专利名称：过氟化物处理设备的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及过氟化物处理设备，更具体地说涉及适合于在过氟化碳或全氟化碳(PFC)气体的处理期间使用的过氟化物处理设备，这些气体在半导体制造过程以及液晶生产过程等中产生。
为了抑制PFC气体向外释放或散发到外部环境中，在半导体和液晶制造业中已经知道，如在日本专利申请特许公开No.Heill-319485中所披露的一样，在使用PFC气体的蚀刻器的装置中安装全氟化碳分解装置(在下面被称为PFC分解装置)，从而每个装置靠近其相关的蚀刻器，其中使用催化剂来在从蚀刻器中排出的废气中进行PFC气体的分解处理。该PFC沉积装置装配有装有PFC分解催化剂的反应单元、用来除去在要被提供给反应单元的废气中所含有的硅组分的硅组分除去装置、用于冷却或冷冻在其中含有由催化剂分解的PFC的分解气体的废气的冷却室，并且还有用来除去在从冷却室中排出的废气中所含有的酸性气体的酸性气体除去装置。在日本专利申请特许公开No.Heill-70322中还披露了一种使用催化剂的PFC分解装置。
由于硅组分除去装置、冷却室和酸性气体除去装置需要使用水，所以必须使供水管与单独的PFC分解装置连接。考虑到每个分解装置安装在除尘室内这个事实，所以将与他们连接的相应供水管安装在所述除尘室内。排水管也分别与PFC分解装置连接。为此，除尘室的部分内部空间将被相应的PFC分解装置以及与之相连的供水管/排水管占据。在除尘室新近要形成半导体制造设备(或者液晶制造设备)例如多个在其中安装在一起的蚀刻器的情况中，感觉到必须在该除尘室中获取多个PFC分解装置和多种与之相连的通用设备(例如供水管和排水管等)的安装空间，这将导致除尘室内的空间因此扩大。或者，在当前建立的除尘室内安装有一个或多个PFC分解装置的情况中，有时会出现这样的情况，已经安装在除尘室内的半导体制造设备(或液晶制造设备)例如蚀刻器必须移动以便取得PFC分解装置和各种通用设备的安装空间。
因为要在除尘室中相对于每个PFC分解装置安装多种通用设备，所以这需要大量时间来安装这些装置。
实现上述目的的本发明的原理在于，它包括与多个安装在被提供有过氟化物的除尘室内的半导体制造设备相连的排气管，用来使得在其中含有所述过氟化物的废气流能够排出半导体制造设备以及与所述排气管相连并且安装在所述除尘室外面用来使包含在由所述排气管引导的所述废气中的所述过氟化物分解的过氟化物分解装置。
根据本发明，不再需要任何额外的空间来在除尘室内安装多个过氟化物装置，这反过来使得能够减小尺寸或者使除尘室“小型化”。具体地说，在应用在当前建造的除尘室的情况中，不再需要在除尘室内取得这些过氟化物分解装置的安装空间；因此，就不必要在除尘室内移动半导体制造设备以便进行这些过氟化物分解装置的安装。
应用在液晶制造结构上的本发明的原理在于，它包括与多个安装在被提供有过氟化物的除尘室内的半导体制造设备相连接的排气管，用来使得在其中含有所述过氟化物的废气流能够排出半导体制造设备以及与所述排气管相连并且安装在所述除尘室外面用来使包含在由所述排气管引导的所述废气中的所述过氟化物分解的过氟化物分解装置。同样在该情况中，不再需要任何额外的空间来在除尘室内安装多个过氟化物装置，这反过来使得能够使除尘室“小型化”。尤其在应用在当前建造的除尘室上的情况中，不再需要在除尘室内取得这些过氟化物分解装置的安装空间；因此，就不必要在除尘室内移动半导体制造设备以便进行这些过氟化物分解装置的安装。
优选的是，该氟化物分解装置装配有反应单元，其中设有催化剂层，并且向该反应单元提供含有过氟化物的废气，该单元用来分解所述过氟化物；以及酸性物质除去装置，该装置除去由从反应单元排出的废气中所含有的酸性物质与钙盐的化学反应而生成的任何反应产物。使用该过氟化物分解装置使得含在废气中的酸性物质作为可通过与Ca盐反应生成的反应产物被除去。因此，从该过氟化物分解装置中就不会产生任何废水。
优选实施方案的详细说明实施方案1
在说明根据本发明一个优选实施方案的过氟化物处理设备即PFC处理设备之前，首先将参照下面的
图1对包括半导体制造厂在内的半导体制造系统的示意结构进行说明。该示例性半导体制造系统装配有半导体制造厂1、PFC分解装置44以及工厂酸性气体处理设备46。半导体制造厂1的建筑其中具有除尘室2。在该除尘室2内安装有多个半导体制造设备，包括蚀刻器5例如聚合物蚀刻器3、氧化膜蚀刻器5和金属蚀刻器53。在该除尘室2中还安装有多个供气装置48。各个供气装置48是向相应的蚀刻器(即具有所提供的PFC气体的半导体制造设备)提供在蚀刻清洗工艺步骤中所需的气体(例如PFC气体等)的装置。该供气装置48例如设计成在内部具有内装的圆筒或“储气瓶”容纳容器(未示出)，其中多个储气瓶(未示出)装有所要求的气体。
工厂酸性气体处理设备46包括酸性气体除去装置47、气体收集管道49和排气管道51。气体收集管道49用来连接在装有储气瓶的容器和酸性气体除去装置47之间。安装在半导体制造厂建筑1外面的酸性气体除去装置47通过鼓风机50与排气管道51连接。根据蚀刻器的类型，由储气瓶提供的酸性气体用来进行晶片蚀刻工艺。当由于某些原因所以装在储气瓶中的酸性气体向外泄漏时，储气瓶容纳容器可用来防止泄漏出的酸性气体流进除尘室2。填充在储气瓶容纳容器中的泄漏出的酸性气体由鼓风机50驱动从而通过气体收集管道49到达酸性气体除去装置47，然后在酸性气体除去装置47处被除去。除去了酸性气体的剩余气体通过排气管道51排出排气圆筒52。
PFC处理设备44包括管道7、PFC分解装置9和排气管道28。PFC分解装置9安装在除尘室2外面并且位于小房间(或者外面)内，该小房间在半导体制造工厂建筑1的外面的位置处，建在用于半导体制造工厂的地点范围内。管道7还分别与安装在除尘室2内的聚合物蚀刻器3、氧化膜蚀刻器5和金属蚀刻器53连接，并且还与PFC分解装置9相连。酸性气体除去装置4在与聚合物蚀刻器3连接的部分附近的位置处安装在管道7处。另一个酸性气体除去装置4还在与金属蚀刻器53连接的部分附近的位置处安装在管道7处。一氧化碳除去装置6在与氧化膜蚀刻器5连接的部分附近的位置处安装在管道7处。排气管道28通过鼓风机25与PFC分解装置9连接并且还与排气圆筒52连接。
