一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法与流程

文档序号:11506383阅读:260来源:国知局

本发明属于水处理领域,涉及一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法,尤其涉及一种用于处理有机废水的光催化材料及其制备方法。



背景技术:

当前,伴随工业技术的飞速发展,人类赖以生存的水资源均受到不同程度的污染,水资源污染已经成为世界各国面临的亟待解决的问题。水中的污染物,特别是有毒有机污染物的存在,不仅造成环境污染、生态破坏,而且严重危害人类健康。这些有机污染物包括多环芳烃、多氯联苯、农药、环境干扰素、染料等。

在污染物降解以及能源生产领域中,半导体光催化是最有前景的方法之一。当能量大于或等于半导体禁带宽度的光子照射在光催化剂表面上时就会产生电子-空穴对的分离,这是光催化反应的最初的基本步骤。为了寻找高效的光催化剂,大量研究工作都集中在研究光催化活性的影响因素上。掺杂催化剂有利于电子跃迁,在催化剂表面形成自由基而提高催化效率。而提高光催化效果是一项无止境的工作。



技术实现要素:

本发明的目的是为克服现有技术的不足,提供一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法。

为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:

一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法,包括以下步骤:

在350~450r/s的转速搅拌下,往浓度为0.1~0.4mol/l,体积为30~40ml的磷酸铵溶液中同时滴加浓度为0.1~0.4mol/l,体积为30~40ml的氯化铟溶液和浓度为0.2~0.5mol/l,体积为5~10ml的氯化铜的乙醇溶液,滴加完成后继续在350~450r/s的转速下搅拌30~45min,形成胶体,加入15~25mmol乙二醇,再搅拌55~65min,最后将整个体系离心分离,用蒸馏水洗涤固体4~5次,在105℃下真空烘干,即可得到铜掺杂磷酸铟光催化剂。

本发明将铜和磷酸铟掺杂,有利于光生电子的跃迁,避免复合,有利于提高催化效率。

具体实施方式

实施例1

一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法,包括以下步骤:

在350r/s的转速搅拌下,往浓度为0.1mol/l,体积为40ml的磷酸铵溶液中同时滴加浓度为0.4mol/l,体积为30ml的氯化铟溶液和浓度为0.2mol/l,体积为10ml的氯化铜的乙醇溶液,滴加完成后继续在350/s的转速下搅拌45min,形成胶体,加入15mmol乙二醇,再搅拌55min,最后将整个体系离心分离,用蒸馏水洗涤固体4次,在105℃下真空烘干,即可得到铜掺杂磷酸铟光催化剂。

取1g铜掺杂磷酸铟光催化剂加入到装有100ml浓度为30mg/l的酸性大红溶液中,在300w碘钨灯照射下,反应60min,脱色率为97.2%。相同质量的磷酸铟在相同的条件下的脱色率仅为73.2%。相比之下,本发明的降解速度有很大提高。

实施例2

一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法,包括以下步骤:

在400r/s的转速搅拌下,往浓度为0.3mol/l,体积为35ml的磷酸铵溶液中同时滴加浓度为0.3mol/l,体积为35ml的氯化铟溶液和浓度为0.45mol/l,体积为8ml的氯化铜的乙醇溶液,滴加完成后继续在400r/s的转速下搅拌37min,形成胶体,加入20mmol乙二醇,再搅拌60min,最后将整个体系离心分离,用蒸馏水洗涤固体4次,在105℃下真空烘干,即可得到铜掺杂磷酸铟光催化剂。

取1g铜掺杂磷酸铟光催化剂加入到装有100ml浓度为30mg/l的亚甲基蓝溶液中,在300w碘钨灯照射下,反应60min,脱色率为96.3%。

实施例3

一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法,包括以下步骤:

在450r/s的转速搅拌下,往浓度为0.4mol/l,体积为30ml的磷酸铵溶液中同时滴加浓度为0.1mol/l,体积为40ml的氯化铟溶液和浓度为0.5mol/l,体积为5ml的氯化铜的乙醇溶液,滴加完成后继续在450r/s的转速下搅拌30min,形成胶体,加入25mmol乙二醇,再搅拌65min,最后将整个体系离心分离,用蒸馏水洗涤固体5次,在105℃下真空烘干,即可得到铜掺杂磷酸铟光催化剂。

取1g铜掺杂磷酸铟光催化剂加入到装有100ml浓度为30mg/l的罗丹明b溶液中,在300w碘钨灯照射下,反应60min,脱色率为95.3%。



技术特征:

技术总结
本发明公开一种铜掺杂磷酸铟光催化剂的制备方法,具体步骤如下:在350~450r/s的转速搅拌下,向磷酸铵溶液中滴加氯化铟溶液和氯化铜的乙醇溶液,滴加完成后继续以相同的转速搅拌30~45min,形成胶体,加入15~25mmol乙二醇,再搅拌55~65min,最后将整个体系离心分离,用蒸馏水洗涤固体4~5次,在105℃下真空烘干,即可得到铜掺杂磷酸铟光催化剂。本发明将铜和磷酸铟掺杂,有利于光生电子的跃迁,避免复合,提高催化效率。

技术研发人员:程昊;白大伟;郝光明;史智鹏
受保护的技术使用者:柳州若思纳米材料科技有限公司
技术研发日:2017.07.11
技术公布日:2017.10.17
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