可变量动态存储器刷新的制作方法
【专利摘要】提供一种系统和方法，用于对新动态存储器进行刷新。以第一刷新速率刷新存储器的第一区，以及以不同于所述第一刷新速率的第二刷新速率刷新所述存储器的第二区。存储器控制器配置为以所述第一刷新速率刷新存储器的所述第一区，且以所述第二刷新速率刷新所述存储器的所述第二区。
【专利说明】可变量动态存储器刷新
【技术领域】
[0001]本发明涉及动态存储器，具体而言涉及对动态存储器进行刷新。
【背景技术】
[0002]动态随机存取存储器(DRAM)这类常规的动态存储器装置要求每个刷新间隔(典型为64ms)对所有行进行一次刷新，以保存存储于RAM内的数据。如果不刷新数据，则随着时间流逝，存储器单元内对数据进行编码的电荷会泄漏掉。事实上，绝大部分DRAM行在高温极限下在刷新操作之间都能够维持很多秒，且在典型温度下能够使数据保持更长时间。一般而言，短的刷新间隔源自于少量“漏电的”存储器单元。实际上只有“漏电的”存储器单元才需要快速的刷新速率。当DRAM并未被使用(即，处于待机模式)时，以“漏电的”存储器单元所要求的速率对所有行进行不必要的刷新会造成相当大的功率浪费。在将功率存储于电池内的移动应用中，浪费功率尤其令人不悦。
[0003]因而，存在对减小刷新速率和/或减少与现有技术相关联的其他问题的需要。
【发明内容】
[0004]一种用于刷新动态存储器的系统和方法。以第一刷新速率刷新存储器的第一区，且以不同于所述第一刷新速率的第二刷新速率刷新所述存储器的第二区。存储器控制器配置为，以所述第一刷新速率刷新存储器的所述第一区，且以所述第二刷新速率刷新所述存储器的所述第二区。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]图1示出了根据一个实施例的、用于以不同的速率对DRAM的各区进行刷新的方法的流程图；
[0006]图2A示出了根据一个实施例的、用于动态存储器的不同区的不同刷新速率；
[0007]图2B示出了根据一个实施例的存储器控制器；
[0008]图3示出了根据一个实施例的、用于以不同速率对DRAM的各行进行刷新的方法的另一流程图；
[0009]图4A示出了根据一个实施例的、图3所示的某一步骤的流程图；
[0010]图4B示出了根据一个实施例的、图3所示的另一步骤的流程图；
[0011]图4C示出了根据一个实施例的、图3所示的又一步骤的流程图；以及
[0012]图5示出了一示例性系统，在该系统内可以实施前述各种实施例的各种架构和/或功能。
【具体实施方式】
[0013]当前的DRAM要求每个刷新间隔(典型为64ms)对所有行进行一次刷新。事实上，绝大部分DRAM页(page)在高温极限下在刷新操作之间都能够维持很多秒，且在典型温度下能够使其数据保持更长时间。短的刷新间隔受制于少量“漏电的”存储器单元。只有这些位置才需要非常快速的刷新速率。当DRAM并未被使用(S卩，处于待机模式)时，以最差的页所要求的速率对所有DRAM页进行不必要的刷新会造成相当大的功率浪费。在将功率存储于电池内的移动应用中，这种浪费尤其令人不悦。
[0014]与仅依赖于由DRAM供应商指定的刷新速率不同，可以在操作期间对DRAM的不同区进行特性化，并且可以使用特性化信息来以不同的刷新速率对不同区进行刷新，以减少待机功率。
[0015]图1示出了根据一个实施例的、用于以不同的速率对DRAM的各区进行刷新的方法的流程图100。在步骤110，为第一存储区和第二存储区确定刷新速率。在一个实施例中，每个区对应DRAM装置的一个或多个列或者DRAM装置的一个或多个页。刷新速率可以通过对DRAM装置的不同的行或页进行特性化来加以确定。在步骤120，以第一刷新速率刷新第一存储区。在步骤130，以不同于第一刷新速率的第二刷新速率刷新第二存储区。在一个实施例中，第一和第二刷新速率中只有一者是由DRAM装置供应商或制造商为DRAM装置指定的刷新速率。在另一实施例中，第一和第二刷新速率都不是为DRAM装置所指定的刷新速率。