下面将根据图2对PFC分解装置9的详细结构进行说明。PFC分解装置9包括预处理塔10、反应器11、冷却装置20和酸性气体除去装置22。预处理塔10具有固体组分除去装置54和设在固体组分除去装置54的下面部分处的中和容器61。喷射器62、63安装在固体组分除去装置54内。反应器11具有加热单元12和反应单元16。加热器单元12装配有加热装置(例如电加热器)13并且在加热器装置13的内侧上形成用作气体通道的空间14。反应单元16具有加热装置(例如，电加热器)18和安装在加热器装置18内部的催化剂层17。在反应单元16中，在加热器装置18内的位于催化剂层17上方的位置处形成有用作气体通道的空间19。空间14的上面部分和空间19的上面部分通过管道15连接在一起。冷却装置20在其中包括喷射器21。同样，酸性气体除去装置22也在其中包括喷射器23、24。
管道7通过三通阀8与固体组分除去装置54连接。三通阀8的一个排气口在酸性气体除去装置47的上游侧面上的位置处通过管子60与气体收集管道49连接。三通阀8是一种废气流动通道切换装置，该装置在向固体组分除去装置54提供废气和向管子60提供废气之间切换。管子60相对于PFC分解装置9是一种旁通管。管子26将固体组分除去装置54和在加热器装置12内的空间14连接在一起。在反应单元16内形成在催化剂层17下面的空间通过管子17与冷却装置20连接。在冷却器装置20内的空间的上面部分与酸性气体除去装置22连接。排气管道28在鼓风机25的上游侧面上的位置处与酸性气体除去装置22连接。设有泵29的排水管30与冷却器装置20的底部连接。在泵29的下游中与排水管30连接的管子31与喷射器24连接。管子32将管子31和喷射器21连接在一起。其中设有泵36的排水管37与中和容器61的底部连接。在泵36下游中的位置处与排水管37连接的管子38连接在喷射器63上。供水管33连接在喷射器23上。供水管34将供水管22和喷射器12连接在一起。供水管35在加热单元12内与空间14连接。碱容器39通过设有泵42的管子43与中和容器61连接，并且还通过设有泵40的管子40与冷却器装置20连接。
从其相关联的供气装置48提供给聚合物蚀刻器3的有Cl2、HBr、CF4(在一些情况中，CHF3、C5F8、C2F6等)。从其相关联的供气装置48向氧化物蚀刻器5提供CO、CF4(在一些情况中，为CHF3、C5F8、C2F6、SF6等)。从其相关联的供气装置48将Cl2、BCl3、CF4(在一些情况中为CHF3、C5F8、C2F6等)提供给金属蚀刻器53。在每种的基础上将上述气体的相应一种填充在相应供气装置48中的各个存储器中。虽然在晶片蚀刻过程中消耗了部分提供给每个蚀刻器的每种气体，但是剩余气体将作为排出气或废气排出每个蚀刻器。在每个蚀刻器内，作为一种酸性气体HF是通过在其中所消耗的PFC(CF4)的分解产生出的。除了HF之外，废气含有通过由蚀刻切掉的晶片原材料和和PFC气体之间的反应生成的副产物(SiF4、WF6等)以及固体组分(SiO2、WO3等)。
在酸性气体除去装置4处除去有害酸性气体(Cl2)之后，通过管道7将从聚合物蚀刻器3中排出的废气引入固体组分除去装置54中。在一氧化碳除去装置6处除去有害气体(CO)之后，通过管道7将从氧化膜蚀刻器5中排出的废气引入固体组分除去装置54中。在酸性气体除去装置4处除去有害酸性气体(Cl2、BCl3)之后，通过管道7将从金属蚀刻器53中排出的废气引入固体组分除去装置54中。在PFC分解装置9正确运行的情况中，三通阀8用来将这些蚀刻器以及PFC分解装置9连接在一起从而确保从每个蚀刻器中排出的废气能够流进PFC分解装置9中。为此，任何废气都不能从管道7中流进管子60。从没有使用任何有害气体的蚀刻器中排出的废气直接从该蚀刻器排出到管道7。
从喷射器62中将从供水管34中提供的水连续地喷射进固体组分除去装置54中。所要提供给固体组分除去扎54的废气包含PFC(CF4)以及杂质，这系杂质通过与水反应产生出固体组分例如在蚀刻过程中产生的SiF4和WF6等，还有固体组分杂质例如SiO2和WO3等。废气中所含有的SiF4通过下面的反应式(1)分解成SiO2和HF。
(1)
这样产生出的SiO2是超细或“微观”颗粒，从而可以在它产生的同时通过使用喷射的水来从废气中将它除去。在废气中所包含的其它固体组分(例如SiO、WO3等)在从这些蚀刻器中排出时也可以被除去。对于HF也是一样，因为它在水中的溶解性非常强；因此可以以类似的方式从废气中将它除去。含有SiO2以及可溶解在其中的被除去HF的水下流进中和容器61中。在废气中所含有的WF6也与水反应，从而以如以下反应式(2)所限定的方式产生出WO3(氧化钨)和HF。
(2)WO3为超细固体颗粒，因此可以通过喷射的水从废气中除去，然后与水一起下流进中和容器61中。含在废气中的硅组分和钨组分可以通过使该废气穿过水容器中的水来除去。
如上所述，固体组分除去装置54可以不仅用来除去含在被提供给它的废气中的固体组分(SiO2、WO3等)，而且还可以用来除去通过与水反应产生固体组分的酸性气体(SiF4和WF6等)。在净化这些固体组分的酸性气体除去期间，固体组分除去装置54还除去了通过与水反应产生的固体组分(SiO2、WO3等)。由于这些酸性气体在反应器11的预备阶段时通过与在固体组分除去装置54内的水反应而被除去，所以可以避免通过这些酸性气体(SiF4和WF6等)和提供给该空间14的反应水之间的反应而在反应器11内产生不想要的固体组分(SiO2、WO3等)。因此可以解决由于在反应器11内产生的固体组分(SiO2、WO3等)而导致的问题-即(1)对形成在催化剂处的块状多孔材料有害的固体组分以及(2)堵住形成在催化剂之间的间隙的固体组分。由此与废气接触的催化剂气表面积不会减小，从而可以提高PFC分解效率。
