静电电容输入装置以及具有输入装置的电光设备的制作方法

专利名称：静电电容输入装置以及具有输入装置的电光设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于根据连接到输入位置检测电极的静电电容的变化来检测输入位 置的静电电容输入装置，以及配备有静电电容输入装置的输入装置的电光设备。
背景技术：
诸如移动电话、汽车导航仪、个人计算机、售票机和银行终端的一些电子设备例如 在液晶装置表面上结合有称作触摸面板的输入装置，从而当使用者观看显示在液晶装置的 图像显示区域上的图像时可以输入信息。静电电容输入装置属于这种类型的输入装置，并 可以监测连接到多个输入位置检测电极的每个的静电电容。因此，当手指接近多个输入位 置检测电极中的一个时，连接到该被讨论的电极的静电电容以形成在电极和手指间的静电 电容的量增加，从而使得可以识别该被讨论的电极。因为这样的静电电容输入装置检测耦接到输入位置检测电极的电容的变化，所以 它容易受到电磁噪声的影响。出于这样的原因，已经提出了在与静电电容输入装置的输入 操作侧相反的侧的整个表面上提供屏蔽电极(见JP-T-2003-511799，在下文称为专利文件 1)。

发明内容
然而，专利文件1中描述的屏蔽结构的问题在于，它不能遮蔽试图从输入操作侧 进入静电电容输入装置的电磁噪声。鉴于以上情况，所希望的是提供不易受到试图从输入操作侧进入静电电容输入装 置的电磁噪声影响的静电电容输入装置以及配备有该静电电容输入装置的输入装置的电 光设备。为了解决上述问题，根据本发明实施例的静电电容输入装置的特征在于其包括输 入区域、多条配线和屏蔽电极。多个输入位置检测电极提供在基板的输入区域中。多条配 线电连接到多个输入位置检测电极并在基板的输入区域之外延伸。屏蔽电极在输入操作侧
与配线重叠。本发明打破了屏蔽电极不能提供在静电电容输入装置的输入操作侧的现有观念。 因此，配线的屏蔽电极提供在输入操作侧，该配线提供在输入区域之外。这遮蔽了试图从输 入操作侧进入配线的电磁噪声，因此确保了不受试图从输入操作侧进入的电磁波的影响。 因此，根据本发明实施例的静电电容输入装置不可能因电磁噪声而失灵。屏蔽电极不提供 在输入操作侧的输入区域中，因此基于静电电容的输入位置检测不会受到干扰。在本发明中，屏蔽电极优选提供为沿着基板的整个外周边缘。该构造更加可靠地 遮蔽了来自输入操作侧的电磁波。在本发明中，第一导电膜、层间绝缘膜和第二导电膜优选从基板侧开始依次形成 在基板上。在第一导电膜和第二导电膜中，该两个导电膜中的至少一个优选用于形成输入 位置检测电极。在第一导电膜和第二导电膜中，在输入操作侧的相反侧的导电膜优选用于形成配线。在第一导电膜和第二导电膜中，输入操作侧的导电膜优选用于形成屏蔽电极。该 构造允许用形成在基板上的导电膜来形成屏蔽电极，因此不需要在外部提供屏蔽电极。在本发明中，在第一导电膜和第二导电膜中，在输入操作侧的相反侧的导电膜在 基板上优选用于在配线的外周侧形成屏蔽辅助电极。屏蔽辅助电极和屏蔽电极优选在没有 形成层间绝缘膜的区域中重叠且电连接在一起。该构造提供了屏蔽电极的实质降低的电 阻。此外，该构造抑制了试图从周围环境进入配线的电磁噪声。在本发明中，屏蔽辅助电极优选形成为沿着基板的所有边，并且屏蔽辅助电极和 屏蔽电极优选沿着屏蔽辅助电极的整个纵向方向重叠且电连接在一起。该构造提供了屏蔽 电极的实质降低的电阻。此外，该构造更加可靠地抑制了试图从周围环境进入配线的电磁噪声。在本发明中，在第一导电膜和第二导电膜中，该两个导电膜中的至少一个优选用 于在基板的输入区域之外提供第一安装端子和第二安装端子。第一安装端子优选连接到配 线，第二安装端子连接到屏蔽电极。该构造允许例如通过以第一安装端子连接到基板的柔 性配线板来从外部给屏蔽电极施加电势，因此使得容易施加电势给屏蔽电极。此外，该构造 允许公用的柔性配线板连接到第一安装端子和第二安装端子。在本发明中，在第一导电膜和第二导电膜中，该两个导电膜中的至少一个优选用 于在基板上提供多个第一输入位置检测电极和多个第二输入位置检测电极以作为输入位 置检测电极。第一输入位置检测电极在基板的平面内沿第一方向延伸。第二输入位置检测 电极在基板的平面内沿与第一方向交叉的第二方向延伸。连接部分、中断部分和中继电极 优选提供在第一输入位置检测电极和第二输入位置检测电极间的每个交叉部分处。连接部 分使第一输入位置检测电极和第二输入位置检测电极中的一方连续并包括第一导电膜和 第二导电膜中的一个。中断部分是使第一输入位置检测电极和第二输入位置检测电极中的 另一方中断的部分。中继电极隔着层间绝缘膜与连接部分重叠，以电连接第一输入位置检 测电极和第二输入位置检测电极中的另一方的中断部分。中继电极包括第一导电膜和第二 导电膜中的另一个。在本发明中，第一导电膜、层间绝缘膜和第二导电膜可以形成在基板的输入操作 侧的基板表面上。配线可以用第一导电膜形成，并且屏蔽电极可以用第二导电膜形成。在本发明中，第一导电膜、层间绝缘膜和第二导电膜可以形成在输入操作侧的相 反侧的基板表面上。配线可以用第二导电膜形成，并且屏蔽电极可以用第一导电膜形成。在本发明中，与施加给输入位置检测电极的位置检测信号具有相同波形和相位的信 号优选施加给屏蔽电极。该构造保证了在屏蔽电极和输入位置检测电极之间没有寄生电容。应用本发明的静电电容输入装置被用于构成配备有输入装置的电光设备。在配备 有输入装置的电光设备中，用于产生图像的电光面板形成在相对于基板的输入操作侧的相 反侧。配备有应用本发明的输入装置的电光设备例如用于移动电话、汽车导航仪、个人 计算机、售票机和银行终端。


图IA至IC是应用本发明实施例的静电电容输入装置的示意5
图2A和2B是示意性地图解配备有应用本发明实施例的输入装置的电光设备的截 面构造的示意图；图3A至3D是示意性地图解根据本发明实施例1的静电电容输入装置的二维构造 的示意图；图4是以放大的方式图解在根据本发明实施例1的静电电容输入装置的基板上形 成的电极和其它部件的二维构造的示意图；图5A至5C是图解根据本发明实施例1的静电电容输入装置的基板的截面构造的 示意图；图6A至6C是图解在根据本发明实施例1的静电电容输入装置的基板上形成的配 线的构造的示意图；图7A至7D是示意性地图解根据本发明实施例2的静电电容输入装置的二维构造 的示意图；图8是以放大的方式图解在根据本发明实施例2的静电电容输入装置的基板上形 成的电极和其它部件的二维构造的示意图；图9A至9C是示意性地图解根据本发明实施例2的静电电容输入装置的基板的截 面构造的示意图；图IOA至IOD是示意性地图解根据本发明实施例3的静电电容输入装置的二维构 造的示意图；图11是以放大的方式图解在根据本发明实施例3的静电电容输入装置的基板上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图；图12A至12C是示意性地图解根据本发明实施例3的静电电容输入装置的基板的 截面构造的示意图；图13A至13D是示意性地图解根据本发明实施例4的静电电容输入装置的二维构 造的示意图；图14是以放大的方式图解在根据本发明实施例4的静电电容输入装置的基板上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图；图15A至15C是图解根据本发明实施例4的静电电容输入装置的截面构造的示意 图；图16A至16D是示意性地图解根据本发明实施例5的静电电容输入装置的二维构 造的示意图；图17是以放大的方式图解在根据本发明实施例5的静电电容输入装置的基板上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图；图18A至18C是示意性地图解根据本发明实施例5的静电电容输入装置的基板的 截面构造的示意图；以及图19A至19C是具有应用本发明实施例的静电电容输入装置的电子设备的示意 图。
