专利名称：可变电压产生电路的制作方法
技术领域：
本发明系有关于一种可变电压产生电路，尤指一种可根据至少一可变电阻，产生至少一可变电压的可变电压产生电路。
背景技术：
请参照图1，图1是先前技术说明可变电压产生电路100的示意图。可变电压产生电路100包括一放大器102、一 P型金属氧化物半导体晶体管104、一上电阻RU、一下电阻RD、一电阻RO及一可变电阻106，其中可变电阻106包括多个串联电阻Rl-foi以及多个并联开关Sl-Sn，且每一电阻和一开关并联。如图1所示，当多个并联开关Sl-Sn皆关闭时，可变电压VINTREF可由式(1)决定。VINTREF = IREF* ((R1+R2+... +Rn) +RU+RD)IREF = VREF/RD (1)当开关Sl开启，S2_Sn皆关闭时，因为参考电流IREF流经开关Sl取代流经电阻 Rl，因此可变电压VINTREF可由式O)决定。VINTREF = IREF* ((R2+—+Rn)+RU+RD) (2)因此，使用者可藉由控制多个并联开关Sl-Sn的开启与关闭，以调整可变电压 VINTREF。然而，每一电阻和一开关并联，且开关的内电阻随着半导体的制程、所受电压及温度而变化。所以，当与开关并联的电阻的阻值越小时，产生的可变电压VINTREF越不准确。
发明内容
本发明的一实施例提供一种可变电压产生电路。该可变电压产生电路包括一放大器、一P型金属氧化物半导体晶体管、一第一可变电阻及一下电阻。该放大器具有一第一输入端，用以接收一第一电压，一第二输入端，用以接收一参考电压，一第三输入端，及一输出端。该P型金属氧化物半导体晶体管具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该放大器的输出端，及一第三端。该第一可变电阻具有一第一端，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，用以输出一第一可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，其中该第一可变电阻包括M个电阻及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该M个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι电阻的第二端，其中一第M电阻的第二端，耦接于该第一可变电阻的第二端，2彡M，1 < i彡M，i、M为自然数。该下电阻具有一第一端，耦接于该放大器的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端， 用以输出一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以输出一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括:M个电阻；及M个开关，其中该M个开关的一第i开关， 具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该M个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι电阻的第二端；其中一第M电阻的第二端，耦接于该第二可变电阻的第二端，2彡M，1 < i彡M，且i、M 为自然数。该第一可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第一可变电阻的第二端之间。该M个电阻的阻值是相同、部分相同或不同。本发明的另一实施例提供一种可变电压产生电路。该可变电压产生电路包括一放大器、一P型金属氧化物半导体晶体管、一第一可变电阻及一下电阻。该放大器具有一第一输入端，用以接收一第一电压，一第二输入端，用以接收一参考电压，一第三输入端，及一输出端；该P型金属氧化物半导体晶体管具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该放大器的输出端，及一第三端；该第一可变电阻具有一第一端，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，用以输出一第一可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，其中该第一可变电阻包括M-I个电阻及M个开关，其中该M个开关的一第i开关具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，及一第二端；其中该M-I个电阻的一第i 电阻具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι开关的第二端，其中一第一电阻的第一端耦接该第一可变电阻的第一端，一第M开关的第一端耦接该第一可变电阻的第二端，其中2彡M，1彡i彡M-I, i、M为自然数。该下电阻，具有一第一端，耦接于该放大器的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端， 用以输出一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以输出一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括:M-1个电阻；及M个开关，其中该M个开关的一第i开关， 具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第二端，及一第二端；及其中该M-I个电阻的一第 i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι开关的第二端；其中一第i电阻的第一端耦接该第二可变电阻的第一端，一第M开关的第一端耦接该第二可变电阻的第二端，2彡M，1彡i彡M-1，且i、M为自然数。