半导体装置的测定方法与流程

本申请享有以日本专利申请2015-164771号(申请日：2015年8月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式是关于一种半导体装置的测定方法。

背景技术：

有时在半导体装置中，使用接合线。

技术实现要素：

本发明的实施方式是提供一种可精度良好地自动测定引线高度的半导体装置的测定方法。

实施方式的半导体装置的测定方法是将基板的斜率修正，将配置在所述基板之上的半导体芯片的斜率修正，且在配置于所述基板之上的电极与配置在所述基板之上的半导体芯片上的电极垫之间的接合线的所述半导体芯片的边缘的正上方，设定第一局部坐标系，且沿着所述第一局部坐标系，多次地测定所述接合线的高度。

附图说明

图1是表示实施方式的测定装置的构成的示意性框图。

图2是表示实施方式的测定的整体流程的流程图。

图3是表示引线接合的坐标数据文件的一例的图。

图4是示意性表示创建测定程序的测定程序创建用电子数据表的构成的图。

图5是表示实施方式的测定方法的流程的流程图。

图6是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图7是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图8是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图9是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图10是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图11是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图12是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图13是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图14是说明实施方式的测定方法的剖视图。

图15是说明实施方式的测定方法的俯视图。

图16(A)是说明实施方式的测定方法的俯视图，(B)是说明实施方式的测定方法的示意性剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式进行说明。在以下的说明中，对于大致相同的功能及构成要素，标注相同符号。另外，各图中的尺寸或大小是参考。各图为便于观察，而将尺寸或长度等适当地变更或调整。

(实施方式说明)

图1是说明本实施方式的测定装置10的示意性框图。

测定装置10具有头部20、载置台50、控制器70、及显示部80。

头部20具有第一驱动部30、及摄像机40。第一驱动部30可使头部20在Z轴方向(上下方向)上移动。即，第一驱动部30可使头部20在载置台50的方向上移动，从而可使头部20与载置台50的距离靠近或远离。

摄像机40可拍摄例如载置台50上的半导体芯片100及基板110。摄像机40具有例如未图示的镜头。摄像机40是例如通过基于控制器70的输入，调整镜头的高度，而拍摄使焦点聚焦的图像。摄像机40将所拍摄的图像数据向控制器70输出。

载置台50具有第二驱动部60。载置台50可在其上部保持基板110及半导体芯片100。第二驱动部60使载置台50在XY方向上移动。而且，第二驱动部60也可以使载置台50在Z轴方向(上下方向)上移动。

控制器70对各部分进行控制。

控制器70例如可对第一驱动部30或第二驱动部60输出信号，使头部20或载置台 50移动。控制器70例如对摄像机40输出信号，使摄像机40的焦点聚焦。摄像机40将此时的镜头位置输出至控制器70。控制器70根据该镜头位置的信息，运算至被摄体为止的距离。控制器70可根据至各个2点为止的距离之差，测定2点间的高度。另外，控制器70也可以根据2点的焦点已聚焦的镜头位置，直接运算2点间的高度。

而且，控制器70也可以通过使头部20或载置台50移动，而使焦点聚焦。在此情形时，控制器70可根据该头部20或载置台50的移动距离运算高度。

控制器70例如自摄像机40接收图像数据，且将图像数据向显示部80输出。控制器70可对于自摄像机40接收的图像数据，进行图像处理。控制器70可将经该图像处理的图像数据向显示部80输出。控制器70例如可通过对所取得的整个画面的图像数据中由标尺(显示部80的画面上的测量标记)所指定的范围的图像数据施加处理，而测量所拍摄的图像数据中的特定的长度或位置。

显示部80具有未图示的画面。显示部80显示自控制器70输入的图像数据。显示部80是例如显示器、监控器。

半导体芯片100是配置在基板110上。半导体芯片100通过下述接合线而连接于基板110。接合线是例如金引线。基板110是环氧玻璃基板或引线框架等任意的基板。

在以下的说明中，以自半导体芯片100朝向基板110进行接合的所谓「正接合」为例进行说明。也可以是自基板110朝向半导体芯片100进行接合的所谓「逆接合」。

而且，在以下的说明中，对于在基板110上装载有2片半导体芯片100之例进行说明。也可以是将半导体芯片100阶梯状层压而成的多段芯片，且半导体芯片100的片数为任意数。

