一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：1）提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长；2）于所述基板上生长辐射晶体；3）提供一防水防眩光膜，采用贴合或真空压覆的方式将所述辐射晶体完全封装于所述基板及防水防眩光膜之间，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水层及防眩光层，且所述防眩光层为最外层。本发明直接采用防水防眩光膜对辐射晶体进行封装，封装方法简单高效率、封装效果良好，可以大大减少工艺步骤以及生产成本，并且可以防止辐射晶体表面因二次反射引起的伪影问题。
【专利说明】一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及辐射成像【技术领域】，特别是涉及一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]辐射探测晶体与可见光传感器(如CCD、非晶硅或者CMOS传感器、光电倍增管)组合形成的辐射探测器，这些辐射探测器广泛的应用与X射线，Y射线等辐射成像领域。它是辐射探测器的关键组成部分，其性能决定了辐射探测器的性能。
[0003]无论上述是那种医疗影像探测器，其光电转换器件都无法拍摄X射线或者Y射线，辐射晶体转换层的作用是将X射线或者Y射线转换为荧光(可见光)这个过程必不可少。因此作为将X射线转换或者Y射线成可见光的关键物质的辐射探测晶体的吸收效率，光子转换效率、性能的长期稳定性直接决定了探测器的最终性能。
[0004]但目前高性能的辐射探测器晶体都是易潮解的材料，如碘化铯材料溴化镧等都是吸湿性材料，易吸收空气中的水分而潮解，使闪烁体的光学性能变弱，特别是图像分辨率大大降低，因此，如何有效的封装这些辐射探测器晶体更尤为重要。特别是大面积面板性性的辐射探测器晶体的封装成为决定大面积探测器性能的制约因素。
[0005]在目前有关辐射探测器晶体面板封装方面，在通常的封装方案中，一种方式是在晶体表面CVD方式封装有机膜，CsI闪烁屏典型的代表封装方式为Hamamatsu用CVD蒸镀聚对二甲苯(perlin)蒸镀、派射无机层(如Al、SiO2)、以及聚对二甲苯(perlin)蒸镀,此技术于专利申请号为99808601以及200410002794.1的专利申请文件中所公开。然而，闪烁屏传统工艺封装中，用CVD方法进行聚对二甲苯生长时，其速度很慢，生长速度约100-2000埃每分钟，以此速度计算，专利申请文件99808601以及200410002794.1中的聚对二甲苯生长需要100-2000分钟，并且在封装工艺中，需进行两次CVD聚对二甲苯的生长以及一次SiO2的溅射生长，工艺步骤相当复杂繁琐，而且效果不佳。有些封装会对闪烁体本身的性能带来影响，如聚对二甲苯会进入辐射晶体的结构间隙内，影响闪烁屏的光学性能等。
[0006]另一种常规做法了封装防水透明胶带，但是防水透明胶带出光面为光滑层，在辐射探测器中会带来伪影或者二次成像问题，这些伪影可能带来医学诊断中的误诊等事故的发生，因此这种做法已经很少在辐射探测器晶体的封装方式中应用。
[0007]还有一种封装方法是制作好晶体面板后，采用环氧树脂或硅胶等对辐射晶体的侧壁进行封装，这种方法工艺也较复杂，而且工艺和时间成本较高。
[0008]为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种简单高效率的、封装效果良好的封装方法，以大大减少工艺步骤以及生产成本。
【发明内容】
[0009]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板及其制作方法，用于解决现有技术中辐射探测器晶体面板封装工艺复杂、成本过高、成像质量不佳等问题。
[0010]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，包括以下步骤:
[0011]I)提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长；
[0012]2)于所述基板上生长辐射晶体；
[0013]3)提供一防水防眩光膜，采用贴合或真空压覆的方式将所述辐射晶体完全封装于所述基板及防水防眩光膜之间，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水层及防眩光层，且所述防眩光层为最外层。
[0014]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法的一种优选方案，所述基板包括支撑板及感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、硅积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
[0015]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法的一种优选方案，步骤I)预处理至少包括对所述基板进行清洗及干燥的步骤。
[0016]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法的一种优选方案，步骤2)采用真空生长的方式于所述基板上生长辐射晶体。
[0017]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法的一种优选方案，所述辐射晶体为包括Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、Na1、NaI (Tl)等卤系易潮解晶体。
[0018]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法的一种优选方案，所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
[0019]本发明还提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，包括:
[0020]基板；
[0021]辐射晶体，形成于所述基板上；
[0022]防水防眩光膜，覆盖于所述辐射晶体，并将所述辐射晶体完全封装于所述基板及防水防眩光膜之间，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水层及防眩光层，且所述防眩光层为最外层。
