专利名称：：高纯度锡或锡合金及高纯度锡的制造方法
技术领域：
：本发明涉及在半导体制造装置的制造等中使用的、锡的Ot射线量减少的高纯度锡或锡合金以及高纯度锡的制造方法。
背景技术：
：一般而言，锡是半导体制造中使用的材料，特别是焊料的主要原料。制造半导体时，焊料在半导体芯片与衬底的接合、把IC或LSI等Si芯片焊接或者密封到引线框或陶瓷封装上时、TAB(带式自动焊接)或倒装芯片制造时的凸起形成、半导体用布线材料等中使用。目前的半导体装置由于高密度化及高容量化，因此受到来自半导体芯片附近材料的oc射线的影响，导致软错误发生的危险增多。因此，要求前述焊料及锡的高纯度化，另外，需要a射线少的材料。关于以减少来自锡的a射线为目的的技术，公开了几项。以下对其进行介绍。下述专利文献1中，记载了将锡与a射线量为10cph/cn^以下的铅合金化后，进行除去锡中所含铅的精炼处理的低a射线锡的制造方法。该技术的目的是通过添加高纯度的Pb稀释锡中的21QPb，从而减少a射线量。但是，此时，在添加到锡中后，需要必须进一步除去Pb的复杂工序，另外，虽然在锡精炼3年后a射线量显示为大大降低的值，但是也可以理解为经过3年才能使用该a射线量下降的锡，因此不能说是产业上有效的方法。下述专利文献2中，记载了如果在Sn-Pb合金焊料中添加10至5000ppm选自Na、Sr、K、Cr、Nb、Mn、V、Ta、Si、Zr禾卩Ba的材料，则放射线a粒子的计数降至0.5cph/cm2以下。但是，即使通过添加这样的材料，放射线a粒子的计数也只能降低到0.015cph/cm2的水平，达不到作为目前的半导体装置用材料能够期待的水平。另外，问题还在于，使用碱金属元素、过渡金属元素、重金属元素等不优选混入半导体中的元素作为添加材料。因此，如果作为半导体装置组装用材料，则只能说是水平低的材料。下述专利文献3中，记载了使从焊料极细线释放的放射线oc粒子的计数为0.5cph/cni2以下，作为半导体装置等的连接布线使用。但是，这种程度的放射线a粒子的计数水平，达不到作为目前的半导体装置用材料能够期待的水平。下述专利文献4中，记载了使用高度精制硫酸、高度精制盐酸等纯度高的硫酸和盐酸制作电解液，并且使用高纯度的锡作为阴极进行电解，由此得到铅浓度低、铅的a射线计数为0.005cph/ct^以下的高纯度锡。如果不考虑成本，使用高纯度的原材料(试剂)，则当然能够得到高纯度的材料，但是，即便如此，专利文献4的实施例所示的析出锡的最低a射线计数为0.002cph/cm2，尽管成本很高，但是也达不到能够期待的水平。下述专利文献5中，记载了向添加了粗金属锡的加热水溶液中添加硝酸使偏锡酸沉降，将其过滤并洗涤，洗涤后的偏锡酸用盐酸或氢氟酸溶解，将该溶解液作为电解液，通过电解沉积得到5N以上的金属锡的这些限制而言，可以说是低水平的。下述专利文献6中，公开了使构成焊料合金的Sn中所含的Pb量减少，使用Bi、Sb、Ag或Zn作为合金材料的技术。但是，对于从根本上解决此时即便尽可能地减少Pb也必然混入的Pb所引起的放射线ot粒子计数问题的方法，没有特别公开。下述专利文献7中，公开了使用高度精制硫酸试剂电解而制造的品位为99.99%以上、放射线oc粒子的计数为0.03cph/cn^以下的锡。此时，如果不考虑成本，使用高纯度的原材料(试剂)，则当然可以得到高纯度的材料，但是即便如此，专利文献7的实施例所示的析出锡的最低a射线计数为0.003cph/cm2，尽管成本高，但是达不到能够期待的水平。下述专利文献8中，记载了具有4N以上的品位、放射性同位素低于50ppm、放射线a粒子的计数为0.5cph/cn^以下的半导体装置用钎料用铅。另外。下述专利文献9中，记载了品位为99.95%以上、放射性同位素低于30ppm、放射线a粒子的计数为0.2cph/cm2以下的半导体装置用钎料用锡。上述专利文献8和9的放射线cc粒子计数的容许量均比较宽松，也都存在作为目前的半导体装置用材料达不到能够期待的水平的问题。专利文献10中公开了纯度99.999%(5N)的Sn的例子，但是该Sn是用于隔震结构体用金属插塞材料，因此对于放射性元素U、Th及放射线oc粒子计数的限制完全没有记载，这样的材料不能作为半导体装置组装用材料使用。另外，在专利文献ll中，公开了利用石墨或活性炭的粉末从被大量的锝(Tc)、铀、钍污染的镍中除去锝的方法。其理由是，如果想通过电解精炼法除去锝，则其会伴随镍在阴极上共沉积，因此不能分离。gP，不能通过电解精炼法除去镍中所含的放射性物质锝。专利文献11的技术是被锝污染的镍所特有的问题，不能应用于其它物质。另外，该技术作为处理对人体有害的产业废弃物的高纯度化技术，不过是低水平的技术，达不到作为半导体装置用材料的水平。专利文献1专利文献2:专利文献专利文献4:专利文献专利文献6:专利文献7:专利文献8:专利文献9:专利文献10:专利文献11:日本专利第3528532号公报日本专利第3227851号公报日本专利第2913908号公报日本专利第2754030号公报日本特开平11-343590号公报日本特开平9-260427号公报日本特开平1-283398号公报日本特开昭62-47955号公报日本特开昭62-1478号公报日本特开2001-82538号公报日本特开7-280998号公报