图2是表示测定的整体流程的流程图。

测定者准备将半导体芯片100与基板110之间接合时的坐标数据文件(步骤S100)。该坐标数据文件原本是用以指示接合于引线键合机时的坐标的文件，此处将其沿用。因不存在为测定接合线而重新创建的文件，所以，几乎不会成为测定者的负担。

图3是坐标数据文件之例。

图3的第一部分200记载有产品名称、封装名称、对准的点数、及接合线数等设定事项。图3的第二部分210记载有获得基板110对准时的坐标信息。例如，表示测定点为2处且对准坐标为(X、Y)＝(8000、8500)、(-8000、-8500)之例的情形。图3的第三部分220及第四部分230记载有半导体芯片100对准时的坐标信息。

图3的第五部分240记载有接合的坐标信息。即，例如第1个接合线是半导体芯片100侧的球形接合的坐标为(-3300、3200)，且基板110侧的针脚式接合坐标为(-4500、 4500)。

另外，此时的坐标值单位为微米。因存在测定装置10中指示的坐标的单位为毫米的情形，所以，图2的步骤S110的「接合坐标读出」中，如有需要，则将单位以微米→毫米进行转换。

回到图2，继续说明测定流程。

自坐标数据文件，将符合图3的第五部分240的引线接合坐标的数据读出(步骤S110)。测定者准备基板110的对准标记坐标的信息、半导体芯片的尺寸、半导体芯片的偏移量等设计数据(步骤S120)。

接着，以步骤S110中提取的引线接合坐标的数据、及步骤S120中所准备的基板110的对准标记坐标的信息、半导体芯片100的尺寸、半导体芯片100的偏移量等设计数据为基础，创建测定程序(步骤S130)。

测定程序通常大多是测定者逐一步骤地执行实际的测定过程进行演示，从而创建消耗时间。

为减少测定程序创建时间，例如，以如下方式进行。

测定者准备测定程序创建用电子数据表(附带宏)。对预先设定于测定程序创建用电子数据表(附带宏)中的接合坐标值的列表，输入自坐标数据文件中提取的引线接合坐标的数据。自设计数据中，将基板110的对准标记坐标的信息、半导体芯片100的尺寸、半导体芯片100的偏移量等设计数据输入到测定程序创建用电子数据表(附带宏)。此后，通过执行电子数据表内的宏，而自动地创建测定程序。

图4是表示测定程序创建用电子数据表(附带宏)的构成的图。

测定装置10中测定接合线时的过程固定而不取决于半导体装置的品种，且相应于因品种而变化的接合线位置，指示头部及载置台的移动位置及标尺的显示位置等的坐标值、测定参数等进行变化。若重写测定程序中写入各程序行的坐标值、测定参数等，则可设为其他品种的半导体装置用的测定程序。图4是表示相应于半导体装置的品种，重写电子数据表内各程序行所需的坐标值及测定参数等的过程。

图4的第一区域300是接合坐标值的列表。用户例如将接合坐标值输入到特定的区域。第二区域310是以测定程序的每1行为例进行表示。测定程序的每1行按照每一要素分为各个单元，且具有预先记入有测定命令等的单元、及参照第一区域300的单元。此处，第二区域310的参照第一区域300的单元也可以基于未图示的对准标记坐标的信息、半导体芯片100的尺寸、及半导体芯片100的偏移量等设计数据，将第一区域300的值转换后进行参照。

例如，引线键合机中指示的接合坐标值通常是半导体装置的中心成为原点。即，自引线键合机用的坐标数据文件中提取且写入至图4的第一区域300中的接合坐标值也是半导体装置的中心成为原点。