[0023]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的一种优选方案，所述基板包括支撑板及感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、娃积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
[0024]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的一种优选方案，所述基板的厚度为0.1mm?3mm。
[0025]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的一种优选方案，所述辐射晶体为包括 Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、Na1、NaI (Tl)等卤系易潮解晶体。
[0026]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的一种优选方案，所述辐射晶体的厚度为0.05mm?2mm。
[0027]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的一种优选方案，所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
[0028]如上所述，本发明提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤:1)提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长；2)于所述基板上生长辐射晶体；3)提供一防水防眩光膜，采用贴合或真空压覆的方式将所述辐射晶体完全封装于所述基板及防水防眩光膜之间，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水层及防眩光层，且所述防眩光层为最外层。本发明直接采用防水防眩光膜对辐射晶体进行封装，封装方法简单高效率、封装效果良好，可以大大减少工艺步骤以及生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1显示为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法步骤流程示意图。
[0030]图2显示为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法步骤I)所呈现的结构示意图。
[0031]图3显示为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法步骤2)所呈现的结构示意图。
[0032]图4显示为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法步骤3)所呈现的结构示意图。
[0033]元件标号说明
[0034]10 基板
[0035]20辐射晶体
[0036]30防水防眩光膜
[0037]301防水层
[0038]302防眩光层
[0039]Sll?S13步骤I)?步骤3)
【具体实施方式】
[0040]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0041]请参阅图1?图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0042]如图1?图4所示，本实施例提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，包括以下步骤:
[0043]如图1及图2所示，首先进行步骤1)S11，提供一基板10，对所述基板10进行预处理使其适于辐射晶体20生长。
[0044]作为示例，所述基板10包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、娃积光电倍增管、非晶娃TFT及CMOS光电二极管,所述基板10的厚度为0.1mm?3mm。
[0045]在本实施例中，所述基板10为碳基板，并且所述基板10的厚度为1mm。
[0046]作为示例，所述预处理至少包括对所述基板10进行清洗及干燥的步骤。
[0047]另外，需要说明的是，对于特定的基板可以适当加入合适的工艺，使表面处理适于晶体生长；如以碳基板作为基板时，需将基板依次进行喷砂、光学膜的生长、反光膜的生长等工艺过程，使其满足辐射晶体20生长并优化相关光学性质的处理。
[0048]如图1及图3所示，然后进行步骤2)S12，于所述基板10上生长辐射晶体20。
[0049]作为示例，采用真空生长的方式于所述基板10上生长辐射晶体20。所述辐射晶体20为包括Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3 (CeBr3)、Na1、NaI (Tl)的卤系易潮解晶体。所述辐射晶体20的厚度为0.05mm?2mm。
[0050]在本实施例中，所述辐射晶体20为CsI，采用的生长方式为真空PVD方法，生长的厚度为1mm。
[0051]如图1及图4所示，最后进行步骤3) S13，提供一防水防眩光膜30，采用贴合或真空压覆的方式将所述辐射晶体20完全封装于所述基板10及防水防眩光膜30之间，其中，所述防水防眩光膜30至少包括防水层301及防眩光层302，且所述防眩光层302为最外层。
[0052]作为示例，所述防水防眩光膜30的透光率不小于80%，这样可以有效避免经辐射晶体20转换出可见光的吸收问题，另外，本实施例的防眩光防水膜透气率为不大于0.5g/(m2*day)，以保证其防水性能。需要说明的是，本实施例的防水防眩光膜30最外层即出光面必须为防眩光层302。
[0053]本实施例采用防水防眩光膜30对辐射晶体20进行封装，即所述防水防眩光膜30完全将所述辐射晶体20包覆于所述基板10表面，不需要如环氧树脂等其他的封装步骤，步骤非常简单，而且能达到非常好的防水及防眩光的效果，可以有效降低封装成本。
[0054]如图4所示，本实施例还提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，包括:
[0055]基板10 ；
[0056]辐射晶体20，形成于所述基板10上；
[0057]防水防眩光膜30，覆盖于所述辐射晶体20，并将所述辐射晶体20完全封装于所述基板10及防水防眩光膜30之间，其中，所述防水防眩光膜30至少包括防水层301及防眩光层302，且所述防眩光层302为最外层。
