专利名称：一种微型片式元件端头处理装置中的滚筒装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微型片式元件端头处理装置的改进，尤其涉及的是 一种微型片式元件端头处理装置中滚筒装置的改进，特别适合微型片式多
层陶瓷电容器MLCC，微型片式多层陶瓷电感器MLCI,微型片式电阻器 Chip-R，片式变压器MLCT，片式压敏MLCV，片式热敏电阻Chip thermistor 等元件端电极镀镍处理及镀锡处理过程的微型片式元件端头处理装置改 进。
背景技术：
现有技术中，在对微型片式元件进行生产的过程中，由于微型的片式电 容MLCC,片式电感MLCI或片式电阻Chip-R等元件尺寸4艮小，所处理的 产品三维尺寸长(L)宽(W)厚(H)可以达到01005(0.4mm*0.2mm*0.2mm), 0201(0.6mm*0.3mm*0.3mm)， 0402(1.Omm*0.5mm*0.5mm)，因此在生产工 艺过程中，通常需要采用自动的生产线流程来进行加工。
尤其是在对这些微型片式元件进行端电极的镀镍处理及镀锡处理过程 中，现有技术的处理过程有
振动镀用于0402尺寸以上的产品电镀。将产品放在一个开放式的机 械或电磁振动盆内，盆的下部连接电源阴极。产品在振动力的作用下在有 规则的运动过程中被电镀。但该方法不能完成0201以下尺寸产品的电镀， 而且经常会有卑品停止移动，发生端黑(未镀)，或端粗(过镀)现象，微型产 品的飘浮问题也容易发生。
滚筒镀用于0402尺寸以上的产品电镀。采用封闭式的滚筒平卧式转动，用水泵将镀液压入滚桶内，滚筒内的几个阴极与产品连接。但该方法 在对微型产品的处理时，由于滚筒内镀液的表面涨力会使产品悬浮，滚筒 内的离子浓度与漕体内的离子浓度差别过大，导致产品离散性过高，经常 发生端黑(未镀)现象。
喷镀利用镀液的移动将所处理的产品带到一定的高度，元件在重力的 作用下向下移动的过程中与阴极环接触进行电镀。该方法存在的缺陷是阴 极维护是个难题，而且镀液也会存在老化的问题，电镀小于0402的产品也 会存在产品良品率无保证，且电镀过程的成^f艮高。
离心镀被镀的产品在滚筒内靠滚筒高速转动产生的离心力，将产品移 动到筒壁附近与阴极连接被镀。这种方式也存在严重的镀液老化问题，高 速转动可能是间歇式的，可以镀0201以下产品，但对产品的良率也无保证， 且电镀过程的成本很高。
因此，现有4支术还存在缺陷，而有待于改进和发展。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种微型片式元件端头处理装置中的滚筒 装置，改进现有技术中的滚筒镀所存在的滚筒缺陷，提高滚筒镀的产品良 率。
本实用新型的4支术方案包括
一种微型片式元件端头处理装置中的滚筒装置，用于适配一微型片式元 件端头处理装置的滚筒基座，其中，所述滚筒采用底部开放式结构。
所述的滚筒装置，其中，所述滚筒側壁上设置有密集横紋槽，所述横紋 槽宽度与所加工的片式元件尺寸相关。
所述的滚筒装置，其中，所述横紋槽与所述滚筒侧壁一体设置。
所述的滚筒装置，其中，所述横紋槽设置在一层垫片上，与所述滚筒侧 壁贴合设置。所述的滚筒装置，其中，所述滚筒为圆筒形状。 所述的滚筒装置，其中，所述滚筒为多边形筒形状。
本实用新型所提供的一种^t型片式元件端头处理装置中的滚筒装置，由 于采用了在开放式滚筒结构，实现了在滚筒运动时能够保证滚筒内的镀液 均匀对待加工元件起作用，提高了产品的良率。
图1为本实用新型所述滚筒装置的立体示意图2为本实用新型所述滚筒装置与其驱动^L构的连接示意图3为本实用新型所述滚筒装置的局部剖视示意图。
具体实施方式
