专利名称：铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法
技术领域：
本发明涉及利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。尤其涉及利用近红外分光仪，实时地同时自动分析液晶显示装置(LCD)或半导体装置等的制造工序中的铜膜蚀刻液组合物成份的浓度变化及蚀刻后溶出的铜离子浓度，不仅能够高效地管理铜膜蚀刻工序，而且能够缩短铜膜蚀刻工序时间及铜膜蚀刻液组合物再生时间的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物再生方法。
背景技术：
在半导体装置中，在基板上形成金属布线的过程，通常由基于溅射法等的金属膜形成工序、基于光刻胶涂敷、曝光及显影的光刻胶图案形成工序及蚀刻工序构成。作为最近倍受瞩目的显示装置的液晶显示(IXD)装置，最广泛使用的是TFT-IXD(thin filmtransistor IXD)装置，而用于设置金属布线的蚀刻工序在该装置在制造中对于表现准确 而鲜明的图像而言极为重要。在用于制造TFT-IXD基板的以往技术的工序中，作为TFT的栅电极和源/漏电极用布线材料，经常使用铝或铝合金层，具体而言，多使用铝-钥合金。但是，为实现TFT-IXD的大型化，减小RC信号延迟是不可或缺的，为此，把作为电阻低且相对廉价的金属的诸如铜或铜/钛合金、铜/钥合金的铜合金用于形成金属布线的尝试十分活跃。若对此进行举例，可参考韩国公开专利第2010-0040352号。另一方面，随着LCD装置的大型化趋势，用于形成金属布线的蚀刻液组合物的使用量正在增加，因此，蚀刻液组合物的高效管理及使用成为了优化LCD装置制造工序的重要课题。蚀刻液组合物用于以既定图案的光刻胶为掩模，蚀刻基板上涂敷的铜膜，从而形成所需图案的铜布线。这种蚀刻液组合物在对铜膜进行蚀刻后，重新收集并投入下一铜膜蚀刻工序。如果铜膜蚀刻液组合物的使用次数增加，则蚀刻液组合物内的铜离子含量增多，蚀刻液组合物的成份发生变化。因此，如果蚀刻液组合物的成份组成及铜离子含量超出基准值，则其本身将无法继续使用，应经过去除蚀刻液组合物内的铜离子杂质并补充铜膜蚀刻液组合物中消耗的成份这样的蚀刻液组合物再生工序后，重新投入铜膜蚀刻工序。在这种工序中，决定铜膜蚀刻液组合物能否使用的普通方法，是在铜膜蚀刻工序中，目测观察在基板上是否变花，及/或蚀刻液组合物的颜色变绿的程度，凭经验判断铜膜蚀刻液组合物的铜离子污染程度及成份变化程度。但是，利用这种方法，不仅无法在一定规则下科学地管理铜膜蚀刻液组合物，而且存在由于使用寿命耗尽的铜膜蚀刻液组合物而工序不合格率增大、或者在铜膜蚀刻液组合物寿命用尽之前就把铜膜蚀刻液组合物作为废液进行处理的问题。另外，就铜膜蚀刻液组合物的再生工序而言，为使在再生用成份调整反应器中再生的铜膜蚀刻液组合物的成份组成保持恒定，需要随时分析铜膜蚀刻液组合物的成份。为进行这种分析，在以往是由作业者直接在反应器中采集样品实施分析，因此，不仅导致分析时间延长、作业量增加，而且，由于是在长时间的分析后，为了调整成份而再投入所需成份，此时存在的不合理之处在于，根据情况，由于超过反应器的容量，需要把一部分剥离液从反应器排出后，执行成份调整作业。因此，成份调整用反应器的运转管理不连续，运转不稳定，不仅导致生产成本上升，而且，准确的成份配比及内容物的准确分析需要耗费大量时间。进而，为分析铜膜蚀刻液组合物的多种成份，不仅需要根据铜膜蚀刻液组合物的构成成份来利用另外的分析仪器，而且，为进行成份的分析，需要另外在生产线上采集试样。而且，就进行分析而言，还需要调节试样的浓度或对试样进行预处理以适合各分析仪器，分析需要30分钟以上，存在难以进行实时分析的缺点。为克服这种缺点，最近提出了使用在线分析仪器的方法，但目前提出的在线分析仪器一般只是自动进行采样而已，无法实时获得对使用中的铜膜蚀刻液组合物或使用后的铜膜蚀刻液组合物进行处理和管理所需的综合信息，因此，为实现铜膜蚀刻液组合物的寿命管理及寿命用尽铜膜蚀刻液组合物的适宜管理及再生，需要一种能够实时掌握各成份的组成并应用于工序的方法。另外，利用以往的在线分析方法，无法同时实时地自动分析铜膜蚀刻液组合物成份的浓度变化及蚀刻后溶出的铜离子浓度