进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端， 用以提供一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以提供一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括N个电阻；及N个开关，其中该N个开关的一第j开关， 具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该N个电阻的一第j 电阻，具有一第一端，耦接于该第j开关的第二端，及一第二端，耦接于一第j+Ι电阻的第一端；其中一第N电阻的第二端，耦接于该第二可变电阻的第二端，2彡N，1 < j彡N，且j、N 为自然数。进一步包括至少一第一下电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，及一第二端，耦接于该下电阻的第一端。进一步包括至少一第一下电阻，具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第二端，及一第二端，耦接于该下电阻的第一端。进一步包括至少一上电阻，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端及该第一可变电阻的第一端之间。进一步包括至少一第一上电阻，耦接于该上电阻及该第一可变电阻的第一端之间。该第二可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第二可变电阻的第二端之间。该第二可变电阻另包括一电阻，耦接于一第N电阻的第二端与该第二可变电阻的第二端之间。该第一可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第一可变电阻的第二端之间。该M个电阻的阻值是相同、部分相同或不同。本发明提供的一种可变电压产生电路，系利用至少一可变电阻中的至少二串联开关以选择至少一可变电阻的阻值，产生至少一可变电压。因此，可改善先前技术中每一电阻和一开关并联，而造成该至少一可变电压随着半导体的制程、所受电压及温度而变化的缺点，可减少开关的内电阻的影响，以及可同时产生至少一可变电压。
图1是先前技术说明可变电压产生电路的示意图。
图2是本发明的一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图3是本发明的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图4是本发明的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图5是本发明的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图6是本发明的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图7是本发明的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图8是本发明的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图9是本发明的另一-实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图10是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图11是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图12是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图13是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图14是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图15是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图16是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图17是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图18是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图19是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图20是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图21是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图22是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
图23是本发明的另-一实施例说明可变电压产生电路的示意图。