另一方面，测定装置10中指示的接合坐标值根据测定程序创建的情况，将对准标记(B)、半导体芯片100的转角等设为原点。即，在被写入到第一区域300的接合坐标值与被写入到第二区域310的接合坐标值之间必须进行坐标转换。若在第一区域300与第二区域310之间，置入坐标转换用的计算式，则可转换为将测定程序中所需的对准标记(B)及半导体芯片100的转角等设为原点的接合坐标值。

不仅接合坐标值，而且测定者所记入的测定参数等也可以实际上转换为测定程序行中所需的形式。

图4的第三区域320是通过将第二区域310的单元值结合为字符串而获得。图4的第三区域320是表示对应于一行的测定命令的例，但实际上仅与测定1条接合线所需的多个程序行×测定对象的接合线的条数对应地产生第三区域320的数据。

通过以文本文件集中地写出该第三区域320的数据，而创建测定程序。表示该情况的是第四区域330。

再次回到图2，继续说明测定的流程。

通过至步骤S130为止所创建的测定程序，测定装置10测量接合线的各种数据(步骤S140)。测定装置10将测定数据输出(步骤S150)。

使用图5，对于图2的步骤S140，说明详情。

图5是说明测定装置10的具体测定过程的流程图。另外，该测定过程是基于所述测定程序，自动地进行处理。而且，测定过程是除了产生错误时等的应对以外，自动地进行处理。

在步骤S200中，测定基板110的对准标记，将斜率修正。使用图6，说明具体的处理。

如图6(A)所示，在基板110上配置半导体芯片100a及100b。半导体芯片100a是例如存储控制器，半导体芯片100b是例如NAND存储器。半导体芯片100a是经由接合线150而与基板110电性连接。

在基板110上，配置对准标记400a及400b。对准标记400的一例是示于图6(B)及图6(C)中。图6(B)是圆环形状之例，图6(C)是圆状之例。对准标记400是摄像机自上方进行拍摄，且如图6(B)及图6(C)所示看得见交界即可。对准标记400例如既可以是形成在基板110上的导电层等，也可以是将基板110贯通的孔。而且，即便不存在作为对准 标记400专用地配置的标记，也可以使用基板110上的任意的图案进行对准。

另外，对准标记400也可以不是图6(B)及图6(C)所示的圆环、圆，而是十字、L字等形状。但，测定十字、L字等对准标记的中心，则需要多个程序行。若为圆环状、圆状，则可使用下述圆标尺410，以数行的程序进行测定。除了附近具有近似于对准标记的图案，存在担心测定失误的情形以外，对准标记较理想的是圆环状、圆状。

此处，所谓圆标尺410是用以在图像上指示对于检测存在于图像中的圆形的被拍摄对象的边缘且使用最小平方法等推定该边缘的近似圆的中心坐标的程序模块的测定对称位置的圆形光标图像。

首先，使用图6(D)所示的圆标尺410，测定对准标记400a及400b的位置。控制器70可通过将图6(D)所示的圆标尺410与自摄像机40输入的图像数据进行图像处理，而测定例如对准标记的直径与中心位置。

具体而言，如图6(E)所示，将圆标尺410与对准标记400重叠地配置。控制器70是自圆标尺410中心放射状地测量圆标尺410内的图像的明暗度。通过测量图像的明暗度，而检测对准标记400的边缘。控制器70根据所检测的多个边缘的位置，通过计算求出对准标记400的直径与中心位置。另外，在对准标记400并非为完整的圆时，控制器70通过计算求出对准标记400的邻近圆的直径与中心位置。

控制器70是对于基板110，设定将计算所得的对准标记400a及400b的中心位置连结而成的直线设为X轴的局部坐标系500。

在图6中，例如表示在对准标记400a上配置有局部坐标系500之例。在图6中，对准标记400a与400b是与基板110的横方向平行地配置，因此，此处设定的局部坐标系500的X轴也和基板110的横方向成为平行。此后的测定程序是对于局部坐标系500，指定动作位置，所以，基板110即便相对于测定装置10的载置台倾斜地设置，也可以在预期的位置进行动作。