发明内容
·本发明的一个目的是提供一种铜膜蚀刻工序控制方法，实时掌握LCD装置或半导体装置的制造工序中铜膜蚀刻液组合物的成份浓度变化及铜离子浓度变化，管理铜膜蚀刻液组合物的寿命。本发明的另一目的是提供一种铜膜蚀刻工序控制方法，在确定关于铜膜蚀刻液组合物寿命的基准点的同时，确定作废液处理的基准，从而能够提高铜膜蚀刻液组合物的使用效率，并节省LCD装置或半导体装置的制造费用。本发明的再一目的是提供一种铜膜蚀刻液组合物的再生方法，实时分析铜膜蚀刻液组合物的成份，实时控制向成份调整用再生反应器供应的原料的量和比例，从而能够获得期望组成的铜膜蚀刻液组合物。本发明的又一目的是提供一种能够同时实时地分析LCD装置或半导体装置的制造工序中使用的铜膜蚀刻液组合物或寿命耗尽的铜膜蚀刻液组合物的多种成份的浓度变化及蚀刻后溶出的铜离子浓度的铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。为达成上述目的中的至少某一个目的，本发明的一个方面提供一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少I种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(C)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。所述基准值可以是在4，000 12，OOOcnT1波长中的特定波长下的近红外线吸光度。
所述铜膜蚀刻液组合物可以包括酸、酸的盐、铵盐及水，所述酸成份包括在由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)组成的组中选择的至少I种以上的化合物，另外，所述酸的盐可以是所述的酸成份的盐。所述近红外分光仪可以使用具有4，000 12，OOOcnT1波长的光源。所述近红外分光仪可以把检测探针浸入到存储有所述铜膜蚀刻液组合物的铜膜蚀刻液组合物存储槽，测量吸光度，或者，所述近红外分光仪可以测量流动池的吸光度，所述流动池中流动着从存储有所述铜膜蚀刻液组合物的铜膜蚀刻液组合物存储槽移送的铜膜蚀刻液组合物。根据本发明的一个方面的铜膜蚀刻工序控制方法中，优选所述(C)步骤由自动控制装置进行。为达成上述目的中的至少某一个目的，本发明的另一方面提供一种利用近红外分 光仪的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，包括成份分析步骤，利用近红外分光仪，对用于调整铜膜蚀刻液组合物成份的再生反应器内的铜膜蚀刻液组合物的至少I种成份的浓度进行成份分析；成份掌握步骤，把所述成份分析结果与各成份的基准值进行对比，掌握需要的成份；以及供应步骤，把所述需要的成份供应到所述反应器内。所述基准值可以是在4，000 12，OOOcnT1波长中的特定波长下的近红外线吸光度。当所述铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度超过基准值时，可以废弃再生反应器内的铜膜蚀刻液组合物。所述铜膜蚀刻液组合物可以包括酸、酸的盐、铵盐及水，所述酸成份包括在由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)组成的组中选择的至少I种以上的化合物，另外，所述酸的盐可以是所述的酸成份的盐。如上所述，根据本发明的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法及蚀刻液组合物的再生方法，能够达成如下技术效果的至少一种(I)能够实时掌握IXD装置或半导体装置的制造工序中铜膜蚀刻液组合物的成份浓度变化及铜离子浓度变化，管理铜膜蚀刻液组合物的寿命。借此，通过科学地设定铜膜蚀刻液组合物的废液处理基准，能够有效地控制铜膜蚀刻工序。 (2)在确定关于铜膜蚀刻液组合物寿命的基准点的同时，确定作废液处理的基准，从而能够提高铜膜蚀刻液组合物的使用效率，并节省LCD装置或半导体装置的制造费用。(3)实时分析铜膜蚀刻液组合物的成份，实时控制向成份调整用再生反应器供应的原料的量和比例，从而能够高效地获得期望组成的铜膜蚀刻液组合物。借此，能够可靠地实现铜膜蚀刻液组合物的再生，获得节省原材料的效果。(4)能够同时实时地自动分析LCD装置或半导体装置的制造工序中使用的铜膜蚀刻液组合物或寿命耗尽的铜膜蚀刻液组合物的多种成份的浓度变化及蚀刻后溶出的铜离子浓度。借此，能够实时检验生产线中的其他异物的混入可能性，从而能够提高铜膜蚀刻工序收率。
图I是本发明一个实施例的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制系统的构成图。图2是本发明一个实施例的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻液组合物再生系统的构成图。图3及图4分别是示例本发明近红外分光仪的输出结果的在波长约5，50(Tll，OOOcnT1范围的吸光度光谱及其第I次导函数的光谱。图5是显示针对铜膜蚀刻液组合物中酸盐成份，根据本发明使用近红外分光仪获得的校准(calibration)结果的图。图6是显示针对铜膜蚀刻液组合物中酸成份，根据本发明使用近红外分光仪获得的校准结果的图。·
图7是显示针对铜膜蚀刻液组合物中铵盐，根据本发明使用近红外分光仪获得的校准结果的图。图8是显示针对铜膜蚀刻液组合物中去离子水，根据本发明使用近红外分光仪获得的校准结果的图。图9是显示针对铜膜蚀刻液组合物中包含的溶出的铜离子，根据本发明使用近红外分光仪获得的校准结果的图。附图标记说明10:铜膜蚀刻液组合物存储槽20:快速环路30:温度调节及异物去除装置40:流动池50:多路复用系统60:包括近红外发光灯、单色化装置及检测仪的近红外分光仪70:输出装置100:利用近红外分光光度计的分析系统110:再生反应器120、130:成份供应阀
具体实施例方式下面参照附图，对本发明进行详细说明。在LCD装置或半导体装置的制造工序中，铜膜蚀刻液组合物通过喷嘴，喷雾于在铜膜上涂敷有既定图案光刻胶的基板上，蚀刻未经光刻胶图案化的部分的铜膜。然后，去除光刻胶则可获得形成有期望图案的铜膜布线的基板。此时，包含由蚀刻的铜膜产生的铜离子的铜膜蚀刻液组合物就汇集于设置在基板下部的铜膜蚀刻液组合物收集槽，如果铜膜蚀刻液组合物的量达到预先确定的基准值，则通过移送泵移送到铜膜蚀刻液组合物存储槽。利用近红外分光光度计，对这样移送到构成工序生产线一部分的铜膜蚀刻液组合物存储槽的铜膜蚀刻液组合物的各成份所具有的固有波长的近红外线吸光度进行测量，从而能够同时实时地分析多成份铜膜蚀刻液组合物的浓度，即组成及铜离子浓度。
本发明的近红外分光光度计使用的近红外线，使用存在于可见光(12，000 25，OOOcnT1)与中红外线(400 4000(^1)之间的波长(4，000 12，OOOcnT1)区域，因此，能量低于可见光，高于中红外线。处于所述近红外波长范围的光线，以中红外区域出现的-CH、-OH、-NH官能团的分子运动能的组合谱带(combination band)和倍频谱带(overtone band)表现。以这种组合和倍频表现的近红外线的吸光度相当弱，所以，相对于近红外线吸收光谱的单位浓度变化，吸光度变化小，只相当于中红外线的1/10 1/1000程度。因此，如果使用近红外线区域的光线，那么，不稀释试样，便可直接进行主要成份的分析，由多个倍频或合频的吸收重叠，或是由氢键或分子间相互作用而在特定吸收波长下出现取向，因此，具有能够同时执行多种成份的定量分析的优点。在进行这种多成份试样的定量分析时，向目标成份照射特征性波长的光，测量与之相应的吸光度，求出浓度与吸光度的关系，从而能够求出校准曲线。如果各成份的吸光度相互重叠，则利用考虑其他成份影响的多元回归分析，制作校准曲线后，可以对试样进行分析，因此，基于近红外线的分析即使同时处理多种成份，I分钟左右即可完成，可实现高速测量。