专利名称：未烧结陶瓷片的膜厚测定装置及膜厚测定方法
技术领域：
本发明涉及未烧结陶瓷片的膜厚测定装置及膜厚测定方法，还涉及利用这些膜厚测定装置以及膜厚测定方法的未烧结陶瓷片的制造装置及制造方法。
但是，在这样利用载体薄膜进行裱褙的状态下对未烧结陶瓷片进行膜厚测定时，通常采用使用不会对未烧结陶瓷片造成破坏的非接触式的膜厚测定装置的方法。也就是说，在这种使用非接触式膜厚测定装置的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法中，将未烧结陶瓷片的膜厚(片厚)与载体薄膜的厚度(膜厚)之和、即片厚与膜厚总值作为膜厚值测定，根据该膜厚值减去预先测定的膜厚求出片厚。
但是，在使用这样的非接触式膜厚测定装置的测定方法中，由于测定时位置的偏差等原因而产生误差，正确测定膜厚并不是容易的事情。
特别是在未烧结陶瓷片的厚度小于5微米的情况下，膜厚比片厚大，膜厚偏差的影响占主要地位，正确测定片厚就更加困难。
又，在日本特开昭59-99339号公报公开了将使用X射线与使用β射线的两种厚度检测器与载体薄膜的流动方向平行成一整体配置，利用各不相同的射线吸收系数差，根据运算测定涂布量的涂布量测定装置。但是在该装置中，两种厚度检测装置形成一体，因此在载体薄膜移动的情况下，为了使X射线的测定位置与β射线的测定位置一致，除了使测量探头在载体薄膜的移动方向的正交方向(宽度方向)的移动停止外，还要使X射线与β射线各自的测定时刻与载体的移动速度同步，存在不能够沿着未烧结陶瓷片的宽度方向测定涂布量(膜厚)的问题。
又，假定以某一定周期使测量探头在未烧结陶瓷片的宽度方向间歇性移动，沿着未烧结陶瓷片的宽度方向进行测定，由于是进行间歇性测定，在未烧结陶瓷片的宽度方向的膜厚测定要对许多测量点进行，进行这样的密集测定是困难的，存在不能够高可靠性地进行膜厚测定的问题。
本发明是为了解决上述存在问题而作出的，本发明的目的在于提供能够在不受载体薄膜厚度偏差的影响的情况下对未烧结陶瓷片的膜厚进行高精度测定的膜厚测定装置及膜厚测定方法，还提供使用这些膜厚测定装置及膜厚测定方法的未烧结陶瓷片的制造装置及制造方法。
本发明(权项1)的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置中，种类不同的各膜厚测定器相互独立，各膜厚测定器与未烧结陶瓷片的输送同步地在与输送方向正交的方向(载体薄膜及未烧结陶瓷片的宽度方向)上往复移动，以此能够测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的厚度(未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值)，因此能够消除测定时的位置偏差引起的误差，精密地测定膜厚值。
又利用运算处理手段对用种类不同的膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，分别计算出未烧结陶瓷片的厚度及载体薄膜的厚度，因此能够消除载体薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。
又，权项2的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，使各膜厚测定器的往复移动速度与未烧结陶瓷片的输送速度成正比。
利用使各膜厚测定器的往复移动速度与未烧结陶瓷片的输送速度成正比的方法，能够使检测点的密度为一定。
又，权项3的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，膜厚测定器的至少一种使用从X射线、β射线、γ射线、激光、红外线形成的一组中选出的一种测定所述膜厚值。
由于是从X射线、β射线、γ射线、激光、红外线形成的一组中选出的一种膜厚测定器测定膜厚值，能够根据未烧结陶瓷片的构成材料和膜厚等具体条件，选择合适的测定器，将其组合使用，以此利用运算处理手段对各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，能够得到片厚和膜厚的正确值，能够使本发明得到实际效果。
还有，如果是透射率不同的情况，则在各膜厚测定器使用的射线的种类可以是相同的，例如也可以是X射线与X射线、β射线与β射线、γ射线与γ射线这样的组合。