发明内容目前的半导体装置由于高密度化及高容量化，因此受到来自半导体芯片附近材料的a射线的影响，导致软错误发生的危险增多。特别是对靠近半导体装置使用的焊料或者锡的高纯度化的要求强烈，另外，需要oc射线少的材料，因此，本发明的目的是提供能够应对这些问题的使锡的a射线量减少的高纯度锡或锡合金以及高纯度锡的制造方法。为了解决上述问题，本发明的高纯度锡或锡合金，其特征在于，纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)，其中放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下，释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下，可以尽量地排除a射线对半导体芯片的影响(另外，本发明使用的％、ppm、ppb全部表示重量(wt))。本发明的高纯度锡或锡合金最后通过熔解和铸造、以及根据需要进行轧制和切割来制造，因此该高纯度锡的a射线计数优选为0.001cph/cr^以下，本发明的高纯度锡或锡合金可以实现这一点。本发明中，高纯度锡的制造特别重要，作为该高纯度锡的制造方法，用酸、例如硫酸使原料锡浸出后，将该浸出液作为电解液，使杂质的吸附材料悬浮于该电解液中，使用原料锡阳极进行电解精炼，由此，可以得到纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)，其中放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下，释放放射线oc粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下的高纯度锡。Pb和Bi都与Sn电位接近，因此存在难以除去的问题，但是，通过本发明的方法，可以实现有效除去。作为前述悬浮于电解液中的吸附材料，可以使用氧化钛、氧化铝、氧化锡等氧化物，活性炭，碳等。另外，将通过上述电解精炼得到的高纯度锡在25050(TC下进行熔解铸造，使该铸造的锭经过6个月以上之后，cx射线计数为0.001cph/cm2。铸造Sn时，存在氡的侵入、钋的蒸发，因此难以严格地测定Sn中实际的杂质或oc射线量。因此，使其经过6个月以上而稳定是必要的。艮P，换言之，在本发明中，可以说通过经过6个月以上而使a射线计数稳定在0.001cph/cm2以下。作为高纯度锡合金的添加成分(合金成分)，可以列举银、铜、锌等，但是不特别限于这些元素。另外，通常添加量设定在0.1至20重量％，也不限于该量。同样地，需要使用高纯度的材料。发明效果本发明的高纯度锡或锡合金，纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)，其中放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下，释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下，可以尽量地排除a射线对半导体芯片的影响。而且，本发明的高纯度锡或锡合金最后通过熔解铸造进行制造，具有的优良效果是具有该锡的铸造组织的高纯度锡的ot射线计数可以设定为0.001cph/cn^以下。由此，可以显著减少半导体装置由于a射线的影响而导致的软错误的发生。具体实施方式作为原料锡，通常使用市售的2N至3N水平的锡。但是，原料锡不必限定于这样的市售品。将该原料锡用酸浸出，将该浸出液作为电解液。使用的酸优选盐酸、硫酸等。另外，阳极使用2N至4N水平的锡。然后，在电解温度l(TC至80°C、电流密度O.l至50A/dn^的条件下进行电解。在电解液中，使氧化钛、氧化铝、氧化锡等氧化物、活性炭、碳悬浮，以吸附杂质。这对于Pb和Bi的除去特别有效。通过以上电解后的纯化，可以使放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下，并且释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下。这样，Pb量和Bi量、以及U和Th含量的下降，特别是通过电解条件和悬浮物实现的。将这样析出的电解锡在25(TC至50(TC的条件下熔解铸造，制成锡锭。该温度范围对于除去Po等放射性元素是有效的。如果温度低于250'C且刚刚在熔点之上，则难以铸造，如果超过50(TC，则产生Sn的蒸发，因此不优选。因此，在上述温度范围内进行熔解铸造。将该铸造后的锡锭在惰性气体环境中或者真空减压下保存6个月。考查经过该6个月后的a射线量时，a射线计数减少，可以使其为0.001cph/cm2以下。锡合金的情况也同样，选择特别是放射性元素U和Th各自的含量、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量满足本发明条件的高纯度材料作为添加元素的材料并进行合金化，以得到本发明的锡合金。