附图标记说明
100、200、300、400、500、可变电压产生电路
600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2000、2100、2200、2300102、202、602 放大器104、204、604 P型金属氧化物半导体晶体管106、206、606、608、1406、1606、1608 可变电阻R、R0、Rl-Rn、RVl、RV2 电阻Sl-Sn 开关R1UR21 第一电阻R12、R22 第二电阻R13、R23 第三电阻R14、R24 第四电阻S1US21 第一开关S12、S22 第二开关S13、S23 第三开关S14、S24 第四开关VINTREF 可变电压VINTREF1第一可变电压VINTREF2第二可变电压VINTREF3第三可变电压IREF参考电流VDD 第一电压VREF参考电压RU 上电阻RD 下电阻RFU 第一上电阻RFD、RFD1、RFD2 第一下电阻
具体实施例方式请参照图2，图2是本发明的一实施例说明可变电压产生电路200的示意图。可变电压产生电路200包括一放大器202、一 P型金属氧化物半导体晶体管204、一上电阻RU、 一下电阻RD及一可变电阻206。放大器202具有一第一输入端，用以接收一第一电压VDD， 一第二输入端，用以接收一参考电压VREF，一第三输入端，及一输出端。P型金属氧化物半导体晶体管204具有一第一端，用以接收第一电压VDD，一第二端，耦接于放大器202的输出端，及一第三端。上电阻RU具有一第一端，耦接于P型金属氧化物半导体晶体管204的第三端，及一第二端，用以输出一可变电压VINTREF，其中上电阻RU的阻值可为零。下电阻 RD具有一第一端，耦接于放大器202的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。可变电阻 206具有一第一端，耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，耦接于放大器202的第三输入端。另外，可变电阻206包括第一开关S11、第二开关S12、第三开关S13、第四开关S14和第一电阻R11、第二电阻R12、第三电阻R13、第四电阻R14，而每一开关的第一端皆耦接于可变电阻206的第一端，且第一电阻R11、第二电阻R12、第三电阻R13、第四电阻R14的阻值是相同、部分相同或是不同。第一开关Sll的第二端系耦接于第一电阻Rll的第一端，第二开关S12的第二端系耦接于第二电阻R12的第一端，第三开关S13的第二端系耦接于第三电阻R13的第一端，及第四开关S14的第二端系耦接于第四电阻R14的第一端。另外，第一电阻Rll的第二端系耦接于第二电阻R12的第一端，第二电阻R12的第二端系耦接于第三电阻R13的第一端，第三电阻R13的第二端系耦接于第四电阻R14的第一端，及第四电阻R14 的第二端系耦接于放大器202的第三输入端。但本发明的可变电阻206并不受限于4个开关和4个电阻，只要可变电阻206的开关和电阻的数目大于或等于2，皆属于本发明的范畴。参考电流IREF系由式(3)决定。IREF = VREF/RD(3)因此，当第一开关Sll开启，第二开关S12、第三开关S13及第四开关S14关闭时， 可变电压VINTREF系由式(4)决定。VINTREF = IREF*(RD+R11+R12+R13+R14) (4)当第二开关S12开启，第三开关S13及第四开关S14关闭时，可变电压VINTREF系由式(5)决定。VINTREF = IREF* (RD+R12+R13+R14)(5)当第三开关S13开启，第四开关S14关闭时，可变电压VINTREF系由式(6)决定。VINTREF = IREF* (RD+R13+R14)(6)当第四开关S14开启时，可变电压VINTREF系由式(7)决定。VINTREF = IREF* (RD+R14)(7)请参照图3，图3是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路300的示意图。可变电压产生电路300和可变电压产生电路200的差别在于可变电压产生电路300另包括一第一上电阻RFU，具有一第一端耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻 206的第一端。因此，当第一开关Sll开启，第二开关S12、第三开关S13及第四开关S14关闭时，可变电压VINTREF系由式(8)决定。VINTREF = IREF*(RD+RFU+R11+R12+R13+R14) (8)另外，可变电压产生电路300的其余操作原理皆和可变电压产生电路200相同，在此不再赘述。请参照图4，图4是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路400的示意图。可变电压产生电路400和可变电压产生电路300的差别在于可变电压产生电路400中的可变电阻206另包括一电阻R，具有一第一端耦接于第四电阻R14的第二端，及一第二端，耦接于放大器202的第三输入端。因此，当第一开关Sll开启，第二开关S12、第三开关S13及第四开关S14关闭时，可变电压VINTREF系由式(9)决定。VINTREF = IREF*(RD+RFU+R+R11+R12+R13+R14) (9)另外，可变电压产生电路400的其余操作原理皆和可变电压产生电路300相同，在此不再赘述。请参照图5，图5是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路500的示意图。