专利名称：提取双极结型晶体管的spice模型的方法
技术领域：
本发明涉及一种提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法。
背景技术：
双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)是半导体集成电路中一种 重要的半导体器件，在集成电路工艺领域中被广泛的应用。为了预测双极结型晶体管器件 在所处的环境中的性能和可靠性，需要对双极结型晶体管进行仿真。SPICE (Simulation Program with Intergraded Circuit Emphasis)是器件设计 行业应用最为普遍的电路级模拟程序，各软件厂家提供了 Vspice、Hspice、Pspice等不同 版本SPICE软件，这些软件的仿真核心大同小异，都采用了美国加利福尼亚大学伯克莱分 校开发的SPICE模拟算法。通常SPICE软件中的双极结型晶体管模型仅仅提供了面积分别 为10um*10um、5um*5um、2um*2um的三种双极结型晶体管，由于提供双极结型晶体管的种类 有限，因此，设计者只能使用有限的几种面积的双极结型晶体管进行仿真，而不能根据设计 需要选择其他面积的双极结型晶体管进行仿真。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法。一种提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法，包括如下步骤设计至少三个具 有不同面积的双极结型晶体管；提取所述具有不同面积的双极结型晶体管的SPICE模型； 在所述SPICE模型中，选择与所述双极结型晶体管的面积相关的模型参数，利用多项式拟 合算法获得所述模型参数与所述双极结型晶体管的面积之间的关系；根据获得的所述模型 参数与所述双极结型晶体管的面积之间的关系，建立适于各种不同面积的双极结型晶体管 的SPICE模型。本发明优选的一种技术方案，在所述SPICE模型中，设置与所述双极结型晶体管 的面积无关的模型参数不变。本发明优选的一种技术方案，与所述双极结型晶体管的面积相关的模型参数至少 包括饱和电流参数、晶体管正向工作时的复合电流参数、晶体管集电极电容参数、晶体管发 射极电容参数、晶体管大电流注入时的扭曲电流参数中的一个参数。本发明优选的一种技术方案，与所述双极结型晶体管的面积无关的模型参数至少 包括晶体管正向工作时的电流发射参数、晶体管反向工作时的电流发射参数、晶体管正向 工作时的厄莱电压参数、晶体管反向工作时的厄莱电压参数、晶体管正向工作时的电流复 合参数、晶体管反向工作时的电流复合参数、晶体管电容的正向因子、晶体管集电极电容因 子、晶体管发射极电容因子、晶体管衬底寄生电容因子、晶体管集电极电容的电压参数、晶 体管发射极电容的电压参数、晶体管衬底寄生电容的电压参数中的一个参数。本发明优选 的一种技术方案，所述电容器是MIS电容器。本发明优选的一种技术方案，在所述双极结型晶体管的SPICE宏模型中，与所述
3双极结型晶体管的面积相关的模型参数至少包括饱和电流参数、晶体管正向工作时的复合 电流参数、晶体管集电极电容参数、晶体管发射极电容参数、晶体管大电流注入时的扭曲电 流参数中的一个参数的拟合参数。与现有技术相比，本发明的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法选择与所述 双极结型晶体管的面积相关的模型参数，利用多项式拟合算法获得所述模型参数与所述双 极结型晶体管的面积之间的关系，建立双极结型晶体管的SPICE宏模型，从而提供适于各 种不同面积的双极结型晶体管的SPICE模型，进而提高了器件工程师的工作效率。
图1是本发明的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法的流程图。图2是利用本发明的方法建立的双极结型晶体管的SPICE宏模型。图3是本发明的双极结型晶体管的SPICE宏模型的仿真结果与测量数据提取模型 的IC/IB/Beta的对比表。图4是本发明的双极结型晶体管的SPICE宏模型的仿真结果与测量数据提取模型 的IC/IB/Beta的对比图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明作进一步 的详细描述。在双极结型晶体管的SPICE模型中，有许多描述双极结型晶体管物理效应的模型 参数，如基本的直流模型参数，增益相关的模型参数、电阻模型参数、结电容模型参数、噪 声模型参数和渡越时间模型参数。这些模型参数中的一些参数与双极结型晶体管的面积相 联系，另一些参数与双极结型晶体管的面积不相关，本发明的提取双极结型晶体管的SPICE 模型的方法正是利用模型参数与双极结型晶体管的面积之间的关系而提出。请参阅图1，图1是本发明的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法的流程图。 首先，设计至少三个具有不同面积的双极结型晶体管器件(BJT device)，所述双极结型晶 体管器件的面积可以包括10um*10um、5um*5um、2um*2um全部或者其中之一，也可以根据工 程师的设计需求而选择其他的面积。提取所述具有不同面积的双极结型晶体管的SPICE模型，从而获得在不同面积下 的所述双极结型晶体管的模型参数。所述模型参数包括晶体管饱和电流参数(IS)、晶体 管正向工作时的复合电流参数(ISE)、晶体管集电极电容参数(CJC)、晶体管发射极电容参 数(CJE)、晶体管大电流注入时的扭曲电流参数(IKF)、晶体管正向工作时的电流发射参数 (NE)、晶体管反向工作时的电流发射参数(NR)、晶体管正向工作时的厄莱电压参数(VAF)、 晶体管反向工作时的厄莱电压参数(VAR)、晶体管正向工作时的电流复合参数(NE)、晶体 管反向工作时的电流复合参数(NC)、晶体管电容的正向因子(FC)、晶体管集电极电容因子 (MJC)、晶体管发射极电容因子(MJE)、晶体管衬底寄生电容因子(MJS)、晶体管集电极电容 的电压参数(VJS)、晶体管发射极电容的电压参数(VJE)、晶体管衬底寄生电容的电压参数 (VJS)等。