又，权项4的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，所述膜厚测定器具备第1膜厚测定器和第2膜厚测定器两个膜厚测定器，第1膜厚测定器测定由(μs1×Ts+μf1×Tf)表达的第1膜厚值T1，其中μs1是厚度为Ts的未烧结陶瓷片的吸收系数，μf1是膜厚为Tf的载体薄膜的吸收系数，第2膜厚测定器测定由(μs2×Ts+μf2×Tf)表达的第2膜厚值T2，其中μs2是厚度为Ts的未烧结陶瓷片的吸收系数，μf2是膜厚为Tf的载体薄膜的吸收系数，而且所述运算处理手段对第1及第2膜厚值T1、T2进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的膜厚Ts。
权项4的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，利用第1膜厚测定器测定第1膜厚值T1，利用第2膜厚测定器测定第2膜厚值T2，在运算处理手段对第1及第2膜厚值T1、T2进行相关运算，分别计算出未烧结陶瓷片的厚度Ts和载体薄膜的膜厚Tf，因此能够消除载体薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。
又，本发明(权项5)的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法是利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法，其特征在于，利用在未烧结陶瓷片的输送方向上以规定的间隔配置，而且相互独立，在与未烧结陶瓷片的输送同步的时间，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动的种类不同的两种以上的膜厚测定器，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值、同时由运算处理手段对利用各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的厚度。
在本发明(权项5)的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法中，利用相互独立，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动的种类不同的两种以上的膜厚测定器，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的片厚与膜厚相加的膜厚值、同时由运算处理手段对利用这些在相同的位置以种类不同的膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出片厚，因此能够消除薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。
本发明(权项6)的未烧结陶瓷片的制造装置，其特征在于，具备根据权利要求1～4中的任一项所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置、以及形成进行根据所述膜厚测定装置测定的未烧结陶瓷片的厚度数据控制陶瓷浆液的供给量的膜厚反馈控制的结构，一边控制供应量一边把所提供的陶瓷浆液涂布于载体薄膜上，形成未烧结陶瓷片的成型机。
本发明(权项6)的未烧结陶瓷片的制造装置形成能够将未烧结陶瓷片成型后测定的正确的片厚数据反馈给成型机，迅速地对陶瓷浆液的供应量进行控制的结构，因此能够连续可靠地制造厚度均匀的未烧结陶瓷片。
本发明(权项7)的未烧结陶瓷片的制造方法，其特征在于，根据利用权利要求5所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法计算出的未烧结陶瓷片的厚度数据，一边控制供应量一边把向成型机提供的陶瓷浆液涂布于载体薄膜上，形成未烧结陶瓷片。
本发明(权项7)的未烧结陶瓷片的制造方法中，根据利用本发明的方法测定的正确的片厚数据，控制陶瓷浆液的供应量，因此能够连续可靠地制造厚度均匀的未烧结陶瓷片。
图2是表示本发明一实施形态(实施形态1)的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置的工作状态的平面图。
图3是表示本发明一实施形态(实施形态2)的未烧结陶瓷片的制造装置的总体结构示意图。
实施形态1
图1是简化表示本发明一实施形态(实施形态1)的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置的结构的立体图。图2为表示其工作状态的平面图。
本实施形态1的膜厚测定装置1是利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2的膜厚的测定装置，其结构如图1所示，进行膜厚测定的未烧结陶瓷片2是在载体薄膜3上涂布陶瓷浆液形成，卷绕在放卷辊4上的，从放卷辊4放出的未烧结陶瓷片2与载体薄膜3一起卷绕于收卷辊5上。
