静电电容型输入装置的制作方法

专利名称：静电电容型输入装置的制作方法
技术领域：
本发明，涉及可以对手指的接触位置作为静电电容的变化进行检测的 静电电容型输入装置。
背景技术：
在便携电话机、汽车导航仪、个人计算机、售票机、银行的终端等的 电子设备中，近年来，存在在液晶装置等的表面配置板型的输入装置，通 过一边参照显示于液晶装置的图像显示区域的指示图像， 一边将手指等接 触于显示该指示图像之处，进行对应于指示图像的信息的输入的装置。在如此的输入装置(触摸面板)中，虽有电阻膜型、静电电容型等，但是电阻膜型的输入装置，因为是在膜与玻璃的2层结构中、按压膜使之 短路的结构，所以存在工作温度范围窄、随时间变化性差的缺点。相对于此，静电电容型的输入装置，有在一片M形成透光性导电膜 即可的优点。在该静电电容型的输入装置中，例如有以下类型在互相交 叉的方向使电极图形延伸，当手指等接触时，对电极间的静电电容发生变 化这一点进行检测而检测出输入位置(例如，专利文献l)。并且，作为静电电容型的输入装置，也有以下类型在透光性导电膜 的两端施加同相、同电位的交流，对当手指接触或者接近而形成电容时流 通的微弱电流进行检测而检测出输入位置。专利文献1特开2007—122326号>^才艮当构成静电电容型输入装置时，若在透光性基板的输入区域，将以第 1方向延伸的多个第1透光性电极图形、与以交叉于第1方向的笫2方向 延伸的多个第2透光性电极图形分别形成于透光性M的表面及背面,则 有制造过程变得繁杂等的问题点。并且，在输入装置中，因为使以液晶装置所显示的图像从输入装置的 输入面侧进行透射而观看，所以可在14l及电极图形中采用透光性强的材 料，即便如此，若反射率在形成透光性电极图形等的区域、与未形成透光 性电极图形等的区域之间大不相同，则透光性电极图形的存在等的存在较显眼，并不优选。然而，若将第l透光性电极图形、与第2透光性电极图 形分别形成于透光性基板的表面及背面，则因为在第l透光性电极图形与 第2透光性电极图形之间夹着透光性基板，所以光学性构成在形成第1透 光性电极图形的区域、形成第2透光性电极图形的区域、未形成这些透光 性电极图形的区域大不相同的结果是，导致在各区域间产生大的反射率差， 透光性电极图形的存在较为显眼的问题点。发明内容鉴于以上的问题点，本发明的目的在于提供能够谋求制造过程的简 单化，并使透光性基板上的图形、图形彼此的交叉部不明显的静电电容型 输入装置。为了解决上述问题，在本发明中，在透光性基板的输入区域形成有延 伸于第1方向的多个第l透光性电极图形、与延伸于交叉于前述第1方向 的第2方向的多个第2透光性电极图形的静电电容型输入装置中，特征为 前述第1透光性电极图形与前述第2透光性电极图形形成于前述透光性基 板的同一面上；在前述第l透光性电极图形与前述第2透光性电极图形的 交叉部分处，前述第l透光性电极图形及前述第2透光性电极图形之中的 一方电极图形相连，另一方面另一方电极图形被截断；至少在前述交叉部 分处的前述一方电极图形的上层側形成透光性的层间绝缘膜，并在该层间 绝缘膜的上层，形成对在该交叉部分被截断的前述另一方电极图形彼此进 行电连接的透光性的中继电极。在本发明中的静电电容型输入装置中，因为在透光性基板的同一面上 形成第1透光性电极图形及第2透光性电极图形，所以与分别在透光性基 板的表面及背面形成有第1透光性电极图形及第2透光性电极图形的情况 相比较能够简化制造过程。在此，若使第1透光性电极图形及^2透光性电极图形形成于透光性M的同一面侧，则必须使第l透光性电极图形与第2透光性电极图形相交叉，该交叉部分的膜构成，与笫l透光性电极图 形及第2透光性电极图形不相同。因此，使得当从输入装置的输入面侧看 以液晶装置等所显示的图像时，在形成透光性电极图形等的区域、与未形 成透光性电极图形等的区域之间的反射率之差较小地形成透光性电极图 形，即使不使透光性电极图形明显而交叉部分也会显眼。然而在本发明中， 在交叉部分处、电极图形被截断，该被截断的电极图形彼此，通过形成于 透光性的层间绝缘膜的上层的透光性的中继电极所电连接。因此，交叉部 分占的面积狭小。并且，因为交叉部分，成为叠层了透光性的薄膜的结构， 所以能够使交叉部分的存在不明显。因此，若依照于本发明，则因为当从 输入装置的输入面侧看时，交叉部分的存在不明显，所以在输入装置的背 面侧配置有图像生成装置的情况下，能够显示高质量的图像。