制造工序也与上述制造锡锭的情况相同。这样得到的本发明的高纯度锡或锡合金，具有的优良效果是可以显著减少半导体装置由于a射线的影响导致的软错误的产生。实施例以下，通过实施例说明本发明。但是，本实施例仅仅是一个例子，本发明不限于此。即，本发明包含在本发明技术思想范围内的实施例以外的所有方式或者变形。(实施例1)用硫酸浸出原料锡，将该浸出液作为电解液。另外，阳极使用3N水平的Sn。在电解温度20°C、电流密度1A/dn^的条件下进行电解。原料锡的分析值如表1所示。另外，在电解液中，加入氧化钛(Ti02)50g/L使其悬浮。通过以上电解后的纯化，Pb量变为0.7ppm、Bi量变为O.lppm。另外，U和Th各自的含量变为〈5ppb。如此，关于Pb量和Bi量以及U、Th含量的减少，杂质Pb和Bi的减少是通过吸附到悬浮的氧化钛上而实现的，另外，杂质U和Th的减少是通过电解实现的。将该析出的电解锡在26(TC的温度下熔解铸造，制成锡锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考査经过该6个月后的a射线量，结果a射线计数变为0.0007cph/cni2。纯化后的锡的分析值同样示于表1中。所得锡是满足放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线ot粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/cn^以下的本发明目标的锡材料。由此，可以得到适合制造半导体装置的高纯度锡材料。表1元素原料实施例1实施例2实施例3实施例4比较例1Al1.0<0.01<0.01<0.01<0.01<0.01S11630.0266Fe60<0.01<0.01<0.01<0.01<0.01Co10<0.1<0.1<0.1<0.1<0.1Ni48<0.1<0.1<0.1<0.1<0.1Cu260.30.10.30.30.3As1300.05<0.050.050.050.05Cd2<0.05<0.05<0.05<0.05<0.05In19<1<1<1<1<1Sb63<0.5<0.5<0.5<0.5<0.5Te0.5O.l0.1<0.1<0.1<0.1Pb2200.70.10.90.06200Bi980.10.050.30.0120U0.5<0.005O.005O.005<0.0050.01Th0.8<0.005O.005<0.005<0.0050.006a射线量8.60細70.00070.0009<0.00058.0各元素量重量ppm(但是，对于U和Th为重量ppb)，a射线量cph/cm:(实施例2)用硫酸浸出原料锡，将该浸出液作为电解液。另外，阳极使用与实施例1同样的3N水平的Sn。在电解温度25°C、电流密度3A/dm2的条件下进行电解。另外，在电解液中，加入活性炭10g/L使其悬浮。通过以上电解后的纯化，Pb量变为0.1卯m、Bi量变为0.05ppm。另外，U和Th各自的含量变为"ppb。如此，关于Pb量和Bi量以及U、Th含量的减少，杂质Pb和Bi的减少是通过吸附到悬浮的活性炭上而实现的，另外，杂质U和Th的减少是通过电解实现的。将该析出的电解锡在50(TC的温度下熔解铸造，制成锡锭。将该铸造后的锡锭在氮气环境中保存IO个月。考査经过该lO个月后的ot射线量，结果ot射线计数变为0.0005cph/cm2。纯化后的锡的分析值同样示于表1中。所得锡是满足放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线cc粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/ci^以下的本发明目标的锡材料。由此，可以得到适合制造半导体装置的高纯度锡材料。(实施例3)用盐酸浸出原料锡，将该浸出液作为电解液。另外，阳极使用与实施例1同样的3N水平的Sn。在电解温度50°C、电流密度10A/dm2的条件下进行电解。另外，在电解液中，加入炭40g/L使其悬浮。通过以上电解后的纯化，Pb量变为0.9ppm、Bi量变为0.3ppm。另外，U和Th各自的含量变为〈5ppb。如此，关于Pb量和Bi量以及U、Th含量的减少，杂质Pb和Bi的减少是通过吸附到悬浮的碳上而实现的，另外，杂质U和Th的减少是通过电解实现的。将该析出的电解锡在35(TC的温度下熔解铸造，制成锡锭。将该铸造后的锡锭在真空中保存20个月。考査经过该20个月后的a射线量，结果oc射线计数变为0.0009cph/cm2。纯化后的锡的分析值同样示于表1中。所得锡是满足放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/cn^以下的本发明目标的锡材料。由此，可以得到适合制造半导体装置的高纯度锡材料。(实施例4)用盐酸浸出原料锡，将该浸出液作为电解液。另外，阳极使用与实施例1同样的3N水平的Sn。