而且是这样的结构，即在从放卷辊4向收卷辊5输送未烧结陶瓷片2的输送方向A上的规定间隔，设置使用X射线的第1膜厚测定器6和使用β射线的第2膜厚测定器7两个种类不同的膜厚测定器，利用第1膜厚测定器6和第2膜厚测定器7测定未烧结陶瓷片的厚度(片厚)Ts与载体薄膜的厚度(膜厚)Tf相加的厚度值。第1膜厚测定器6和第2膜厚测定器7在输送方向上的间隔没有特别规定，只要是相互独立，能够在未烧结陶瓷片2的输送方向A的正交方向B上往复运动的结构，确保必要的距离即可。
还有，在未烧结陶瓷片2的输送方向A的后侧(上游侧)配设的第1膜厚测定器6具备发射X射线的X射线照射头6a和检测X射线透射量(吸收量)的检测头6b，在未烧结陶瓷片2的输送方向A的前侧(下游侧)配设的第2膜厚测定器7具备发射β射线的β射线照射头7a和检测β射线透射量(吸收量)的检测探头7b。
X射线照射头6a和检测头6b(下面有时称为“探头6a、6b”)以及β射线照射头7a和检测探头7b(下面有时称为“探头7a、7b”)分别隔着利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2设置于相对的位置上。
又，第1膜厚测定器6(构成第1膜厚测定器6的探头6a、6b)与第2膜厚测定器7(构成第2膜厚测定器7的探头7a、7b)形成相互独立，能够以与输送未烧结陶瓷片2同步的时间在未烧结陶瓷片2的输送方向A的正交方向B往复运动的结构，利用膜厚测定器6、7可以测定利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2的相同的位置上的片厚Ts和膜厚Tf相加的膜厚值。也就是说，第1膜厚测定器6和第2膜厚测定器7都能够移动到在图2点划线所示的轨迹(测定位置轨迹)上重合，测定在利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2的同一位置上的片厚Ts和膜厚Tf相加的膜厚值。
还有，膜厚测定器6、7在未烧结陶瓷片2的输送方向A的正交方向B的往复运动，以电动机、汽缸(cylinder)、线性电动机等作为驱动源，可以由使用螺栓、齿条、以及小齿轮、齿轮皮带(timing belt)、导向器等的各种直接传动机构执行。
采用第1和第2膜厚测定器6、7的往复运动速度预先调整为与未烧结陶瓷片2的输送速度成正比，使膜厚测定器6、7的往复运动与未烧结陶瓷片2的输送容易同步的机构。还可以利用改变其比例关系的方法任意设定膜厚测定器6、7的往复运动速度。
在本实施形态1的膜厚测定装置中，采用使第1和第2膜厚测定器6、7能够在未烧结陶瓷片2的输送方向A的正交方向B上往复运动的结构，因此如图2的平面图所示，其结果是，膜厚测定器6、7分别在利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2上作锯齿形相对移动，利用膜厚测定器6、7能够可靠地测定未烧结陶瓷片2的同一位置上的膜厚值(片厚Ts和膜厚Tf相加的膜厚值)。
也就是说，第1膜厚测定器6测定由(μs1×Ts+μf1×Tf)表达的第1膜厚值T1，其中μs1是片厚为Ts的吸收系数，μf1是膜厚为Tf的吸收系数，第2膜厚测定器7测定由(μs2×Ts+μf2×Tf)表达的第2膜厚值T2，其中μs2是片厚为Ts的吸收系数，μf2是膜厚为Tf的吸收系数，又，在本实施形态1的膜厚测定装置中，第1和第2膜厚测定器6、7分别具备对测定的值进行相关运算，计算出片厚Ts的运算处理手段(微电脑)8，形成能够分别从膜厚测定器6、7向微电脑8发送第1及第2膜厚值T1、T2的结构，利用微电脑8，解由膜厚测定器6测定的第1膜厚值T1＝(μs1×Ts+μf1×Tf)与膜厚测定器7测定的第2膜厚值T2＝(μs2×Ts+μf2×Tf)形成的联立方程，计算出片厚Ts和膜厚Tf。
也就是说在微电脑8具体地用下述步骤计算片厚Ts和膜厚Tf。
首先，在第1和第2膜厚测定器6、7分别测定X射线膜厚数据X(g/m2)＝μXs×片厚(g/m2)+μXf×膜厚(g/m2) …(1)β射线膜厚数据β(g/m2)＝μβf×膜厚(g/m2)+μβs×片厚(g/m2) …(2)，(其中，μXs(＝μs1)为未烧结陶瓷片的X射线吸收率，μXf(＝μf1)为载体薄膜的X射线吸收率，μβs(＝μs2)为未烧结陶瓷片的β射线吸收率，μβf(＝μf2)为载体薄膜的β射线吸收率。)利用式(1)、(2)的变形，计算出片厚(g/m2)＝(μβf×X-μXs×β)/(μXs×μβf-μXf×μβs)…(3)膜厚(g/m2)＝(μβs×X-μXs×β)/(μXf×μβs-μXs×μβf)…(4)。
