺中使基板W进行旋转的结构，但根据本实用新型的另一个实施例，在基板W的清洗工艺中也可使基板W不旋转。另外，也可使用使基板W旋转的方式或对基板W的转数进行感知的其他结构。

所述清洗刷110由可吸水的材质(例如，海绵或聚乙烯醇等)形成，和旋转轴112 一起得到旋转110r驱动。在清洗刷110的外周面，多个清洗凸起110a以规定的间隔110X 凸出形成。

此处，旋转轴112和清洗刷110一起旋转，虽然在附图中示出以悬臂梁形态沿着清洗刷110的一侧延长的结构，但是根据本实用新型的其他实施例，可以是旋转轴112沿着清洗刷110的两侧(未图示)延长从而对清洗刷110两端进行支撑的结构。

如图7所示，和清洗刷110一体地旋转的旋转轴112通过第一驱动马达M1得到旋转110r驱动。并且，旋转轴112和第一驱动马达M1设置于移动块体114，所述移动块体114沿着引导上下方向的移动的导向杆117进行上下移动。因此，如果通过第二驱动马达M2使导向杆117旋转，则清洗刷110以通过第一驱动马达M1持续旋转的状态和移动块体114一起上下移动110d。

另外，移动块体114和第二驱动马达M2设置于第二移动块体116(可以是板等多种形状)，通过使第二移动块体116移动的第三驱动马达M3可以使第二移动块体116沿着垂直于图7的平面的方向进行往复移动110y。根据情况的不同，也可不包括使清洗刷110向前后方向移动的构成要素M3、116。

如此，清洗刷110以可沿着旋转方向110r、上下方向110d及前后方向110y移动及旋转的形式设置，可利用附图中未示出的多种的众所周知的结构(例如，利用伺服马达的滚珠螺杆、线性发动机、直线导轨(linear guide)等)来构成其他形态。

所述控制部130对驱动马达M1、M2、M3；M的移动距离、位置、旋转速度、移动速度等进行控制。

以下，参照图8至图9h对根据所述构成的本实用新型的一个实施例的基板清洗装置100的工作原理进行详细叙述。

步骤一：将要进行清洗的基板W被放置于支撑部90的搁置针93上后，通过驱动部 97使得一对支撑物95向相互靠近的方向移动90d，从而如图9a所示，基板W被供给至支撑物95的规定位置S110。

步骤二：之后，在基板支撑部90的支撑物95旋转90d的同时基板W也开始旋转r1。并且，如图9b所示，清洗刷110以第一旋转速度u1旋转的同时以第一移动速度v1向基板W移动S120。

例如，第一移动速度V1可定为10mm/sec至35mm/sec，第一旋转速度可定为20rpm 至100rpm。

步骤三：通过步骤二，如果清洗刷100的旋转中心和基板W的表面的间隔距离到达规定的第一位置110i(图9c)，则清洗刷110以清洗刷110的第一移动速度V1得到减速的第二移动速度V2移动至作为和基板W接触的同时进行清洗的设定位置的第二位置 110ii S130。

此处，清洗刷110的旋转中心和基板W的表面的间隔距离到达规定的值，既可以是到达清洗刷110的外周面(包括清洗凸起)刚接触基板W的表面的位置(图9c)，也可以是到达清洗刷110的外周面(包括清洗凸起)接触基板W的表面之前的位置(未图示)。

换句话说，从第一移动速度V1开始减速至第二移动速度V2的第一位置110i既可以是清洗刷110的外周面接触基板W的表面的状态，也可以是清洗刷110的外周面和基板W的表面分开的状态。

第二移动速度V2定为第一移动速度V1的3％至50％。例如，第二移动速度可定为 0.1mm/sec至10mm/sec。如此，清洗刷110以第一位置110i为基准通过步骤二使移动速度V1、V2变化的同时和基板W接触，从而较慢地从和基板W接触的状态移动至作为设定位置的第二位置110ii，并通过按压基板W的同时进行接触清扫的清洗方式，有效地去除残留在基板W的表面的40μm至100nm以下的微小异物，同时大大降低在去除异物的过程中可能发生的基板的划痕等表面缺陷的可能性。

另一方面，在清洗刷110从第一位置110i向第二位置110ii移动的过程中，不仅移动速度V1、V2可以变化，而且旋转速度u1、u2也可降得更低。据此，在清洗刷110 的旋转中心和基板W的表面的间隔距离较大的情况(例如，清洗凸起的前端部微微接触基板W的状态，即，图9c的清洗凸起的高度hx几乎显现的状态)下，通过高速旋转u1 将残留于基板W的表面的100μm以上的较大异物从基板表面去除，并且在清洗刷110 的旋转中心和基板W的表面的间隔距离较小的情况(例如，清洗凸起110a完全按压基板W或清洗凸起的基部接触基板W的状态，即，图9d的清洗凸起被按压其高度大大减小或没有高度(hx’)的状态)下，通过低速旋转u2对残留于基板W的表面的40μm 至100nm以下的微小异物进行按压去除，从而可提高清洗效率。