在电解温度40°C、电流密度15A/dm2的条件下进行电解。另外，在电解液中，加入氧化锡50g/L使其悬浮。通过以上电解后的纯化，Pb量变为0.06ppm、Bi量变为O.Olppm。另外，U和Th各自的含量变为〈5ppb。如此，关于Pb量和Bi量以及U、Th含量的减少，杂质Pb和Bi的减少是通过吸附到悬浮的氧化锡上而实现的，另外，杂质U和Th的减少是通过电解实现的。将该析出的电解锡在40(TC的温度下熔解铸造，制成锡锭。将该铸造后的锡锭在干燥器中保存50个月。考査经过该50个月后的ot射线量，结果a射线计数变为0.0005cph/cm2。纯化后的锡的分析值同样示于表1中。所得锡是满足放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线oc粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且oc射线计数为0.001cph/cn^以下的本发明目标的锡材料。由此，可以得到适合制造半导体装置的高纯度锡材料。(比较例1)用硫酸浸出原料锡，将该浸出液作为电解液。另外，阳极使用与实施例1同样的3N水平的Sn。在与实施例1相同的条件下，即在电解温度25"C、电流密度3A/dn^的条件下进行电解。另外，在电解液中，不加入悬浮材料。通过以上电解后的纯化，Pb量变为200ppm、Bi量变为20ppm。另外，U和Th各自的含量变为O.Olppb和0.006ppb。这是与原料没有大的差异的杂质水平。将该析出的电解锡在24(TC的温度下熔解铸造，制成锡锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考查经过该6个月后的ot射线量，结果a射线计数变为8.0cph/cm2。纯化后的锡的分析值同样示于表1中。所得锡不能达到放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0,001cph/cm2以下的本发明的目标。由此，不适合半导体装置的制造。(实施例5)(由0.5。/。Cu-3。/。Ag-余量Sn构成的锡合金)准备实施例1中制造的高纯度锡。本实施例的锡合金的添加元素为通过电解使市售的银和铜高纯度化而得到5N5-Ag和6N-Cu。将这些添加元素添加到前述高纯度锡中，在惰性气体环境中、在26(TC的温度下熔解铸造，制作由0.5。/。Cu-3。/。Ag-余量Sn构成的Sn-Cu-Ag合金锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考査经过该6个月后的a射线量，结果ot射线计数变为0.0007cph/cm2。锡合金的分析值示于表2中。所得锡合金是满足放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线oc粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/cm2以下的本发明目标的锡材料。由此，可以得到适合制造半导体装置的高纯度锡材料。(实施例6)(由3.5。/。Ag-余量Sn构成的锡合金)准备实施例1中制造的高纯度锡。本实施例的锡合金的添加元素Ag为，通过硝酸将市售的银溶解，向其中添加HC1使AgCl析出，进一步将其进行氢还原而得到5N-Ag的高纯度Ag。将该添加元素添加到前述高纯度锡中，在惰性气体环境中、在26(TC的温度下熔解铸造，制作由3.5。/。Ag-余量Sn构成的Sn-Ag合金锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考查经过该6个月后的a射线量，结果ot射线计数变为0.0005cph/cm2。锡合金的分析值示于表2中。所得锡合金是满足放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/cm2以下的本发明目标的锡材料。由此，可以得到适合制造半导体装置的高纯度锡材料。(实施例7)(由9。/。Zn-余量Sn构成的锡合金)准备实施例1中制造的高纯度锡。本实施例的锡合金的添加元素为通过电解使市售的银和锌高纯度化而得到6N-Zn。将该添加元素添加到前述高纯度锡中，在惰性气体环境中、在26(TC的温度下熔解铸造，制作由9。/。Zn-余量Sn构成的Sn-Zn合金锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考査经过该6个月后的a射线量，结果a射线计数变为0.0008cph/cm2。锡合金的分析值示于表2中。所得锡合金是满足放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/cm2以下的本发明目标的锡材料。由此，可以得到适合制造半导体装置的高纯度锡材料。(比较例2)(由0.5。/。Cu-3。/。Ag-余量Sn构成的锡合金)准备实施例1中制造的高纯度锡。本实施例的锡合金的添加元素，使用市售的3N水平的银和铜。