[0058]作为示例，所述基板10包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、娃积光电倍增管、非晶娃TFT及CMOS光电二极管。所述基板的厚度为0.1mm?3_。
[0059]在本实施例中，所述基板10为碳基板，并且所述基板10的厚度为1mm，并且，所述碳基板10表面还形成有喷砂、光学膜及反光膜。
[0060]作为示例，所述辐射晶体20 为包括 Cs1、CsI (Tl)、Lafc3、LaBr3 (CeBr3)、Na1、NaI (Tl)的卤系易潮解晶体。所述辐射晶体20的厚度为0.05mm?2mm。
[0061]在本实施例中，所述辐射晶体20为CsI，其厚度为1mm。
[0062]作为本发明的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的一种优选方案，所述防水防眩光膜30的透光率不小于80%，这样可以有效避免经辐射晶体20转换出可见光的吸收问题，另外，本实施例的防眩光防水膜透气率为不大于0.5g/(m2*day)，以保证其防水性能。需要说明的是，本实施例的防水防眩光膜30最外层即出光面必须为防眩光层302。
[0063]本实施例采用防水防眩光膜30对辐射晶体20进行封装，即所述防水防眩光膜30完全将所述辐射晶体20包覆于所述基板10表面，不需要如环氧树脂等其他的封装步骤，步骤非常简单，而且能达到非常好的防水及防眩光的效果，可以有效降低封装成本。
[0064]如上所述，本发明提供一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤:1)提供一基板10，对所述基板10进行预处理使其适于辐射晶体20生长；2)于所述基板10上生长辐射晶体20 ；3)提供一防水防眩光膜30，采用贴合或真空压覆的方式将所述辐射晶体20完全封装于所述基板10及防水防眩光膜30之间，其中，所述防水防眩光膜30至少包括防水层301及防眩光层302，且所述防眩光层302为最外层。本发明直接采用防水防眩光膜30对辐射晶体20进行封装，封装方法简单高效率、封装效果良好，可以大大减少工艺步骤以及生产成本。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0065]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长； 2)于所述基板上生长辐射晶体； 3)提供一防水防眩光膜，采用贴合或真空压覆的方式将所述辐射晶体完全封装于所述基板及防水防眩光膜之间，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水层及防眩光层，且所述防眩光层为最外层。
2.根据权利要求1所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，其特征在于:所述基板包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、硅积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
3.根据权利要求1所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，其特征在于:步骤I)预处理至少包括对所述基板进行清洗及干燥的步骤。
4.根据权利要求1所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，其特征在于:步骤2)采用真空生长的方式于所述基板上生长辐射晶体。
5.根据权利要求1所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，其特征在于:所述辐射晶体为包括Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3) >NaI,NaI (Tl)的卤系易潮解晶体。
6.根据权利要求1所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板的制作方法，其特征在于:所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
7.—种防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，其特征在于，包括: 基板； 辐射晶体，形成于所述基板上； 防水防眩光膜，覆盖于所述辐射晶体，并将所述辐射晶体完全封装于所述基板及防水防眩光膜之间，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水层及防眩光层，且所述防眩光层为最外层。
8.根据权利要求7所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，其特征在于:所述基板包括支撑板及感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、娃积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
9.根据权利要求7所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，其特征在于:所述基板的厚度为0.1mm~3_。
10.根据权利要求7所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，其特征在于:所述辐射晶体为包括 Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、Na1、NaI (Tl)的卤系易潮解晶体。
11.根据权利要求7所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，其特征在于:所述辐射晶体的厚度为0.05mm~2mm。
12.根据权利要求7所述的防眩光膜封装辐射探测器晶体面板，其特征在于:所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
【文档编号】G01T7/00GK104020486SQ201410256381
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年6月10日 优先权日:2014年6月10日
【发明者】焦启刚, 谢舒平 申请人:平生医疗科技（昆山）有限公司