非接触式半导体晶片测厚装置的制作方法

文档序号:11651344阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供了一种非接触式半导体晶片测厚装置。包括:试件托盘、托盘平移丝杠、底座、试件旋转电机和激光位移传感器;底座固定在测量台面上,托盘平移丝杠布置在底座上,被测晶片或陶瓷盘放置在试件托盘上,试件托盘与托盘平移丝杠、试件旋转电机连接,托盘平移丝杠带动试件托盘平行移动,试件旋转电机带动试件托盘旋转;激光位移传感器设置在试件托盘的上方,激光位移传感器测量被测晶片或陶瓷盘上的晶片至测量基准面之间的距离。本发明实施例的装置可以自动精确测量单片晶片以及粘附在陶瓷盘上多片晶片的厚度,解决当前半导体晶片测量效率低且易损伤晶片表面的问题,整个测量过程能够实现全自动化。

技术研发人员:聂蒙;曹建国;朱朋哲;李建勇;樊文刚;刘月明
受保护的技术使用者:北京交通大学
技术研发日:2017.02.23
技术公布日:2017.07.28
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