处理液生成装置及处理液生成方法

文档序号:9516822阅读:227来源:国知局
处理液生成装置及处理液生成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及以电化学方式生成处理液的处理液生成装置。特别涉及通过在液体中产生等离子来生成处理液的处理液生成装置。以下,将通过产生等离子来处理液体称作“等离子处理”。
【背景技术】
[0002]作为以往的利用高电压脉冲放电的液体处理装置,已知有例如在专利文献1中公开的杀菌装置。在图19中表示该杀菌装置的结构。
[0003]杀菌装置1中,作为放电电极6而包括高电压电极部5和接地电极3。高电压电极部5包括圆柱状的高电压电极2和除了前端部2a的端面以外将高电压电极2覆盖的绝缘体4。高电压电极2的前端部2a和接地电极3以浸渍在处理槽7内的被处理水8中的状态,以规定的间隔对置配置。高电压电极2和接地电极3连接于产生高电压脉冲的电源9。通过电源9,对高电压电极2施加2?50kV/cm、100Hz?20kHz的负极性的高电压脉冲而使其放电。此时,通过施加的电力的能量,产生气泡10和喷流11。此外,在高电压电极2附近产生等离子,生成0H、H、0、02、0及Η 202那样的活性种。这些活性种将微生物及细菌杀灭。
[0004]专利文献1:日本特开2009 - 255027号公报