[0016]现在将关于各种可选的架构和特征阐明更多例示性信息，利用这些可选的架构和特征根据用户的期望可以实施或不实施前述的框架(framework)。应予以强烈关注的是，以下信息是为例示性目的而阐明的，不应被解释为以任何方式加以限定。以下特征中的任何特征都可以在排除或不排除所描述的其他特征的情况下可选地被包含在内。
[0017]在一个实施例中，对于与计算装置耦连的每一个外部DRAM装置，存储器控制器中的一组刷新寄存器可以存储对存储区加以定义的一系列页地址(库和行)和特性化信息。所述特性化信息包含用于所述存储区的刷新间隔，其中，所述刷新间隔为刷新速率的或者对该区进行刷新所应使用的速率的倒数。存储器刷新单元遍历(traverse)每一个区，执行行激活和预充电操作，以根据特定于该区的刷新速率来对该区中的每一行或页进行刷新。为了确定哪些区域需要以给定速率进行刷新，所述存储器控制器包含暂时性存储资源(storage resource),该暂时性存储资源配置为存储所述区域内所存储的数据的复本(copy),而DRAM的特性通过对所述区域加以测量而得到。
[0018]图2A示出了根据一个实施例的、用于动态存储器200的不同区的不同的刷新速率。每一个图案均表示不同的刷新速率，且每一个区均包含存储器的至少一行。刷新区210内的行应以第一刷新速率刷新。刷新区215、225和235可尚未特性化，因此以由DRAM供应商所指定的速率来刷新。刷新区220A和220B内的行应以第二刷新速率刷新。
[0019]大量的不同技术可用以识别可以以与DRAM供应商所指定的速率不同的速率来刷新的存储区。一种方法是用单个地址(库和/或行)指定每一个刷新区。所述单个地址通过在刷新寄存器中针对单个地址的每个位而存储对0、1或X (无关紧要)编码的两个位来加以表示。例如，若库=0X01且行=0000.0100.0X11，则该区含有库I和5的行0x043和0x047。如图2A所示，通过刷新区220A和220B，每个刷新区在物理存储器上可以是非邻接的(noncontiguous)。换言之，具体的刷新区可包含第一物理存储器部分以及与该第一物理存储器部分不相邻接的第二物理存储器部分。另一可替代方法是存储开始地址(库和行)和结束地址(库和行)以指定每个刷新区。例如，若开始为库=0011且行=0x045并且结束地址为库=OlOO且行=0x032，则从库3行0x045至库4行0x032的所有存储器页都包含在该刷新区内。
[0020]在一个实施例中，刷新寄存器可存储优先级(pr1rity)子区。增加的优先级子区是从较大的刷新区切分出的小的刷新区。例如，大的刷新区可用优先级=1库=OlXX行=0000.0100.XXXX以及刷新间隔=4sec来加以定义。大的刷新区内的小的刷新区可用优先级=2库=0100行=0000.0100.0111刷新间隔=Isec而由第二刷新寄存器来加以定义。刷新寄存器一起指定为，除库4的行0x047为每Isec刷新一次外,库4~7中的行0x040~0x04F均为每4sec刷新一次。当地址被包含在多个刷新区内时，选择与该地址匹配的最高优先级刷新寄存器。应予以注意的是，尽管这里与定义存储器的刷新区相关地阐明了各种可选的特征，但这类特征仅为例示性目的且不应被解释为以任何方式加以限定。
