晶片清洗用离心清洗脱水装置的制作方法

文档序号:16481546发布日期:2019-01-04 22:44阅读:100来源:国知局
晶片清洗用离心清洗脱水装置的制作方法

本实用新型涉及晶片生产设备领域,具体是晶片清洗用离心清洗脱水装置。



背景技术:

在晶片加工工厂里,腐蚀工序加工完成后,通常需要清洗,再用无水乙醇脱水,然后烘干。清洗时受到晶片叠放的影响,会造成晶片清洗不彻底,带来水印、脏污等问题,同时影响干燥,造成晶片干燥不彻底等问题。



技术实现要素:

针对上述不足,本实用新型的目的在于,提供结构新颖、使用方便,晶片清洗干燥效果好,效率高的晶片清洗用离心清洗脱水装置。

为实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:晶片清洗用离心清洗脱水装置,包括清洗箱,清洗箱内从上到下依次设置有清洗腔、污水腔和净水腔,清洗腔正面设置有箱门,清洗箱顶部设置有驱动电机,驱动电机通过转轴连接有位于清洗腔内的转盘,转盘上设置有若干上下通透的晶片固定孔,晶片固定孔内设置有晶片治具,转盘一侧上下方设置有喷水管,喷水管上设置有喷水方向朝向转盘的喷头,喷水管通过导水管连接有位于净水腔内的高压泵,转盘另一侧上下方设置有喷气管,喷气管上设置有喷气方向朝向转盘的喷气头,喷气管通过导气管连接有位于清洗箱顶部的热风机,清洗腔与污水腔之间设置有透水板,污水腔与净水腔之间设置有下水孔,下水孔内设置有过滤网。

进一步优化的方案,所述的晶片治具包括至少一对对称的U型卡板,卡板通过压缩弹簧固定在晶片固定孔内壁上。

再进一步优化的方案,若干所述的晶片固定孔围绕转盘中心发散分布。

再进一步优化的方案,所述的箱门和转盘均为透明材质,箱门与清洗箱之间设置有密封垫。

本实用新型与现有技术相比具有的有益效果是:本实用新型结构新颖、使用方便,晶片清洗干燥效果好,效率高。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为转盘的结构示意图;

图3为晶片治具的结构示意图。

图中标号为:1-清洗箱、2-清洗腔、3-污水腔、4-净水腔、5-箱门、6-驱动电机、7-转轴、8-转盘、9-晶片固定孔、10-喷水管、11-导水管、12-高压泵、13-喷气管、14-导气管、15-热风机、16-透水板、17-过滤网、18-卡板、19-压缩弹簧、20-晶片。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

参照附图1-3可知,晶片清洗用离心清洗脱水装置,包括清洗箱1,清洗箱1内从上到下依次设置有清洗腔2、污水腔3和净水腔4,清洗腔2正面设置有箱门5,清洗箱1顶部设置有驱动电机6,驱动电机6通过转轴7连接有位于清洗腔2内的转盘8,转盘8上设置有若干上下通透的晶片固定孔9,晶片固定孔9内设置有晶片治具,转盘8一侧上下方设置有喷水管10,喷水管10上设置有喷水方向朝向转盘8的喷头,喷水管10通过导水管11连接有位于净水腔4内的高压泵12,转盘8另一侧上下方设置有喷气管13,喷气管13上设置有喷气方向朝向转盘8的喷气头,喷气管13通过导气管14连接有位于清洗箱1顶部的热风机15,清洗腔2与污水腔3之间设置有透水板16,污水腔3与净水腔4之间设置有下水孔,下水孔内设置有过滤网17。

进一步的,所述的晶片治具包括至少一对对称的U型卡板18,卡板18通过压缩弹簧19固定在晶片固定孔9内壁上,两个卡板18在压缩弹簧19作用下分别卡在晶片20两侧的边缘上,对晶片20进行固定。

进一步的,若干所述的晶片固定孔9围绕转盘8中心发散分布。

进一步的,所述的箱门5和转盘8均为透明材质,方便取放晶片20和观察清洗过程,箱门5与清洗箱1之间设置有密封垫,避免清洗液溢出。

本实用新型的工作原理:打开箱门5,将待清洗晶片20放入晶片固定孔9内的晶片治具上,通过晶片治具进行固定,驱动电机6带动转盘8旋转,高压泵12抽取净水腔4内清洗液,经喷水头喷向转盘8,对晶片20进行冲洗,冲洗产生的污水经透水板16进入污水腔3内,再经下水孔内的过滤网17进行过滤后进入净水腔4内,实现清洗液循环利用,冲洗结束后,关闭高压泵12,驱动电机6带动转盘8旋转,对晶片20进行离心脱水,同时打开热风机15,热风经喷气头吹向转盘8对晶片20进行干燥。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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