通过泵42驱动在碱容器39内的碱性水溶液(例如，氢氧化钠)以通过管子43提供给中和容器61。碱性溶液用来在中和容器61中中和含在水中的酸性材料例如HF等。在中和容器61内的被中和的水通过泵36驱动，然后作为废水排出到排水管道37。部分这种废水通过管子38送给喷射器63，然后由此喷射进固体组分除去装置54的内部。如在下面的说明中所述一样，将剩下的废水排出到废水处理设备中。当反应式(1)和(2)的反应由于从喷射器63中喷射出的废水中的水而进行时，所以可以减少从喷射器62中喷射出的新水用量。这导致通过排水管37排出的废水量减少。由喷射器62、63所喷射的水吸收了在被提供给固体组分除去装置54的内部的废气中存在的酸性气体，从而从该废气中除去酸性气体。
然后将从固体组分除去装置54中排出的废气通过管子26导入反应器11中-实际上导入加热单元12的空间14。将由供水管35引导的水(反应水)加入到在空间14内的废气中。代替该水，可以将水蒸汽或蒸汽加入到该废气中。通过加热器装置13对在空间14内的废气和所加入的水进行加热，从而水变成蒸汽。然后通过管道15将由加热单元12加热的废气提供给反应器16内的空间19。通过在空间19内的加热器装置18将该废气进一步加热到650-750℃的温度上。被加热的废气流进催化剂层17的内部。催化剂层17装有基于氧化铝(Al2O3)的催化剂-即一种具有80％Al2O3和20％NiO2的催化剂。实际上。这种基于氧化铝的催化剂安装在反应器16内同时构成可交换盒类型的结构。含在废气中的CF4被分解成HF和CO2同时通过催化剂的化学反应以下面反应式(3)给出的方式加速与反应水的反应。
(3)在1摩尔CF4分解时，将产生4摩尔氢氟酸(HF)，这是前者的四倍。这里要注意的是，在含在废气中的PFC为C2F6的情况中，出现例如由反应式(4)所限定的反应，从而使得C2F6分解成HF和CO2。
(4)通过供气管道(未示出)将在反应式(4)的反应期间所用的氧气作为空气提供给内部空间14。在这些空间14、19内加热该空气，然后将它提供给催化剂层17。或者，在将SF6用作PFC的情况中，进行由反应式(5)限定的反应，从而使SF6分解成SO3和HF。
(5)在1摩尔SF6分解时，将产生1摩尔SO3和6摩尔HF，在数量上这比它大六倍。
由供水管33引导的水在酸性气体除去装置22内通过喷射器23喷射。该水由酸性气体除去装置22收集进冷却器装置20中。冷却器装置20内的水通过泵29驱动，从而它被排到排水管30。通过管子32将该水的一部分提供给喷射器31，而通过管子31将该水的另一部分提供给喷射器24。然后，这些水从各自的喷射器喷射出。
从催化剂层17排出的包含有分解气体CO2和HF的高温废气被导入冷却器装置20内，然后在该冷却器装置20内通过从喷射器21中连续喷射出的水来使该高温废气冷却到小于或等于100℃的温度。由CF4分解所产生的一部分HF溶解进所喷射出的水中然后被除去。废气的冷却还可以通过使该废气穿过水容器内的水来进行。将该温度降低的废气导入酸性气体除去装置22中。该废气在酸性气体除去装置22内与从喷射器23、24中喷射出的水接触。由此，含在废气中的酸性气体(由PFC的分解所产生的)例如HF溶解进该水中，并因此从废气中除去。为了提高废气和水之间的接触效率同时提高酸性气体除去的效率，在酸性气体除去装置22内填充由塑料制成的拉黑西环(ラヒシリソゲ)。通过酸性气体除去装置22将HF的量降低到百分之几到1ppm或更少。然后通过驱动鼓风机25和排气管道28加上排气缸52朝向外部环境排出所得到的无害废气。另外，通过酸性气体除去装置22将已经吸收了酸性气体的水排进冷却器装置20中。
通过鼓风机25将包括预处理塔10、反应器11、冷却装置20和酸性气体除去装置22在内的的整个系统的内部保持在负压下，从而防止含在废气中的HF等朝着该系统的外面泄漏。另外，还可以对酸性气体除去装置22进行改进以采用冒泡方案。但是要注意的是，喷射方案或填充塔方案都是优选的，因为它具有降低压力损失并且能够使用于废气的鼓风机小型化的优点。
碱容器39内的碱性水溶液由泵40驱动，从而通过管子41将它提供给冷却器装置20的内部。碱性溶液在冷却器装置20内用来中和特定的酸性物质例如分别含在从酸性气体除去装置22中排出的水以及从喷射器21中喷射出的水中的HF等。在冷却器装置20中中和的水受到泵29的驱动，然后通过排水管30排出到废水处理设备(未示出)。该废水处理设备用来除去含在由排水管30、37提供的废水中的氟(还包括作为氟化物包含的氟)，并且还用来将从中除去了氟的废水向外输送。
该示例性的实施方案是这样的，安装在除尘室内并且被提供有PFC气体的所有半导体制造设备(蚀刻器和化学汽相沉积(CVD)设备)通过管道7与PFC分解装置9联接。通过这种布置，可以使得单个PFC分解装置9能够以集中的方式处理从所有它们中排出的PFC气体。和现有技术不一样，该实施方案不需要将供水管和排水管加上电线终端连接在安装在除尘室内的多个PFC分解装置中的相应一个上，并且可以如此布置，从而这些供水管和排水管以及电线终端可以连接在单个PFC分解装置9上。这反过来使得可以缩短安装这些供水管/排水管以及电线终端所需的时间同时降低其安装工作的困难。
在该实施方案中，PFC分解装置9安装在除尘室2的外面。为此，在最近安装的除尘室的情况中，该实施方案避免了需要在除尘室2中提供用于PFC分解装置9和与之连接的供水管/排水管的额外安装空间，从而使得能够实现减小除尘室的尺寸或使除尘室2“小型化”。另一个优点在于，能够减小用来除去除尘室2内的污染物或微尘的除尘设备的功率以及可操作地与除尘室2相关的空气调节/调整设备的功率。另一个优点在于，能够使得除尘室2的小型化和半导体制造设备的布置选择更容易。这是因为PFC分解装置9和任意所需要的与之连接的供水管/排水管不是设置在除尘室2内的缘故。