在这里，如果用未烧结陶瓷片2和载体薄膜3的密度对式(3)、(4)进行换算，则能够计算出片厚Ts(μm)＝片厚(g/m2)/片密度，膜厚Tf(μm)＝膜厚(g/m2)/膜密度。
还有，这样计算出的未烧结陶瓷片2的厚度(片厚)Ts中没有包含膜厚Tf的偏差造成的影响。因此采用本实施形态1的方法在例如片厚Ts小于5μm，膜厚Tf相对较厚的情况下也能够求得正确的片厚Ts。
还有，在本实施形态1中，使用X射线的第1膜厚测定器6配置于上游一侧的位置(靠近放卷辊4的位置)上，使用β射线的第2膜厚测定器7配置于下游一侧的位置(靠近收卷辊5的位置)上，但是也可以把第1膜厚测定器6与第2膜厚测定器7的配置位置互换。
又，在本实施形态1中，采用使用X射线的第1膜厚测定器6与使用β射线的第2膜厚测定器7两种膜厚测定器，但是也可以使用3种以上的膜厚测定器。
又，膜厚测定器的种类不限于使用X射线的和使用β射线的，也可以是使用例如γ射线、激光、红外线等的膜厚测定器。还有如果是使用透过能量的透射率(吸收率)不同的X射线或β射线，则几个包含测定器也可以都是X射线式的或都是β射线式的。又，在例如采用的射线是X射线的情况下，可以采用靶是钛(Ti)与钨(W)的组合的结构，在射线是β射线的情况下，可以采用射线源是Pm与Kr的组合的结构，也就是说可以采用像这样的射线相同，但是靶或放射源不同的组合结构。
实施形态2图3是表示本发明一实施形态(实施形态2)的未烧结陶瓷片的制造装置的总体结构示意图。
本实施形态2的未烧结陶瓷片的制造装置11具备上述实施形态1所示的膜厚测定装置1、以及配置于比该膜厚测定装置1更靠未烧结陶瓷片2的输送方向A上游的位置，根据膜厚测定装置1测定的片厚Ts的数据控制陶瓷浆液12的供应量的，进行膜厚反馈控制的未烧结陶瓷片2的成型机13。还有，在图3中，与图1、图2相同的或相当的设备、零部件、单元标以相同的符号。
本实施形态2的未烧结陶瓷片制造装置11将陶瓷浆液涂布于PP薄膜、PET薄膜或PEN薄膜等构成的载体薄膜3，在载体薄膜3上形成未烧结陶瓷片2，如图3所示，具备将陶瓷浆液12涂布于载体薄膜3上用的浆液涂敷器14、以及把载体薄膜3压住设置于该浆液涂敷器14内部的浆液室15的开口将开口盖住，同时使在该开口处的一侧边缘形成的刮刀(doctor)缘16处于下游一侧同时使载体薄膜3沿开口移动的支持(backing)辊17构成的未烧结陶瓷片2的成型机13。
又，构成该成型机13的浆液室15通过浆液泵18从浆液容器19补充陶瓷浆液12，在沿着开口部移动的载体薄膜3上利用刮刀缘16涂布陶瓷浆液12。又，在浆液室15与浆液泵18之间的特性浆液供应通道上配置有用于实现膜厚反馈控制用的供给量控制手段(例如电磁阀)20、以及电磁式或超声波式等式样的流量计21。
又具有这样的结构，即载体薄膜3以卷绕在薄膜供给辊22上的状态提供，而且从该薄膜供给辊22引出，提供给支持辊17的圆柱面，在通过浆液涂敷器14和支持辊17之间的过程中在载体薄膜3的表面上涂布陶瓷浆液12之后，与未烧结陶瓷片2一起用的收卷辊5卷取起来。
又，在从浆液涂敷器14和支持辊17向收卷辊5的未烧结陶瓷片2的输送方向A上以规定的间隔配置构成膜厚测定装置1的射线方式的膜厚测定器6、7，膜厚测定器6、7对利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2的厚度(片厚Ts与薄厚Tf相加的第1和第2膜厚值T1、T2)进行测定。
而且采用这样的结构，即膜厚测定器6、7测定的膜厚值T1、T2被发送到微电脑8，在微电脑8对膜厚值T1、T2进行相关计算，所计算出的片厚Ts的数据被发送到配置于浆液室15与浆液泵18之间的供给量控制手段20，根据正确的片厚Ts的数据，在载体薄膜3上涂布供给量受到控制的陶瓷浆液12。
下面对使用本实施形态2的制造装置11制造未烧结陶瓷片2的方法进行说明。
首先，由薄膜供给辊22向构成成型机13的支持辊17连续提供载体薄膜3。
然后，载体薄膜3在载体薄膜3用支持辊17压住、沿着浆液室15的开口部移动的过程中在载体薄膜3的表面涂布陶瓷浆液12，随着载体薄膜3的输送，在其表面上连续形成未烧结陶瓷片2。
然后，利用在输送方向A以规定的间隔配置的2种膜厚测定器6、7测定从成型机13向卷取辊5输送的未烧结陶瓷片2的同一位置上的膜厚值T1、T2，利用微电脑8对膜厚测定器6、7分别测定的膜厚值T1、T2进行相关计算，以求出正确的片厚Ts。然后，在该微电脑8计算出的片厚度Ts数据被发送到对陶瓷浆液12进行膜厚反馈控制的供给量控制手段20，供给量控制手段20根据片厚Ts的数据对提供给浆液室15的陶瓷浆液12的供应量进行控制。