将这些添加元素添加到前述高纯度锡中，在惰性气体环境中、在26(TC的温度下熔解铸造，制作由0.5。/。Cu-3。/。Ag-余量Sn构成的Sn-Cu-Ag合金锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考査经过该6个月后的a射线量，结果a射线计数变为0.1cph/cm2。锡合金的分析值示于表2中。所得锡合金不能达到放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/cm2以下的本发明的目标。由此，不适合半导体装置的制造。(比较例3)(由3.5。/。Ag-余量Sn构成的锡合金)准备实施例1中制造的高纯度锡。本实施例的锡合金的添加元素Ag是市售的3N水平的Ag。将该添加元素添加到前述高纯度锡中，在惰性气体环境中、在26(TC的温度下熔解铸造，制作由3.5。/。Ag-余量Sn构成的Sn-Ag合金锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考査经过该6个月后的a射线量，结果a射线计数变为0.03cph/cm2。锡合金的分析值示于表2中。所得锡合金不能达到放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为l卯m以下、并且a射线计数为0.001cph/cm2以下的本发明的目标。由此，不适合半导体装置的制造。(比较例4)(由9。/。Zn-余量Sn构成的锡合金)准备实施例1中制造的高纯度锡。本实施例的锡合金的添加元素，使用市售的3N水平的银及锌。将该添加元素添加到前述高纯度锡中，在惰性气体环境中、在26(TC温度下熔解铸造，制作由9。/。Zn-余量Sn构成的Sn-Zn合金锭。将该铸造后的锡锭在氩气环境中保存6个月。考查经过该6个月后的a射线量，结果a射线计数变为0.5cph/cm2。锡合金的分析值示于表2中。所得锡合金不能达到放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下、释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下、并且a射线计数为0.001cph/cm2以下的本发明的目标。由此，不适合半导体装置的制造。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>各元素量重量ppm(但是，对于U和Th为重量ppb),a射线量cph/cm:产业实用性如上所述，本发明可以使得纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)，其中放射性元素U和Th各自的含量为5ppb以下，释放放射线a粒子的Pb和Bi各自的含量为lppm以下，并且具有该锡的铸造组织的高纯度锡的a射线计数为O.OOlcph/cm2以下，因此可以尽量地排除a射线对半导体芯片的影响。因此，可以显著减少半导体装置由于a射线的影响而导致的软错误的发生，故而作为焊料等使用锡的地方的材料有用。权利要求1.一种高纯度锡或锡合金，其中，U和Th各自的含量为5ppb以下，Pb和Bi各自的含量为1ppm以下，并且纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)。2.权利要求1所述的高纯度锡或锡合金，其中，高纯度锡的a射线计数为0.001cph/cm2以下。3.—种高纯度锡的制造方法，其中，用酸浸出原料锡后，将该浸出液作为电解液，使杂质的吸附材料在该电解液中悬浮，使用原料锡阳极进行电解精炼，得到U和Th各自的含量为5ppb以下，Pb和Bi各自的含量为lppm以下，并且纯度为5N以上(条件是，0、C、N、H、S、P的气体成分除外)的高纯度锡。4.权利要求3所述的高纯度锡的制造方法，其中，使用氧化物、活性炭或碳作为吸附材料。5.权利要求3或4所述的高纯度锡的制造方法，其中，将通过电解精炼得到的高纯度锡在250。C至50(TC下熔解铸造，该铸造的锭在经过6个月以上之后，a射线计数为0.001cph/cn^以下。全文摘要一种高纯度锡或锡合金，其中，U和Th各自的含量为5ppb以下，Pb和Bi各自的含量为1ppm以下，并且纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)。一种高纯度锡或锡合金，其中，具有铸造组织的高纯度锡的α射线计数为0.001cph/cm<sup>2</sup>以下。目前的半导体装置由于高密度化及高容量化，因此受到来自半导体芯片附近材料的α射线的影响，导致软错误发生的危险增多。特别是对靠近半导体装置使用的焊料或者锡的高纯度化的要求强烈，另外，需要α射线少的材料，因此，本发明的目的是提供能够应对这些问题的使锡的α射线量减少的高纯度锡或锡合金以及高纯度锡的制造方法。文档编号C25C1/14GK101213326SQ20068002392公开日2008年7月2日申请日期2006年6月14日优先权日2005年7月1日发明者新藤裕一朗,竹本幸一申请人:日矿金属株式会社