一种处理单体化合物用的研磨装置的制作方法

本发明涉及研磨装置领域，特别涉及一种处理单体化合物用的研磨装置。

背景技术：

单体是能与同种或他种分子聚合的小分子的统称，是能起聚合反应或缩聚反应等而成高分子化合物的简单化合物，是合成聚合物所用的低分子的原料，单体一般是不饱和的、环状的或含有两个或多个官能团的低分子化合物，研磨装置是将例如大颗粒单体化合物一类的物质加工成小颗粒物质的装置，广泛应用于化工或者医药领域；

现有的研磨装置在使用时存在一定的弊端，首先，现有的研磨装置研磨过程相对单一，只进行一次简单的研磨，研磨效果不好，且研磨时需要借助外界筛板进行过滤，再对过滤后的单体化合物进行研磨，无法一次研磨成型，研磨效率低下，其次，现有的研磨装置上设置的减震装置虽然带来了一定的减震效果，但是固定在研磨装置上，增加了研磨装置的质量和维修成本，并且减震效果不佳，无法通过不同方向实现减震缓冲，给人们的使用过程带来了一定的影响，为此，我们提出一种处理单体化合物用的研磨装置。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于提供一种处理单体化合物用的研磨装置，可以有效解决背景技术中现有的研磨装置研磨过程相对单一，只进行一次简单的研磨，研磨效果不好，且研磨时需要借助外界筛板进行过滤，再对过滤后的单体化合物进行研磨，无法一次研磨成型，研磨效率低下，其次，现有的研磨装置上设置的减震装置增加了研磨装置的质量和维修成本，并且减震效果不佳的问题。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种处理单体化合物用的研磨装置，包括底板，所述底板的上端固定安装有两组一号气缸，所述一号气缸的上端设置有一号伸缩杆，所述一号伸缩杆的上端固定安装有两组一号连接杆，所述一号连接杆上固定安装有支撑板，所述支撑板的内部套接固定安装有研磨主体，所述研磨主体的内壁由下到上等间距固定安装有三组安装块，三组安装块上由下到上依次安装有一号研磨漏斗、二号研磨漏斗与三号研磨漏斗，所述一号研磨漏斗目数大于二号研磨漏斗的目数，所述二号研磨漏斗的目数大于三号研磨漏斗的目数，所述支撑板的四角处均固定安装有限位杆，所述研磨主体的下方设置有减震装置，所述底板的上端一侧固定安装有电控箱。

进一步的，所述底板的上端还固定安装有两组二号气缸，且二号气缸位于一号气缸的一侧，所述二号气缸的上端设置有二号伸缩杆，所述二号伸缩杆的上端固定安装有二号连接杆，所述二号连接杆上固定安装有上盖，所述上盖的上端固定安装有电机，所述电机转轴的下端固定安装有研磨主轴，所述上盖的四角处均开设有限位孔，四组所述限位杆分别位于四组限位孔的内部，所述一号气缸、二号气缸与电机的输入端均与电控箱的输出端电性连接。

进一步的，所述研磨主轴位于研磨主体的内部，所述研磨主轴贯穿于二号研磨漏斗与三号研磨漏斗的内部中心处，且研磨主轴位于一号研磨漏斗的上方，所述研磨主轴的圆周外表面由下到上依次固定安装有一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮，且一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮的形状大小完全相同，所述一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮的上端均为光滑表面，所述一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮的下端均固定安装有研磨石。

进一步的，所述一号研磨转轮位于一号研磨漏斗的上方，所述二号研磨转轮位于二号研磨漏斗的上方，所述三号研磨转轮位于三号研磨漏斗的上方，所述研磨石的下表面与一号研磨漏斗、二号研磨漏斗与三号研磨漏斗的上表面均能紧密贴合。

进一步的，所述限位杆的限位距离为一号研磨转轮的研磨石下表面与一号研磨漏斗的上表面紧密贴合时一号研磨转轮的上表面到二号研磨漏斗下表面的距离。

进一步的，所述底板的上端还固定安装有两组滑轨，且两组滑轨位于两组一号气缸之间，两组所述滑轨的上端活动设置有接料斗，且减震装置固定安装于接料斗的后端，所述减震装置通过底端设置的滑块与两组滑轨活动连接，所述接料斗与减震装置均位于研磨主体的下方，所述接料斗的上端开设有接料口，所述接料斗的前端外表面设置有把手与出料挡板。