图7是说明其他的对准标记400的配置之例的图。对准标记400a及400c是相对于基板110倾斜地配置。

在将对准标记400a与400c连结而成的直线以和基板110的横方向所成的角度顺时针方向旋转所得的方向上，设定局部坐标系500的X轴。

另外，和基板110的横方向所成的角度中，使用根据对准标记400a与400c的设计值计算所得的值。如此一来，即便对准标记400a及400c相对基板110倾斜地配置，也可以修正基板110相对载置台的设置斜率。

接着，在图5的步骤S210中，将半导体芯片100a对于基板110的装载位置、及斜 率修正。对具体的处理内容进行说明。

控制器70是载置台及头部朝向可拍摄包含有半导体芯片的的图像的位置移动。移动目的地是作为对于图6或图7中所设定的局部坐标系500的坐标值，以测定程序行指示。

测定程序行中记载的移动目的地的坐标值是在测定程序创建用电子数据表(附带宏)中，根据半导体芯片100a的芯片尺寸、及与基板偏移的偏移量等信息进行计算。根据由摄像机40拍摄的图像数据，运算或测定半导体芯片的边缘。

控制器70是在例如半导体芯片100a为大致长方形形状的情形时，在各边中各2处进行测定。即，控制器70是例如在8处测定边缘位置。可通过在各边中各2处进行测定，而运算半导体芯片100a的各边的边缘位置。进而，控制器70设定对于半导体芯片100a的局部假设坐标系510。

另外，相对于局部坐标系500而言半导体芯片100a的边缘测定位置包含于预先测定程序创建时(图2的步骤S130)。

利用图8，说明更具体的处理内容。图8是图6中的区域A1的放大图，且是说明各1处地检测相对于半导体芯片100a的2个边的边缘位置的情况的图。

另外，于图8中，在半导体芯片100a上，配置金属垫605。在金属垫605上，配置金属球600。金属球600是接合线150(未图示)的一部分。而且，接合线的引线部分在图8～图13的附图中将图示省略。

控制器70是使用摄像机40，拍摄图8那样的包含半导体芯片100a的边缘(端部)的图像。控制器70是根据摄像机40所拍摄的图像数据，利用长方形标尺420a及420b，运算或测定半导体芯片100a的边缘位置。此处，所谓长方形标尺420是用以在图像上指示对于检测存在于图像中的被拍摄对象的直线状边缘且视需要可测定例如2点间的长度的程序模块的测定对称位置的长方形光标图像。

控制器70是与所述圆标尺410同样地，利用长方形标尺420a，如下所述地检测边缘。即，控制器70是自长方形标尺420的任意一边朝向另一边测量长方形标尺420内的图像的明暗度。控制器70是通过测量图像的明暗度而检测半导体芯片100a的边缘。

进而，根据所测定的半导体芯片100a的边缘的信息，对于半导体芯片100a，设定将半导体芯片100a的转角设为原点的局部假设坐标系510。半导体芯片100a的边缘存在因切割时的切割线偏移等而相对于半导体芯片100a内的电极垫等出现偏差的情形。即，局部假设坐标系510并非相对于半导体芯片100a内的电极垫等，一定正确地设定。所以，为精度良好地设定局部假设坐标系510，而进行以下的测定。

图9是说明将局部假设坐标系510重新设定在精度更佳的第一局部坐标系520的情况的图。

如图9所示，控制器70是在对局部假设坐标系510所指定的范围内，检索标尺430通过匹配检索被预先存储的图像数据。此处，所谓检索标尺430是用以检索对于检测存在于图像中的被拍摄对象的边缘且使用最小平方法等搜索预先保存的检索对象图像(包括已加工将检索对象图像2值化所得的图像等检索对象图像的数据)或推定近似直线的交点的程序模块的检索对称位置的光标图像。图9中，作为一例，表示有检索标尺430检索金属垫605的角部的状态。将检索标尺430所检索的以金属垫605的角部到半导体芯片100a的转角为止的距离偏离的位置设为原点，再次设定局部假设坐标系510作为第一局部坐标系520。