在PFC分解装置最近安装用于处理从安装在当前建立的除尘室内的多个蚀刻器中排出来的PFC气体的情况中，以该实施方案的方式将PFC分解装置9安装在除尘室2的外面，这使得更加容易移动半导体制造设备例如这些蚀刻器并且更容易根据所要生产的产品来更换这些半导体制造设备。简要地说，该实施方案能够实现通过灵活生产线的变化和重新组合来实现灵活性提高的半导体工厂。还可以显著地缩短或消除移动这些半导体制造设备所需的时间。另外，对于该实施方案而言可以主要通过将管道7安装在除尘室2内而无须移动这些半导体制造设备来引入PFC分解装置9。为此，在引入PFC分解装置9时，可以缩短半导体制造设备的停止/中断时间，否则就会由于这种除尘室2内的半导体生产线而出现停止/中断时间。
该实施方案是这样的，反应器11分成加热单元12和反应单元16，每个单元具有其自己的加热器装置，并且该加热单元12和反应单元16安装在小房子的室内地板上。因为考虑到要集中处理从所有安装在除尘室2内并且被提供有PFC气体的半导体制造设备中排出的PFC气体，所以采用了将反应器11分成加热单元12和反应单元16这两个部分的这种布置，从而反应器11的总高(即加热单元12的高度和反应单元16的高度)变得如此巨大，从而使得难以通过陆地运载工具输送它们。
该实施方案仅仅需要在所要另外设置的蚀刻器的排气部分和管道7之间进行连接；因此，可以很容易在除尘室2内进行任何额外蚀刻器的额外安装。通过安装在除尘室2外面的PFC分解装置9可以处理从附加的蚀刻器中排出的PFC气体。这里要注意的是，该实施方案设置成通过安装在蚀刻器出口或“排出”口附近位置处的酸性气体除去装置4(或一氧化碳除去装置6)除去从蚀刻器中排出的任何酸性气体(或者一氧化碳)；因此，以消除对除尘室2内的工作环境的损害甚至排除管道7在除尘室2内受到损坏的情况。另外，提高管道7的可靠性使得用于处理这些有害气体(一氧化碳、氯气等)的有害气体处理设备能够安装在除尘室2外面的位置，还可以安装在PFC分解装置9的上游中。从而实现这些有害气体的集中处理。
在该实施方案中，通过将碱性溶液提供给中和容器11来中和与废气分离并且溶解在水中酸性物质例如HF等；因此，从中和容器11和冷却器装置20中排出的相应经过中和处理的废水提高了对含在废气中的酸性气体例如HF等的吸收能力(溶解能力)。部分废水可以重新用作从相应喷射器63和64中喷射出的水，从而使得能够提高除去含在废气中的酸性气体的效率。
在对从除尘室2内的所有蚀刻器中排出的PFC气体进行集中处理的PFC分解装置9由于故障等原因而中断其PFC气体处理操作的情况中，在该除尘室2内的半导体制造过程也都停止。在该实施方案中，在其中分解装置9停止的紧急情况中，让三通阀8转动，从而在位于三通阀8的上游侧面上的管道7和管子60之间形成连接。从每个蚀刻器中排出的废气受到鼓风机50的驱动以通过管子60和气体收集管道49被暂时引入进酸性气体除去装置47中，而不是被引到PFC分解装置9上。所以将通过酸性气体除去装置47来除去在该废气中存在的酸性气体。一般来说，酸性气体除去装置47的气体处理能力大约比由管道7提供给PFC分解装置9的容积高10-50倍。因此，对于酸性气体除去装置47而言可以除去在被提供给PFC分解装置9的废气中所存在的酸性气体。从废气缸52中将从中除去了酸性气体的所得到的废气排出到外部环境中。在通过管子60将该废气导入到酸性气体除去装置47的过程中，进行所要求的操作，即检查和修理出故障的PFC分解装置9。在完成修理任务之后，转动三通阀8以将废气提供给PFC分解装置9。这样，该实施方案可以在紧急情况例如PFC沉积装置9出故障等情况中通过管子60将废气提供给酸性气体除去装置47，由此可以进行检查和修理工作而无须中断在除尘室2内进行的半导体制造过程。由于PFC沉积装置9的检查和修理操作所需要的时间大约为1-2天，所以没有分解就释放到外部环境中的PFC气体量相对于每年由在该实施方案中的PFC分解装置9所处理的PFC气体量而言保持在非常小的比率上。
该实施方案还能够使用PFC分解装置9来处理从安装在除尘室2中的CVD设备排出的PFC气体。
在用于安装用来净化除尘室2的室内气体的气体净化设备以及除尘室2的空气调节设备的机房设在半导体制造工厂1车间内部或者在与半导体制造工厂相关的建筑内的情况中，PFC分解装置9可以安装在这种机房内。其中反应器11分成加热单元12和反应单元16的PFC分解装置9不需要进行任何重新构造以使得该机房的天花板更高，因此可以很容易安装在该机房内。
还可以避免安装三通阀8和管子60，并且反过来与管道7并联地安装PFC分解装置9，同时使得这些PFC分解装置9具有可变换的可操作性。通过这样的布置，即使一个PFC分解装置9出现故障，也可以采用另一个PFC分解装置9来进行废气处理(除去残留的酸性气体和PFC分级处理)。另外，在连续进行半导体制造过程期间可以对出故障的PFC分解装置9进行检查和修理操作。
下面将参照图3对PFC分解装置的另一个实施方案进行说明。该实施方案的PFC分解装置9A布置成使水蒸发器955安装在PFC分解装置9的管子27处，供水管35连接在该水蒸发器55上并且蒸汽提供管55设置成将水蒸发器55和加热单元12的空间14连接在一起。该PFC分解装置9A的剩余布置与上述PFC分解装置9的布置一样。在水蒸发器55内，由管子27提供的高温废气在热交换管(未示出)中流动，而由供水管提供的水(反应水)在壳体侧面上流动。水被水蒸发器55内的废气加热，从而变成蒸汽。这样产生出的蒸汽通过蒸汽提供管道56被提供给空间14，然后被加入到废气中。
该PFC分解装置9A具有与PFC分解装置9相同的功能，并且可以获得与后者相同的效果和优点。由于PFC分解装置9A设计成使用从反应单元16排出的废气的热量来使反应水变成蒸汽，所以可以减少在PFC分解装置9A的加热单元12处用来加热废气所施加的热能。这是因为在PFC分解装置9中不需要任何能量来使反应水变成蒸汽。
即使在使用PFC分解装置9A来代替在图1中所示的PFC处理设备44中的PFC分解装置9的情况中，也可以获得在实施方案1的PFC处理设备44中出现的类似效果。