具体实施例方式下面，将参考附图描述本发明的优选实施例。应当注意的是，在下面给出的描述所参考的附图中，层和构件以不同的比例绘制，以使它们以可识别的尺寸示出。首选将描述所 有实施例相同的基本构造。然后，进行每个实施例的详细描述。[基本构造](配备有输入装置的电光设备的总体构造)图IA至IC是应用本发明的静电电容输入装置的示意图。图IA是示意性地图解配 备有根据本发明实施例的静电电容输入装置的输入装置的电光设备的总体构造的示意图。 图IB是示意性地图解静电电容输入装置的电学构造的示意图。图IC是供应到静电电容输 入装置的电势的示意图。图2A和2B是示意性地图解配备有应用本发明的输入装置的电光 设备的截面构造的示意图。图2A是在基板的输入操作侧的第一表面上提供输入位置检测 电极的构造示例的示意图。图2B是在与基板输入操作侧相反的侧的第二表面上提供输入 位置检测电极的构造示例的示意图。在图IA中，根据本实施例的配备有输入装置的电光设备100通常包括图像产生装 置5和静电电容输入装置1。图像产生装置5例如由液晶装置制成。静电电容输入装置1 堆叠在图像产生装置5的显示光发射侧的表面上。静电电容输入装置1包括输入面板2 (触 摸面板)。图像产生装置5包括用作电光面板5a(显示面板)的液晶面板。在本实施例中， 输入面板2和电光面板5a 二者在平面图中都是矩形。静电电容输入装置1和配备有输入 装置的电光设备100在平面图中看时中央区域为输入区域2a。另一方面，装置5和100在 平面图中看时与输入区域2a重叠的区域为图像形成区域。柔性配线板35在边缘部分20e 侧连接到输入面板2。柔性配线板73在边缘部分20e侧连接到电光面板5a。如图IB所示，用于检测输入面板2上的输入操作的控制IC 10经由柔性配线板35 电连接到静电电容输入装置1。稍后参考图IC描述的电势从IClO被供应到输入面板2。在图1A、2A和2B中，图像产生装置5是透射式或半透射式的主动矩阵液晶显示装 置。背光装置(未示出)提供在与提供有输入面板2的侧相反的一侧(背光装置(未示 出)提供在与显示光发射侧相反的一侧)。背光装置包括透光光导板和光源。透光光导板 提供在电光面板5a的与提供有静电电容输入装置1的侧相反的一侧。光源包括LED，用于 朝着光导板的侧边缘部分发射白光。从光源发射的光从光导板的侧边缘部分进入光导板， 并在传播通过光导板的同时朝着电光面板5a发射。片形式的光学构件如散光片或棱镜片 可以设置在光导板和电光面板5a之间。在图像产生装置5中，第一偏光片81堆叠在电光面板5a的显示光发射侧，并且第 二偏光片82堆叠在电光面板5a的与显示光发射侧相反的侧。因此，静电电容输入装置1 被诸如丙烯酸树脂基粘合剂的透光粘合剂(未示出)粘附到第一偏光片81。电光面板5a 包括透光元件基板50和透光对向基板60。透光元件基板50提供在显示光发射侧。对向基 板60提供为与元件基板50相对。元件基板50和对向基板60用矩形框形式的密封材料71 接合在一起。液晶层55容纳在对向基板60和元件基板50之间由密封材料71围绕的区域 中。多个像素电极58形成在元件基板50的与对向基板60相对的表面上。像素电极58用 诸如ITO(氧化铟锡)膜的透光导电膜形成。公共电极68形成在对向基板60的与元件基 板50相对的表面上。公共电极68用诸如ITO(氧化铟锡)膜的透光导电膜形成。应当注 意的是，如果图像产生装置5是IPS (平面内切换)或FFS (边缘场切换)装置，则公共电极 68提供在元件基板50上。另一方面，元件基板50可以提供在显示光发射侧。在元件基板50中，驱动IC 75C0G-安装于在对向基板60的边缘上伸出的伸出部分59。此外，柔性配线 板73连接到伸出部分59。应当注意的是，驱动电路可以与元件基板50上的开关元件同时 形成在元件基板50上。在配备有如上所述构造的输入装置的电光设备100中，例如由ITO膜制成的透光 导电层99 (在图IA至IC中未示出，参见图2A和2B)提供在电光面板5a和输入面板2之 间。导电层99防止从电光面板5a发射的电磁噪声进入输入面板2。(输入装置1的详细构造)在图2A和2B所示的静电电容输入装置1中，输入面板2包括例如由玻璃或塑料 板制成的透光基板20。在本实施例中，玻璃基板用作基板20。应当注意的是，当基板20包 括塑料材料时，由PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、PES (聚醚砜)、PI (聚酰 亚胺)或诸如聚降冰片烯的环烯树脂制成的耐热透光片可以用作塑料材料。下面的描述假 设基板20在输入操作侧的表面是第一表面20a，在与输入操作侧相反的一侧的表面是第二 表面20b ο在图2A和2B所示两个示例中的图2A所示的静电电容输入装置1的构造示例中， 第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b从基板20开始依次形成在基板20的第一 表面20a上。输入位置检测电极21用第一导电膜4a和第二导电膜4b中的至少一个形成。 柔性配线板35在基板20的边缘部分20e连接到第一表面20a。透光绝缘盖90例如用粘合 剂90e粘合到基板20的第一表面20a。绝缘遮光层90a印刷在盖90的与基板20的第一表 面20a上的外围区域2b重叠的区域中。输入区域2a由遮光层90a围绕。遮光层90a与电 光面板5a的外围区域重叠，从而遮蔽从图像产生部分5的光源以及光导的边缘部分泄漏的 光。另一方面，透光导电层99大致形成在基板20的整个第二表面20b上，以防止从电 光面板5a发射的电磁噪声进入输入面板2。柔性配线板35的配线35a连接到导电层99， 因此使得稍后描述的屏蔽电势经由柔性配线板35施加给导电层99。在图2B所示的构造示例中，第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b从 基板20开始依次形成在基板20的第二表面20a上，如稍后所详细描述的。在第一导电膜 4a和第二导电膜4b中，两个膜的至少一个用于形成输入位置检测电极21。在这样的构造 中，柔性配线板35在基板20的边缘部分20e连接到第二表面20b。在本实施例中，透光绝 缘盖90例如也用粘合剂90e粘合到基板20的第一表面20a。绝缘遮光层90a印刷在盖90 的与基板20的第一表面20a上的外围区域2b重叠的区域中。另一方面，透光导电层99大致形成在元件基板50的在输入面板2侧的整个表面 上，以防止从电光面板5a发射的电磁噪声进入输入面板2。柔性配线板35的配线35a连接 到导电层99，因此使得稍后描述的屏蔽电势经由柔性配线板35施加给导电层99。下面将描述如实施例1、2和3的示例，其中本发明应用于在基板20的第一表面 20a上形成第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b的实施例(图2A所示的实施 例)。另一方面，下面将描述如实施例4和5的示例，其中本发明应用于在基板20的第二表 面20b上形成第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b的实施例(图2B所示的实 施例)。[实施例1]