可变电压产生电路500和可变电压产生电路200的差别在于可变电压产生电路500中的可变电阻206另包括一电阻R，具有一第一端耦接于第四电阻R14的第二端，及一第二端，耦接于放大器202的第三输入端。因此，当第一开关Sll开启，第二开关S12、第三开关S13及第四开关S14关闭时，可变电压VINTREF系由式(10)决定。VINTREF = IREF*(RD+R+R11+R12+R13+R14) (10)另外，可变电压产生电路500的其余操作原理皆和可变电压产生电路200相同，在此不再赘述。请参照图6，图6是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路600的示意图。可变电压产生电路600包括一放大器602、一 P型金属氧化物半导体晶体管604、一上电阻RU、 一下电阻RD及二可变电阻606、608。放大器602具有一第一输入端，用以接收一第一电压 VDD, 一第二输入端，用以接收一参考电压VREF，一第三输入端，及一输出端。P型金属氧化物半导体晶体管604具有一第一端，用以接收第一电压VDD，一第二端，耦接于放大器602的输出端，及一第三端。上电阻RU具有一第一端，耦接于P型金属氧化物半导体晶体管604的第三端，及一第二端，用以输出一第一可变电压VINTREF1，其中上电阻RU的阻值可为零。下电阻RD具有一第一端，耦接于放大器602的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。可变电阻606具有一第一端，耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，用以输出一第二可变电压 VINTREF2。可变电阻608具有一第一端，耦接于可变电阻606的第二端，及一第二端耦接于放大器602的第三输入端，用以输出一第三可变电压VINTREF3。另外，可变电阻606包括第一开关S11、第二开关S12、第三开关S13、第四开关S14和第一电阻R11、第二电阻R12、第三电阻R13、第四电阻R14。可变电阻606和可变电阻206相同，在此不再赘述。另外，可变电阻608包括第一开关S21、第二开关S22、第三开关S23、第四开关SM和第一电阻R21、第二电阻R22、第三电阻R23、第四电阻R24，其中第一电阻R21、第二电阻R22、第三电阻R23、第四电阻R24的阻值是相同或是不同。而可变电阻608的第一开关S21、第二开关S22、第三开关S23、第四开关SM和第一电阻R21、第二电阻R22、第三电阻R23、第四电阻RM之间的耦接关系和可变电阻606的4个开关S11-S14和4个电阻R11-R14之间的耦接关系相同， 在此不再赘述。但本发明的可变电阻606、608并不受限于4个开关和4个电阻，只要可变电阻606、608的开关和电阻的数目大于或等于2，皆落入本发明的范畴。可变电压产生电路600的参考电流IREF系由式(3)决定。当可变电阻606的第一开关Sll开启，第二开关S12、第三开关S13及第四开关S14关闭和可变电阻608的第一开关S21开启，第二开关S22、第三开关S23及第四开关SM关闭时，第一可变电压VINTREF1、 第二可变电压VINTREF2和第三可变电压VINTREF3，系分别由式(11)、式(1 和式(13)决定。VINTREF1 = IREF*(RD+R11+R12+R13+R14+R21+R22+R23+R24) (11)VINTREF2 = IREF*(RD+R21+R22+R23+R24) (12)VINTREF3 = IREF*(RD) (13)可变电压产生电路600的其余可变电压的操作原理皆和可变电阻606的第一开关 Sll开启，第二开关S12、第三开关S13及第四开关S14关闭和可变电阻608的第一开关S21 开启，第二开关S22、第三开关S23及第四开关SM关闭时，第一可变电压VINTREF1、第二可
10变电压VINTREF2和第三可变电压VINTREF3产生的原理相同，在此不再赘述。请参照图7，图7是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路700的示意图。可变电压产生电路700和可变电压产生电路600的差别在于可变电压产生电路700另包括一第一上电阻RFU，具有一第一端耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻 606的第一端。另外，可变电压产生电路700的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同，在此不再赘述。请参照图8，图8是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路800的示意图。可变电压产生电路800和可变电压产生电路600的差别在于可变电压产生电路800中的可变电阻606另包括一电阻RV1，具有一第一端耦接于可变电阻606的第四电阻R14的第二端， 及一第二端，耦接于可变电阻608的第一端。另外，可变电压产生电路800的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同，在此不再赘述。请参照图9，图9是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路900的示意图。可变电压产生电路900和可变电压产生电路600的差别在于可变电压产生电路900中的可变电阻608另包括一电阻RV2，具有一第一端耦接于可变电阻608的第四电阻R24的第二端， 及一第二端，耦接于放大器602的第三输入端。