下面将参照图4对PFC分解装置的另一个实施方案进行说明。该实施方案的PFC分解装置9B如此布置，从而气体预加热器57安装在PFC分解装置9的管子26处，并且管子26通过该气体预加热器57与加热单元12的空间连接。PFC分解装置9B的其它布置与PFC分解装置9相同。从催化剂层17排出并且由管子27提供的高温气体在设在气体预加热器57内的热交换管(未示出)中流动，而通过管子26提供的排气或废气在气体预加热器57内的壳体侧面上流动。由管子26提供的废气被由管子27提供的高温废气加热，然后在其温度上升的状态中被引入到空间14中。将在设在气体预加热器57内的热交换管中流动的高温废气引入冷却器装置20中，然后以上述方式使之冷却。
该PFC分解装置9B具有与PFC分解装置9相同的功能，并且可以获得与后者相同的效果和优点。由于该PFC分解装置9B设置成使用从反应单元16排出的废气的热量来加热被提供给加热单元12的废气，所以可以减少在PFC分解装置9B的加热单元12处用来加热废气所施加的热能。
即使在使用PFC分解装置9B来代替在图1中所示的PFC处理设备44中的PFC分解装置9的情况中，也可以获得在实施方案1的PFC处理设备44中出现的类似效果。实施方案2下面将参照图5对根据本发明另一个实施方案的PFC处理设备进行说明。该实施方案的PFC处理设备44A设置成使排气管28与在图1中所示的PFC处理设备44中的酸性气体除去装置47连接。该PFC处理设备44A的其它部分的布置与PFC处理设备44相同。在该实施方案中，通过排气管道28将从PFC分解装置9的酸性气体除去装置47中排出的废气提供给酸性气体除去装置47。为此，在酸性气体除去装置22其酸性气体除去能力降低的情况中，可以通过酸性气体除去装置47来除去在反应单元16内由PFC分解作用产生处的任何酸性气体。这样，可以使用酸性气体除去装置47作为酸性气体除去装置22的后备。该实施方案的PFC处理设备44A还可以获得在上述PFC处理设备44中出现的效果。
在该实施方案的PFC处理设备44A中，PFC处理装置9的酸性气体除去装置22可以删除，从而不是通过酸性气体除去装置22而是通过酸性气体除去装置47来除去在反应单元16内由PFC分解作用产生出的酸性气体。在该情况中，酸性气体除去装置47设计成在半导体制造期间连续地操作。在该PFC处理设备44A中，还可以用PFC分解装置9A和PFC分解装置9B中的任一个来代替该PFC分解装置9。实施方案3下面将对根据本发明再一个实施方案的PFC分解设备进行说明。该实施方案的PFC处理设备44B如此布置，从而在图1中所示的PFC处理设备44中的PFC分解装置9由在图6中所示的PFC分解装置代替。该PFC处理设备44B的其它布置与PFC处理设备44相同。下面将对用在PFC处理设备44B的PFC分解装置9C的布置进行说明。鉴于PFC分解装置9是一种其中产生处废水的湿型PFC分解装置，所以在该实施方案中所使用的PFC分解装置9C是一种其中不产生任何废水的干型PFC分解装置。
该PFC分解装置9C装配有反应单元11、过滤装置65、66和细粒/粉末筒仓81。管道7与过滤装置65的下部空间68连接。与加热单元12连接的管子26与过滤装置65的上部空间连接。管子27与过滤装置66的下面空间68连接。废气管道28与过滤装置66的上面空间69连接。粉末筒仓81分别通过管子82在三通阀8下游中的位置处与管道7连接，还通过管子83与管子27连接。
下面将参照图7对过滤装置65、66的布置进行说明。过滤装置65、66包括多个安装在筒形壳体80内的管状过滤元件67A、67B、67C等。每个过滤元件具有缠绕在外表面上的过滤织物或布(未示出)。该筒的内部空间由每个过滤元件分成下空间68和上空间69。其中设有阀门71A的供气管70A从上面部分插进过滤元件67A的内部中。同样其中设有阀门71B的供气管70B从上面部分插进过滤元件67B的内部中；其中设有阀门71C的供气管70C从上面部分插进过滤元件67C的内部中。固体组分存储容器72通过阀门77A与过滤装置65的筒80的底部连接。螺旋输送装置74设置在固体组分存储容器72的下面。固体组分存储容器73通过阀门77B与过滤装置66的筒80的底部连接。螺旋输送装置75布置在固体组分存储容器73的下面。
如在实施方案1中所述一样，由管道7引导的废气与PFC(CF4)一起还含有几种杂质，其示例有通过与水反应产生固体组分的杂质例如在蚀刻过程中产生SiF4和WF6以及作为固体组分例如SiO2和WO3等的杂质。将该废气提供进过滤装置65的下空间68中。在阀门(未示出)打开时，通过管子82将装在粉末筒仓81的Ca盐的粉末颗粒—典型地为氢氧化钙[Ca(OH)2]粉末--提供给管道7。粉末Ca(OH)2被混合进废气中，然后流进过滤装置65的下空间68中。含在废气中的SiF4和WF6按照以下反应式(6)和(7)与Ca(OH)2进行中和反应，从而生成CaF2、SiO2和WO3。
(6)(7)另外，含在这种废气中的HF按照下面的反应式(8)与Ca(OH)2进行化学反应，从而生成氟化钙(CaF2)。含在废气和未反应的Ca(OH)2中的固体组分例如SiO2和WO3与通过反应式(6)、(7)和(8)的反应生成的CaF2、SiO2和WO3一起由安装在过滤装置65的每个过滤元件67收集，然后从废气中除去。通过过滤元件67并且含有CF4的废气通过上空间69和管子26流进反应器11内的空间14、19。CF4以前面在实施方案1中所述的方式被催化剂层17分解。被提供给反应器11的废气不含有HF、SiF4、WF6、SiO2和WO3。
将由CF4在催化剂层17处的分解生成的酸性气体(HF)引入过滤装置66的空间68中。打开阀门(未示出)以能够通过管子83将粉末筒仓81内的Ca(OH)2粉末提供给管子27，然后将它混合进废气中。还将Ca(OH)2引进空间68中。HF按照反应式(8)与Ca(OH)2进行中和反应，从而生成CaF2。