在本发明中，优选前述第l透光性电极图形与前述第2透光性电极 图形通过同一构件所形成。若如此地由同一层而形成第l透光性电极图形 与第2透光性电极图形，则与通过不同的层而形成了第l透光性电极图形 及第2透光性电极图形的情况相比较能够简化制造过程。在本发明中，优选前述第l透光性电极图形及前述第2透光性电极 图形，分别在以前述交叉部分所夹着的区域具备大面积部分；在前述一方 电极图形中的位于前述交叉部分的连接部分、及前述中继电极，具有宽度 比前述大面积部分窄的宽度细窄形状。若对于第1透光性电极图形及第2 透光性电极图形设置大面积部分，则能够对输入位置高精度地进行检测， 另一方面，若使一方电极图形中的位于交叉部分的部分、及中继电极细窄， 则能够使交叉部分的存在不明显。在本发明中，优选前述第l透光性电极图形及前述笫2透光性电极 图形，由具有不同的折射率的透光性薄膜彼此相重叠地形成的多层膜所构 成。若如此地进行构成，则因为能够使形成第l透光性电极图形及第2透 光性电极图形的区域、与未形成这些透光性电极图形的区域的反射率之差 变小，所以在从其输入面側看输入装置的情况下，电极图形不明显。即， 入射光，当从折射率小的介质行进经过折射率大的介质时，在介质间的界面进行反射。从而，在透光性基板上形成透光性电极图形的情况下，虽然 因为存在入射面侧的空气层/透光性电极图形的界面、与透光性电极图形 /透光性基板的界面，所以在形成透光性电极图形的区域、与未形成透光 性电极图形的区域中产生反射率差，结果导致可看出透光性电极图形的存 在，但是若采用多层膜、使在各界面进行了反射的光的相位反相而抵消， 则能够消除形成透光性电极图形的区域、与未形成透光性电极图形的区域 的反射率之差。因此，能够使得透光性电极图形的存在不明显。
在本发明中，作为前述多层膜，能够采用下述构成作为前述透光性 薄膜，例如，叠层ITO (Indium Tin Oxide ，氧化铟锡)、IZO (Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)等的透光性的导电性金属氧化膜，及氧化硅膜、氮氧 化硅膜等的透光性的硅化合物。
例如，在前述透光性M是玻璃基板的情况下，前述多层膜，能够采 用按顺序叠层膜厚度为10 20nm的笫1ITO膜、膜厚度为40~60nm的氧 化硅膜、及膜厚度为10 20nm的第2ITO膜的构成。
在本发明中，作为前述中继电极，能够采用膜厚度为10 15nm的ITO 膜等的透光性的导电性金属氧化膜。
在本发明中，能够采用以下构成在前述透光性J41中，在前述输入 区域的外侧区域，形成分别电连接于前述第1透光性电极图形及前述第2 透光性电极图形的多条金属布线。若如此地进行构成，则相比较于将透光 性电极图形直接用作布线的情况，能够减小布线电阻。


图1 U)、 (b)分别是模式性M^示应用了本发明的带输入装置的显 示装置的构成的说明图、及模式性地表示该带输入装置的显示装置的平面 性的构成的说明图。
图2是表示形成于本发明的实施方式1中的输入装置的第l透光性电 极图形及第2透光性电极图形的平面性的构成的说明图。
图3 (a)、 (b)、 (c)分别是本发明的实施方式l中的输入装置的Al一A1，剖面图、表示透光性电极图形与金属布线的连接结构的剖面图、及 利用了光学千涉的防止反射技术的说明图。
图4是表示本发明的实施方式1中的输入装置的制造方法的工序剖面图。
图5是表示形成于本发明的实施方式2中的输入装置的第l透光性电 极图形及第2透光性电极图形的平面性的构成的说明图。
图6 (a)、 (b)分别是本发明的实施方式2中的输入装置的A2—A2， 剖面图、及表示透光性电极图形与金属布线的连接结构的剖面图。
图7是表示本发明的实施方式2中的输入装置的制造方法的工序剖面图。
图8是采用了本发明中的带输入装置的显示装置的电子设备的说明图。
符号的说明
la…第lITO膜，2a…氧化硅膜，3a…第2ITO膜，4a、 4b…层间绝 缘膜，5a…中继电极，9a…金属布线，10…输入装置，11…第1透光性电 极图形，12…笫2透光性电极图形，15…透光性基板，18…交叉部分，lla、 11b…垫部(pad)(大面积部分)，11c…连接部分，50…液晶装置(图像生 成装置)，100…带输入装置的显示装置。