在所述SPICE模型参数中，选择与所述双极结型晶体管的面积相关的模型参数。所述模型参数包括晶体管饱和电流参数(IS)、晶体管正向工作时的复合电流参数(ISE)、 晶体管集电极电容参数(CJC)、晶体管发射极电容参数(CJE)、晶体管大电流注入时的扭曲 电流参数(IKF)等。利用多项式拟合算法(polynomialfitting)获得所选择的模型参数与 所述双极结型晶体管的面积之间的关系。在所述SPICE参数模型中，设置与所述双极结型晶体管的面积无关的模型参数不 变。所述模型参数包括晶体管正向工作时的电流发射参数(NF)、晶体管反向工作时的电流 发射参数(NR)、晶体管正向工作时的厄莱电压参数(VAF)、晶体管反向工作时的厄莱电压 参数(VAR)、晶体管正向工作时的电流复合参数(NE)、晶体管反向工作时的电流复合参数 (NC)、晶体管电容的正向因子(FC)、晶体管集电极电容因子(MJC)、晶体管发射极电容因子 (MJE)、晶体管衬底寄生电容因子(MJS)、晶体管集电极电容的电压参数(VJS)、晶体管发射 极电容的电压参数(VJE)、晶体管衬底寄生电容的电压参数(VJS)等当需要对一种面积的双极结型晶体管进行仿真时，根据获得的SPICE模型参数与 双极结型晶体管的面积之间的关系，即可以得知与这种面积有关的模型参数，而其他的模 型参数保持不变，从而利用这种方法建立双极结型晶体管的SPICE宏模型(Macro model), 如图2所示。在所述双极结型晶体管的SPICE宏模型中，与所述双极结型晶体管的面积相 关的模型参数至少包括饱和电流参数、晶体管正向工作时的复合电流参数、晶体管集电极 电容参数、晶体管发射极电容参数、晶体管大电流注入时的扭曲电流参数中的一个参数的 拟合参数。与现有技术相比，本发明的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法选择与所述 双极结型晶体管的面积相关的模型参数，利用多项式拟合算法获得所述模型参数与所述双 极结型晶体管的面积之间的关系，建立双极结型晶体管的SPICE宏模型，从而提供适于各 种不同面积的双极结型晶体管的SPICE模型，从而进而提高了器件工程师的工作效率。请 参阅图3、图4，图3是本发明的双极结型晶体管的SPICE宏模型的仿真结果与测量数据提 取模型的IC/IB/Beta的对比表。图4是本发明的双极结型晶体管的SPICE宏模型的仿真 结果与测量数据提取模型的IC/IB/Beta的对比图。由图可见，利用本发明的提取双极结型 晶体管的SPICE模型的方法建立的SPICE宏模型具有较高的精确度。在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应 当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。
权利要求
一种提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法，其特征在于，包括如下步骤设计至少三个具有不同面积的双极结型晶体管；提取所述具有不同面积的双极结型晶体管的SPICE模型；在所述SPICE模型中，选择与所述双极结型晶体管的面积相关的模型参数，利用多项式拟合算法获得所述模型参数与所述双极结型晶体管的面积之间的关系；根据获得的所述模型参数与所述双极结型晶体管的面积之间的关系，建立双极结型晶体管的SPICE宏模型。
2.如权利要求1所述的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法，其特征在于，在所述 SPICE模型中，设置与所述双极结型晶体管的面积无关的模型参数不变。
3.如权利要求1所述的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法，其特征在于，与所述 双极结型晶体管的面积相关的模型参数至少包括饱和电流参数、晶体管正向工作时的复合 电流参数、晶体管集电极电容参数、晶体管发射极电容参数、晶体管大电流注入时的扭曲电 流参数中的一个参数。
4.如权利要求1所述的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法，其特征在于，与所述 双极结型晶体管的面积无关的模型参数至少包括晶体管正向工作时的电流发射参数、晶体 管反向工作时的电流发射参数、晶体管正向工作时的厄莱电压参数、晶体管反向工作时的 厄莱电压参数、晶体管正向工作时的电流复合参数、晶体管反向工作时的电流复合参数、晶 体管电容的正向因子、晶体管集电极电容因子、晶体管发射极电容因子、晶体管衬底寄生电 容因子、晶体管集电极电容的电压参数、晶体管发射极电容的电压参数、晶体管衬底寄生电 容的电压参数中的一个参数。
5.如权利要求1所述的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法，其特征在于，在所述 双极结型晶体管的SPICE宏模型中，与所述双极结型晶体管的面积相关的模型参数至少包 括饱和电流参数、晶体管正向工作时的复合电流参数、晶体管集电极电容参数、晶体管发射 极电容参数、晶体管大电流注入时的扭曲电流参数中的一个参数的拟合参数。
全文摘要
本发明涉及一种提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法，包括如下步骤设计至少三个具有不同面积的双极结型晶体管；提取所述具有不同面积的双极结型晶体管的SPICE模型；在所述SPICE模型中，选择与所述双极结型晶体管的面积相关的模型参数，利用多项式拟合算法获得所述模型参数与所述双极结型晶体管的面积之间的关系；根据获得的所述模型参数与所述双极结型晶体管的面积之间的关系，建立双极结型晶体管的SPICE宏模型。本发明的提取双极结型晶体管的SPICE模型的方法有利于对各种不同面积的双极结型晶体管进行仿真。
文档编号G06F17/50GK101944147SQ20101027866
公开日2011年1月12日 申请日期2010年9月10日 优先权日2010年9月10日
发明者余泳 申请人:上海宏力半导体制造有限公司