(8)通过在过滤装置66内的过滤布来捕获该CaF2和未反应的Ca(OH)2。在CaF2和未反应的Ca(OH)2的层以及由于捕获在过滤布的表面处而形成的CaF2的渗透期间，未反应的HF与该Ca(OH)2反应然后被固定。在更高的温度下可以加速HF和Ca(OH)2之间的化学反应。由于从催化剂层17中排出的废气温度较高，所以其化学反应加速。通过管子76将冷却气体提供给过滤装置66的过滤元件67的上游侧，即进入下空间68。该冷却气体用来冷却在下空间68内的废气，由此可以将该废气的温度调节成大于或等于大约200℃并且低于300℃。这是因为过滤布的耐热温度为300℃。优选的是，冷却气体的提供位置在管子27和管子83的连接点的下游中。因为HF和Ca(OH)2粉末在高温下混合并且接触在一起从而有效地进行中和反应，所以需要这样。在高温条件下，Ca(OH)2变成CaO，然后作为碱的活性降低。在该实施方案中，在上游侧由于加入反应水以进行过氟化物的分解反应，所以存在有许多水，即使在高温条件下，也存在Ca(OH)2。为此，由于在反应式(8)中所示的反应是高温条件，所以反应速度加速，因此能有效地除去HF。在鼓风机25正在工作时，从过滤装置66将废气排出到废气管道28。被排到废气管道28中的废气不含有任何酸性气体。在废气管道28内的废气被从管子84提供进废气管道28的冷却气体冷却，并且因此下降到50℃上。由于提供温度降低到50℃的空气，所以不再出现由反应式(8)的反应所产生的H2O冷凝以变成水的现象。
在过滤装置65、66处，通过差压计或仪表(未示出)来探测在上空间69和下空间68之间的压力差异。在其中这种压力差到达预设定数值的过滤装置例如过滤装置66处，其过滤元件受到反冲洗。更具体地说，第一步是打开阀门71A。将从供气管70A提供的反冲洗使用的水排放到过滤元件67A的内部，然后使之通过过滤布，之后排放到下空间68上。由于该反冲洗用的水的流动，所以附着在过滤布外表面上的固体组分(例如氟化钙、未反应的Ca(OH)2)作为障碍下落到筒80的底部上。在已经完成过滤元件67A的反冲洗之后，驱动阀门70C关闭，从而从供气管70B将空气提供给过滤元件67B，从而进行过滤元件67B的反冲洗。接着，使用从供气管70B提供的空气来进行过滤元件67C的反冲洗。通过打开阀门77B，将积累在筒80的底部处的固体组分排出到固体组分存储容器73的内部。另外，已经通过打开的阀门78B落下的固体组分79通过螺旋输送装置75朝着固体物质收集筒仓(未示出)传送然后存储在其中。过滤装置65的每个过滤元件以同样的方式经过反冲洗，从而使得筒80中的固体组分能够在让阀门77A打开时排放进入固体组分存储容器72中。这些固体组分还通过阀门78A下落，然后通过螺旋输送装置74送给上述固体物质存储容器。在固体物质存储容器内的固体组分用来随后作为水泥的原材料重新使用。
可代替Ca(OH)2使用的Ca盐的另一个实施例为碳酸钙(CaCO3)或氧化钙(CaO)的粉末。对于与酸性气体等的反应性而言，Ca(OH)2高于CaCO3和CaO；因此优选使用Ca(OH)2。与酸性气体等的反应在表面上进行；因此，为了增加表面积，优选的是Ca盐采用粉末的形式。在将CaCO3加入到管道7内的废气中的情况中，与SiF4和WF4的中和反应按照下面的反应式(9)和(10)进行。
(9)(10)在将CaO加入在管道7内的废气中的情况中，与SiF4和WF4的中和反应按照下面的反应式(11)和(12)进行。
(11)(12)通过过滤装置65的过滤布除去由它们的每次反应生成的CaF2、SiO2和WO3等。
在将CaCO3加入到管道27内的废气中的情况中，与HF的中和反应按照下面的反应式(13)进行。
(13)在将CaO加入在管道27内的废气中的情况中，与HF的中和反应按照下面的反应式(11)和(12)进行。
(14)通过过滤装置66的过滤布来除去由它们的每次反应生成的CaF2等。
在使用湿型PFC分解装置的实施方案1和2中，需要除去含在由在废水处理设备中的排水管30、37引导的废水中的氟化物。因此，在废水处理设备中，进行以下的处理。更具体地说，将Ca盐(CaCO3或Ca(OH)2)加进废水中；然后进行搅拌。使含在废水中的固体组分例如由Ca盐与HF之间的反应生成的氟化钙以及未反应的Ca盐等沉淀以便分离。另外，将絮凝剂加入到废水中，从而使得直径微小的这些固体组分能够聚集或结絮以便分离。使这里分离所得到的固体组分例如氟化钙经过脱水和干燥过程以便随后重新用作水泥的原材料。使用水来除去废气中的固体组分和酸性气体的实施方案1和2应该需要进行上述复杂的处理以便除去含在废水中的氟化物，从而导致产生大量的水。来自废水处理设备的废水在其中含有大量钙离子并且作为工业废水向外排出。虽然实施方案1和2能够获得上述各种效果，但是这些需要废水处理设备来进行复杂处理以除去氟化物。
相反，该实施方案设置成将Ca盐添加到废气中，由此可以将废气中的氟化物回收作为可重新利用的固体成分而不会产生任何废水。显然，该实施方案不需要任何废水处理设备。安装其用水量非常少的该实施方案的PFC处理设备使得可以将半导体制造工厂建立在水源缺乏的陆地中。另外，即使在环境排放标准在不久的将来变得更严格的情况下，该实施方案也容易克服这种限制。由于该实施方案没有产生废水的危险，所以不再需要任何废水排放管；因此，与上述实施方案1和2相比可以简化这些设备。一般来说，与在湿型设备中的离子状态中的化学反应相比，在干燥状态中的化学反应其反应速度更慢并且效率更低。但是湿型PFC分解装置内在地需要添加过量的钙盐(Ca(OH)2、CaCO3、CaO等)，该量是理论上所确定的数值的几倍以便除去在废水中的低浓度F离子，从而Ca盐的所需量几乎等于湿型PFC分解装置的量。
在使用SF6作为蚀刻器中的PFC气体的情况中，在催化剂层17处通过反应式(5)的反应生成SO3。该SO3与添加在管子27内部的Ca盐反应，从而导致生成硫酸钙(CaSO4)。实际上说明，在加入CaCO3、Ca(OH)2和CaO的任意一种的情况中，出现由反应式(15)-(17)所表示的反应。
(15)(16)(17)该硫酸钙最后可以重新利用作为水泥的原材料。