以下结合附图，将对本发明的各较佳实施例进行更为详细的说明。 本 实用新型所述^t型片式元件端头处理装置中的滚筒装置，如图1所示 的，所述滚筒110设计为底部开放式的，可以安装到微型片式元件端头处 理装置上，所述樣l型片式元件端头处理装置通常是设置在生产流水线上的 一个动力驱动装置，如图2所示，为一具体的^f效型片式元件端头处理装置 结构示意，本实用新型所述滚筒110是设置在一具有阴极管的滚筒基座120 上的，所述滚筒110在工作时是将待加工的微型片式元件浸润在镀液中的。 本实用新型所述滚筒110由所述微型片式元件端头处理装置控制驱动， 在所述镀液中采用一定的运动轨迹进行反复滚动运动。本实用新型所述运 动轨迹可以由所述微型片式元件端头处理装置的控制系统预先设定，由其 中的多个驱动电机，在不同的维度上进行配合运动，从而实现复杂的运动 处理过程。
本实用新型所述滚筒装置110的主要改进点在于，将所述滚筒设计成为 底部开放式，并在滚筒壁上设置有横紋槽部111,并在所述横紋槽部111内设置有大量通孔112，如图3所示，这样，本实用新型所述滚筒装置110在 实际的工作过程中，由所述微型片式元件端头处理装置驱动摇摆转动时， 在镀液内的运动可以使镀液浓度均匀，保证在所述滚筒内的加工产品能够 充分浸润到镀液中，保证了被镀产品的品质均匀，即减少了欠镀的情形， 又减少了过镀的情况。
本实用新型所述开放式细槽圓型或多边型滚筒装置，可以采用圓形滚筒 或多边形滚筒，采用圓形滚筒可以避免多边形滚筒愣边产生杂质的现象发 生。所述^t紋槽可以采用机械加工形成，也可以通过加垫片的方法形成， 即在所述滚筒内外增加具有横紋槽的垫片形成。所述横紋槽的宽度与所镀 产品尺寸有关， 一般可控制在0.1mm-0.3mm之间。采用本实用新型开放式 滚筒装置，保证了滚筒内离子浓度的一致性。
本实用新型所述滚筒装置110，在所述滚筒将以摇摆的、平动的、螺旋 线等等的复合轨迹往复运动情况下，其所处理的产品在本实用新型开放式 的横紋槽式滚筒内运动，结合阴才及电涑的交替通电，平移及摇摆的同步控 制，确保所处理的产品全部均匀的被处理，不会发生黑端(未镀)现象，不会 产生结团(连錄)现象。
本实用新型滚筒在80转/分以下的转速运动大大地降低了对镀液的破 坏力，开放式横紋槽滚筒能确保被镀产品周围的离子浓度，保证产品的均 匀上镀；平移及摇摆的同步保证了被镀产品始终处在镀槽的中央地带，确 保横流电镀的过程中电源电压的过大波动不会带来不利的影响。
应当理解的是，上述针对本实用新型较佳实施例的描述较为具体，并不 能因此而理解为对本实用新型专利保护范围的限制，本实用新型的专利保 护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1、一种微型片式元件端头处理装置中的滚筒装置，用于适配一微型片式元件端头处理装置的滚筒基座，其特征在于，所述滚筒采用底部开放式结构。
2、 根据权利要求1所述的滚筒装置，其特征在于，所述滚筒侧壁上设置有密集横紋槽，所述横紋槽宽度与所加工的片式元件尺寸相关。
3、 根据权利要求2所述的滚筒装置，其特征在于，所述横紋槽与所述滚筒侧壁一体设置。
4、 根据权利要求2所述的滚筒装置，其特征在于，所述横紋槽设置在一层垫片上，与所述滚筒侧壁贴合设置。
5、 根据权利要求1至4任一所述的滚筒装置，其特征在于，所述滚筒为圓筒形状。
6、 根据权利要求1至4任一所述的滚筒装置，其特征在于，所述滚筒为多边形筒形状。
专利摘要本实用新型公开了一种微型片式元件端头处理装置中的滚筒装置，用于适配一微型片式元件端头处理装置的滚筒基座，其中，所述滚筒采用底部开放式结构。本实用新型微型片式元件端头处理装置中的滚筒装置由于采用了在所述滚筒上设置的沟槽及沟槽中的镂空结构，实现了在滚筒运动时能够保证滚筒内的镀液均匀起作用，提高了产品的良率。
文档编号C25D17/16GK201362749SQ20082014719
公开日2009年12月16日 申请日期2008年9月5日 优先权日2008年9月5日
发明者初殿生 申请人:深圳市宇阳科技发展有限公司