具体实施例方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。还有，在以下的说明进行 参照的附图中，为了使各层、各构成在附图中为可以辨认的程度的大小， 按每层、每构件使比例尺各不相同。
实施方式1
(整体构成) i
图1 (a)、 (b)分别是模式性地表示应用了本发明的带输入装置的显 示装置的构成的说明图、及模式性地表示该带输入装置的显示装置的平面 性的构成的说明图。还有，在图1 (b)中，关于第l透光性电极图形及笫 2透光性电极图形以实线简化而表示，关于它们的数量也减少而表示。在图1 (a)中，本方式的带输入装置的显示装置100，大致具有作 为图像生成装置的液晶装置50,和在该图像生成装置处重叠于出射显示光 之侧的面所配置的面板状的输入装置IO (触摸面板)。液晶装置50，具备 透射型、反射型或者半透射半反射型的有源矩阵型液晶面板50a,在透射 型或者半透射半反射型的液晶面板的情况下，在与显示光的出射侧相反侧 配置背光源装置(未图示)。并且，在液晶装置50中，相对于液晶面板50a 而将相位差板、偏4M1 (未图示)与之相重叠所配置。液晶面板50a，具 备元件M51，相对于元件14151所对向配置的对向基敗52，和保持 于对向^52与元件基板51之间的液晶层；在元件Hl51中，在从对向 基板52的边缘伸出的区域连接柔性M53。在元件基fe^51有时也以COG 方式安装驱动用IC。不管哪种情况，液晶装置50都可以显示动态图像、 静态图像，当进行相对于带输入装置的显示装置100的输入时，显示对应 于输入信息的指示图像。从而，使用者，如果以手指接触以带输入装置的 显示装置100所显示的指示图像，则能够进行信息的输入。
输入装置10为静电电容型的触摸面板，具备l块透光性基板15，和 连接于透光性基板15的端部的柔性基板19。在柔性^U9，连接用于在 输入装置10中进行输入位置的检测的驱动电路(未图示)。在输入装置10 中，通过透光性14SL15的上表面而构成输入面10b,透光性基&15的输 入面10b的大致中央区域成为进行利用指尖实现的输入的输入区域10a。
如示于图1 (b)地，透光性基板15的输入面10b之中，在输入区域 10a，形成延伸于以箭头X表示的第l方向的多列第l透光性电极图形11、 与延伸于以箭头Y表示的交叉于第1方向的第2方向的多列第2透光性电 极图形12。
在如此的构成的输入装置10中，对多个第1透光性电极图形11及多 个第2透光性电极图形12依次施加电压、产生电荷时，若作为导体的手指 接触于某部位，则因为在第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形 12、与手指之间也具有电容，作为其结果是静电电容降低，所以能够检测 出手指接触到了哪个部位。
(输入装置10的详细构成) '图2，是表示形成于本发明的实施方式1中的输入装置的第1透光性 电极图形及第2透光性电极图形的平面性的构成的说明图。图3(a)、 (b)、 (c)分别是本发明的实施方式l中的输入装置的A1—Al，剖面图、表示 透光性电极图形与金属布线的连接结构的剖面图、及利用了光学干涉的防 止反射技术的说明图。还有，在图2中，主要表示第l透光性电极图形及 第2透光性电极图形的一部分。
如示于图1 (b)、图2及图3 (a)地，在本方式的输入装置10中， 第l透光性电极图形11与第2透光性电极图形12通过同一层形成于透光 性14115的同一面上。并且，在透光性14ll5的输入区域10a中，因为 第l透光性电极图形11与第2透光性电极图形12通过同一层形成于透光 性Ml5的同一面上，所以第l透光性电极图形11与第2透光性电极图 形12的交叉部分18存在多处。
于是，在本方式中，在多个交叉部分18的任何一处，都成为以下构成 第l透光性电极图形11及第2透光性电极图形12之中的一方电极图形， 即使在交叉部分18处也相连，但是另一方面，另一方电极图形被截断。在 本方式中，在多个交叉部分18的任何一处，都成为以下构成笫l透光性 电极图形ll相连，另一方面第2透光性电极图形12被截断。
并且，在交叉部分18处的第1透光性电极图形11的上层侧，形成透 光性的层间绝缘膜4a，并在该层间绝缘膜4a的上层，形成对在交叉部分 18处被截断的笫2透光性电极图形12彼此进行电连接的透光性的中继电 极5a。因此，笫2透光性电极图形12沿第2方向被电连接。