其结果是，能够在利用支持辊17压在浆液室15的开口上同时移动使刮刀缘16处于下游的载体表面3上涂布根据反馈的片厚数据Ts控制供给量的陶瓷浆液12，能够不受膜厚Tf的影响地高效率地制造片厚Ts高度均匀的未烧结陶瓷片2。
而且，如上所述制造的利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2沿着输送方向A卷绕、输送，由卷取辊5卷取。
还有，对于在未烧结片的厚度小于5μm的情况下，利用上述实施形态2的未烧结陶瓷片的制造方法制造的未烧结陶瓷片与利用已有的制造方法制造的未烧结陶瓷片，作了膜厚测定结果的偏差、以及形成于载体表面上的未烧结陶瓷片的厚度偏差的调查，结果示于表1。表1
由表1可知，采用本发明的未烧结陶瓷片制造方法，与已有的未烧结陶瓷片的制造方法相比，膜厚测定结果的偏差和未烧结陶瓷片的厚度偏差大大减少。
还有，在上述实施形态2中，陶瓷浆液的涂布采用浆液涂敷器涂布方式，但是陶瓷浆液的涂布方法不限于这种方式，也可以采用具备控制载体薄膜的输送方向和宽度方向的涂布膜厚的功能的刮刀方式或涂布辊涂布方式或挤压方式等。
本发明的其他要点也不受上述实施形态的限制，在发明的主要思想的范围内，可以有各种应用、变形。
如上所述，本发明(权项1)的未烧结陶瓷片的厚度测定装置中，种类不同的各膜厚测定器相互独立，各膜厚测定器与未烧结陶瓷片的输送同步地在与输送方向正交的方向(载体薄膜及未烧结陶瓷片的宽度方向)上往复移动，以此能够测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的厚度(未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值)，因此能够消除测定时的位置偏差引起的误差，精密地测定膜厚值。又利用运算处理手段对用种类不同的膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，分别计算出未烧结陶瓷片的膜厚及载体薄膜的厚度，因此能够消除载体薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。
像权项2的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置那样，使各膜厚测定器的往复移动速度与未烧结陶瓷片的输送速度成正比的情况下，能够使进行测定的点的密度为一定，总体上能够进行消除测量位置偏差的可靠性高的膜厚测定。
又，像权项3的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置那样，膜厚测定器使用从X射线、β射线、γ射线、激光、红外线形成的一组中选出的一种测定所述膜厚值，因此能够根据未烧结陶瓷片的构成材料和膜厚等具体条件，选择合适的测定器，将其组合使用。在这种情况下，利用运算处理手段对各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，能够得到片厚和膜厚的正确值，能够使本发明得到实际效果。
又，权项4的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置利用第1膜厚测定器测定第1膜厚值T1，利用第2膜厚测定器测定第2膜厚值T2，在运算处理手段中，对第1及第2膜厚值T1、T2进行相关运算，分别计算出未烧结陶瓷片的厚度Ts和载体薄膜的膜厚Tf，因此能够消除载体薄膜厚度偏差的影响，能够正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。
又，本发明(权项5)的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法是利用独立的，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动的种类不同的两种以上的膜厚测定器，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的片厚与膜厚相加的膜厚值，同时由运算处理手段对利用这些在相同的位置以不同种类的膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出片厚，因此能够不受薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。
本发明(权项6)的未烧结陶瓷片的制造装置形成能够将未烧结陶瓷片成型后测定的正确的片厚数据向成型机反馈，迅速地对陶瓷浆液的供应量进行控制的结构，因此能够连续可靠地制造厚度均匀的未烧结陶瓷片。