为利用近红外分光光度计，实时地分析铜膜蚀刻工序中使用的蚀刻液组合物成份，可以使用多种方法，在本发明中，有把检测探针浸入铜膜蚀刻液组合物存储槽测量吸光 度的方法，以及测量流动着从铜膜蚀刻液组合物存储槽移送的试样(铜膜蚀刻液组合物)的流动池的吸光度的方法。使用检测探针的方法是，使用傅里叶变换(Fourier transformation)式近红外分光光度计，把连接有光缆的探针插入要分析的铜膜蚀刻液组合物直至淹没，针对各个成份，实时测量分析固有波长的近红外线吸光度，从而检测出铜膜蚀刻液组合物的构成成份的变化及铜膜蚀刻液组合物中溶解的铜离子(Cu2+)的浓度变化。由于在所述探针中设置有近红外线照射及接收部，所以可以针对多种成份实时测量固有波长的近红外线吸光度。利用流动着铜膜蚀刻液组合物的流动池的方法是，采用声光可调谐扫描技术(acousto-opticaltunable scanning, A0TS)的方法，利用了电子福射(electromagnetic radiation)与超声波(ultrasound)的相互作用。该方法是设置能够从包含铜膜蚀刻液组合物的反应器或存储槽中在线采集铜膜蚀刻液组合物一部分的取样口，利用近红外分光光度计测量采集的铜膜蚀刻液组合物的吸光度，从而测量组合物的各成份及溶出的铜离子的浓度。这两种系统可以根据试样的温度、异物的含有程度及性状适宜地选择使用，但采用了声光可调谐扫描技术的方式在构成上更优秀。图I是利用了采用这种声光可调谐扫描技术的近红外分光光度计的铜膜蚀刻工序控制系统的构成图。所述控制系统包括利用了近红外分光光度计的分析系统100，所述分析系统100包括温度调节及异物去除装置30 ;流动池40 ;多路复用系统50 ;包括近红外发光灯、单色化装置及检测仪的近红外分光仪60 ；以及输出装置70。作为所述近红外发光灯，可以使用卤钨灯，作为单色化装置，可以使用声光可调谐扫描仪，作为检测仪，可以使用铟镓砷(InGaAs)检测仪。下面说明试样的分析过程，S卩，构成铜膜蚀刻工序生产线的一部分的铜膜蚀刻液组合物存储槽10内的试样，通过快速环路20，移送到利用近红外分光仪的分析系统100的温度调节及异物去除装置30。所述温度调节及异物去除装置30把试样的温度调节为常温，去除异物，去除了异物的试样则为了进行近红外线吸光度分析而被移送到流动池40。近红外分光仪60的分析结果因试样温度而异，所以，应把要分析的试样的温度调节成与标准试样相同的温度。近红外分光仪60利用近红外发光灯、单色化装置及检测仪，测量流动池40内的试样的吸收光谱。其测量结果利用输出装置70输出。分析所使用的试样通过回收系统80重新循环，移送到铜膜蚀刻废液存储槽10。在图I中，多路复用系统50是用于当利用I台近红外分光仪同时实时地分析多条工序生产线的试样时，对光谱仪60分析的流动池40进行转换的装置。如此配备连接于各工序生产线的多个快速环路20及流动池40，构成分析系统，利用一台分析装置分析多条工序生产线的试样，从而能够提高工序的效率和收率。为了利用这种近红外分光仪，定量地分析工序中使用的铜膜蚀刻液组合物的各构成成份及溶出的铜离子的浓度，应预先针对各个成份制作出根据浓度变化的校准曲线。即，变化标准铜膜蚀刻液组合物的成份浓度及该组合物中的铜离子浓度的同时测量吸光度，制作校准曲线，通过对照制作的校准曲线与测量的蚀刻液组合物的吸光度，计算出铜膜蚀刻液组合物的各成份含量及溶出的铜离子的含量，把如此获得的成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命。通过这种判别步骤，当铜膜蚀刻液组合物的各构成成份的含量处于不少于基准值的状态，溶出的铜离子的含量处于不超过预先确定的基准值的状态时，即，在剥离液寿命未 耗尽的情况下，启动另外的移送泵，无需再生处理，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序；在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，把新的铜膜蚀刻液组合物投入工序，把寿命耗尽的铜膜蚀刻液组合物移送到另外的再生装置进行再生工序或废弃(参照图I)。