[0021]图2B示出了根据一个实施例的存储器控制器250。存储器控制器250包含特性化单元260、刷新表265、存储区存储设备(storage)255和存储器刷新单元270。存储器控制器250还包含其他部件(未图示)，以从DRAM280读取数据以及将数据写入到DRAM280。刷新表265针对与存储器控制器250耦连的每个外部DRAM装置均包含一组一个或多个刷新寄存器。除对刷新区(一组页)编码外，刷新寄存器也对刷新间隔、计时器和下一个地址字段(field)编码。如前所述，刷新寄存器也可对优先级和对应的刷新子区编码，连同用于该子区的刷新间隔、计时器和下一个地址字段一起。在一个实施例中，刷新表265实现为内容可寻址存储器(CAM)。在一个实施例中，刷新表265为非易失性存储器，从而每当启动包含存储器控制器250的系统时不必对寄存器内所存储的特性化数据进行再生。
[0022]计时器和下一个地址字段由存储器刷新单元270所使用。存储器刷新单元270同时遍历每个刷新区(和刷新子区)，并且当与刷新区(或刷新子区)对应的计时器到期时，对与下一个地址字段对应的一组地址(即，行或页)执行行激活和预充电操作。存储器刷新单元270在每个时步(timestep)均校验(check)计时器，当执行刷新时重置(reset)到期的计时器并更新用于刷新区(或刷新子区)的下一个地址字段。每个刷新区的计时器在每个时步均被更新(即，被递减)。
[0023]为了确定对DRAM280内的区域进行刷新所应使用的刷新速率，存储器控制器250包含存储区存储设备255，其配置为将该区域内所存储的数据的复本存储在存储区存储设备255中，同时特性化单元260测量该区域的数据保持特性。
[0024]为了确定用于每个存储区的刷新间隔，特性化单元260将存储区内所存储的数据暂时性复制到存储区存储设备255中。特性化单元260然后通过下列方式测量存储区的数据保持特性:经由存储器刷新单元270将数据图案(例如，交替的Is和OslOlO…10)写入到DRAM280中的存储区；在经由存储器刷新单元270从DRAM280读取存储区之前，等候(waitfor)保持时间段；并通过将从DRAM280读取的数据与写入到存储区的图案相比对，来校验数据是否得以保持。
[0025]测量存储区的数据保持特性的示例性特性化测试将要利用使保持时间段呈指数型递增的向量(vector)来重复对存储区的写入、等待和读取。在一个实施例中，特性化单元260以64ms开始保持时间段，然后特性化单元260将保持时间段调整到128msec、0.25sec、0.5sec、然后lsec，依次类推。对于每个保持时间段，特性化单元260重复对若干不同的数据图案的写入和读取。当特性化单元260检测到错误(即，所写入的图案不匹配所读取的图案)时，特性化单元260调整用于存储区的保持时间段。在一个实施例中，特性化单元260将刷新间隔沿着保持时间段的向量往回调整至少两步，如果回退(step back)后的保持时间段尚未被测试，则重复图案的写入和读取。例如，如果对于保持时间段为4sec有错误发生，则回退后的保持时间段为lsec。如果回退后的保持时间段没有产生错误，则可将回退后的保持时间段存储在刷新表265中作为用于存储区的刷新间隔。
[0026]刷新间隔对温度和/或电压电平会很敏感。存储器刷新单元270可配置为，当DRAM280在较冷的温度下工作时，调整刷新间隔以增大刷新间隔(S卩，减小刷新速率)，而不是使用刷新表265中所存储的刷新间隔。同样地，存储器刷新单元270可配置为，当DRAM280在较低的电压下工作时，调整刷新间隔以减小刷新间隔(即，增大刷新速率)，而不是使用刷新表265中所存储的刷新间隔。
[0027]如果温度测量是可用的，则特性化单元260可以利用温度测量来调整存储在用于存储区的刷新表265中的刷新间隔值以对应基准温度。例如，如果在60°C的结温度(junct1n temperature)下执行特性化且基准结温度为40°C,则以4为因子增大用于存储区的存储在刷新表265中的刷新间隔(假设对于相对于基准结温的结温度差每-10°C，刷新间隔翻倍)以对应基准结温度。特性化单元260也可配置为根据所测得的电压电平和基准电压电平来调整存储在用于存储区的刷新表265中的刷新间隔值。