进一步的，所述减震装置包括缓冲配重块，且滑块固定安装在缓冲配重块的底端两侧外表面，所述缓冲配重块的侧面上表面形状为漏斗形，所述缓冲配重块的左侧上端垂直安装有若干组一号减震弹簧，所述缓冲配重块的中部上端垂直安装有若干组二号减震弹簧，所述缓冲配重块的右侧上端垂直安装有若干组三号减震弹簧，且若干组一号减震弹簧、二号减震弹簧与三号减震弹簧的上端均固定安装有减震板，且减震板位于研磨主体的下方，所述减震板上端外表面的形状也为漏斗形。

进一步的，所述研磨主体的上端设置有进料口，所述研磨主体的下端设置有排料口，所述研磨主体的底端外表面和排料口组成的形状与减震板的形状吻合，且排料口的形状与接料口的形状相同，所述排料口的前端内部贯穿设置有排料挡板。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

1、通过设置的一号研磨漏斗、二号研磨漏斗与三号研磨漏斗配合一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮上的研磨石，能够对各自上方的单体化合物进行研磨，首先，在二号气缸的作用下二号伸缩杆带动上盖上升，将待研磨的单体化合物通过进料口加入研磨主体内部，加料时单体化合物通过三号研磨转轮上端的光滑表面很容易进入研磨石与三号研磨漏斗之间，接着，在二号气缸的作用下二号伸缩杆带动上盖下降，关闭上盖，此时研磨主轴带动一号研磨转轮、二号研磨转轮与三号研磨转轮向下移动，实现一号研磨漏斗、二号研磨漏斗与三号研磨漏斗配合研磨石的研磨，在电机的作用下进行初步研磨，初步研磨后的颗粒通过三号研磨漏斗与二号研磨转轮上端的光滑表面很容易进入研磨石与二号研磨漏斗之间，在电机的作用下进行二次研磨，二次研磨后的颗粒大小比初步研磨颗粒要小，二次研磨后的颗粒通过二号研磨漏斗与一号研磨转轮上端的光滑表面很容易进入研磨石与一号研磨漏斗之间，在电机的作用下进行三次研磨，单体化合物在经过三次研磨后，研磨效果更好，相比现有的研磨装置更加有效，提高了单体化合物的研磨效率；

2、通过设置的减震装置与接料斗，能够对该研磨装置的研磨过程进行减震，接着研磨后的单体化合物通过接料斗进行接料排出，研磨时，将减震装置移动到研磨主体的正下方，减震板上端外表面漏斗形能够很好的对研磨主体下端进行支撑，同时一号减震弹簧、二号减震弹簧与三号减震弹簧能够从三个不同的方向对研磨主体进行减震，减震效果更好，缓冲配重块的设置提高了减震时的稳定性，研磨完成后，将减震装置沿着滑轨向后移动，同时将接料斗向后移动，使得接料口正好与排料口对齐，然后调节排料口的排料挡板，实现对该装置的卸料，最后调节接料斗的出料挡板实现最终的卸料，完成整个研磨过程。

该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

附图说明

图1为本发明一种处理单体化合物用的研磨装置的整体结构示意图。

图2为本发明一种处理单体化合物用的研磨装置的减震装置与接料斗的安装结构示意图。

图3为本发明一种处理单体化合物用的研磨装置的局部放大图。

图4为本发明一种处理单体化合物用的研磨装置的研磨主体的内部剖视图。

图5为本发明一种处理单体化合物用的研磨装置的接料斗的内部剖视图。

图6为本发明一种处理单体化合物用的研磨装置的减震装置的剖视图。

图中：1、底板；2、滑轨；3、一号气缸；4、二号气缸；5、一号伸缩杆；6、二号伸缩杆；7、二号连接杆；8、接料斗；9、电控箱；10、减震板；11、接料口；12、上盖；13、电机；14、一号连接杆；15、支撑板；16、研磨主体；17、进料口；18、限位杆；19、研磨主轴；20、排料口；21、安装块；22、一号研磨漏斗；23、二号研磨漏斗；24、三号研磨漏斗；25、一号研磨转轮；26、二号研磨转轮；27、三号研磨转轮；28、研磨石；29、缓冲配重块；30、一号减震弹簧；31、二号减震弹簧；32、三号减震弹簧。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