如上所述，利用与工序生产线联动的在线近红外分光光度计，按一定时间间隔自动分析铜膜蚀刻液组合物的成份及溶出的铜离子的浓度，从而能够制定关于铜膜蚀刻液组合物成份的历史记录管理、寿命及废液处理的基准，能够实现铜膜蚀刻液组合物的准确、高效的寿命管理。下面说明本发明的利用近红外分光光度计的铜膜蚀刻液组合物的再生方法。图2是包括利用近红外分光仪的分析系统100的铜膜蚀刻液组合物再生系统的构成图，所述再生系统包括与图I所示铜膜蚀刻工序控制系统相同的分析系统100。本发明的利用近红外分光光度计的铜膜蚀刻液组合物再生方法，也利用与铜膜蚀刻工序控制方法相同的原理。首先，利用利用了近红外分光光度计的分析系统100，对用于调整铜膜蚀刻液组合物成份的再生反应器110内的铜膜蚀刻液组合物的成份及溶出的铜离子的浓度进行实时分析。其中，近红外分光光度计的成份分析波长范围为60(T3，500nm,优选为70(T2，500nm。在利用近红外分光光度计测量溶出的铜离子浓度的情况下，把组合物中的羟基与铜离子(0H-)相互作用形成的物质的羟基离子的吸光度与基准值进行比较分析，从而能够间接地测量铜离子的浓度。此时，能够区别数十ppm左右的铜离子浓度。在利用紫外线/可见光(UV/VIS)分光光度计测量溶出的铜离子浓度的情况下，与基准试样相t匕，被铜离子污染的试样显现绿色，所以，在属于可见光区域的SlOnm附近，表现出最大吸收光谱。因此，通过测量SlOnm附近的吸光度或透过度，能够测量铜离子浓度。因此，在只测量铜膜蚀刻液组合物中的铜离子的浓度并进行管理的情况下，即使利用UV/VIS分光光度计，也足以能够应用于在线系统。然后，把分析的铜膜蚀刻液组合物成份与各成份的基准值进行对比，掌握需要补充的成份，根据该结果，开合供应各个成份化合物的成份供应阀120、130，向所述再生反应器110供应需要的成份。再生反应器110压力未特别限定，无论减压、加压、常压反应等均可应用。经过如上工序，不足的铜膜蚀刻液成份得到了补充，再生成为具有与最初铜膜蚀刻液组合物相同或相似组成的铜膜蚀刻液组合物，再生的铜膜蚀刻液组合物重新投入铜膜蚀刻工序。通过把这种利用近红外分光仪的分析系统100连接于对成份供应阀120、130进行控制的控制器(图中未示出)，自动补充不足的成份，从而能够实现工序自动化，以制备预先设定的组成的铜膜蚀刻液组合物。这种工序自动化不仅可应用于铜膜蚀刻液组合物的再生工序，还可以应用于铜膜蚀刻工序控制。能够利用本发明的近红外分光光度计进行分析的铜膜蚀刻液组合物成份不受特别限定，但是，例如是酸、酸的盐、铵盐及水。所述酸成份可以是在由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)组成的组中选择的至少I种以上的化合物。所述酸的盐是所述的酸成份的盐，例如，可以是这些酸成份的诸如碱金属盐、碱土金属盐或过渡金属盐等的金属盐或铵盐。下面，参照下述实施例，对本发明的优选实施例进行详细说明。下述实施例是出于示例目的，用于进一步详细说明本发明，并非用于把本发明限定于下述实施例的范围。在下述实施例中，如未另行提及，百分率及混合比以重量为基准。实施例1-3为评价利用了近红外分光光度计的分析系统的工序适合性，如下表I所示，变化下述铜膜蚀刻用蚀刻液组合物成份的浓度，与此同时，利用图I所示铜膜蚀刻工序控制系统进行实时测量，将测量的成份分析值结果列于表I中。此时，使用IOmm石英比色池，测量了近红外线吸光度，各试样反复测量5次并进行了平均。表I
权利要求
1.一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括 (a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少I种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度； (b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及 (C)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。