下面将参考图2A以及图3A至6C描述静电电容输入装置1的类型。图3A至3D是 示意性地图解根据本发明实施例1的静电电容输入装置1的二维构造的示意图。图3A是 图解在静电电容输入装置1的基板20上形成的电极和其它部件之间的二维位置关系的示 意图。图3B是图解在基板20上形成的第一导电膜4a的二维构造的示意图。图3C是图解 在基板20上形成的层间绝缘膜214的二维构造的示意图。图3D是图解在基板20上形成 的第二导电膜4b的二维构造的示意图。图3A以重叠方式图解了图3B、3C和3D示出的元 件。图4是以放大方式图解在根据本发明实施例1的静电电容输入装置1的基板20上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图5A至5C是图解根据本发明实施例1的静 电电容输入装置1的基板20的截面构造的示意图。图5A、5B和5C是分别沿着图4所示的 线Al-Al，、线Β1-ΒΓ和线Cl-Cl，剖取的基板20的截面图。图6A至6C是图解在根据本发 明实施例1的静电电容输入装置1的基板20上形成的配线的构造的示意图。图6A、6B和 6C分别为配线的平面图和沿着线E-E’和线F-F’剖取的配线的截面图。应当注意的是，在图3A、3B、3D和4中，第一导电膜4a用向右上方倾斜的斜线来阴 影表示，并且第二导电膜4b用向右下方倾斜的斜线来阴影表示。在图3C中，层间绝缘膜 214用多个点来阴影表示。在图3B、3C、3D和4中，输入区域2a的拐角用字母L形式的标记 示出。应当注意的是，这些对于稍后描述实施例2至5所参考的附图也适用。如图3A至5C所示，第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b从基板20开 始依次形成在基板20的第一表面20a上。在本实施例中，第一导电膜4a和第二导电膜4b 由厚度为10至40nm的诸如ITO或IZO(氧化铟锌)膜的透光导电膜制成。层间绝缘膜214 由厚度为40至60nm的诸如氧化硅膜的透光绝缘膜制成。在本实施例中，例如由氧化硅膜 制成的透光下保护膜217形成在基板20的整个第一表面20a上。第一导电膜4a、层间绝缘 膜214和第二导电膜4b依次形成在透光下保护膜217上。另一方面，如参考图2A所描述 的，透光导电层99大致形成在基板20的整个第二表面20b上，以防止从电光面板5a发射 的电磁噪声进入输入面板2 (参见图5A至5C)。如图3B所示，首先第一导电膜4a在输入区域2a中形成为多个矩形区域。这些矩 形区域构成输入位置检测电极21 (第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极 212的焊垫部分211a和212a(大面积部分))。焊垫部分211a和212a交替地设置在X方向 和Y方向上。在多个焊垫部分211a中，彼此对角相邻的焊垫部分211a通过连接部分211c 部分地连接在一起。在多个焊垫部分212a中，彼此对角相邻的焊垫部分212a也由连接部 分211c部分地连接在一起。此外，随着配线27从输入位置检测电极21延伸，第一导电膜 4a形成在输入区域2a的外侧区域2b中。第一导电膜4a也形成在靠近边缘部分20e的与 第一安装端子24a和第二安装端子24b重叠的区域中。如图3C所示，层间绝缘膜214形成在整个输入区域2a上。此外，膜214形成在基 板20的除外周边缘之外的大区域上。此外，接触孔214a形成在层间绝缘膜214中，其中每 组包含四个接触孔214a。这里，层间绝缘膜214的外周边缘与基板20的边缘部分20e之间 的间隙宽于层间绝缘膜214的外周边缘与其它边缘部分20f、20g和21h之间的间隙，因此 保证了形成第一安装端子24a和第二安装端子24b的空间。如图3D所示，第二导电膜4b在输入区域2a的与图3C所示的接触孔214a重叠的区域中形成为中继电极(relay electrode) 215。此外，膜4b以完全围绕输入区域2a的矩 形框形式在输入区域2a的外侧区域2b中形成为屏蔽电极28。此外，膜4b形成在靠近边缘 部分20e的与第一安装端子24a和第二安装端子24b重叠的区域中。
当如上构造的第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b依次堆叠时，基板 20构造为如图3A、4和5A至5C所示。在平面上看时，基板20具有形成在输入区域2a中的 多个输入位置检测电极21。在本实施例中，输入位置检测电极21包括多列第一输入位置检 测电极211和第二输入位置检测电极212。第一输入位置检测电极211 (图3A中由粗实线 示出)延伸在第一方向(箭头Y所示的方向)上。第二输入位置检测电极212 (图3A中由 粗点线示出)延伸在第二方向(由箭头X示出的方向)上。在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，第一导电膜4a用于形成输入位置检测电极 21 (第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212)。结果，输入位置检测电极 21由相同的层制成。因此，在基板20的第一表面20a上，多个交叉部分218存在于第一输 入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212之间。在本实施例中，在第一输入位置 检测电极211和第二输入位置检测电极212中，第一输入位置检测电极211通过交叉部分 218处由第一导电膜4a制成的连接部分211c而在Y方向上连接在一起，从而在Y方向上延 伸。相反，对于第二输入位置检测电极212，在交叉部分218处形成中断部分218a。此外， 例如由氧化硅膜制成的层间绝缘膜214形成在第一输入位置检测电极211和第二输入位置 检测电极212的上层中。透光中继电极215用在层间绝缘膜214的上层中的第二导电膜4b 形成。电极215经由层间绝缘膜214的四个接触孔214a与在交叉部分218中断的第二输 入位置检测电极212电连接在一起。结果，第二输入位置检测电极212在X方向上电连接 在一起。应当注意的是，因为中继电极215隔着层间绝缘膜214与连接部分211c重叠，所 以该电极215不可能短路。如上所述构造的第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212的每 个包括在夹设在交叉部分218之间的区域中具有大面积的矩形焊垫部分211a或212a。在 第一输入位置检测电极211中，位于交叉部分218处的连接部分211c比焊垫部分211a和 212a窄。此外，中继电极215也形成为比焊垫部分211a和212a窄。(配线27和屏蔽电极28的构造)在根据本实施例的静电电容输入装置1中，多条配线27在基板20的第一表面20a 上形成在输入区域2a的外侧区域2b中。该配线27的每一个从第一输入位置检测电极211 和第二输入位置检测电极212中的一个延伸到基板20的边缘部分20e。更具体地讲，连接 到第一输入位置检测电极211的配线27在基板20的输入区域2a和边缘部分20e之间布 线。另一方面，连接到第二输入位置检测电极212的配线27首先在基板20的输入区域2a 和边缘部分20f或20h之间线性地延伸，然后在基板20的输入区域2a和边缘部分20e之 间布线。在如上所述构造的配线27中，靠近基板20边缘部分20e的部分包括第一安装端 子24a。参考图IA至IC和图2描述的柔性配线板35连接到第一安装端子24a。另一方面，屏蔽电极28在基板20的第一表面20a上形成在与输入区域2a的外侧 区域2b中的配线27重叠的区域中。在本实施例中，在第一导电膜4a和第二导电膜4b中， 输入操作侧的第二导电膜4b用于形成屏蔽电极28。层间绝缘膜214提供在配线27和屏蔽 电极28之间。