另外，将半导体芯片100a的转角设为第一局部坐标系520的原点的目的在于，在测定程序创建用电子数据表(附带宏)中，容易计算各金属球600的坐标值。

即，通过对于形成在半导体芯片100a上的图案，设定第一局部坐标系520，而无论切割时是否产生偏差、或半导体芯片100a对于基板110是否倾斜等，均可设定对于配置在半导体芯片100a的金属垫等精度较佳的第一局部坐标系520。

然而，因在半导体芯片100a，多个接近地配置有金属垫605，所以，在摄像机40进行拍摄的范围内，存在有多个金属垫605时，担心误检索到与预期的金属垫605不同的金属垫605。在此情形时，也可以预先存储附近无类似图案的配线图案作为检索对象。在此情形时，因无法正确地获知从所存储的配线图案到半导体芯片100a的转角为止的距离，所以，第一局部坐标系520的原点也不会准确地到达半导体芯片100a的转角。

当对于以此方式设定的第一局部坐标系520，指示测定金属球600的圆标尺410的测定位置时，产生金属球600与圆标尺410的位置偏移，但通过实物调整，将圆标尺410的位置微调后，将测定程序重新保存则可避免所述位置偏移。

然而，当对于第一局部坐标系520指定所有的金属球时，必须所有的圆标尺中进行位置的微调，所以，在图5的步骤S220中，设定对于第1个金属球600的第二局部坐标系530。

图10是说明第二局部坐标系530的设定的图。

若对于金属球600显示圆标尺410之前，部分地执行测定程序，则如图10所示，控制器70基于第一局部坐标系520，显示圆标尺440。

虽存在金属球600与圆标尺410出现位置偏移的情形，但因第一局部坐标系是对于半导体芯片100a上的电路图案所设定，所以，即便存在切割线偏移等，位置偏移方向 及位置偏移量也一直成为相同等级。若将圆标尺440相对于第一局部坐标系的显示位置进行微调，在金属球600上，以出现圆标尺440的方式修正测定程序，则此后，无论是否产生切割线偏移等，均可一直在正确的位置显示圆标尺440。

如果圆标尺440相对于所有的金属球600的显示位置未被指定在第一局部坐标系520，则必须对于所有的金属球600，将圆标尺440的显示位置进行微调，所以微调作业变得庞大。

半导体芯片100a上的金属垫彼此的位置关系是由芯片设计所决定，且与接合的位置或芯片的位置相比，几乎不存在偏差，所以，若在第1个金属球的中心设定第二局部坐标系530，且以与第1个金属球的距离指示圆标尺对于第2个以后的金属球的显示位置，则无需进行圆标尺对于第2个以后的金属球的位置调整。测定程序的调整作业大幅地减轻。

图10中说明的第二局部坐标系530的设定较理想为对于半导体芯片100a的各边进行。即，金属球600与第一局部坐标系520朝向与每一边不同的方向产生偏移的可能性较小，但当在第一芯片边上的第1个金属球上设定第二局部坐标系530时，第二～第四芯片边上的金属球的坐标值在每一金属球中，X坐标值、Y坐标值这两个值产生变化。若在各芯片边上的第1个金属球上，分别设定第二局部坐标系，则X坐标值及Y坐标值中的任一个值一直为零，因此，变得容易指定坐标值。因与第二局部坐标系相距的距离相对较近，故也不容易产生圆标尺显示的误差。

因此，较理想为在每一边上对于金属球600设定第二局部坐标系530。

而且，该第二局部坐标系530的设定是通过测定程序，基于各芯片边的第1个金属球的测定结果(金属球位置)，自动地设定。

在显示测定各芯片边的第1个金属球的圆标尺之前，部分地执行测定程序后，在金属球上将圆标尺的位置进行微调，且在微调后，重新保存测定程序。该作业在进入实测之前，可仅进行1次，即便多次进行半导体装置(相同品种)的接合线测定，圆标尺仍可正确地在金属球上显示。

