1.一种半导体装置的测定方法，其特征在于：
将基板的斜率修正，
将配置在所述基板之上的半导体芯片的斜率修正，
在配置于所述基板之上的电极与配置在所述基板之上的半导体芯片上的电极垫之间的接合线的所述半导体芯片的边缘的正上方，设定第一局部坐标系，
沿着所述第一局部坐标系，多次地测定所述接合线的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的测定方法，其特征在于：
进而测定自上方观察与所述半导体芯片的边缘重叠的所述接合线的高度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的测定方法，其特征在于：
进行所述接合线所连接的球体的压扁直径、及所述球体的位置，且
所述球体的压扁直径通过测定特定高度处的直径而进行。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的测定方法，其特征在于：
在配置在所述半导体芯片的上部的半透明膜的上表面测定高度后，通过减少所述半透明膜的大致一半的膜厚，而运算测定所述接合线的高度时的基准点。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的测定方法，其特征在于：
根据所述多次测定所得的所述接合线的高度，运算所述接合线的最高的高度。