[0028]存储器刷新单元270可配置为在对存储区进行刷新时根据温度测量来调整刷新间隔值。例如，如果当前结温度测得为60°C且基准温度为40°C，则以4为因子减小用于存储区的存储在刷新表265中的刷新间隔(假设对于相对于基准结温的结温度差每+10°C，刷新间隔减半)以对存储器刷新单元270刷新存储区所使用的速率加以控制。存储器刷新单元270也可配置为根据所测得的电压电平和基准电压电平来调整从用于存储区的刷新表265中所读取的刷新间隔值。
[0029]应予以注意的是，尽管这里与对存储器的各区进行特性化并存储特性化信息相关地阐明了各种可选的特征，但这类特征仅为例示性目的且不应被解释为以任何方式加以限定。
[0030]对于一些DRAM280，绝大部分存储区都将具有非常长的刷新间隔(例如，数十秒)——并且DRAM280中只有极少部分存储器，通常只有单个页或行，将具有最差情形的刷新间隔(例如，64ms)。对于有一部分存储器尤其漏电(即，具有高刷新速率或短刷新间隔)的DRAM280，将具有最差情形的刷新间隔的该部分存储器的数据存储在存储区存储设备255中是可行的。有效的是，将对一个或多个存储区的所有存取都映射到存储区存储设备255，从而DRAM280中的对应的一个或多个存储区处于非使用状态(unused)且无需刷新。在一个实施例中，存储区存储设备255的一部分仍然可由特性化单元260使用。
[0031]常规而言，DRAM供应商对DRAM装置加以配置，以用DRAM装置内的备用行(sparerow)替换含有存在缺陷的存储设备单元的行以及具有极短的刷新间隔的行。然而，对DRAM装置内的行进行替换只是替换超出规格(specificat1n) (S卩，具有小于64ms的刷新间隔)的行。相反，出于减小整体待机功耗的目的，存储器控制器250可配置为将处于规格以内的行的数据存储在存储区存储设备255中。
[0032]图3示出了根据一个实施例的、用于以不同的速率对DRAM的各区进行刷新的方法的另一流程图300。在步骤305，将刷新表265中所存储的刷新间隔初始化到等于由DRAM供应商指定的刷新间隔。在步骤310，由特性化单元260对存储区进行测试，以生成存储区的特性化信息。步骤310可在包含存储器控制器250的装置正在工作时执行，即使存储器控制器250正在对DRAM280进行存取，只要存取不妨碍特性化单元260执行测试即可(SP，存取不应未加注意地刷新正在特性化的存储区)。例如，在对某一存储区进行测试的同时可以对存储器的其他区进行存取或刷新。在一个实施例中，在特性化期间，可将对正在特性化的存储区的存取映射到存储区存储设备255，并且如果在特性化期间有任何数据写入，则将存储区存储设备255复制回DRAM280的经过特性化的区域。在另一个实施例中，在特性化期间，对正在特性化的存储区的存取被推迟直到特性化结束。结合图4A描述用于执行步骤310的示例性方法。
[0033]在步骤315，特性化单元260确定存储区的刷新速率对于已经测试过的任何存储区而言是否是至今为止所发现的最差的刷新速率，若是，则在步骤318，将该存储区中所存储的数据片上存储(store on-chip)在存储区存储设备255中(B卩，将对一个或多个存储区的存取映射到存储区存储设备255)。在一个实施例中，最短的刷新间隔(即，最低值)被视为表示具有最差刷新速率的存储区。在一个实施例中，存储区存储设备255未配置为替换存储区中的一个或多个且省略步骤315和318。
[0034]否则，在步骤350，将上述存储区添加到刷新表265。用于执行步骤350的示例性方法将结合图4B加以描述。用于执行步骤350的示例性方法将结合图4C加以描述。在步骤370中，存储器刷新单元270根据刷新表265刷新DRAM280。在一个实施例中，步骤305、310、315、318、350和370中的一个或多个步骤在包含存储器控制器250的装置处于空闲状态或未工作时执行。