本发明(权项7)的未烧结陶瓷片的制造方法，根据利用本发明的方法测定的正确的片厚数据，控制陶瓷浆液的供应量，因此能够连续可靠地制造厚度均匀的未烧结陶瓷片。
权利要求
1.一种利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，具备在未烧结陶瓷片的输送方向上以规定的间隔配置的种类不同的2个以上的膜厚测定器，而且是相互独立，在与未烧结陶瓷片的输送同步的时间，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值的膜厚测定器、以及对利用各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的厚度的运算处理手段。
2.根据权利要求1所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，使各膜厚测定器的往复移动速度与未烧结陶瓷片的输送速度成正比。
3.根据权利要求1或2所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，膜厚测定器的至少一种使用从X射线、β射线、γ射线、激光、红外线形成的一组中选出的一种测定所述膜厚值。
4.根据权利要求1或2或3所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，所述膜厚测定器具备第1膜厚测定器和第2膜厚测定器两个膜厚测定器，第1膜厚测定器测定由(μs1×Ts+μf1×Tf)表达的第1膜厚值T1，其中μs1是片厚为Ts的未烧结陶瓷片的吸收系数，μf1是膜厚为Tf的载体薄膜的吸收系数，第2膜厚测定器测定由(μs2×Ts+μf2×Tf)表达的第2膜厚值T2，其中μs2是片厚为Ts的未烧结陶瓷片的吸收系数，μf2是膜厚为Tf的载体薄膜的吸收系数，而且所述运算处理手段对第1及第2膜厚值T1、T2进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的片厚Ts。
5.一种利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法，其特征在于，利用在未烧结陶瓷片的输送方向上以规定的间隔配置，而且相互独立，在与未烧结陶瓷片的输送同步的时间，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动的种类不同的两种以上的膜厚测定器，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值、同时由运算处理手段对利用各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的膜厚。
6.一种未烧结陶瓷片的制造装置，其特征在于，具备根据权利要求1～4中的任一项所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置、以及形成进行根据所述膜厚测定装置测定的未烧结陶瓷片的厚度数据控制陶瓷浆液的供给量的膜厚反馈控制的结构，一边控制供应量一边把所提供的陶瓷浆液涂布于载体薄膜上，形成未烧结陶瓷片的成型机。
7.一种未烧结陶瓷片的制造方法，其特征在于，根据利用权利要求5所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法计算出的未烧结陶瓷片的厚度数据，一边控制供应量一边把向成型机提供的陶瓷浆液涂布于载体薄膜上，形成未烧结陶瓷片。
全文摘要
本发明涉及的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置能够在不受载体薄膜厚度偏差的影响的情况下对膜厚进行高精度测定。本发明的膜厚测定装置具备在未烧结陶瓷片(2)的输送方向(A)上以规定的间隔配置,而且相互独立,在与未烧结陶瓷片(2)的输送同步的时间,在与未烧结陶瓷片(2)的输送方向(A)正交的方向(B)上往复移动,测定利用载体薄膜(3)裱褙的未烧结陶瓷片(2)的同一位置上的未烧结陶瓷片(2)的厚度(Ts)与载体薄膜的厚度(Ts)相加的膜厚值(T1、T2)的第1和第2种两种不同的膜厚测定器(6、7)、以及对利用第1和第2膜厚测定器(6、7)测定的膜厚值(T1、T2)进行相关运算,计算出未烧结陶瓷片(2)的膜厚(Ts)的运算处理手段(8)。
文档编号G01B21/08GK1362610SQ01145420
公开日2002年8月7日 申请日期2001年12月28日 优先权日2000年12月28日
发明者井關裕, 淺川滋伸 申请人:株式会社村田制作所