一种改性低钒SCR脱硝催化剂及其制备方法与流程

文档序号:16315257发布日期:2018-12-19 05:26阅读:408来源:国知局
本发明涉及催化剂制备
技术领域
,尤其涉及一种改性低钒scr脱硝催化剂及其制备方法。
背景技术
大力发展燃煤脱硝技术是整治环境污染、改善空气质量的重要举措。按照gb13223-2011《火电厂大气污染物排放标准》的规定,自2014年7月1日起火力发电锅炉对于氮氧化物(nox)的排放将全面执行低于100mg/m3的新标准。2014年11月23日,《煤电节能减排升级与改造行动计划》对燃煤机组提出新要求:no排放量要小于50mg/m3。目前火电机组nox排放标准达到50mg/m3以下的方可享受超低排放电价补贴。为了实现nox超低排放,我国的火电厂对现在scr脱硝催化剂进行升级改造。现有钛钒钨系scr催化剂中重金属钒属于剧毒,对环境和人身均有不同程度的危害,且钒系催化剂的成本高,但是低钒的scr催化剂的脱硝效率低,因此开发一种低成本、低钒、脱硝效率高的催化剂具有重要意义。技术实现要素:针对现有低钒scr催化剂的催化效率低的问题,本发明提供一种改性低钒scr脱硝催化剂。以及,一种改性低钒scr脱硝催化剂的制备方法。为达到上述发明目的,本发明实施例采用了如下的技术方案:一种改性低钒scr脱硝催化剂,所述催化剂中v2o5含量为0.2-0.5wt%,cu元素含量为0.32-2.13wt%。一种改性低钒scr脱硝催化剂,所述催化剂中v2o5含量为0.2-0.5wt%,s元素含量为0.49-1.61wt%。一种改性低钒scr脱硝催化剂,所述催化剂中v2o5含量为0.2-0.5wt%,cu元素含量为0.32-2.13wt%,s元素含量为0.49-1.61wt%。相对于现有技术,本发明提供的改性低钒scr脱硝催化剂,具有以下优势:(1)本发明提供的改性低钒scr脱硝催化剂,以铜元素或硫元素改性scr脱硝催化剂,铜元素代替部分v2o5,与活性成分v2o5在还原剂nh3下一起吸附烟气中的nox,将有毒的氮氧化物选择性转化成氮气和水;硫酸根离子提高低钒scr脱硝催化剂的表面酸性,增加了单位时间内吸附的还原剂nh3的量。(2)本发明提供的低钒scr脱硝催化剂,在370℃的脱硝效率达到92%以上,相对于基础催化剂脱硝效率提高12%,与常规v2o5含量(蜂窝式催化剂v2o5含量为0.8wt%,平板催化剂v2o5含量为1wt%)的催化剂的各项性能指标相当,同时降低了v2o5的含量,降低了成本。具体的,优选的,以蜂窝式催化剂为基础催化剂,所述催化剂的中v2o5含量为0.2-0.25wt%,cu元素含量为0.32-1.61wt%。优选的,以平板式催化剂为基础催化剂,所述催化剂中v2o5含量为0.4-0.5wt%,cu元素含量0.32-2.13wt%,s元素含量为0.49-1.61wt%。优选的,以蜂窝式催化剂为基础催化剂,所述催化剂中v2o5含量为0.2-0.25wt%,cu元素含量为0.32-0.80wt%。优选的,以平板式催化剂为基础催化剂,所述催化剂中v2o5含量为0.4-0.5wt%,cu元素含量0.32-0.80wt%,s元素含量为0.49-1.61wt%。优选的,所述催化剂中cu元素以氧化铜或铜盐的形式存在。优选的,所述催化剂中s元素以硫酸盐的形式存在。硫酸盐提高scr脱硝催化剂的表面酸性,增加了单位时间内吸附的还原剂nh3的量。进一步地,本发明还提供上述的改性低钒scr脱硝催化剂的制备方法,至少包括以下步骤:步骤a、将基础催化剂浸渍于含有cu元素和/或s元素改性剂中;步骤b、将浸渍后的基础催化剂进行热处理,得到低钒scr脱硝催化剂。相对于现有技术,本发明提供的改性低钒scr脱硝催化剂的制备方法,热处理使浸渍液与基础催化剂成分之间形成键合,否则浸渍液只是表面物理吸附,易脱落,且制备方法简单,过程容易控制,适用于大规模生产。具体的,优选的,所述含有cu元素的改性剂为cuso4·5h2o溶液或cu(no3)2·3h2o溶液,所述含有s元素的改性剂为cuso4·5h2o溶液或(nh4)2so4溶液。优选的,所述cuso4·5h2o溶液的质量浓度为2-10%。优选的,所述cu(no3)2·3h2o溶液的质量浓度为8-10%。优选的,所述(nh4)2so4溶液的质量浓度为7-9%。优选的,所述热处理条件为:温度为125-500℃,时间为4-10h。选择125-500℃的热处理温度,将部分cu2+生成cuo,代替v2o5,剩余的铜元素以铜盐的形式存在,提高scr脱硝催化剂的表面酸性,增加了单位时间内吸附的还原剂nh3的量,从而提高催化效率。优选的,当基础催化剂为平板式催化剂时,将浸渍后的基础催化剂红外线干燥后进行热处理,热处理条件为:温度为590-610℃,时间为8-10h。优选的,所述浸渍时间为8-12min。