接着，在图5的步骤S230中，设定球体压扁直径、引线环高度测定的基准点。

如图11所示，对于未配置金属球600的金属垫605上的点测定高度，且设定为基准点。图11是作为具体例，在光标460的点上使用激光使焦点聚焦，测定该高度。

而且，如图12所示，存在金属球600与金属垫605大体上重叠的情形。在此情形时，在金属垫605的周边，测定半导体芯片100a的表面上的高度。半导体芯片100a的表面是由保护电路图案的聚酰亚胺膜(未图示)所覆盖。而且，聚酰亚胺膜为半透明。此 处，存在测定值在实验中获得比实际高度高出半透明膜的厚度的大体上1/2左右的值的情形。即，如果将测定所得的高度值减去半透明膜的厚度的1/2的高度，则可获得大体上正确的高度。

此处，获得测定值为高出聚酰亚胺膜的厚度的大体上1/2左右的值的原因例如为如下所述。

当使用激光使焦点聚焦时，可考虑激光在聚酰亚胺膜的表面被反射的情形、在聚酰亚胺膜的中途被反射的情形、及在聚酰亚胺膜的下层的电路图案的上表面被反射的情形。此处，电路图案的上表面位于与金属垫605的表面大致相同的高度。而且，可设想所述3个情形以大致相同的概率发生。所以，测定值若加以平均则呈现比实际的金属垫605高出聚酰亚胺膜的厚度的1/2左右的值。

另外，此处，设想聚酰亚胺膜比电路图案厚数倍而达到数um，从而可忽视电路图案自身的厚度的情形。3维存储器等电路图案较厚的情形时等，测定值并非必然厚达聚酰亚胺膜的1/2左右。

接着，在图5的步骤S240中，对金属球600，测定球体压扁直径、球形位置。

使用图13及图14，对球体压扁直径、球形位置的测定方法进行说明。图14是被测定对象的金属球600的示意性剖视图。首先，如图14所示，将金属球600的Z方向的长度即h1称作金属球600的压扁厚度h1。将球体压扁厚度上的1/2的长度即h2称作金属球600的球体压扁直径测定高度h2。而且，将球体压扁直径高度h2上的金属球600的直径称作球体压扁直径w1。

球体压扁厚度h1既可利用激光实测，也可以预先在测定程序内作为特定值而设定。而且，根据球体压扁厚度h1运算球体压扁直径测定高度h2。

如图13所示，在使摄像机40的焦点在球体压扁直径高度h2聚焦之后，使用圆标尺470，测定球体压扁直径w1的长度。

而且，图13中一边测定球体压扁直径w1，一边测定金属球600的位置。

接着，在图5的步骤S250中，对于接合线150的引线部分610，设定第三局部坐标系540。

图15(A)及图15(B)分别为图6的区域A2及A3的放大图。即，图15(A)及图15(B)分别为相对于引线部分610而言金属球600及接合位置630的附近的放大图。另外，接合位置630是例如引线部分610针脚式接合于基板110上的电极620的接合位置。接合位置630例如可通过使用自引线接合的坐标数据文件中所提取的值、或使用该值计算所得的值而求出。

接着，沿着将连接于被测定对象的引线部分610的金属球600及接合位置630连结而成的直线，设定第三局部坐标系540。第三局部坐标系540是配置在半导体芯片100a的边缘与引线部分610重叠的位置。

接着，在图5的步骤S260中，对于引线部分610，沿着第三局部坐标系540，测定引线部分610的高度。

如图16(A)所示，在第三局部坐标系540的原点，控制器70使用高度测定标尺480a，测定接合线高度。此处，所谓测定标尺480a是用以搜寻对于检测存在于图像中的被测定对象的边缘且使用最小平方法等对于预先保存的测定对象图像(此处为具有2条大致并排直线的测定对象)测定聚焦高度的程序模块的测定对称图像的光标图像。即，控制器70测定半导体芯片100a的边缘部中的引线部分610的高度。另外，将该引线部分610的高度与环边缘高度一同地读取。

如图16(A)所示，控制器70是沿着第三局部坐标系540，以设想接合线取最高值的点为中心，在金属球方向、接合位置630方向上，逐一多处地进行测定，且将其中的最大值设为环高度。