另外，可变电压产生电路900的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同，在此不再赘述。请参照图10，图10是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1000的示意图。 可变电压产生电路1000和可变电压产生电路600的差别在于可变电压产生电路1000另包括一第一上电阻RFU，具有一第一端耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻606的第一端，以及可变电压产生电路1000中的可变电阻606另包括一电阻RV1，具有一第一端耦接于可变电阻606的第四电阻R14的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻608的第一端。另外，可变电压产生电路1000的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同， 在此不再赘述。请参照图11，图11是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1100的示意图。 可变电压产生电路1100和可变电压产生电路600的差别在于可变电压产生电路1100另包括一第一上电阻RFU，具有一第一端耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻606的第一端，以及可变电压产生电路1000中的可变电阻608另包括一电阻RV2，具有一第一端耦接于可变电阻608的第四电阻RM的第二端，及一第二端，耦接于放大器602的第三输入端。另外，可变电压产生电路1100的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同，在此不再赘述。请参照图12，图12是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1200的示意图。 可变电压产生电路1200和可变电压产生电路600的差别在于可变电压产生电路1200中的可变电阻606另包括一电阻RVl，具有一第一端耦接于可变电阻606的第四电阻R14的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻608的第一端，以及可变电压产生电路1200中的可变电阻 608另包括一电阻RV2，具有一第一端耦接于可变电阻608的第四电阻R24的第二端，及一第二端，耦接于放大器602的第三输入端。另外，可变电压产生电路1200的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同，在此不再赘述。请参照图13，图13是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1300的示意图。 可变电压产生电路1300和可变电压产生电路600的差别在于可变电压产生电路1300另包括一第一上电阻RFU，具有一第一端耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻606的第一端，可变电压产生电路1300中的可变电阻606另包括一电阻RVl，具有一第一端耦接于可变电阻606的第四电阻R14的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻608的第一端，以及可变电压产生电路1300中的可变电阻608另包括一电阻RV2，具有一第一端耦接于可变电阻608的第四电阻R24的第二端，及一第二端，耦接于放大器602的第三输入端。另外，可变电压产生电路1300的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同，在此不再赘述。请参照图14，图14是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1400的示意图。 可变电压产生电路1400包括一放大器202、一 P型金属氧化物半导体晶体管204、一上电阻 RU、一下电阻RD及一可变电阻1406。放大器202具有一第一输入端，用以接收一第一电压 VDD, 一第二输入端，用以接收一参考电压VREF，一第三输入端，及一输出端。P型金属氧化物半导体晶体管204具有一第一端，用以接收第一电压VDD，一第二端，耦接于放大器202的输出端，及一第三端。上电阻RU具有一第一端，耦接于P型金属氧化物半导体晶体管204的第三端，及一第二端，用以输出一可变电压VINTREF，其中上电阻RU的阻值可为零。下电阻 RD具有一第一端，耦接于放大器202的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。可变电阻 1406具有一第一端，耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，耦接于放大器202的第三输入端。另外，可变电阻1406包括第一开关S11、第二开关S12、第三开关S13、第四开关S14和第一电阻R11、第二电阻R12、第三电阻R13，其中每一开关的第一端皆耦接于可变电阻1406 的第二端，且第一电阻R11、第二电阻R12、第三电阻R13、第四电阻R14的阻值是相同、部分相同或是不同。