步骤四：通过步骤三，如果清洗刷110到达作为适合于基板W的清洗的设定位置(或基准位置)的第二位置100ii，则如图9d所示，清洗刷110以规定的旋转速度u3旋转的同时，对基板W的表面进行清洗S140。

步骤五：虽然基板W的清洗工艺只通过持续步骤四也可完成，但为了均匀地获得基板W的整个表面的清洗效果，如图9g所示，也可在清洗刷110的旋转速度u3、u2变化的同时对基板W的表面进行清洗S150。

此时，清洗刷110的旋转速度u3、u2的变化范围包括以最高旋转速度的5％至80％的范围的最低旋转速度u2进行旋转的速度。据此，如图9f所示，在基板W通过基板支撑部90旋转r1的期间，可防止在和清洗刷110的线速度相同的支点处的清洗效率低下。

另一方面，如图9f所示，在清洗工艺中，可使清洗刷110沿着清洗刷110的轴线方向进行往复摆动运动或也可以沿着垂直于清洗刷110的轴线方向且平行于基板W的板面的前后方向110y进行往复摆动(oscillation)运动。此时，清洗刷110的往复摆动冲程(stroke)定为大于清洗凸起110a的间距110x。

据此，可消除现有技术中在清洗刷10的表面凸出的清洗凸起10a之间间隔10x因和基板W的摩擦力降低导致的清洗效率降低的问题，并可获得对基板W的整个表面进行均匀清洗的效果。

步骤六：另外，虽然基板W的清洗工艺只通过持续步骤四也可完成，但为了提高在基板W的表面中的清洗效果，如图9e所示，将清洗刷110沿着上下方向dz进行往复移动，从而在使得清洗刷110的旋转中心与基板W的表面的间隔距离变化的同时可对基板W的表面进行清洗S160。

例如，清洗刷110的上下移动冲程可定位能够在第一位置110i和第二位置110ii 往复移动。因此，清洗刷110既可保持和基板W的表面接触的状态的同时一边上下移动一边对基板W进行清洗，也可在和基板接触、不接触反复的同时对基板W进行清洗。

据此，通过清洗刷110使得加压基板W的加压力及摩擦力变化的同时，可提高去除残留在基板的表面的较大异物和微小异物的效果。

另外，随着清洗刷110的上下移动完成清洗工艺的同时，在清洗刷110的旋转中心和基板W的表面的间隔距离较远的第一位置110i可提高清洗刷110的旋转速度进行清洗，在清洗刷110的旋转中心和基板W的表面的间隔距离较近的第二位置110ii可降低清洗刷110的旋转速度进行清洗。因此，在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离较大的第一位置110i以较低的加压力高速旋转的同时将较大的异物从基板分离，并且在清洗刷的旋转中心和基板的间隔距离较小的第二位置110ii以较大的加压力低速旋转的同时将较小的异物从基板分离，从而可使清洗工艺效率最大化。

步骤七：如果经过所述步骤基板W的清洗工艺几乎完成，则如图9g所示，将清洗刷110的旋转速度降低为基准速度u3的20％至70％左右S170。据此，通过清洗刷110 残留于基板W的表面的微小异物可最终被冲洗去除。

之后，如图9h所示，为了使清洗刷110远离完成清洗的基板W的表面，从而对清洗刷110进行移动。此时，从主要完成清洗工艺的设定位置的第二位置100ii至第一位置100i，维持较低的旋转速度u2的同时以较低的第二移动速度V2移动S180，如果清洗刷110到达第一位置110i则以较快的第一移动速度V1迅速地移动S190。

此处，步骤三的第一位置110i和步骤七的第一位置110ii也可设定为互不相同的位置。

步骤八：之后，完成清洗工艺的基板W被移送至后续工艺。

根据如上所述构成的本实用新型的一个实施例的基板清洗装置100所具有的有利效果在于，在使清洗刷110旋转的同时对基板W进行接触清洗上，通过使清洗刷110的旋转中心和基板W的间隔距离变化的同时进行清洗，从而通过清洗刷110使加压基板W的加压力及摩擦力发生变化，因此不仅去除残留于基板的表面的较大异物，同时还去除微小异物，从而可获得较为干净的清洗效果。

以上举例对本实用新型的优选实施例进行了说明，但本实用新型的权利范围并非受所述的特定实施例的限定，且通过在本实用新型所属的技术领域具备一般知识的技术人员可在本实用新型的权利要求书所记载的范畴内适当地进行变更。

标号说明

90：基板支撑部 95：支撑物(holder)

100：基板清洗装置 110：清洗刷

110a:清洗凸起 110x：清洗凸起间距

112：旋转轴 114：移动块体

120：支架 130：控制部

W：基板 M:驱动马达