技术特征：
技术总结
本发明公开了一种g‑C3N4光电催化剂及其制备方法。包括如下步骤：S1.以胺类物质、乙酸为原料配制得到电镀液，在恒电流条件下以FTO导电玻璃为基底电镀得到胺类物质；S2.以FTO导电玻璃为基底的胺类物质为前驱物，在煅烧条件下，制备得到g‑C3N4光电催化剂。本发明的光电催化剂能够有效抑制光生电子和空穴的复合，从本质上提升光电催化析氧的效率。本发明所述的g‑C3N4光电催化剂电化学方法，以FTO导电玻璃为基底制备胺类物质，再在煅烧条件下制备得到g‑C3N4光电催化剂，它具有易于回收、制备简便的特点。所得g‑C3N4光电催化剂高效、环保、催化效果好、易于回收。
技术研发人员：纪红兵;黄勇潮;范文杰;邱伟涛;童叶翔
受保护的技术使用者：中山大学惠州研究院
技术研发日：2017.04.02
技术公布日：2017.07.07