第一开关Sll的第二端系耦接于第一电阻Rll的第一端，第二开关S12的第二端系耦接于第二电阻R12的第一端，第三开关S13的第二端系耦接于第三电阻R13的第一端，及第四开关S14的第二端系耦接于第三电阻R13的第二端。另外，第一电阻Rll的第二端系耦接于第二电阻R12的第一端，及第二电阻R12的第二端系耦接于第三电阻R13 的第一端，及第三电阻R13的第二端系耦接于放大器202的第三输入端。另外，可变电压产生电路1400的其余操作原理皆和可变电压产生电路200相同，在此不再赘述。请参照图15，图15是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1500的示意图。 可变电压产生电路1500和可变电压产生电路1400的差别在于可变电压产生电路1500另包括一第一下电阻RFD具有一第一端，耦接于可变电阻1406的第二端，及一第二端，耦接于下电阻RD的第一端。另外，可变电压产生电路1500的其余操作原理皆和可变电压产生电路1400相同，在此不再赘述。请参照图16，图16是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1600的示意图。 可变电压产生电路1600包括一放大器602、一 P型金属氧化物半导体晶体管604、一上电阻 RU、一下电阻RD及二可变电阻1606、1608。放大器602具有一第一输入端，用以接收一第一电压VDD，一第二输入端，用以接收一参考电压VREF，一第三输入端，及一输出端。P型金属氧化物半导体晶体管604具有一第一端，用以接收第一电压VDD，一第二端，耦接于放大器602的输出端，及一第三端。上电阻RU具有一第一端，耦接于P型金属氧化物半导体晶体管604的第三端，及一第二端，用以输出一第一可变电压VINTREF1，其中上电阻RU的阻值可为零。下电阻RD具有一第一端，耦接于放大器602的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。可变电阻1606具有一第一端，耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，用以输出一第二可变电压VINTREF2。可变电阻1608具有一第一端，耦接于可变电阻1606的第二端， 及一第二端耦接于放大器602的第三输入端，用以输出一第三可变电压VINTREF3。另外， 可变电阻1606包括第一开关S11、第二开关S12、第三开关S13、第四开关S14和第一电阻 R11、第二电阻R12、第三电阻R13。可变电阻1606的操作原理和可变电阻1406相同，在此不再赘述。另外，可变电阻1608包括第一开关S21、第二开关S22、第三开关S23、第四开关 SM和第一电阻R21、第二电阻R22、第三电阻R23，其中第一电阻R21、第二电阻R22、第三电阻R23的阻值是相同或是不同。而可变电阻1608的第一开关S21、第二开关S22、第三开关 S23、第四开关SM和第一电阻R21、第二电阻R22、第三电阻R23、第四电阻RM之间的耦接关系和可变电阻1606的4个开关S11-S14和3个电阻R11-R13之间的耦接关系相同，在此不再赘述。但本发明的可变电阻1606、1608并不受限于4个开关和3个电阻，只要可变电阻1606、1608的开关和电阻的数目大于或等于2，皆落入本发明的范畴。另外，可变电压产生电路1600的其余操作原理皆和可变电压产生电路600相同，在此不再赘述。请参照图17，图17是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1700的示意图。 可变电压产生电路1700和可变电压产生电路1600的差别在于可变电压产生电路1700另包括一第一下电阻RFDl具有一第一端，耦接于可变电阻1608的第二端，及一第二端，耦接于下电阻RD的第一端。另外，可变电压产生电路1700的其余操作原理皆和可变电压产生电路1600相同，在此不再赘述。请参照图18，图18是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1800的示意图。 可变电压产生电路1800和可变电压产生电路1600的差别在于可变电压产生电路1800另包括一第一下电阻RFD2具有一第一端，耦接于可变电阻1606的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻1608的第一端。另外，可变电压产生电路1800的其余操作原理皆和可变电压产生电路1600相同，在此不再赘述。请参照图19，图19是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路1900的示意图。 可变电压产生电路1900和可变电压产生电路1700的差别在于可变电压产生电路1900另包括一第一下电阻RFD2具有一第一端，耦接于可变电阻1606的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻1608的第一端。另外，可变电压产生电路1900的其余操作原理皆和可变电压产生电路1700相同，在此不再赘述。请参照图20，图20是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路2000的示意图。 可变电压产生电路2000包括一放大器602、一 P型金属氧化物半导体晶体管604、一上电阻 RU、一下电阻RD及二可变电阻1606、608。放大器602具有一第一输入端，用以接收一第一电压VDD，一第二输入端，用以接收一参考电压VREF，一第三输入端，及一输出端。