在此，第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12,分别在以 交叉部分18所夹着的区域具备棱形形状的大面积的垫部lla、 12a (大面 积部分)，第l透光性电极图形11中的位于交叉部分18的连接部分llc， 成为宽度比垫部lla窄的细窄形状。并且，中继电极5a也以宽度比垫部 lla、 12a窄的细窄形状而形成为长方形。
如示于图l(a)、 (b)、及图3(b)地，在透光性基敗15中在输入区 域10a的外侧区域，形成分别电连接于第1透光性电极图形11及第2透光 性电极图形12的多条金属布线9a,这些金属布线9a的端部，构成用于对柔性基板19进行连接的端子19a。
在如此地构成的输入装置10中，在本方式中，为了防止起因于形成第 1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的区域、与未形成第1透 光性电极图形11及笫2透光性电极图形12的区域的反射率之差，而看出 第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的存在这一问题，基于 参照图3 (c)而在以下进行说明的利用了光学干涉的防止反射技术，对第 1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的材质及厚度进行设定。
首先，如示于图3(c)地，所谓利用了光学干涉的防止反射技术，是
当入射光在薄膜的表面、；^4i与薄膜的界面进行了反射时，通过使该表
面反射光与界面反射光的相位反相抵消而减少反射光的技术。即，在图3 (c)中，在薄膜的折射率(m)与膜厚度(山)、与M的折射率(n2)， 满足下述式
(ni) 2 = n0 x n2 nj x山=入/ 4
的情况下，波长入(nm)时的反射率成为0%。在此，因为防止反射效果 存在波长相关性、也存在薄膜的膜相关性，所以进行了光学才莫拟，得到了 以下结论如果使第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12，采 用使得具有不同的折射率的透光性薄膜彼此相重叠地所形成的多层膜、例 如叠层透光性的导电性金属氧化膜、及透光性的珪化合物的结构，则可消 除形成第l透光性电极图形ll及第2透光性电极图形12的区域、与未形 成第l透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的区域的反射率之差， 能够使得看不出来第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的存 在。
于是，在本实施方式中，因为透光性基板15是玻璃基板(折射率-1.52),所以关于构成第l透光性电极图形ll及第2透光性电极图形12的 多层膜，采用按顺序叠层膜厚度为10~20nm的第1ITO膜la (折射率= 1.80)、膜厚度为40~60nm的氧化硅膜2a (折射率=1.46 )、及膜厚度为 10~20nm的第2ITO膜3a (折射率=1.80)的结构。更具体地，关于构成 第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的多层威,将第1ITO
ii膜la、氧化硅膜2a、及第2ITO膜3a的膜厚度分别设定成10nm、 40nm 及10nm的条件，或者15nm、 50nm及15nm的条件。
因此，在本方式的输入装置10中，中继电极5a，在第2透光性电极 图形12处连接于叠层于最上层的第2ITO膜3a。并且，金属布线9a，在 第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12处连接于叠层于最上层 的第2ITO膜3a。
在此，中继电极5a由薄膜ITO膜(膜厚度，为10~15nm)构成。层 间绝缘膜4a，由感光性树脂构成，在本方式中，层间绝缘膜4a,由厚度为 l~2nm的丙烯酸树脂(折射率=1.52)构成。因此，关于交叉部分18， 也使得中继电极5a，为细窄形状、面积小，使其存在不明显。 (输入装置IO的制造方法)
图4 (a) ~ (e),是表示本发明的实施方式1中的输入装置的制造方 法的工序剖面图。还有，在图4(a) (e), —并表示透光性电极图形、 交叉部及金属布线，在左侧表示相当于图3 (a)的部分，并在右侧表示相 当于图3 (b)的部分。
