微波器件可靠性测试装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种微波器件可靠性测试装置，涉及测量电变量的装置【技术领域】。所述装置包括管壳、第一滤波电容和第二滤波电容，所述第一滤波电容和第二滤波电容位于所述管壳内，管壳外设有管壳输入端子和管壳输出端子，所述第一滤波电容和第二滤波电容的一端与所述管壳输入端子连接，微波器件管芯的一端与管壳输入端子连接，微波器件管芯的另一端与管壳输出端子连接。在进行微波器件可靠性测试时，将所述装置连接入微波器件，成功消除了微波器件可靠性测试过程中的自激现象，同时由于采用了烧结工艺及芯片滤波电容，保证微波器件可工作在高温状态，可开展高温加速寿命试验。
【专利说明】微波器件可靠性测试装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及测量电变量的装置【技术领域】，尤其涉及一种微波器件可靠性测试 装直。
【背景技术】
[0002] 基于半导体材料可制作微波器件，为了验证微波器件的可靠性，需要开展高温反 偏、功率老炼等试验，试验过程中经常发现器件存在自激的现象，自激容易造成器件工作不 稳定，甚至烧毁。同时在可靠性试验前后的测试过程中，自激现象的存在会导致试验结果不 准确。
[0003] 微波器件是实现对微波信号进行放大的器件，在进行可靠性试验时，需要对器件 施加一定的直流工作电压，例如8V、28V、36V等，直流工作电压由直流电源提供，由于供电 线路及电源内部电路的影响，电源输出电压不稳定，同时由于电源与器件之间的连接线路 存在寄生电容及电感，会产生杂波、过冲等现象，杂波、过冲的存在容易造成器件自激，表现 为工作电压不稳定，忽高忽低，工作电流不稳定，忽高忽低，容易造成器件烧毁，导致试验结 果不准确。通常，采用在器件外围增加稳定电路的方法消除自激，外围电路包括滤波电容。 此种方法无法从根本上消除器件自激现象。同时，由于器件外围电路不能够承受高温，此种 方法无法应用于高温加速寿命试验。 实用新型内容
[0004] 本实用新型所要解决的技术问题是提供一种微波器件可靠性测试装置及其测试 方法，在进行微波器件可靠性测试时，将所述装置连接入微波器件，成功消除了微波器件可 靠性测试过程中的自激现象，同时由于采用了烧结工艺及芯片滤波电容，保证微波器件可 工作在高温状态，可开展高温加速寿命试验。
[0005] 为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种微波器件可靠性测 试装置，其特征在于：所述装置包括管壳、第一滤波电容和第二滤波电容，所述第一滤波电 容和第二滤波电容位于所述管壳内，管壳外设有管壳输入端子和管壳输出端子，所述第一 滤波电容和第二滤波电容的一端与所述管壳输入端子连接，微波器件管芯的一端与管壳输 入端子连接，微波器件管芯的另一端与管壳输出端子连接。
[0006] 进一步优选的技术方案在于：所述第一滤波电容容值为10pF，第二滤波电容容值 为 100pF。
[0007] 采用上述技术方案所产生的有益效果在于：在进行微波器件可靠性测试时，将所 述装置连接入微波器件，所述装置通过在微波器件的管壳内引入芯片电容，成功消除了微 波器件在可靠性试验中存在的自激现象，保证微波器件稳定工作，保证了可靠性试验结果 的准确性，该方法成本低，易实现，保证了相关科研生产顺利进行。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0009] 图1是本实用新型所述装置的结构示意图；
[0010] 其中：1、管壳2、第一滤波电容3、第二滤波电容4、管壳输入端子5、管壳输出端 子6、微波器件管芯。
【具体实施方式】
[0011] 下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的 实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0012] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新 型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实 用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
[0013] 如图1所示，本实用新型公开了一种微波器件可靠性测试装置，所述装置包括管 壳1、第一滤波电容2和第二滤波电容3。所述第一滤波电容2和第二滤波电容3位于所述 管壳1内，管壳1外设有管壳输入端子4和管壳输出端子5,所述第一滤波电容2和第二滤 波电容3的一端与所述管壳输入端子4连接，微波器件管芯6的一端与管壳输入端子4连 接，微波器件管芯6的另一端与管壳输出端子5连接，在进行下述所述的测试方法时，需要 将上述装置连接入需要测试的微波器件。
[0014] 本实用新型还公开了一种消除微波器件可靠性测试器件自激的方法，在本实施例 中，微波器件及试验描述：1)栅宽：1. 25mm ;2)试验名称：可靠性测试；3)试验条件：电压 28V，电流200mA，结温300度，壳温235度，应用于GaN HEMT可靠性测试中，包括如下步骤：
[0015] 1)选择微波器件的滤波电容，第一滤波电容容值为10pF，第二滤波电容容值为 IOOpF ；
[0016] 2)将上述两个滤波电容烧结在管壳内；
[0017] 3)将管芯烧结在管壳内；
[0018] 4)滤波电容键合在管壳输入端子上；
[0019] 5)管芯键合在管壳输入端子及管壳输出端子上；
[0020] 6)测试微波器件直流参数，通过观察测试曲线，证明微波器件工作稳定不自激，如 表1所示。
[0021] 7)开展加速功率老炼试验，电压28V，电流200mA，结温300度，壳温235度。通过 使用高频毫伏表测试，证明微波器件工作稳定不自激；
[0022] 8)试验结束，测试单片电路直流参数，微波器件工作稳定不自激，如表1所示。
[0023] 表1毫米波单片电路试验前后测试结果
[0024]
【权利要求】
1. 一种微波器件可靠性测试装置，其特征在于：所述装置包括管壳（1)、第一滤波电容 (2)和第二滤波电容（3)，所述第一滤波电容（2)和第二滤波电容（3)位于所述管壳（1)内， 管壳（1)外设有管壳输入端子（4)和管壳输出端子（5)，所述第一滤波电容（2)和第二滤波 电容（3)的一端与所述管壳输入端子（4)连接，微波器件管芯（6)的一端与管壳输入端子 (4)连接，微波器件管芯（6)的另一端与管壳输出端子（5)连接。
2. 根据权利要求1所述的微波器件可靠性测试装置，其特征在于：所述第一滤波电容 (2)容值为10pF，第二滤波电容（3)容值为lOOpF。
【文档编号】G01R31/00GK204142865SQ201420586805
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年10月11日 优先权日:2014年10月11日
【发明者】李亮, 默江辉, 崔玉兴, 付兴昌, 蔡树军, 杨克武 申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所