在本实施例中，配线27形成在对应于三边的区域中，即基板20的输入区域2a和 边缘部分20e之间的一个区域、基板20的输入区域2a和边缘部分20f之间的另一个区域 以及基板20的输入区域2a和边缘部分20h之间的又一个区域。相反，屏蔽电极28以在周 边方向上连接的矩形框架形式形成在对应于四边的区域中，即基板20的输入区域2a和边 缘部分20e之间的一个区域、基板20的输入区域2a和边缘部分20f之间的另一个区域、基 板20的输入区域2a和边缘部分20g之间的又一个区域以及基板20的输入区域2a和边缘 部分20h之间的再一个区域。此外，屏蔽电极28比每条配线27宽。因此，屏蔽电极28形 成在大的区域中，该大的区域包括配线27在输入操作侧延伸的区域。此外，屏蔽电极28在 层间绝缘膜214的外周边缘伸出。结果，屏蔽电极28覆盖层间绝缘膜214的侧部214e。另一方面，在基板20的第一表面20a上的外围区域2b中，两个第二安装端子24b 以在两侧夹设布置成列的第一安装端子24a的方式形成。第一安装端子24a电连接到配线 27，并且第二安装端子24b在设置有第一安装端子24a的区域的两侧电连接到屏蔽电极28。
(基板20的制造方法)简要地描述如上所述构造的基板20的制造方法，并同时例如描述第一安装端子 24a和第二安装端子24b的构造。为了形成基板20，首先形成构成第一导电膜4a的透光 导电膜。然后，如图3B所示，通过蚀刻图案化该透光导电膜，由此形成输入位置检测电极 21 (第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212)和配线27。接下来，形成层间绝缘膜214。然后，如图3C所示，通过蚀刻图案化该膜214，由此 形成接触孔214a。此时，从基板20的边缘部分去除层间绝缘膜214。接下来，形成构成第二导电膜4b的透光导电膜。然后，如图3D所示，通过蚀刻来图 案化该膜，由此形成中继电极215和屏蔽电极28。此时，屏蔽电极28以从层间绝缘膜214 的外周边缘伸出的方式形成。结果，屏蔽电极28覆盖层间绝缘膜214的侧部214e。应当注 意的是，在本实施例中，透光顶涂层219形成在第二导电膜4b的顶部上。顶涂层219例如 由树脂成分或氧化硅制成并且通过涂敷并硬化液体成分而形成。在本实施例中，第一安装端子24a和第二安装端子24b在上面的步骤中同时形成。 就是说，当输入位置检测电极21和配线27由第一导电膜4a形成时，该膜4a留在与第一安 装端子24a或第二安装端子24b重叠的区域中，如图5B和5C所示。然而，应当注意的是， 在这样的条件下，当用第二导电膜4b形成中继电极215和屏蔽电极28时，留在与第一安装 端子24a或第二安装端子24b重叠的区域中的第一导电膜4a会通过蚀刻而被去除。因此， 在本实施例中，当用第二导电膜4b形成中继电极215和屏蔽电极28时，在与第一安装端子 24a或第二安装端子24b重叠的区域中保留第二导电膜4b。这保证了在与第一安装端子24a 或第二安装端子24b重叠的区域中形成的第一导电膜4a被保留而没有通过蚀刻被去除。应当注意的是，当由第二导电膜4b形成中继电极215和屏蔽电极28时，以第二安 装端子24b保留的第二导电膜4b连接到屏蔽电极28。相反，中断部分提供在以第一安装端 子24a保留的膜4b和屏蔽电极28之间。然而，应当注意的是，以第一安装端子24a保留的 第二导电膜4b的边缘部分与层间绝缘膜214重叠。因此，形成在与第一安装端子24a重叠 的区域中的第二导电膜4b完全与形成在与第一安装端子24a重叠的区域中的第一导电膜 4a重叠。这无疑保证了第一导电膜4a在与第一安装端子24a重叠的区域中被保留而不去 除。
此外，在本实施例中形成配线27时，第一导电膜4a优选沿着形成配线27的区域 延伸，并且例如由铬、银、铝或银铝合金制成的金属层4c优选提供在第一导电膜4a上以沿 着形成配线27的区域延伸，如图6A至6C所示。该多层结构有助于降低配线27的电阻。(输入位置 检测操作)在根据本实施例的静电电容输入装置1中，IC 10经由柔性配线板35连接到输入 面板2的第一安装端子24a和第二安装端子24b，如图IB所示。这里，IC 10包括端子Ila 和端子lib。端子Ila经由柔性配线板35依次输出位置检测信号VD至第一安装端子24a。 端子lib经由柔性配线板35输出屏蔽电势VS至第二安装端子24b。应当注意的是，IC 10 还包括接地端子，用于输出地电势至输入面板2。然而，本发明不直接涉及该端子。因此，省 略其描述和图解。在如上构造的静电电容输入装置1中，IC 10例如以图IC所示的矩形脉冲的形式 输出位置检测信号VD。结果，当输入位置检测电极21没有寄生电容时，从端子Ila输出具 有如图IC中实线所示的波形的信号。相反，如果输入位置检测电极21具有寄生电容，则波 形因该电容而变形，如图IC中的虚线所示。这使得能够确定输入位置检测电极21是否具有 任何的寄生电容。因此，在本实施例中，位置检测信号VD依次输出到多个输入位置检测电 极21的每一个，以监测其耦接的静电电容。结果，当手指接近多个输入位置检测电极21中 的一个时，手指接近的电极21的静电电容以在电极和手指之间形成的静电电容的量增加， 因此使得可以识别所讨论的电极。(本实施例的作用与效果)根据本实施例的静电电容输入装置1由于检测耦接到输入位置检测电极21的电 容的变化而容易受到电磁噪声的影响。因此，在本实施例中，为形成在柔性配线板35上的 配线35a形成屏蔽层35b。屏蔽电势VS经由屏蔽配线35c施加给屏蔽层35b。在本实施例 中，作为屏蔽电势VS施加给屏蔽层35b的电势与供应到输入位置检测电极21的位置检测 信号VD具有相同的波形(和相位)。这保证了在配线35a和屏蔽层35b之间没有寄生电 容。此外，在本实施例中，与位置检测信号VD具有相同波形(和相位)的屏蔽电势VS 经由柔性配线板35的屏蔽配线35d和第二安装端子24b从IC 10施加给屏蔽电极28。这 里，屏蔽电极28在输入操作侧与在基板20的输入区域2a的外侧区域2b中延伸的多条配 线27重叠。屏蔽电极28遮蔽了试图从输入操作侧进入配线27的电磁噪声，因此使输入面 板2不受来自输入操作侧的电磁波的影响。因此，根据本实施例的静电电容输入装置1不 会因电磁噪声而失灵。此外，屏蔽电极28没有提供在输入操作侧的输入区域2a中，因此对 基于静电电容的输入位置检测没有干扰。此外，屏蔽电势VS与供应到输入位置检测电极21的位置检测信号VD具有相同的 波形(和相位)。这保证了在配线27和屏蔽电极28之间没有寄生电容。结果，即使提供屏 蔽电极28，基于静电电容的输入位置检测也不会受干扰。此外，在用于形成第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212以及 中继电极215的第一导电膜4a和第二导电膜4b中，在输入操作侧的相反侧的第一导电膜 4a用于形成配线27。相反，在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，输入操作侧的第二导电 膜4b用于形成屏蔽电极28。这提供了不需要在外部提供屏蔽电极的优点。