当制造本方式的输入装置10时，首先，如示于图4 (a)地，在透光 性基板15 (玻璃S^L)的一方的面整体，形成了膜厚度为10~20nm的多 晶第1ITO膜1、膜厚度为4t) 60nm的氧化硅膜2、及膜厚度为10~20nm 的多晶第2ITO膜3a之后，形成金属膜9。
接下来，以在金属膜表面形成有由感光性树脂等构成的蚀刻掩模的状 态对金属膜进行蚀刻，并如示于图4 (b)地，在构图形成了金属布线9a 之后，去除蚀刻掩模。
接下来，以在金属布线9a及第2ITO膜3a等的上层侧形成有由感光 性树脂等构成的蚀刻掩模的状态，对第IITO膜1、氧化硅膜2、及第2ITO 膜3进行蚀刻，并如示于图4(c)地，在构图形成了第l透光性电极图形 11及第2透光性电极图形12之后，去除蚀刻掩模。在如此地形成的第1 透光性电极图形11与第2透光性电极图形12的交叉部分18处，第1透光 性电极图形ll，通过连接部分llc使垫部lla相连，另一方面第2透光性 电极图形12被截断。 '接下来，在笫1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的表面 侧涂敷了丙烯酸树脂之后，啄光显影，如示于图4(d)地，覆盖第l透光 性电极图形11的连接部分llc地形成层间绝缘膜4a。接下来，在层间绝缘膜4a的上层侧形成了非晶ITO膜之后，以在ITO 膜的表面形成有由感光性树脂等构成的蚀刻掩模的状态对ITO膜进行蚀 刻，如示于图4(e)地，在层间绝缘膜4a的上层，连接第2透光性电极 图形12的截断部分地形成中继电极5a。然后，以温度为200"C以上的条件， 例如温度为220X:、时间为20~30分钟的条件进行烧制，使构成中继电极 5a的ITO膜成为多晶ITO膜。若是多晶ITO膜则能够以草酸等进行蚀刻， 因为若是草酸则不会蚀刻多晶ITO膜，所以当构图形成中继电极5a时， 构成第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的第2ITO膜3a不 会损伤。并且，通过烧制，因为使构成中继电极5a的ITO膜成为多晶ITO 膜，所以也能够降低中继电极5a的电阻。 (本方式的主要的效果)如以上进行了说明地，在本方式中，因为第l透光性电极图形11及第 2透光性电极图形12，由具有不同的折射率的透光性薄膜彼此相重叠地所 形成的多层膜构成，所以能够消除形成第l透光性电极图形11及第2透光 性电极图形12的区域、与未形成第l透光性电极图形ll及笫2透光性电 极图形12的区域的反射率之差。即，在本实施方式中，因为透光性;i^1 15是玻璃14良，构成笫1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的 多层膜具有按顺序叠层膜厚度为10~20nm的第1ITO膜la、膜厚度为 40 60nm的氧化珪膜2a、膜厚度为10 20nm的笫2ITO膜3a的构成，所 以成为使在各界面进行了反射的光的相位反相而抵消的构成。因此，因为 能够消除形成第l透光性电极图形11及笫2透光性电极图形12的区域、 与未形成第l透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的区域的反射 率之差，所以能够防止看出第l透光性电极图形11及第2透光性电极图形 12的存在。尤其在本方式中，因为第l透光性电极图形11及第2透光性电极图形 12具备大面积的垫部lla、 12a，所以虽然为非常显眼的形^状，但是若应用本发明，则即使在形成了该形状的笫l透光性电极图形11及第2透光性电 极图形12的情况下，也能够可靠地防止其显眼这一情况。并且，在本方式中，因为在透光性14115的同一面上形成第l透光性 电极图形11及第2透光性电极图形12，所以与分别在透光性基板15的表 面及背面形成有第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的情况 相比较，能够简化制造过程。而且，因为第1透光性电极图形11与第2 透光性电极图形12通过同一层所形成，所以与通过不同的层形成了第1 透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的情况相比较，能够简化制 造过程。