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。实施例1~6本发明低钒scr脱硝催化剂的制备实施例1-6提供的低钒scr脱硝催化剂以平板式钒钼钛系催化剂为基础催化剂,具体制备方法如表1所示。其中以钒含量为0.4wt%的平板式钒钼钛系催化剂为基础催化剂和空白样品,且各基础催化剂的制备方法一致,其他组分含量一致。表1制备方法实验例1将实施例1-6制备的低钒scr脱硝催化剂进行xrf成分分析,具体分析结果如下表2所示。表2xrf成分分析结果so3/%cuo/%fe2o3/%moo3/%实施例11.2281.7990.3492.422实施例21.9641.830.4022.567实施例33.3342.3110.3292.477实施例42.1382.6720.4212.419实施例54.028/0.3722.528实施例63.686/0.3252.421从表2中可以看出,本发明制备的低钒scr脱硝催化剂中含有硫元素、铜元素,且催化剂中cu元素含量为1.51-2.24wt%,s元素含量为0.49-1.61wt%。试验例2将实施例1-6制备的低钒scr脱硝催化剂进行比表面积分析,具体分析结果如下表3所示。表3比表面积分析结果比表面积空白样品80.25m2/g实施例175.00m2/g实施例249.58m2/g实施例376.25m2/g实施例457.96m2/g实施例563.74m2/g实施例653.78m2/g从表3中可以看出,相对于空白样品或基础催化剂,经过热处理得到的低钒scr脱硝催化剂的比表面积减小。同时热处理温度越高,低钒scr脱硝催化剂的比表面积更小,可能是由于热处理温度太高,将催化剂表面的小孔烧成大孔。试验例3将实施例1-6制备的低钒scr脱硝催化剂与空白样品裁成五片宽30mm、长490mm的长方形板,放入反应器模具中,连接好管路,通入模拟烟气,典型烟气工况:温度370℃,0.409l/minno,6%o2,0.409l/minnh3,n2平衡器,空速7680h-1,总流量保持44l/min,待管式炉升温至370℃,活化2.5h,打开脱硝测试仪进行测试,在实验中,入口氮氧化物含量保持在200ppm,所有测试数据均在氮氧化物浓度保持恒定之后进行记录,即吸附达到平衡,具体实验数据下表4所示。表4脱硝效率脱硝效率空白样品80.00%实施例193.65%实施例292.47%实施例393.49%实施例492.05%实施例593.15%实施例692.38%从表4中明显可以看出,本发明制备的低钒scr脱硝催化剂的脱硝效率均达到92%以上,且相对于空白样品,脱硝效率提高至少12%以上。与试验例2的比表面积数据对比可以发现,虽然低钒scr脱硝催化剂的比表面积小,但是催化效率高,说明虽然经过热处理后催化剂的比表面积减小,但以铜元素或硫元素改性scr脱硝催化剂,催化效果明显。实施例7~12本发明低钒scr脱硝催化剂的制备实施例7-12提供的低钒scr脱硝催化剂以中温蜂窝式钒钨钛系催化剂为基础催化剂,具体制备方法如表5所示。其中以钒含量为0.25wt%,脱硝效率为82.71%的低钒蜂窝催化剂为基础催化剂和对照样品,且基础催化剂的制备方法一致,尺寸一致,其他组分含量一致。表5制备方法试验例4将实施例7-12制备的低钒scr脱硝催化剂与对照样品进行xrf成分分析,具体分析结果如下表6所示。表6xrf成分分析结果cuo/%v2o5/%空白样品/0.25实施例70.5390.27实施例80.5490.28实施例91.2020.28实施例101.1990.29实施例111.9850.23实施例122.0180.21从表6中可以看出,本发明制备的低钒scr脱硝催化剂中含有铜元素,且催化剂中cu元素含量为0.45-1.69wt%。试验例5将实施例7-12制备的低钒scr脱硝催化剂与对照样品,放入反应器模具中,连接好管路,通入模拟烟气,典型烟气工况:温度370℃,0.420l/minno,6%o2,0.420l/minnh3,n2平衡器,空速7680h-1,总流量保持44l/min,待管式炉升温至370℃,活化2.5h,打开脱硝测试仪进行测试,在实验中,入口氮氧化物含量保持在200ppm,所有测试数据均在氮氧化物浓度保持恒定之后进行记录,即吸附达到平衡,具体实验数据下表7所示。表7脱硝效率脱硝效率对照样品82.71%实施例794.76%实施例894.25%实施例993.35%实施例1093.40%实施例1192.18%实施例1292.06%从表7中明显可以看出,本发明制备的低钒scr脱硝催化剂的脱硝效率均达到92%以上,且相对于对照样品,脱硝效率提高至少10%以上。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页12
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