此外，屏蔽电极28提供为沿着基板20的整个外周边缘，因此能更加确定地遮蔽试 图从输入操作侧进入的电磁噪声。此外，屏蔽电极28覆盖层间绝缘膜214的靠近基板20 外周边缘的侧部214e。这遮蔽了试图从周围环境进入配线27的电磁噪声。此外，第一安装端子24a和第二安装端子24b采用第一导电膜4a和第二导电膜4b 二者而提供在基板20的外围区域2b中。这使得能够将电势经由连接到基板20的柔性配 线板35从外部施加给屏蔽电极28，因此使得能够容易地施加屏蔽电势VS至屏蔽电极28。 此外，公用的柔性配线板35可以连接到第一安装端子24a和第二安装端子24b。而且，在设 置有第一安装端子24a的区域的每侧，第二安装端子24b电连接到屏蔽电极28，因此遮蔽了 试图从周围环境进入配线27的电磁噪声。
[实施例2]将参考图7A至9C描述基于实施例1的示例，其中给基板20增加了屏蔽辅助电极 29。图7A至7D是示意性地图解根据本发明实施例2的静电电容输入装置1的二维构造的 示意图。图7A是图解在静电电容输入装置1的基板20上形成的电极和其它部件之间的二 维位置关系的示意图。图7B是图解在基板20上形成的第一导电膜4a的二维构造的示意 图。图7C是图解在基板20上形成的层间绝缘膜214的二维构造的示意图。图7D是图解 在基板20上形成的第二导电膜4b的二维构造的示意图。图7A以重叠方式图解了图7B、7C 和7D所示的元件。图8是以放大的方式图解在根据本发明实施例2的静电电容输入装置1的基板20 上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图9A至9C是图解根据本发明实施例2的 静电电容输入装置1的基板20的截面构造的示意图。图9A、9B和9C是分别沿着图8所示 的线A2-A2’、线B2-B2’和线C2-C2’剖取的基板20的截面图。应当注意的是，本实施例在 基本构造上与实施例1相同。因此，相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其描述。在根据本实施例的静电电容输入装置1中，第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二 导电膜4b与实施例1 一样从基板20开始依次形成在基板20的第一表面20a上，如图7A 至9C所示。如图7B所示，与实施例1 一样第一导电膜4a形成为第一输入位置检测电极211 和第二输入位置检测电极212的焊垫部分211a和212a及配线27。第一导电膜4a也形成 在靠近边缘部分20e的与第一安装端子24a和第二安装端子24b重叠的区域中。与实施例1不同的是，在本实施例中第一导电膜4a在基板20的外围区域2b中形 成为在配线27外侧的屏蔽辅助电极29。这里，配线27形成在对应于基板20的三边的区域 中，即基板20的输入区域2a和边缘部分20e之间的一个区域、基板20的输入区域2a和边 缘部分20f之间的另一个区域以及基板20的输入区域2a和边缘部分20h之间的又一个区 域。相反，屏蔽辅助电极29形成为沿着基板20的所有边，即基板20的输入区域2a和边缘 部分20e之间的一个区域、基板20的输入区域2a和边缘部分20f之间的另一个区域、基板 20的输入区域2a和边缘部分20g之间的又一个区域以及基板20的输入区域2a和边缘部 分20h之间的再一个区域。应当注意的是，在夹设在基板20的输入区域2a和边缘部分20e 之间的区域中，屏蔽辅助电极29中途弯向的第二安装端子24b。该电极29在配线27延伸 的区域中中断。如图7C所示，与实施例1 一样层间绝缘膜214形成在基板20的除外周边缘之外的大区域上。接触孔214a形成在层间绝缘膜214中，每组包括四个接触孔214a。这里，层 间绝缘膜214形成为比基板20的外周边缘稍微向里。结果，层间绝缘膜214不形成为靠近 基板20的外周边缘。如图7D所示，第二导电膜4b在输入区域2a的与图7C所示的接触孔214a重叠的 区域中形成为中继电极215。此外，该膜4b在输入区域2a的外侧区域2b中形成为屏蔽电 极28。此外，该膜4b形成在靠近边缘部分20e的与第一安装端子24a和第二安装端子24b 重叠的区域中。与供应到输入位置检测电极21的位置检测信号具有相同波形(和相位) 的电势施加给屏蔽电极28。此外，两个第二安装端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外围区域2b中， 其中在设置有第一安装端子24a的区域的每一侧设置一个。第一安装端子24a电连接到配 线27，并且第二安装端子24b在设置有第一安装端子24a的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例1的其它构造类似。因此，省略其描述。
在如上所述构造的输入面板2中，在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，在输入操 作侧的相反侧的第一导电膜4a与实施例1 一样用于形成配线27。在第一导电膜4a和第二 导电膜4b中，输入操作侧的第二导电膜4b用于形成屏蔽电极28。该电极28在输入操作侧 与配线27重叠。这提供了与实施例1相同的优点由于屏蔽电极28而遮蔽了试图从输入 操作侧进入配线27的电磁噪声。屏蔽辅助电极29在对应于基板20四边的位置处形成到层间绝缘膜214的外周边 缘之外。该电极29的一部分从层间绝缘膜214暴露。另一方面，屏蔽电极28在对应于基 板20四边的位置处形成到层间绝缘膜214的外周边缘之外。因此，屏蔽电极28覆盖层间 绝缘膜214的外周侧的侧部214e。在层间绝缘膜214的外周侧(没有形成层间绝缘膜214 的区域中)，电极28沿着电极29的整个纵向方向(延伸方向)连接到从层间绝缘膜214暴 露的屏蔽辅助电极29。这提供了屏蔽电极28的实质降低的电阻。此外，屏蔽电极28和屏 蔽辅助电极29抑制了试图从周围环境进入配线27的电磁噪声。[实施例3]将对一示例进行描述，在该示例中输入位置检测电极以参考图2A描述的静电电 容输入装置1的形式用第二导电膜4b形成。图IOA至IOD是示意性地图解根据本发明实 施例3的静电电容输入装置1的二维构造的示意图。图IOA是图解在静电电容输入装置1 的基板20上形成的电极和其它部件之间二维位置关系的示意图。图IOB是图解在基板20 上形成的第一导电膜4a的二维构造的示意图。图IOC是图解在基板20上形成的层间绝缘 膜214的二维构造的示意图。图IOD是图解在基板20上形成的第二导电膜4b的二维构造 的示意图。图IOA以重叠的方式图解了图10BU0C和IOD所示的元件。图11是以放大的方式图解在根据本发明实施例3的静电电容输入装置1的基板 20上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图12A至12C是图解根据本发明实施例 3的静电电容输入装置1的基板20的截面构造的示意图。