该实施方案可以获得在实施方案1中出现的效果和优点，包括(1)能够使无尘室2小型化并且容易惊醒半导体制造设备的布置变化，(2)容易在当前建立的无尘室内进行这些半导体制造设备的转移以及任意半导体制造设备更换，(3)缩短在引入了PFC分解装置9的除尘室2内采用半导体制造生产线的半导体制造的中断时间；(4)由于加热单元12和反应单元16的细分所以能够通过陆地运载工具来实现提高可输送性，(5)因为所要求的仅仅是将所要求另外设置的蚀刻器的气体排放部分和管道7连接在一起，所以很容易在除尘室2内进行蚀刻器的附加安装，并且(6)由于通过与反应水的反应没有生成任何固体组分这个事实，所以能够有效低改进基于催化剂的PFC分解效率。
在图6的PFC分解装置9C中，可以将Ca盐(CaCO3或Ca(OH)2)的浆液提供给管子27来代替提供Ca盐粉末。浆液式Ca盐比粉末更容易输送，从而有利于提供给管子27。Ca盐浆液的水组分在与从反应单元16中排出的高温废气接触时蒸发成蒸汽。废气中的酸性气体(HF)与Ca盐反应以生成氟化钙。引导该蒸汽穿过过滤布，然后通过排气管道28和排气缸52向外部环境释放。该实施方案布置成从管子84提供冷却水，从而确保在排气管道28内的废气处于100℃。因此可以避免蒸汽在排气管道28内出现不想要的絮凝。
该实施方案的PFC分解装置9C还可适用于其相应的PFC分解装置安装在除尘室2内的PFC分解设备。
下面将对干型PFC分解装置的其它实施方案进行说明。PFC分解装置9D(参见图8)如此设置，从而水蒸发器55以和PFC分解装置9A类似的方式安装在管子27处，用来加热由供水管35提供的反应水。在图9中所示的分解装置9E如此设计，气体预加热器57安装在管子27处，用来加热由管子26引导的废气。可以将PFC分解装置9D和9E的相应一个安装在PFC分解设备44B中来代替实施方案3的PFC分解装置9C。另外在PFC分解设备44A中，也可以安装PFC分解装置9D和9E中的每一个来代替PFC分解装置9。
在包括有液晶制造工厂的液晶制造系统中，也可以将使用PFC其的多个蚀刻器”(或者CVD设备)安装在除尘室内作为液晶制造设备。因此，将上述PFC分解装置44、44A和44B应用在液晶制造系统上，这使得可以集中地处理从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC气体。这种PFC处理设备的PFC分解装置(PFC分解装置9、9A、9B、9C、9D和9E中的任一个)以和实施方案1和2相类似的方式安装在除尘室的外面。
虽然上述每个实施方案的PFC处理设备采用了其中使用了催化剂的PFC分解装置作为其PFC分解装置，但是该PFC分解装置可以由用于通过燃烧进行分解的燃烧式PFC分解装置或者用于通过将PFC变成等离子来进行分解的等离子式PFC分解装置来代替。另外，鼓风机25可以用喷射器来代替。每个上述实施方案能够分解包括但不限于CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F6、C5F8、NF3和SF6的PFC气体。
根据本发明，可以使其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室小型化。在本发明应用在当前建立的除尘室上的情况中，不再需要在除尘室内移动半导体制造设备或液晶制造设备以便安装多个过氟化物分解装置。
权利要求
1.一种过氟化物处理设备，其特征在于该设备包括与多个安装在除尘室内并且被提供有过氟化物的半导体制造设备相连接的废气管道，用于使从该半导体制造设备中排出的包含有所述过氟化物的废气能够流出；以及与所述废气管道相连接并且安装在所述除尘室外面的过氟化物分解装置，用于使含在由所述废气管道引导的所述废气中的过氟化物分解。
2.如权利要求1所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述废气管道与安装在所述除尘室内并且被提供有所述过氟化物的所有所述半导体制造设备相连接。
3.如权利要求1所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述设备还包括在所述过氟化物分解装置的上游侧面上的设置在所述废气管道处的废气流动通道切换装置；以及与所述废气流动通道切换装置相连接的旁通管道，用于绕过所述过氟化物分解装置以与工厂酸性气体处理设备的酸性气体除去装置连接。
4.如权利要求1所述的过氟化物处理设备，其特征在于设有排气管道，用于将从所述过氟化物分解装置中排出的废气引导到所述酸性气体除去装置中。
5.如前面权利要求1-4中任一所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述过氟化物分解装置包括具有第一加热装置的加热单元，所述废气提供给该加热单元；以及具有第二加热装置和催化剂层的反应单元，由所述加热单元加热的所述废气提供给该反应单元。
6.如前面权利要求1-4中任一所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述过氟化物分解装置包括被提供有所述废气的固体组分除去装置；用于分解过氟化物的反应单元，从所述固体组分除去装置排出的所述废气提供给该反应单元，并且在该反应单元中设有催化剂层；以及酸性物质除去装置，用于除去含在从所述反应单元中排出的所述废气中的任何酸性物质。
7.如权利要求6所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述设备包括供水装置，用于至少将与所述废气接触的水分别提供给所述固体组分除去装置和所述酸性物质除去装置。
8.如前面权利要求1-4中任一所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述过氟化物分解装置包括用于使所述过氟化物分解的反应单元，在该单元中设有催化剂层，所述废气提供给该单元；以及酸性物质除去装置，用于除去由含在从所述反应单元排出的所述废气中的酸性材料与Ca盐反应生成的反应产物。