实施例1

如图1-6所示，一种处理单体化合物用的研磨装置，包括底板1，底板1的上端固定安装有两组一号气缸3，一号气缸3的上端设置有一号伸缩杆5，一号伸缩杆5的上端固定安装有两组一号连接杆14，一号连接杆14上固定安装有支撑板15，支撑板15的内部套接固定安装有研磨主体16，研磨主体16的内壁由下到上等间距固定安装有三组安装块21，三组安装块21上由下到上依次安装有一号研磨漏斗22、二号研磨漏斗23与三号研磨漏斗24，一号研磨漏斗22目数大于二号研磨漏斗23的目数，二号研磨漏斗23的目数大于三号研磨漏斗24的目数，支撑板15的四角处均固定安装有限位杆18，研磨主体16的下方设置有减震装置，底板1的上端一侧固定安装有电控箱9。

底板1的上端还固定安装有两组二号气缸4，且二号气缸4位于一号气缸3的一侧，二号气缸4的上端设置有二号伸缩杆6，二号伸缩杆6的上端固定安装有二号连接杆7，二号连接杆7上固定安装有上盖12，上盖12的上端固定安装有电机13，电机13转轴的下端固定安装有研磨主轴19，上盖12的四角处均开设有限位孔，四组限位杆18分别位于四组限位孔的内部，一号气缸3、二号气缸4与电机13的输入端均与电控箱9的输出端电性连接。

研磨主轴19位于研磨主体16的内部，研磨主轴19贯穿于二号研磨漏斗23与三号研磨漏斗24的内部中心处，且研磨主轴19位于一号研磨漏斗22的上方，研磨主轴19的圆周外表面由下到上依次固定安装有一号研磨转轮25、二号研磨转轮26与三号研磨转轮27，且一号研磨转轮25、二号研磨转轮26与三号研磨转轮27的形状大小完全相同，一号研磨转轮25、二号研磨转轮26与三号研磨转轮27的上端均为光滑表面，一号研磨转轮25、二号研磨转轮26与三号研磨转轮27的下端均固定安装有研磨石28。

一号研磨转轮25位于一号研磨漏斗22的上方，二号研磨转轮26位于二号研磨漏斗23的上方，三号研磨转轮27位于三号研磨漏斗24的上方，研磨石28的下表面与一号研磨漏斗22、二号研磨漏斗23与三号研磨漏斗24的上表面均能紧密贴合。

限位杆18的限位距离为一号研磨转轮25的研磨石28下表面与一号研磨漏斗22的上表面紧密贴合时一号研磨转轮25的上表面到二号研磨漏斗23下表面的距离。

通过采用上述技术方案：设置的一号研磨漏斗22、二号研磨漏斗23与三号研磨漏斗24配合一号研磨转轮25、二号研磨转轮26与三号研磨转轮27上的研磨石28，能够对各自上方的单体化合物进行研磨，首先，在二号气缸4的作用下二号伸缩杆6带动上盖12上升，将待研磨的单体化合物通过进料口17加入研磨主体16内部，加料时单体化合物通过三号研磨转轮27上端的光滑表面很容易进入研磨石28与三号研磨漏斗24之间，接着，在二号气缸4的作用下二号伸缩杆6带动上盖12下降，关闭上盖12，此时研磨主轴19带动一号研磨转轮25、二号研磨转轮26与三号研磨转轮27向下移动，实现一号研磨漏斗22、二号研磨漏斗23与三号研磨漏斗24配合研磨石28的研磨，在电机13的作用下进行初步研磨，初步研磨后的颗粒通过三号研磨漏斗24与二号研磨转轮26上端的光滑表面很容易进入研磨石28与二号研磨漏斗23之间，在电机13的作用下进行二次研磨，二次研磨后的颗粒大小比初步研磨颗粒要小，二次研磨后的颗粒通过二号研磨漏斗23与一号研磨转轮25上端的光滑表面很容易进入研磨石28与一号研磨漏斗22之间，在电机13的作用下进行三次研磨，单体化合物在经过三次研磨后，研磨效果更好，相比现有的研磨装置更加有效，提高了单体化合物的研磨效率。

实施例2

如图1-6所示，一种处理单体化合物用的研磨装置，包括底板1，底板1的上端固定安装有两组一号气缸3，一号气缸3的上端设置有一号伸缩杆5，一号伸缩杆5的上端固定安装有两组一号连接杆14，一号连接杆14上固定安装有支撑板15，支撑板15的内部套接固定安装有研磨主体16，研磨主体16的内壁由下到上等间距固定安装有三组安装块21，三组安装块21上由下到上依次安装有一号研磨漏斗22、二号研磨漏斗23与三号研磨漏斗24，一号研磨漏斗22目数大于二号研磨漏斗23的目数，二号研磨漏斗23的目数大于三号研磨漏斗24的目数，支撑板15的四角处均固定安装有限位杆18，研磨主体16的下方设置有减震装置，底板1的上端一侧固定安装有电控箱9。