P型金属氧化物半导体晶体管604具有一第一端，用以接收第一电压VDD，一第二端，耦接于放大器 602的输出端，及一第三端。上电阻RU具有一第一端，耦接于P型金属氧化物半导体晶体管 604的第三端，及一第二端，用以输出一第一可变电压VINTREF1，其中上电阻RU的阻值可为零。下电阻RD具有一第一端，耦接于放大器602的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。 可变电阻1606具有一第一端，耦接于上电阻RU的第二端，及一第二端，用以输出一第二可变电压VINTREF2。可变电阻608具有一第一端，耦接于可变电阻1606的第二端，及一第二端耦接于放大器602的第三输入端，用以输出一第三可变电压VINTREF3。另外，可变电阻 608的第一开关S21、第二开关S22、第三开关S23、第四开关SM和第一电阻R21、第二电阻
13R22、第三电阻R23、第四电阻RM之间的耦接关系和可变电阻606的4个开关SlI-S14和4 个电阻R11-R14之间的耦接关系相同，在此不再赘述。另外，可变电压产生电路2000的其余操作原理皆和可变电压产生电路1600相同，在此不再赘述。请参照图21，图21是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路2100的示意图。 可变电压产生电路2100和可变电压产生电路2000的差别在于可变电压产生电路2100另包括一第一下电阻RFDl具有一第一端，耦接于可变电阻608的第二端，及一第二端，耦接于下电阻RD的第一端。另外，可变电压产生电路2100的其余操作原理皆和可变电压产生电路2000相同，在此不再赘述。请参照图22，图22是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路2200的示意图。 可变电压产生电路2200和可变电压产生电路2000的差别在于可变电压产生电路2200另包括一第一下电阻RFD2具有一第一端，耦接于可变电阻1606的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻608的第一端。另外，可变电压产生电路2200的其余操作原理皆和可变电压产生电路2000相同，在此不再赘述。 请参照图23，图23是本发明的另一实施例说明可变电压产生电路2300的示意图。 可变电压产生电路2300和可变电压产生电路2100的差别在于可变电压产生电路2300另包括一第一下电阻RFD2具有一第一端，耦接于可变电阻1606的第二端，及一第二端，耦接于可变电阻608的第一端。另外，可变电压产生电路2300的其余操作原理皆和可变电压产生电路2100相同，在此不再赘述。另外，在图20、图21、图22和图23的实施例中，可变电阻1606和可变电阻608的相关位置可互相对调。亦即可变电阻608的第一端，耦接于上电阻RU的第二端，及可变电阻608的第二端，用以输出第二可变电压VINTREF2。可变电阻1606的第一端，耦接于可变电阻608的第二端，及可变电阻1606的第二端耦接于放大器602的第三输入端，用以输出第三可变电压VINTREF3。此外，本发明并不受限于一个可变电阻或二个可变电阻，只要可变电压产生电路包括至少一可变电阻，皆落入本发明的范畴。综上所述，本发明所提供的可变电压产生电路，系利用至少一可变电阻中的至少二串联开关以选择至少一可变电阻的阻值，产生至少一可变电压。因此，可改善先前技术中每一电阻和一开关并联，造成至少一可变电压随着半导体的制程、所受电压及温度而变化的缺点，可减少开关的内电阻的影响，以及可同时产生至少一可变电压。以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请权利要求书所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的保护范围。
权利要求
1.一种可变电压产生电路，包括一放大器，具有一第一输入端，用以接收一第一电压，一第二输入端，用以接收一参考电压，一第三输入端，及一输出端；一 P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该放大器的输出端，及一第三端；一第一可变电阻，具有一第一端，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，用以输出一第一可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，其中该第一可变电阻包括M个电阻 ’及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该M个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι电阻的第二端；其中一第M电阻的第二端，耦接于该第一可变电阻的第二端，2彡M，1 < i彡M，且i、M 为自然数；及一下电阻，具有一第一端，耦接于该放大器的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。
2.如权利要求1所述的可变电压产生电路，其特征在于，进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，用以输出一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以输出一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括 M个电阻；及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该M个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι电阻的第二端；其中一第M电阻的第二端，耦接于该第二可变电阻的第二端，2彡M，1 < i彡M，且i、M 为自然数。