图12A、12B和12C是分别沿着图 11所示的线A3-A3’、线B3-B3’和线C3-C3’剖取的基板20的截面图。应当注意的是，本实 施例在基本构造上与实施例1相同。因此，相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其 描述。在根据本实施例的静电电容输入装置1中，与实施例1 一样第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b从基板20开始依次形成在基板20的第一表面20a上，如图IOA 至12C所示如图IOB所示，第一导电膜4a首先在输入区域2a中形成为多个中继电极215。此 夕卜，该膜4a在外围区域2b中形成为多条配线27。这里，各配线27具有位于输入区域2a内 的边缘部分。这些边缘部分用作比配线27宽的连接部分27a。此外，在外围区域2b的对应 于基板20四边的区域中，与实施例2 —样第一导电膜4a形成为屏蔽辅助电极29。如图IOC所示，层间绝缘膜214在输入区域2a中仅形成在稍后描述的交叉部分 218处。该膜214以矩形框架的形式形成在外围区域2b中以围绕输入区域2a。这里，层间 绝缘膜214形成为比基板20的外周边缘略向里。结果，层间绝缘膜214没有形成为靠近基 板20的外周边缘。如图IOD所示，第二导电膜4b在输入区域2a中形成为多个矩形区域。这些矩形 区域构成第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212的焊垫部分211a和 212a(大面积部分)。此外，该膜4b在外围区域2b中以矩形框架的形式形成为屏蔽电极 28。此外，该膜4b形成在靠近边缘部分20e的与第一安装端子24a和第二安装端子24b重 叠的区域中当如上所述构造的第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b依次堆叠时， 基板20构造为如图10A、11和12A至12C所示。在平面上看时，基板20具有形成在输入 区域2a中的多个输入位置检测电极21。在本实施例中，输入位置检测电极21包括多列第 一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212。第一输入位置检测电极211 (图 IOA中由粗实线所示)延伸在第一方向(箭头Y所示的方向)上。第二输入位置检测电极 212 (图IOA中由粗虚线示出)延伸在第二方向(由箭头X所示的方向)上。这里，在第一 导电膜4a和第二导电膜4b中，第二导电膜4b用于形成输入位置检测电极21 (第一输入位 置检测电极211和第二输入位置检测电极212)。结果，输入位置检测电极21由相同的层制 成。因此，在基板20的第一表面20a上，多个交叉部分218存在于第一输入位置检测电极 211和第二输入位置检测电极212之间。在本实施例中，在第一输入位置检测电极211和 第二输入位置检测电极212中，第一输入位置检测电极211通过交叉部分218处由第二导 电膜4b制成的连接部分211c而在Y方向上连接在一起，从而在Y方向上延伸。相反，对于 第二输入位置检测电极212，中断部分218a形成在交叉部分218处。此外，在交叉部分218 处由第一导电膜4a形成中继电极215。应当注意的是，第二输入位置检测电极212在X方 向上通过中继电极215电连接在一起。另一方面，尽管配线27用第一导电膜4a形成，但是连接部分27a位于输入区域2a 内。而且，连接部分27a没有用层间绝缘膜214覆盖。因此，在形成第二导电膜4b时，输入 位置检测电极21与配线27的连接部分27a重叠。结果，电极21电连接到连接部分27a。此外，两个第二安装端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外围区域2b中， 其中在设置有第一安装端子24a的区域的每一侧设置一个。第一安装端子24a电连接到配 线27，并且第二安装端子24b在设置有第一安装端子24a的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例1的其它构造类似。因此，省略其描述。在如上所述构造的输入面板2中，在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，与实施例 1和2 —样在输入操作侧的相反侧的第一导电膜4a用于形成配线27。在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，输入操作侧的第二导电膜4b用于形成屏蔽电极28。该电极28在输入操 作侧与配线27重叠。这提供了与实施例相同的优点由于屏蔽电极28而遮蔽了试图从输 入操作侧进入配线27的电磁噪声。此外，与实施例2 —样屏蔽电极28覆盖层间绝缘膜214的外周侧的侧部214e。在 层间绝缘膜214的外周侧(没有形成层间绝缘膜214的区域中)，电极28沿着电极29的整 个纵向方向(延伸方向)连接到从层间绝缘膜214暴露的屏蔽辅助电极29。这提供了屏蔽 电极28的实质降低的电阻。此外，屏蔽电极28和屏蔽辅助电极29抑制了试图从周围环境 进入配线27的电磁噪声。此外，在本实施例中，在输入区域2a中层间绝缘膜214仅形成在交叉部分218处。 因此，膜214几乎不形成在与输入位置检测电极21 (第一输入位置检测电极211和第二输 入位置检测电极212)的焊垫部分211a和212a重叠的位置处。因此，输入面板2提供了高 的透光性，从而使得配备有根据本实施例的输入装置的电光设备100显示明亮的图像。
[实施例4]下面将参考图13A至15C描述参考图2B描述的静电电容输入装置1的构造示例。 图13A至13D是示意性地图解了根据本发明实施例4的静电电容输入装置1的二维构造的 示意图。图13A是图解在静电电容输入装置1的基板上形成的电极和其它部件之间的二维 位置关系的示意图。图13B是图解在基板20上形成的第一导电膜4a的二维构造的示意图。 图13C是图解在基板20上形成的层间绝缘膜214的二维构造的示意图。图13D是图解在 基板20上形成的第二导电膜4b的二维构造的示意图。图13A以重叠的方式图解了图13B、 13C和13D所示的元件。图14是以放大的方式图解在根据本发明实施例4的静电电容输入装置1的基板 20上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图15A至15C是图解根据本发明实施例 4的静电电容输入装置1的基板的截面构造的示意图。图15A、15B和15C是分别沿着图14 所示的线A4-A4’、线B4-B4’和线C4-C4’剖取的基板20的截面图。应当注意的是，本实施 例在基本构造上与实施例1相同。因此，相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其描 述。在根据本实施例的静电电容输入装置1中，第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二 导电膜4b从基板20开始依次形成在基板20的第二表面20b上，如图13A至15C所示。如图13B所示，第一导电膜4a首先在输入区域2a中形成为多个矩形区域。这些 矩形区域构成第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212的焊垫部分211a 和212a(大面积部分)。