【发明内容】

[0005]在上述以往的技术中,要求处理液的氧化能力进一步提高。
[0006]本申请的非限定性的例示性实施方式提供一种能够使处理液的氧化能力提高的处理液生成装置及处理液生成方法。
[0007]为了解决上述课题,本公开的一技术方案具备:第1槽;第1等离子发生装置,包括各自的至少一部分配置在上述第1槽内的一对第1电极和在上述一对第1电极间施加电压的电源,使上述第1槽内的液体中产生等离子;第2槽;第2等离子发生装置,包括各自的至少一部分配置在上述第2槽内的一对第2电极和在上述一对第2电极间施加电压的电源,使上述第2槽内的液体中产生等离子;以及控制装置。上述控制装置使上述第1等离子发生装置在第1时间的期间中产生等离子而在上述第1槽内生成第1处理液,使上述第2等离子发生装置在比上述第1时间长的第2时间的期间中产生等离子而在上述第2槽内生成第2处理液。上述第1处理液的初始氧化力比上述第2处理液的初始氧化力高;上述第2处理液的持续氧化力比上述第1处理液的持续氧化力高。
[0008]根据本公开的一技术方案,能够使处理液的氧化能力提高。另外,总括性或具体性的形态可以由设备、系统、集成电路及方法实现。此外,总括性或具体性的形态也可以由设备、系统、集成电路及方法的任意组合来实现。
[0009]所公开的实施方式的追加效果及优点将根据说明书及附图而明确。效果及/或优点由在说明书及附图中公开的各种各样的实施方式及特征分别提供,为了得到它们中的1个以上并不需要全部。
【附图说明】
[0010]图1是处理液生成单元100的整体结构图。
[0011]图2是将第1金属电极104的开口部125附近放大表示的剖视图。
[0012]图3是表示例示性的实施方式1的其他电极结构的剖视图。
[0013]图4是表示使用分光器测量等离子的发光特性的结果的曲线图。
[0014]图5是表示处理液生成单元100的处理时间与处理水的初始氧化力之间的关系的曲线图。
[0015]图6是表示相对于放置时间的持续氧化力的时间性变化的曲线图。
[0016]图7是例示性的实施方式1的处理液生成装置10A的整体结构图。
[0017]图8是例示性的实施方式1的处理液生成方法的流程图。
[0018]图9是例示性的实施方式1的变形例的处理液生成装置10B的整体结构图。
[0019]图10是例示性的实施方式2的处理液生成装置10C的整体结构图。
[0020]图11是例示性的实施方式2的处理液生成方法的流程图。
[0021]图12是表示处理液生成装置10C的累积的处理时间与初始氧化力之间的关系的曲线图。
[0022]图13是例示性的实施方式3的处理液生成方法的流程图。
[0023]图14是表示处理液生成装置10D的累积的处理时间与初始氧化力之间的关系的曲线图。
[0024]图15是例示性的实施方式3的处理液生成方法的流程图。
[0025]图16是表示处理液生成装置10E的累积的处理时间与初始氧化力之间的关系的曲线图。
[0026]图17是变形例的处理液生成单元100的整体结构图。
[0027]图18是表示第1金属电极104的周边的电极结构的剖视图。
[0028]图19是以往的液体处理装置的整体结构图。
【具体实施方式】
[0029]本公开的实施方式的概要如下。
[0030](1)作为本公开的一技术方案的处理液生成装置具备:第1槽;第1等离子发生装置,包括各自的至少一部分配置在上述第1槽内的一对第1电极和在上述一对第1电极间施加电压的电源,使上述第1槽内的液体中产生等离子;第2槽;第2等离子发生装置,包括各自的至少一部分配置在上述第2槽内的一对第2电极和在上述一对第2电极间施加电压的电源,使上述第2槽内的液体中产生等离子;以及控制装置。上述控制装置使上述第1等离子发生装置在第1时间的期间中产生等离子而在上述第1槽内生成第1处理液,使上述第2等离子发生装置在比上述第1时间长的第2时间的期间中产生等离子而在上述第2槽内生成第2处理液。上述第1处理液的初始氧化力比上述第2处理液的初始氧化力高;上述第2处理液的持续氧化力比上述第1处理液的持续氧化力高。
[0031](2)在一技术方案中,上述(1)的处理液生成装置中,在表示上述第1等离子发生装置的等离子发生时间与上述第1处理液的初始氧化力之间的关系的曲线图中,上述第1时间可以与初始氧化力在峰值成为最高的时间大致相等。在表示上述第2等离子发生装置的等离子发生时间与上述第2处理液的初始氧化力之间的关系的曲线图中,上述第2时间可以包含在初始氧化力饱和的时间的范围中。
[0032](3)作为本公开的另一技术方案的处理液生成装置具备:第1槽;等离子发生装置,包括各自的至少一部分配置在上述第1槽内的一对电极和在上述一对电极间施加电压的电源,使上述第1槽内的液体中产生等离子;第2槽;连接流路,将上述第1槽与上述第2槽连接;连接栗,配置在上述连接流路中;以及控制装置。上述控制装置使上述等离子发生装置在第2时间的期间中产生等离子而在上述第1槽内生成第2处理液,使上述连接栗将上述第1槽内的上述第2处理液经由上述连接流路向上述第2槽移动,使上述等离子发生装置在比上述第2时间短的第1时间的期间中产生等离子而在上述第1槽内生成第1处理液。上述第1处理液的初始氧化力比上述第2处理液的初始氧化力高;上述第2处理液的持续氧化力比上述第1处理液的持续氧化力高。
[0033](4)在一技术方案中,上述(3)的处理液生成装置中,在表示上述等离子发生装置的等离子发生时间与上述第1处理液的初始氧化力之间的关系的曲线图中,上述第1时间可以与初始氧化力在峰值成为最高的时间大致相等。在表示上述等离子发生装置的等离子发生时间与上述第2处理液的初始氧化力之间的关系的曲线图中,上述第2时间可以包含在初始氧化力饱和的时间的范围中。
[0034](5)在一技术方案中,上述⑴?⑷的任一个处理液生成装置可以还具备:放出流路,连接于上述第1槽及上述第2槽;以及至少1个放出栗,配置在上述放出流路中,使上述第1槽的上述第1处理液及上述第2槽的上述第2处理液经由上述放出流路向外部排出。上述控制部使上述至少1个放出栗经由上述放出流路将上述第1处理液及上述第2处理液同时向外部排出。
[0035](6)在一技术方案中,上述(1)?⑷的任一个处理液生成装置可以还具备:放出流路,连接于上述第1槽及上述第2槽;以及至少1个放出栗,配置在上述放出流路中,使上述第1槽的上述第1处理液及上述第2槽的上述第2处理液经由上述放出流路向外部排出。上述控制部使上述至少1个放出栗经由上述放出流路将上述第1处理液及上述第2处理液独立地向外部排出。
[0036](7)作为本公开的一技术方案的处理液生成方法,在一对电极间施加电压使液体中产生等离子而生成处理液,包括:在第1时间的期间中产生等离子,生成第1处理液;在比上述第1时间长的第2时间的期间中产生等离子,生成第2处理液。上述第1处理液的初始氧化力比上述第2处理液的初始氧化力高;上述第2处理液的持续氧化力比上述第1处理液的持续氧化力高。
[0037](8)在一技术方案中,上述(7)的处理液生成装置中,在表示等离子发生时间与上述处理液的初始氧化力之间的关系的曲线图中,上述第1时间可以与初始氧化力在峰值成为最高的时间大致相等。在表示等离子发生时间与上述处理液的初始氧化力之间的关系的曲线图中,上述第2时间可以包含在初始氧化力饱和的时间的范围中。
[0038]根据本公开的处理液生成装置及处理液生成方法,能够生成氧化能力较高的处理液。
[0039]以下,参照【附图说明】本公开的更具体的实施方式。在以下的说明中,对于相同或类似的构成要素赋予相同的标号。此外,重复的说明省略。另外,本公开的实施方式的处理液生成装置及处理液生成方法并不限于以下例示。
[0040]首先,参照图1?图6,说明在各实施方式中共通的结构及动作。各实施方式的处理液生成装置10A?10E以处理液生成单元100为基本构造而构成。
[0041]〔整体结构〕
[0042]参照图1说明处理液生成单元100的整体结构。
[0043]图1是处理液生成单元100的整体结构图。
[0044]处理液生成单元100生成作用于处理对象物的处理液。处理液包含活性种。在本说明书中,说明使用自来水生成处理液的例子。将使用自来水生成的处理液称作“处理水”。例如,也可以代替自来水而使用蒸馏水生成“处理水”。
[0045]处理液生成单元100典型地具备等离子发生装置120、处理槽109、放出流路115和放出栗116。处理液生成单元100可以还具备气流栗105、循环流路300和循环栗108。
[0046]等离子发生装置120构成为,通过在液体中形成气泡,并在气泡内生成等离子,从而使液体中产生活性种。具体而言,等离子发生装置120包括第1金属电极104、第2金属电极102、绝缘体103、开口部125 (参照图2)和电源101。
[0047]在处理槽109内的1个壁上,配置有将该壁贯通的第2金属电极102以及第1金属电极104,第2金属电极102和第1金属电极104各自的一端配置在处理槽109内。第1金属电极104是两端开口的筒状,在其一个端部的开口部,连接着作为气体供给装置的气流栗105。第1金属电极104可以是圆筒状。
[0048]处理槽109内被液体110 (自来水)充满。例如,处理槽109具有约250毫升(约250cm3)的容积。处理槽109
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