静电电容型输入装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及在各种电子设备中使用的静电电容型的输入装置，特别涉及具有曲面形状的静电电容型输入装置。
【背景技术】
[0002]近年来，检测用户轻轻进行触摸的指尖部分的少量的静电电容的变化、将位置及运动的方向变换为电气信号进行输出的静电电容型的输入装置常常被使用。这样的静电电容型输入装置能够将开关等机构部件省略，具有美观性良好的优点，但另一方面，由于使用氧化铟锡(IT0，Indium Tin Oxide)膜作为检测用的透明电极，从而需要真空成膜，在工业上实际仅限于二维形状(平面形状)，具有对适用的制品的适用部位设有限制的缺点。
[0003]鉴于上述缺点，在专利文献1中，提出了能够将表面设置在曲面的安装部位的静电电容传感器(静电电容型输入装置)900。图9是说明专利文献1(以往例)的静电电容传感器900的图，图9(a)是示意性地说明实施方式A的静电电容传感器900A的说明图，图9(b)是示意性地说明实施方式B的静电电容传感器900B的说明图。
[0004]图9所示的静电电容传感器900(900A、900B)构成为，具备:三维成型的膜基材901、与该膜基材901—体化的装饰层910、对静电电容的变化进行检测的导电性的电路图案层920、对膜基材901进行支承的支承体940、以及抑制电路图案层920的导电墨水的渗透的保护层930A。除此以外，在图9(a)所示的静电电容传感器900A中，具备防止装饰层910的表面损伤、磨损的保护层935，在图9(b)所示的静电电容传感器900B中，具备绝缘性的抗蚀剂层925。并且，当用户的手指FN与三维形状的表面接触时，静电电容传感器900(900A、900B)用电路图案层920检测出该手指FN的指尖部分的少量的静电电容的变化。
[0005]此外，该静电电容传感器900(900A、900B)中，作为电路图案层920，具备第一电路图案层923和第二电路图案层924，实现静电电容传感器900(900A、900B)的检测精度的提高及结构的多样化。此外，该电路图案层920不使用氧化铟锡(ΙΤ0，Indium Tin Oxide)膜而使用由银膏、碳素墨水、导电性聚合物(信越聚合物公司(信越求—社)制造:Seplegyda)等构成的导电墨水构成，因此能够形成于三维成型的膜基材901以及支承体940。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2010 — 267607号公报
【发明内容】
[0009]发明要解决的课题
[0010]然而，以往例中使用的导电性聚合物(导电性高分子)具有当吸湿时其层的电阻值变大的性质，若一度吸湿后的水分不排出，则可能会导致检测精度的降低。特别是，在以往例的结构中，静电电容传感器900A的第二电路图案层924及静电电容传感器900B的电路图案层920(923、924)为被膜基材901和支承体940夹持的层结构，因此具有在一旦水分透过膜基材901及支承体940而被电路图案层920(923、924)吸收的情况下水分不容易排出的课题。因此，在以往例的静电电容传感器900中，在曝于高湿环境下后，有可能检测精度降低且不容易恢复。
[0011]本发明用于解决上述课题，目的在于提供从曝于高湿环境下后检测精度的降低快速恢复的具有曲面形状的静电电容型输入装置。
[0012]用于解决课题的手段
[0013]为了解决该课题，本发明的静电电容型输入装置的特征在于，具有:外装体，具有与用户相对的外曲面，由合成树脂成型而成;膜基材，仿照该外装体的内曲面而被一体地设置;导电层，形成于该膜基材的上述外装体侧的面的相反面，由导电性高分子构成；以及布线层，与该导电层电连接。
[0014]由此，本发明的静电电容型输入装置中，由于导电层不被外装体与膜基材夹持，从而成为导电层内的水分不会被膜基材及外装体妨碍而容易从在膜基材的外装体侧的面的相反面侧形成的导电层的表面排出的结构。由此，在曝于高湿环境下之后，导电层的电阻值容易回到原来的值，能够从检测精度的降低快速恢复。
[0015]此外，本发明的静电电容型输入装置的特征在于，上述导电性高分子由聚亚乙二氧基噻吩(PED0T)和聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合体构成。
[0016]由此，能够确保充分的透明性并得到所希望的导电性，并且高温气氛下的稳定性及弯曲加工的耐性也良好。此外，由于是水分散性的，从而能够容易地进行涂敷、成膜。由此，能够容易地制作具有曲面形状的静电电容型输入装置。
[0017]此外，本发明的静电电容型输入装置的特征在于，上述外装体、上述膜基材以及上述导电层是透明的。
[0018]由此，能够使操作面整体透明。由此，能够适宜被用于要求透明性的制品。此外，通过添加装饰层，所适用的制品的装饰性也能够提高。
[0019]此外，本发明的静电电容型输入装置的特征在于，具有以覆盖上述导电层的方式层叠的保护层。
[0020]由此，由于具有以覆盖导电层的方式而层叠的保护层，从而相对于例如制造上的物理作用下的导电层的损伤、或例如环境下的导电层的损坏等，导电层受到保护。由此，能够提高具有曲面形状的静电电容型输入装置的耐气候性。
[0021 ]发明效果
[0022]本发明的静电电容型输入装置成为导电层内的水分容易从与膜基材的外装体相对的面的相反面侧排出的结构。由此，在曝于高湿环境下后，导电层的电阻值容易回到原来的值，能够从检测精度的降低快速恢复。
【附图说明】
[0023]图1是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的立体图。
[0024]图2是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的图，是从图1所示的Z2侧看到的立体图。
[0025]图3是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的图，是从图1所示的X2侧看到的侧面图。
[0026]图4是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的图，是曲面形状部分的剖面结构图。
[0027]图5是说明第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的效果的图，图5(a)是表示用于耐湿试验的本申请的样本片的层构造的图，图5(b)是表示用于比较的样本片的层构造的图。
[0028]图6是说明第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的效果的图，是耐湿试验结果的曲线图。
[0029]图7是说明第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的变形例的图，图7(a)是与图4进行比较的变形例1的剖面结构图，图7(b)是与图4进行比较的变形例2的剖面结构图。
[0030]图8是说明第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置的变形例的图，图8(a)是与图3进行比较的变形例3的剖面结构图，图8(b)是与图3进行比较的变形例4的剖面结构图。
[0031]图9是说明以往例的静电电容传感器的图，图9(a)是示意性地表示实施方式A的静电电容传感器的说明图，图9(b)是示意性地表示实施方式B的静电电容传感器的说明图。
【具体实施方式】
[0032]以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[0033][第1实施方式]
[0034]图1是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置101的立体图。图2是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置101的图，是从图1所示的Z2侧看到的立体图。图3是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置101的图，是从图1所示的X2侧看到的侧面图。图4是说明本发明的第1实施方式的具有曲面形状的静电电容型输入装置101的图，是曲面形状部分的剖面结构图。另夕卜，图3及图4所示的身体特定