9.一种过氟化物处理设备，其特征在于该设备包括与多个安装在除尘室内并且被提供有过氟化物的液晶制造设备相连接的废气管道，用于使从该液晶制造设备中排出的包含有所述过氟化物的废气能够流出；以及与所述废气管道相连接并且安装在所述除尘室外面的过氟化物分解装置，用于使含在由所述废气管道引导的所述废气中的过氟化物分解。
10.如权利要求9所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述废气管道与安装在除尘室内并且被提供有所述过氟化物的所有所述液晶制造设备相连接。
11.如权利要求9所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述设备还包括在所述过氟化物分解装置的上游侧面上的设置在所述废气管道处的废气流动通道切换装置；以及与所述废气流动通道切换装置相连接的旁通管道，用于绕过所述过氟化物分解装置以与工厂酸性气体处理设备的酸性气体除去装置连接。
12.如权利要求9所述的过氟化物处理设备，其特征在于设有排气管道，用于将从所述过氟化物分解装置中排出的废气引导到所述酸性气体除去装置中。
13.如前面权利要求9-12中任一所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述过氟化物分解装置包括具有第一加热装置的加热单元，所述废气提供给该加热单元；以及具有第二加热装置和催化剂层的反应单元，由所述加热单元加热的所述废气提供给该反应单元。
14.如前面权利要求9-12中任一所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述过氟化物分解装置包括被提供有所述废气的固体组分除去装置；用于分解过氟化物的反应单元，从所述固体组分除去装置排出的所述废气提供给该反应单元，并且在该反应单元中设有催化剂层；以及酸性物质除去装置，用来除去含在从所述反应单元中排出的所述废气中的任何酸性物质。
15.如权利要求14所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述设备包括供水装置，用来至少将与所述废气接触的水分别提供给所述固体组分除去装置和所述酸性物质除去装置。
16.如前面权利要求9-12中任一所述的过氟化物处理设备，其特征在于所述过氟化物分解装置包括用于使所述过氟化物分解的反应单元，在该单元中设有催化剂层，所述废气提供给该单元；以及酸性物质除去装置，用于除去由含在从所述反应单元排出的所述废气中的酸性材料与Ca盐反应生成的反应产物。
17.一种过氟化物分解装置，其特征在于它包括反应单元，该反应单元中设有催化剂层，含有过氟化物的废气提供给该单元，所述反应单元使所述过氟化物分解；以及酸性物质除去装置，用于除去由含在从所述反应单元排出的所述废气中的酸性材料与Ca盐反应生成的副反应产物。
18.如权利要求17所述的过氟化物分解装置，其特征在于所述装置具有反应产物除去装置，用于除去由含在所述废气中的物质与Ca盐的反应而产生的副反应产物，其中，该反应由于与水反应而产生固体物质；从所述反应产物除去装置排出的所述废气提供给所述反应单元。
19.一种过氟化物处理方法，该方法供多个安装在除尘室内的半导体制造设备使用，用于接收提供给它们的过氟化物，其特征在于该方法包括以下步骤将含有从半导体制造设备中排出的所述过氟化物的废气提供给安装在所述除尘室外面的过氟化物处理装置，然后通过所述过氟化物分解装置使所述过氟化物分解。
20.如权利要求19所述的过氟化物处理方法，其特征在于过氟化物物质的分解方法是一种催化剂方法。
21.如权利要求19所述的过氟化物处理方法，其特征在于通过使用Ca软粉末或颗粒来除去在过氟化物物质分解之后废气中的酸性气体。
22.如权利要求21所述的过氟化物处理方法，其特征在于所述Ca软粉末为Ca(OH)2。
23.如权利要求21所述的过氟化物处理方法，其特征在于在大于200℃的高温条件下，在所述过氟化物物质分解之后存在于废气中的所述酸性气体和所述Ca软粉末或颗粒反应。
24.如权利要求21所述的过氟化物处理方法，其特征在于在所述过氟化物物质的反应期间，加入反应水。
25.一种过氟化物处理方法，该方法供多个安装在除尘室内的液晶制造设备使用，用于接收提供给它们的过氟化物，其特征在于该方法包括以下步骤将含有从液晶制造设备中排出的所述过氟化物的废气提供给安装在所述除尘室外面的过氟化物处理装置，然后通过所述过氟化物分解装置使所述过氟化物分解。
26.如权利要求25所述的过氟化物处理方法，其特征在于过氟化物物质的分解方法是一种催化剂方法。
27.如权利要求25所述的过氟化物处理方法，其特征在于通过使用Ca软粉末或颗粒来除去在过氟化物物质分解之后废气中的酸性气体。
28.如权利要求25所述的过氟化物处理方法，其特征在于所述Ca软粉末为Ca(OH)2。
29.如权利要求27所述的过氟化物处理方法，其特征在于在大于200℃的高温条件下，在所述过氟化物物质分解之后存在于废气中的所述酸性气体和所述Ca软粉末或颗粒反应。
30.如权利要求27所述的过氟化物处理方法，其特征在于在所述过氟化物物质的反应期间，加入反应水。
全文摘要
在除尘室2内安装有多个蚀刻器例如聚合物蚀刻器3或类似物。与所有蚀刻器连接的管道7连接在PFC分解装置9上，该装置安装在除尘室2的外面。通过管道7将含有从除尘室内的所有蚀刻器中排出的PFC的废气提供给PFC分解装置9的内部空间。在PFC已经在PFC分解装置9内加热之后，通过填充在PFC分解装置9内的催化剂的作用使其分解。这就不在需要在其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室2中提供用于安装PFC分解装置9的空间，从而使得除尘室的尺寸减小或“小型化”。所以可以减小其中安装有半导体制造设备或液晶制造设备的除尘室的尺寸。
文档编号B01D53/46GK1462646SQ0214254
公开日2003年12月24日 申请日期2002年9月20日 优先权日2002年5月31日
发明者李洪勲, 玉田慎 申请人:株式会社日立制作所