此外，第一导电膜4a在外围区域2b中形成为屏蔽电极28。与供 应到输入位置检测电极21的位置检测信号VD具有相同波形(和相位)的电势施加给屏蔽 电极28。如图13C所示，与实施例1 一样层间绝缘膜214形成在基板20的除外周边缘之外 的大区域上。接触孔214a形成在层间绝缘膜214中，其中每组包含四个接触孔214a。此 夕卜，接触孔214b形成在层间绝缘膜214的与图13D所示的配线27的连接部分27a重叠的 位置处。如图13D所示，与实施例1 一样第二导电膜4b在输入区域2a中形成为与图13C 所示的接触孔214a重叠的中继电极215。此外，膜4b形成在靠近边缘部分20e的与第一安装端子24a和第二安装端子24b重叠的区域中。此外，膜4b在外围区域2b中形成为多条 配线27。各配线27具有位于输入区域2a内的边缘部分。这些边缘部分用作比配线27宽 的连接部分27a。而且，在外围区域2b的对应于基板20四边的区域中，第二导电膜4b形成 为屏蔽辅助电极29。这里，第一安装端子24a连接到配线27，并且第二安装端子24b连接 到屏蔽辅助电极29。当如上所述构造的第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b依次堆叠时， 基板20构造为如图13A、14和15A至15C所示。结果，多个输入位置检测电极21形成在输 入区域2a中。另一方面，输入位置检测电极21 (第一输入位置检测电极211和第二输入位 置检测电极212)用第一导电膜4a形成，并且配线27用第二导电膜4b形成。在此情况下， 接触孔214b形成在层间绝缘膜21 4中。因此，输入位置检测电极21和配线27经由接触孔 214b而电连接。此外，两个第二安装端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外围区域2b中， 其中在设置有第一安装端子24a的区域的每一侧设置一个。第一安装端子24a电连接到配 线27，并且第二安装端子24b在设置有第一安装端子24a的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例1的其它构造类似。因此，省略其描述。在如上所述构造的输入面板2中，在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，在输入操 作侧的相反侧的第二导电膜4b用于形成配线27。在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，输 入操作侧的第一导电膜4a用于形成屏蔽电极28。电极28在输入操作侧与配线27重叠。 这提供了与实施例1相同的优点由于屏蔽电极28而遮蔽了试图从输入操作侧进入配线 27的电磁噪声。另一方面，与实施例2 —样屏蔽辅助电极29在对应于基板20四边的位置处形成 到层间绝缘膜214的外周边缘之外。电极29的一部分从层间绝缘膜214暴露。另一方面， 屏蔽电极28在对应于基板20四边的位置处形成到层间绝缘膜214的外周边缘之外。因此， 屏蔽辅助电极29覆盖层间绝缘膜214的外周侧的侧部214e。在层间绝缘膜214的外周侧 (没有形成层间绝缘膜214的区域中)，屏蔽电极28沿着电极29的整个纵向方向连接到从 层间绝缘膜214暴露的屏蔽辅助电极29。这提供了屏蔽电极28的实质降低的电阻。此外， 屏蔽电极28和屏蔽辅助电极29抑制了试图从周围环境进入配线27的电磁噪声。[实施例5]将参考图16A至18C描述基于实施例4的构造示例，其中输入位置检测电极21用 第二导电膜4b形成。图16A至16D是示意性地图解根据本发明实施例5的静电电容输入 装置1的二维构造的示意图。图16A是图解在静电电容输入装置1的基板20上形成的电 极和其它部件之间的二维位置关系的示意图。图16B是图解在基板20上形成的第一导电 膜4a的二维构造的示意图。图16C是图解在基板20上形成的层间绝缘膜214的二维构造 的示意图。图16D是图解在基板20上形成的第二导电膜4b的二维构造的示意图。图16A 是以重叠的方式图解图16B、16C和16D所示的元件。图17是以放大的方式图解在根据本发明实施例5的静电电容输入装置1的基板 上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图18A至18C是图解根据本发明实施例5 的静电电容输入装置1的基板20的截面构造的示意图。图18A、18B和18C是分别沿着图 17所示的线A5-A5’、线B5-B5’和线C5-C5’剖取的基板20的截面图。应当注意的是，本实施例在基本构造上与实施例1相同。因此，相同的部件由相同的附图标记表示，并且省略其 描述。在根据本实施例的静电电容输入装置1中，第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二 导电膜4b从基板20开始依次形成在基板20的第二表面20b上，如图16A至18C所示。如图16B 所示，第一导电膜4a在输入区域2a的与稍后描述的接触孔214a重叠的 位置处形成为为中继电极215。此外，第一导电膜4a也在外围区域2b中形成为屏蔽电极 28。如图16C所示，与实施例1 一样层间绝缘膜214形成在基板20的除外周边缘之外 的大区域上。接触孔214a形成在层间绝缘膜214中，其中每组包含四个接触孔214a。如图16D所示，第二导电膜4b首先在输入区域2a中形成为多个矩形区域。这些 矩形区域构成第一输入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212的焊垫部分211a 和212a (大面积部分)。此外，该膜4b形成在靠近边缘部分20e的与第一安装端子24a和 第二安装端子24b重叠的区域中。此外，该膜4b在外围区域2b中形成为多条配线27。而 且，第二导电膜4b在外围区域2b的对应于基板20四边的区域中形成为屏蔽辅助电极29。 这里，第一安装端子24a连接到配线27，并且第二安装端子24b连接到屏蔽辅助电极29。当如上所述构造的第一导电膜4a、层间绝缘膜214和第二导电膜4b依次堆叠时， 基板20构造为如图16A、17和18A至18C所示。结果，多个输入位置检测电极21 (第一输 入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212)形成在输入区域2a中。此外，两个第二安装端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外围区域2b中， 其中在设置有第一安装端子24a的区域的每一侧设置一个。第一安装端子24a电连接到配 线27，并且第二安装端子24b在设置有第一安装端子24a的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例1的其它构造类似。因此，省略其描述。 在如上所述构造的输入面板2中，在第一导电膜4a和第二导电膜4b中，在输入操 作侧的相反侧的第二导电膜4b用于形成配线27。在第一导电膜4a和第二导电膜4b中， 输入操作侧的第一导电膜4a用于形成屏蔽电极28。该电极28在输入操作侧与配线27重 叠。这提供了与实施例1相同的优点由于屏蔽电极28而遮蔽了试图从输入操作侧进入配 线27的电磁噪声。此外，与实施例2 —样屏蔽辅助电极29在对应于基板20四边的位置处形成到层 间绝缘膜214的外周边缘之外。电极29的一部分从层间绝缘膜214暴露。另一方面，屏蔽 电极28在对应于基板20四边的位置处形成到层间绝缘膜214的外周边缘之外。因此，屏蔽 辅助电极29覆盖层间绝缘膜214的外周侧的侧部214e。在层间绝缘膜214的外周侧(没 有形成层间绝缘膜214的区域中)，屏蔽电极28沿着电极29的整个纵向方向连接到从层间 绝缘膜214暴露的屏蔽辅助电极29。这提供了屏蔽电极28的实质降低的电阻。此外，屏蔽 电极28和屏蔽辅助电极29抑制了试图从周围环境进入配线27的电磁噪声。[其它实施例]在上述实施例中，仅第一导电膜4a和第二导电膜4b中的任一个用于形成第一输 入位置检测电极211和第二输入位置检测电极212。然而，第一导电膜4a和第二导电膜4b 二者可以用于形成电极211和212。例如，第一导电膜4a可以用于形成第一输入位置检测 电极211，并且第二导电膜4b用于形成第二输入位置检测电极212。