在此，若使第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12通过同 一层形成于透光性M 15的同一面侧，则必须使第1透光性电极图形11 与第2透光性电极图形12相交叉，该交叉部分18的膜构成，与第1透光 性电极图形11及第2透光性电极图形12不同。因此，即使使第l透光性 电极图形11及第2透光性电极图形12的存在不明显，交叉部分18的存在 也显眼。然而在本方式中，因为采用关于第2透光性电极图形12的截断 部分，通过形成于层间绝缘膜4a的上层的中继电极5a，进行电连接的构 成，并且使第1透光性电极图形11中的位于交叉部分18的连接部分llc 及中继电极5a宽度较窄，所以交叉部分18占的面积小。并且，因为中继 电极5a由膜厚度10 15nm的ITO膜构成，层间绝缘膜4a，由丙烯酸树脂 构成，所以关于交叉部分18，其存在也不显眼。因此，若依照于本发明， 则因为当从输入装置10的输入面10b侧看时，交叉部分18的存在并不明 显，所以当从输入装置10的输入面10b侧看以液晶装置50等所显示的图 像时，图像的质量高。实施方式2图5，是表示形成于本发明的实施方式2中的输入装置的第1透光性 电极图形及第2透光性电极图形的平面性的构成的说明图。图6 ( a )、 ( b )， 分别是本发明的实施方式2中的输入装置的A2—A2，剖面图、M示透 光性电极图形与金属布线的连接结构的剖面图。还有，因为本方式的基本 性的构成与实施方式l相同，所以对共同的部分附加同一符号进行图示而省略它们的说明。在图5及图6 (a)中，本方式的输入装置10，与实施方式l同样，也 为静电电容型的触摸面板，透光性基板15的输入面10b之中，在输入区 域10a，形成延伸于第l方向的多列笫l透光性电极图形11、与延伸于交 叉于第1方向的第2方向的多列第2透光性电极图形12。第l透光性电极 图形ll及第2透光性电极图形12,都由相对于透光性Ml5的同一面 上，重叠具有不同的折射率的透光性薄膜彼此地所形成的多层膜构成。在 第1透光性电极图形11与第2透光性电极图形12的交叉部分18处，第1 透光性电极图形ll相连，另一方面第2透光性电极图形12被截断。在此，在第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的上层侧， 透光性的层间绝缘膜4b形成于输入区域10a的基本整体，在该层间绝缘 膜4b的上层，形成通过层间绝缘膜4b的接触孔4c对在交叉部分18被截 断的第2透光性电极图形12彼此进行电连接的透光性的中继电极5a。因 此，第2透光性电极图形12以第2方向电连接。在本实施方式中，也与实施方式l同样，第2透光性电极图形12，由 按顺序叠层膜厚度为10~20nm的第1ITO膜la、膜厚度为40~60nm的氧 化硅膜2a、及膜厚度为10 20nm的第2ITO膜3a的多层膜构成，中继电 极5a，连接于第2透光性电极图形12中的叠层于最上层的第2ITO膜3a。 在本方式中，中继电极5a由膜厚度为10~15nm的ITO膜构成。并且，层 间绝缘膜4b，由感光性树脂构成，在本方式中，层间绝缘膜4b，由厚度 为1~2 ia m的丙烯酸树脂构成。第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形12，分别在以交叉部 分18所夹着的区域具备棱形形状的垫部，在第1电极图形中位于交叉部分 18的连接部分llc，成为宽度比垫部窄的细窄形状。并且，中继电极5a， 也以宽度比垫部窄的细窄形状而形成为长方形。如示于图6 (b)地，在透光性Ml5中在输入区域10a的外侧区域， 形成分别电连接于第l透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的多 条金属布线9a，这些金属布线9a的端部，构成用于对柔性皿进行连接 的端子19a。在此，因为第1透光性电极图形11及笫2透光性电极图形12,都由 按顺序叠层笫lITO膜la、氧化珪膜2a、及第2ITO膜3a的多层膜构成， 所以金属布线9a，连接于第1透光性电极图形11及第2透光性电极图形 12中叠层于最上层的第2ITO膜3a。并且，中继电极5a，与金属布线9a 同样，也连接于第2透光性电极图形12中叠层于最上层的第2ITO膜3a。 (输入装置IO的制造方法)图7 (a) ~ (e)，是表示本发明的实施方式2中的输入装置的制造方 法的工序剖面图。还有，在图7(a) (e)， 一并表示透光性电极图形、 交叉部及金属布线，在左侧表示相当于图6(a)的部分，在右侧表示相当 于图6 (b)的部分。当制造本方式的输入装置10时，首先，如示于图7 (a)地，在透光 性基昧15 (玻璃M)的一方的面整体，形成了膜厚度为10~20nm的多 晶第1ITO膜la、膜厚度为40~60nm的氧化珪膜2a、及膜厚度为10~20nm 的多晶第2ITO膜3a之后，形成金属膜。接下来，以在金属膜表面形成有由感光性树脂等构成的蚀刻掩;f莫的状 态对金属膜进行蚀刻，并如示于图7 (b)地，在构图形成了金属布线9a 之后，去除蚀刻掩模。接下来，以在金属布线9a等的上层侧形成有由感光性树脂等构成的蚀 刻掩模的状态，对第1ITO膜la、氧化珪膜2a、及第2ITO膜3a进行蚀 刻，如示于图7(c)地，在构图形成了第l透光性电极图形ll及第2透 光性电极图形12之后，去除蚀刻掩^^莫。接下来，在第l透光性电极图形ll及第2透光性电极图形12的表面 侧涂敷了丙烯酸树脂之后，曝光显影，如示于图7(d)地，重叠于第l透 光性电极图形11与第2透光性电极图形12的交叉部分18地形成层间绝缘 膜4b。此时，在层间绝缘膜4b中同时形成接触孔4c。接下来，在层间绝缘膜4b的上层侧形成了多晶ITO膜之后，以在ITO 膜的表面形成有由感光性树脂等构成的蚀刻掩模的状态对ITO膜进行蚀 刻，形成中继电极5a。此时，因为笫l透光性电极图形114第2透光性 电极图形12，以层间绝缘膜4b所覆盖，所以第1透光性电极图形11及笫162透光性电极图形12不会损伤。并且，也可以代替多晶ITO膜，形成 非晶ITO膜，并以形成了由感光性树脂等构成的蚀刻掩^^莫的状态通过草酸 进行蚀刻，并在图形形成后进行退火而成为多晶ITO膜。 (本方式的主要的效果)如以上进行了说明地，在本方式中，与实施方式l同样，也因为第1 透光性电极图形11及第2透光性电极图形12，由具有不同的折射率的透 光性薄膜彼此相重叠地所形成的多层膜构成，所以能够消除形成透光性电 极图形的区域、与未形成透光性电极图形的区域的反射率之差，所以第1 透光性电极图形11及第2透光性电极图形12的存在并不明显。并且，在 本实施方式中，因为在透光性基板15的同一面上通过同一层形成第1透光 性电极图形ll及第2透光性电极图形12，所以能够简化制造过程。而且， 因为第l透光性电极图形11与第2透光性电极图形12的交叉部分18占有 的面积小，且交叉部分18，也采用膜厚度为10 15nm的ITO膜，所以其 的存在并不明显。其他的实施方式虽然在上述方式中，将金属布线9a的端部，直接用作了端子19a，但 是也可以在金属布线9a的端部的上层，与中继电极5a同时形成ITO层， 并作为端子19a。并且，虽然在实施方式2中，仅在输入区域10a形成了 层间绝缘膜4b，但是也可以在除了端子19a的表面的基本整面形成层间绝 缘膜4b。并且，作为利用了薄膜光学干涉的多层膜构成的例，除了从下层按顺 序为膜厚度10~20nm的多晶第1ITO膜、膜厚度40~60nm的氧化珪膜、 膜厚度10~20nm的多晶第2ITO膜的上述的例之外，在从下层按顺序叠层 膜厚度为30nm的氧化珪膜(折射率=1.46 )、膜厚度为10nm的多晶ITO 膜的情况，从下层按顺序叠层膜厚度为lOOnm的氮氧化珪膜(折射率-1.60)、膜厚度为10nm的多晶ITO膜的情况也有效。在该情况下，透光性 电极图形部分，为氮氧化硅膜/lTO膜、或氮氧化硅膜/lTO膜，在未形 成透光性电极图形的部分，分别残留膜厚度为30nm的氧4《硅膜、或者膜 厚度为100nm的氮氧化硅膜，使得不存在二者的反射率差地构成。虽然在上述方式中，采用了作为图像生成装置的液晶装置50，但是也 可以采用有机电致发光装置、等离子体显示装置等作为图像生成装置。 向电子i殳备的搭载例接下来，关于应用了上述的实施方式中的带输入装置的显示装置100 的电子设备而进行说明。在图8(a),表示具备有带输入装置的显示装置 IOO的便携型的个人计算机的构成。个人计算机2000，具备作为显示单元 的带输入装置的显示装置100与主体部2010。在主体部2010，设置电源开 关2001及键盘2002。