底板1的上端还固定安装有两组滑轨2，且两组滑轨2位于两组一号气缸3之间，两组滑轨2的上端活动设置有接料斗8，且减震装置固定安装于接料斗8的后端，减震装置通过底端设置的滑块与两组滑轨2活动连接，接料斗8与减震装置均位于研磨主体16的下方，接料斗8的上端开设有接料口11，接料斗8的前端外表面设置有把手与出料挡板。

减震装置包括缓冲配重块29，且滑块固定安装在缓冲配重块29的底端两侧外表面，缓冲配重块29的侧面上表面形状为漏斗形，缓冲配重块29的左侧上端垂直安装有若干组一号减震弹簧30，缓冲配重块29的中部上端垂直安装有若干组二号减震弹簧31，缓冲配重块29的右侧上端垂直安装有若干组三号减震弹簧32，且若干组一号减震弹簧30、二号减震弹簧31与三号减震弹簧32的上端均固定安装有减震板10，且减震板10位于研磨主体16的下方，减震板10上端外表面的形状也为漏斗形。

研磨主体16的上端设置有进料口17，研磨主体16的下端设置有排料口20，研磨主体16的底端外表面和排料口20组成的形状与减震板10的形状吻合，且排料口20的形状与接料口11的形状相同，排料口20的前端内部贯穿设置有排料挡板。

通过采用上述技术方案：设置的减震装置与接料斗8，能够对该研磨装置的研磨过程进行减震，接着研磨后的单体化合物通过接料斗8进行接料排出，研磨时，将减震装置移动到研磨主体16的正下方，减震板10上端外表面漏斗形能够很好的对研磨主体16下端进行支撑，同时一号减震弹簧30、二号减震弹簧31与三号减震弹簧32能够从三个不同的方向对研磨主体16进行减震，减震效果更好，缓冲配重块29的设置提高了减震时的稳定性，研磨完成后，将减震装置沿着滑轨2向后移动，同时将接料斗8向后移动，使得接料口11正好与排料口20对齐，然后调节排料口20的排料挡板，实现对该装置的卸料，最后调节接料斗8的出料挡板实现最终的卸料，完成整个研磨过程。

需要说明的是，本发明为一种处理单体化合物用的研磨装置，在使用时，首先，将该装置通过底端的底板1放置在水平地面上，然后将电控箱9与外界电源接通，操控电控箱9使二号气缸4工作，在二号气缸4的作用下二号伸缩杆6带动上盖12上升，将待研磨的单体化合物通过进料口17加入研磨主体16内部，加料时单体化合物通过三号研磨转轮27上端的光滑表面很容易进入研磨石28与三号研磨漏斗24之间，接着操控电控箱9，在二号气缸4的作用下二号伸缩杆6带动上盖12下降，关闭上盖12。

此时研磨主轴19带动一号研磨转轮25、二号研磨转轮26与三号研磨转轮27向下移动，实现一号研磨漏斗22、二号研磨漏斗23与三号研磨漏斗24配合研磨石28的研磨，在电机13的作用下进行初步研磨，初步研磨后的颗粒通过三号研磨漏斗24与二号研磨转轮26上端的光滑表面很容易进入研磨石28与二号研磨漏斗23之间，在电机13的作用下进行二次研磨，二次研磨后的颗粒大小比初步研磨颗粒要小，二次研磨后的颗粒通过二号研磨漏斗23与一号研磨转轮25上端的光滑表面很容易进入研磨石28与一号研磨漏斗22之间，在电机13的作用下进行三次研磨，单体化合物在经过三次研磨后，研磨效果更好，相比现有的研磨装置更加有效，提高了单体化合物的研磨效率。

其中在研磨前，操控电控箱9使一号气缸3工作，在一号气缸3的作用下一号伸缩杆5带动研磨主体16上升，此时，将减震装置移动到研磨主体16的正下方，然后操控电控箱9使一号气缸3带动研磨主体16下降，减震板10上端外表面漏斗形能够很好的对研磨主体16下端进行支撑，同时一号减震弹簧30、二号减震弹簧31与三号减震弹簧32能够从三个不同的方向对研磨主体16进行减震，减震效果更好，缓冲配重块29的设置提高了减震时的稳定性。

研磨完成后，将减震装置沿着滑轨2向后移动，同时将接料斗8向后移动，使得接料口11正好与排料口20对齐，然后调节排料口20的排料挡板，实现对该装置的卸料，最后调节接料斗8的出料挡板实现最终的卸料，完成整个研磨过程，较为实用。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。