2.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述基准值是在4，OOO 12，OOOcm-1波长中的特定波长下的近红外线吸光度。
3.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述铜膜蚀刻液组合物包括酸、酸的盐、铵盐及水。
4.根据权利要求3所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述酸成份包括从由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)组成的组中选择的至少I种以上的化合物，所述酸的盐是所述的酸成份的盐。
5.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述近红外分光仪使用具有4，000 12，OOOcnT1波长的光源。
6.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述近红外分光仪把检测探针浸入到存储有所述铜膜蚀刻液组合物的铜膜蚀刻液组合物存储槽，测量吸光度。
7.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述近红外分光仪测量流动池的吸光度，所述流动池中流动着从存储有所述铜膜蚀刻液组合物的铜膜蚀刻液组合物存储槽移送的铜膜蚀刻液组合物。
8.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述(c)步骤是由自动控制装置进行。
9.一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，包括 成份分析步骤，利用近红外分光仪，对用于调整铜膜蚀刻液组合物成份的再生反应器内的铜膜蚀刻液组合物的至少I种成份的浓度进行成份分析； 成份掌握步骤，把所述成份分析结果与各成份的基准值进行对比，掌握需要的成份；以及 供应步骤，把所述需要的成份供应到所述反应器内。
10.根据权利要求9所述的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，其特征在于 所述基准值是在4，000 12，OOOcm-1波长中的特定波长下的近红外线吸光度。
11.根据权利要求9所述的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，其特征在于 当所述铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度超过基准值时，废弃再生反应器内的铜膜蚀刻液组合物。
12.根据权利要求9所述的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，其特征在于 所述铜膜蚀刻液组合物包括酸、酸的盐、铵盐及水，所述酸成份包括从由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)组成的组中选择的至少I种以上的化合物，所述 酸的盐是所述的酸成份的盐。
全文摘要
本发明提供一种铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。本发明提供的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。
文档编号G01N21/35GK102901713SQ20121024457
公开日2013年1月30日 申请日期2012年7月13日 优先权日2011年7月28日
发明者洪振燮, 朴庆浩, 李期范 申请人:株式会社东进世美肯