在图16中，作为一例，表示有以4点测定接合线的高度之例。当然，也可以多于或少于4点地测定接合线的高度。

另外，接合线取最高值的点可根据正接合/逆接合、引线键合机的接合环模式等大体上进行推定。

控制器70是例如以下所述地测定被对象物、即引线部分610的高度。即，控制器70使摄像机40的镜头上下地移动，在高度标尺480a～480d的内部使焦点聚焦于被对象物、即引线部分610。控制器70计算图11等中所求得的金属垫的高度与以高度标尺所求得的接合线高度之差。

此处，在测定引线部分610的高度时，较理想为摄像机40所拍摄的接合线上端的图像数据的反差较大。即，若反差较小，则摄像机40难以在接合线上端使焦点聚焦，从而可能成为引线部分610的高度测定的误差原因。

其次说明可将该反差更强化的构成。图16(B)是示意性表示头部20的摄像机40的一部分的剖视图。在摄像机40中所含的镜头720的周围配置环形灯700。

接着，在测定引线部分610的高度时，环形灯700仅其一部分点亮。例如，环形灯700是环状的光源，且其一半点亮。那么，光将自单向触及引线部分610，故引线部分610的明暗度被强化。即，控制器70可容易地使摄像机40的焦点聚焦于引线部分610。

而且，有时因引线部分610的朝向或材质，相较环形灯700配置在镜头720的更上 方的灯泡照明710将引线部分610的明暗度强化。在此情形时，也可以不使用环形灯700而使用灯泡照明710，照明接合线。

在引线部分610的粗度充分的时候，也可以使用激光位移计(激光测距计)等，直接地测定引线部分610的高度。

接着，按照图5的步骤S260，控制器70将以上的测定数据输出至文本文件等。

进而，按照图5的流程，将测定所需的引线部分610的条数，进行步骤S230～步骤S270的处理，由此，测定所需的引线部分610的高度，且将测定结果输出。

另外，以对于1个半导体芯片100a的测定过程为例进行了说明，但半导体芯片100a也可以多段层压。即，当在基板110上，配置有多个半导体芯片100的情形时，可通过对各个半导体芯片100，反复进行所述过程，而测定多个半导体芯片100的引线部分610的高度。

根据本实施方式，基于金属球600与接合位置630，在所述引线部分610设定第三局部坐标系540。接着，基于第三局部坐标系540，测定引线部分610的高度。

引线部分610存在以各种斜率配置的情形。第三局部坐标系540是基于金属球600及接合位置630而配置，所以，可容易地配置图16所示的高度测定标尺480。

而且，根据本实施方式，可通过使用测定程序创建宏，而简单地创建需要消耗大量工时进行创建的测定程序。进而，可通过将该测定程序读入至测定装置10，而自动地测定引线部分610的高度。

即，将测定装置10设置在基板110后，对于大量的样品，几乎无需花费人工，便可自动地进行测定。进而，可通过实现测定作业省力化，且增加测定样品数増，而更有效地进行不良品的检测。

对本发明的实施方式进行了说明，但本实施方式是作为例示而提示，并非意在限定发明的范围。该新颖的实施方式可利用其它各种方式而实施，且可在不脱离发明精神的范围内，进行各种省略、置换、变更。本实施方式或其变化包含于发明的范围或主旨中，并且包含于专利申请的范围中记载的发明及其均等的范围中。

[符号的说明]

10 测定装置

20 头部

30 第一驱动部

40 摄像机

50 载置台

60 第二驱动部

70 控制器

80 显示部

100 半导体芯片

110 基板

120 步骤

150 接合线

400 对准标记

410 圆标尺

420 长方形标尺

430 检索标尺

440 圆标尺

460 光标

470 圆标尺

480 测定标尺

500 局部坐标系

510 局部假设坐标系

520 第一局部坐标系

530 第二局部坐标系

540 第二局部坐标系

600 金属球

605 金属垫

610 引线部分

620 电极

630 接合位置

700 环形灯

710 灯泡照明

720 镜头