3.一种可变电压产生电路，包括一放大器，具有一第一输入端，用以接收一第一电压，一第二输入端，用以接收一参考电压，一第三输入端，及一输出端；一 P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该放大器的输出端，及一第三端；一第一可变电阻，具有一第一端，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，用以输出一第一可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，其中该第一可变电阻包括M-I个电阻；及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，及一第二端；及其中该M-I个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι开关的第二端；其中一第一电阻的第一端耦接该第一可变电阻的第一端，一第M开关的第一端耦接该第一可变电阻的第二端，2彡M，1彡i彡M-1，且i、M为自然数；及一下电阻，具有一第一端，耦接于该放大器的第三输入端，及一第二端，耦接于一地端。
4.如权利要求3所述的可变电压产生电路，其特征在于，进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，用以输出一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以输出一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括 M-I个电阻 ’及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第二端，及一第二端；及其中该M-I个电阻的一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+Ι开关的第二端；其中一第i电阻的第一端耦接该第二可变电阻的第一端，一第M开关的第一端耦接该第二可变电阻的第二端，2彡M，1彡i彡M-1，且i、M为自然数。
5.如权利要求3所述的可变电压产生电路，其特征在于，进一步包括一第二可变电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，用以提供一第二可变电压，及一第二端，耦接于该放大器的第三输入端，用以提供一第三可变电压，其中该第二可变电阻包括 N个电阻；及N个开关，其中该N个开关的一第j开关，具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第一端，及一第二端；及其中该N个电阻的一第j电阻，具有一第一端，耦接于该第j开关的第二端，及一第二端，耦接于一第j+Ι电阻的第一端；其中一第N电阻的第二端，耦接于该第二可变电阻的第二端，2彡N, 1 ^ j ^ N，且j、N 为自然数。
6.如权利要求1或3所述的可变电压产生电路，其特征在于，进一步包括至少一第一下电阻，具有一第一端，耦接于该第一可变电阻的第二端，及一第二端，耦接于该下电阻的第一端。
7.如权利要求2、4或5所述的可变电压产生电路，其特征在于，进一步包括至少一第一下电阻，具有一第一端，耦接于该第二可变电阻的第二端，及一第二端，耦接于该下电阻的第一端。
8.如权利要求1或3所述的可变电压产生电路，其特征在于，进一步包括至少一上电阻，耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的第三端及该第一可变电阻的第一端之间。
9.如权利要求8所述的可变电压产生电路，其特征在于，进一步包括 至少一第一上电阻，耦接于该上电阻及该第一可变电阻的第一端之间。
10.如权利要求2或4所述的可变电压产生电路，其特征在于，该第二可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第二可变电阻的第二端之间。
11.如权利要求5所述的可变电压产生电路，其特征在于，该第二可变电阻另包括 一电阻，耦接于一第N电阻的第二端与该第二可变电阻的第二端之间。
12.如权利要求1或3所述的可变电压产生电路，其特征在于，该第一可变电阻另包括一电阻，耦接于一第M电阻的第二端与该第一可变电阻的第二端之间。
13.如权利要求1或3所述的可变电压产生电路，其特征在于，该M个电阻的阻值是相同、部分相同或不同。
全文摘要
可变电压产生电路包括一放大器、一P型金属氧化物半导体晶体管、至少一可变电阻及一下电阻。每一可变电阻包括M个电阻及M个开关，其中该M个开关的一第i开关，具有一第一端，耦接于该可变电阻的第一端，及一第二端；及一第i电阻，具有一第一端，耦接于该第i开关的第二端，及一第二端，耦接于一第i+1电阻的第一端，其中2≤M，1≤i≤M，i、M为自然数。因此，该可变电压产生电路可根据一参考电压、该至少一可变电阻及该下电阻，输出至少一可变电压。
文档编号G05F1/10GK102354238SQ20111025977
公开日2012年2月15日 申请日期2011年8月31日 优先权日2011年6月24日
发明者张延安 申请人:钰创科技股份有限公司