在图8 ( b )，表示具备有带输入装置的显示装置100 的便携电话机的构成。便携电话机3000，具备多个操作键3001及滚动 键3002，以及作为显示单元的带输入装置的显示装置100。通过对滚动键 3002进行操作，使显示于带输入装置的显示装置100的画面滚动。在图8 (c)，表示应用了带输入装置的显示装置100的信息便携终端(PDA: Personal Digital Assistants,个人数字助理)的构成。信息4更携终端4000， 具备多个操作键4001及电源开关4002，以及作为显示单元的带输入装 置的显示装置IOO。若对电源开关4002进行操作，则住址录、日程安排的 各种信息显示于带输入装置的显示装置100。还有，作为可应用带输入装置的显示装置100的电子设备，除了示于 图8的设备之外，还可列举出数字静止相机，液晶电视机，取景器型、 监视器直视型的磁带录像机，汽车导航装置，寻呼机，电子笔记本，电子 计算器，文字处理器，工作站，电视电话机，POS终端，具备有触摸面板 的设备等。而且，作为这些各种电子设备的显示部，前述的带输入装置的 显示装置100可以进行应用。
权利要求
1.一种静电电容型输入装置，其在透光性基板的输入区域，形成有延伸于第1方向的多个第1透光性电极图形，和延伸于交叉于前述第1方向的第2方向的多个第2透光性电极图形；其特征在于前述第1透光性电极图形与前述第2透光性电极图形形成于前述透光性基板的同一面上；在前述第1透光性电极图形与前述第2透光性电极图形的交叉部分处，前述第1透光性电极图形及前述第2透光性电极图形之中的一方电极图形相连，另一方面，另一方电极图形被截断；至少在前述交叉部分处的前述一方电极图形的上层侧形成有透光性的层间绝缘膜，并在该层间绝缘膜的上层，形成有对在该交叉部分被截断的前述另一方电极图形彼此进行电连接的透光性的中继电极。
2. 按照权利要求l所述的静电电容型输入装置，其特征在于 前述第l透光性电极图形与前述第2透光性电极图形通过同一构件所形成。
3. 按照权利要求1或2所述的静电电容型输入装置，其特征在于 前述第1透光性电极图形及前述第2透光性电极图形，分别在以前述交叉部分所夹着的区域具备大面积部分；前述一方电极图形中的前述交叉部分处的连接部分、及前述中继电极， 具有宽度比前述大面积部分窄的宽度细窄的形状。
4. 按照权利要求1 3中的任何一项所述的静电电容型输入装置，其 特征在于前述第l透光性电极图形及前述第2透光性电极图形，由具有不同的 折射率的透光性薄膜彼此相重叠地形成的多层膜所构成。
5. 按照权利要求4所述的静电电容型输入装置，其特征在于 前述多层膜，作为前述透光性薄膜，叠层有透光性的导电性金属fL化膜、及透光性的硅化合物。 ^
6. 按照权利要求5所述的静电电容型输入装置，其特征在于 前述透光性基板是玻璃基板；前述多层膜，按顺序叠层有膜厚度为10 20nm的第IITO膜、膜厚度 为40~60mn的氧化珪膜、及膜厚度为10 20nm的第2ITO膜。
7. 按照权利要求1 6中的任何一项所述的静电电容型输入装置，其 特征在于前述中继电极，由透光性的导电性金属氧化膜构成。
8. 按照权利要求1~7中的任何一项所述的静电电容型输入装置，其 特征在于在前述透光性基板的前述输入区域的外侧区域，形成有分别电连接于 前述第l透光性电极图形及前述第2透光性电极图形的多条金属布线。
全文摘要
本发明涉及静电电容型输入装置。其能简化制造过程，并使透光性基板上的图形、图形彼此的交叉部不明显。带输入装置的显示装置(100)的输入装置(10)为静电电容型的触摸面板，在透光性基板(15)的一方的面，通过按顺序叠层膜厚度为10～20nm的ITO膜、膜厚度为40～60nm的氧化硅膜及膜厚度为10～20nm的第2ITO膜的多层膜，形成第1透光性电极图形(11)及第2透光性电极图形(12)。在交叉部分(18)，第1透光性电极图形(11)相连，而第2透光性电极图形(12)被截断。在交叉部分(18)处被截断的第2透光性电极图形(12)通过形成于层间绝缘膜(4a)的上层的中继电极(5a)电连接。
文档编号G06F3/044GK101324827SQ20081011013
公开日2008年12月17日 申请日期2008年6月13日 优先权日2007年6月14日
发明者松尾睦 申请人:爱普生映像元器件有限公司