在如上所述的实施例中，第一导电膜4a或者第二导电膜4b用于形成配线27的在 输入操作侧的屏蔽电极28。然而，备选地，图2A和2B所示盖90的遮光层90a可以用诸如 铬的导电膜形成并用作屏蔽电极。在上述的实施例中，液晶装置用作图像产生装置5。然而，备选地，有机电致发光装 置可以用作图像产生装置5。[结合到电子设备的示例]接下来，将描述电子设备，其应用了配备有根据上述任一实施例的输入装置的电 光设备100。图19A图解了膝上个人计算机的构造，其具有配备了输入装置的电光设备100。 个人计算机2000包括作为显示单元的配备有输入装置的电光设备100和主体部分2010。 电源开关2001和键盘2002提供在主体部分2010上。图19B图解了移动电话的构造，其具 有配备了输入装置的电光设备100。移动电话3000包括多个操作按钮3001和滚动条按钮 3002以及作为显示单元的配备有输入装置的电光设 备100。显示在配备有输入装置的电 光设备100上的屏幕可以通过操作滚动条按钮3002进行滚动。图19C图解了个人数字助 理(PDA)的构造，其应用了配备有输入装置的电光设备100。PDA 4000包括多个操作按钮 4001、电源开关4002和作为显示单元的配备有输入装置的电光设备100。诸如地址簿和日 程表的各种信息通过操作操作按钮4001而显示在配备有输入装置的电光设备100上。应当注意的是，应用配备有输入装置的电光设备100的电子设备不仅仅只包括图 19A至19C所示的电子设备，而且还包括数字静态照相机、液晶电视机、取景器和直视型磁 带录像机、汽车导航仪、寻呼机、电子记事本、电子计算器、文字处理器、工作基站、TV电话、 POS终端和银行终端。配备有输入装置的电光设备100可用作这些电子设备的显示部分。本申请包含2009年7月27日提交至日本专利局的日本优先权专利申请JP 2009-173984中公开的相关主题事项，其全部内容通过弓I用结合于此。本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据 设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
权利要求
一种静电电容输入装置，包括基板的输入区域，在该输入区域中提供多个输入位置检测电极；多条配线，电连接到所述多个输入位置检测电极并且在所述基板的所述输入区域之外延伸；以及屏蔽电极，在输入操作侧与所述配线重叠。
2.如权利要求1所述的静电电容输入装置，其中 所述屏蔽电极提供为沿着所述基板的整个外周边缘。
3.如权利要求1所述的静电电容输入装置，其中第一导电膜、层间绝缘膜和第二导电膜从基板侧开始依次形成在所述基板上， 在所述第一导电膜和所述第二导电膜中，该两个导电膜中的至少一个用于形成所述输 入位置检测电极，在所述第一导电膜和所述第二导电膜中，在所述输入操作侧的相反侧的导电膜用于形 成所述配线，并且在所述第一导电膜和所述第二导电膜中，在所述输入操作侧的导电膜用于形成所述屏 蔽电极。
4.如权利要求3所述的静电电容输入装置，其中在所述第一导电膜和所述第二导电膜中，在所述输入操作侧的相反侧的导电膜在所述 基板上用于形成在所述配线的外周侧的屏蔽辅助电极，并且所述屏蔽辅助电极和所述屏蔽电极在没有形成所述层间绝缘膜的区域中重叠并电连接在一起。
5.如权利要求4所述的静电电容输入装置，其中 所述屏蔽辅助电极形成为沿着所述基板的所有边，并且沿着所述屏蔽辅助电极的整个纵向方向所述屏蔽辅助电极和所述屏蔽电极重叠并电 连接在一起。
6.如权利要求3所述的静电电容输入装置，其中在所述第一导电膜和所述第二导电膜中，该两个导电膜中的至少一个用于在所述基板 的所述输入区域之外提供第一安装端子和第二安装端子，并且所述第一安装端子连接到所述配线，所述第二安装端子连接到所述屏蔽电极。
7.如权利要求3所述的静电电容输入装置，其中在所述第一导电膜和所述第二导电膜中，该两个导电膜中的至少一个用于在所述基板 上提供多个第一输入位置检测电极和多个第二输入位置检测电极以作为所述输入位置检 测电极，所述第一输入位置检测电极在所述基板的平面内沿第一方向延伸， 所述第二输入位置检测电极在所述基板的平面内沿与所述第一方向交叉的第二方向 延伸，连接部分、中断部分和中继电极提供在所述第一输入位置检测电极和所述第二输入位 置检测电极间的每个交叉部分处，所述连接部分使所述第一输入位置检测电极和所述第二输入位置检测电极中的一方 连续并包括所述第一导电膜和所述第二导电膜中的一个，所述中断部分是所述第一输入位置检测电极和所述第二输入位置检测电极中的另一 方中断的部分，所述中继电极隔着所述层间绝缘膜与所述连接部分重叠，以电连接所述第一输入位置 检测电极和所述第二输入位置检测电极中的所述另一方的所述中断部分，并且所述中继电极包括所述第一导电膜和所述第二导电膜中的另一个。
8.如权利要求3所述的静电电容输入装置，其中所述第一导电膜、所述层间绝缘膜和所述第二导电膜形成在所述基板的所述输入操作 侧的基板表面上，所述配线用所述第一导电膜形成，并且所述屏蔽电极用所述第二导电膜形成。
9.如权利要求3所述的静电电容输入装置，其中所述第一导电膜、所述层间绝缘膜和所述第二导电膜形成在所述基板的所述输入操作 侧的相反侧的基板表面上，所述配线用所述第二导电膜形成，并且所述屏蔽电极用所述第一导电膜形成。
10.如权利要求1所述的静电电容输入装置，其中与施加给所述输入位置检测电极的位置检测信号具有相同波形和相位的电势被施加 给所述屏蔽电极。
11.一种电光设备，配备有静电电容输入装置的输入装置，该静电电容输入装置包括基板的输入区域，在所述输入区域中提供多个输入位置检测电极；多条配线，电连接到所述多个输入位置检测电极并在所述基板的所述输入区域之外延 伸；以及屏蔽电极，在输入操作侧与所述配线重叠，其中用于产生图像的电光面板形成在与所述基板的所述输入操作侧相反的侧。
全文摘要
本发明提供了静电电容输入装置以及具有该输入装置的电光设备。该静电电容输入装置包括基板的输入区域，在该输入区域中提供多个输入位置检测电极；多条配线，电连接到多个输入位置检测电极并在基板的输入区域之外延伸；以及屏蔽电极，在输入操作侧与配线重叠。
文档编号G06F3/044GK101968702SQ20101023448
公开日2011年2月9日 申请日期2010年7月20日 优先权日2009年7月27日
发明者仓岛健 申请人:索尼公司