[0035]图4A示出了根据一个实施例的用于图3所示的步骤310的流程图。在步骤320，特性化单元260将DRAM280中的存储区的内容(即，数据)复制到存储区存储设备255中。在步骤325，特性化单元260利用保持时间段对DRAM280中的存储区执行特性化测试。在步骤330，特性化单元260确定在保持时间段内是否有错误发生，若有，则在步骤335，特性化单元260调整保持时间段并返回到步骤325。否则，若在保持时间段内没有错误发生，则在步骤340，特性化单元260确定是否应当使用另外的保持时间段来对存储区进行特性化，若是，则特性化单元260前进至步骤335。在一个实施例中，特性化单元260确保回退后的保持时间段已在步骤340接受测试。否则，特性化过程结束，且在步骤345，特性化单元260相对基准操作条件(即，基准电压电平和/或温度)来而针对操作条件来调整保持时间段。在对操作条件进行补偿之后，为存储区所确定的刷新间隔被设置到保持时间段。
[0036]特性化单元260将用于区域的刷新间隔提供给刷新表265。刷新表265中所包含的刷新寄存器的数目是受限制的。由于一般不能为DRAM的每一行都存储指定的刷新间隔，所以存储区被编码为可包含具有带有相同刷新间隔(两个或多个行的最小刷新间隔)的不同特性化信息的两个或多个行(或页)的刷新区。换言之，可将具有低的刷新间隔的行与具有较高刷新间隔的行归为一组以将刷新区的数目减少到其特性化信息在刷新表265中能够存储下的数目。
[0037]图4B示出了根据一个实施例的用于图3所示的步骤350的流程图。图4B所示的流程图与存储开始和结束地址以定义每个刷新区的刷新表265的实施例对应。在步骤410，刷新表265确定条目(即，刷新寄存器)是否可用于存储特性化信息，若是，则在步骤440，将存储区的特性化信息存储在该条目中。在一个实施例中，当存储区在刷新区内时，刷新表265将存储用于作为优先级子区的存储区的特性化信息。
[0038]否则，当在步骤410没有条目可用时，在步骤420，刷新表265识别与存储区“最接近”的条目。接近度(closeness)可以依据存储区的刷新间隔或者存储区的单个地址或开始和结束地址来加以确定。在一个实施例中，刷新表265可以将具有比存储区的刷新间隔要短的刷新间隔的条目视为比具有比存储区的刷新间隔要长的刷新间隔的条目更为接近。当超过一个的条目由于其具有相同的刷新间隔而被识别为与存储区“最接近”时，选择一个条目。当存储区是用每个位均为用2位O、1、X值编码的单个地址(库和/或行)来指定的时，所选的一个条目可以是具有在海明距离(Hamming distance)上与存储区的地址较为接近的地址的条目。可以将单个地址的一个或多个位的编码从“O”或“I”改变到“X”，以将存储区组合到该条目中。改变单个地址的超过一个的位会导致另外的存储区并入该条目中。因此，应将刷新间隔更新到所组合的存储区的最短刷新间隔。当区域是用开始和结束地址来加以表示的时，所选的一个条目可以是在线性地址空间上与存储区最接近的条目。或者改变条目的开始或结束地址以将存储区并入该条目中。此外，改变开始或结束地址会导致另外的存储区并入该条目中，所以应将刷新间隔更新到所组合的存储区的最短刷新间隔。
[0039]在另一实施例中，刷新表265可以考虑具有在海明距离上与表示为每个位均为用2位O、1、X值编码的单个地址的存储区最接近的单个地址的条目。当超过一个的条目由于单个地址的相同数目的位不同而被识别为与存储区“最接近”时，选择一个条目。所选的一个条目可以是具有与存储区的刷新间隔最接近的刷新间隔的条目。由于单个地址的一个或多个位被从“O”或“ I ”改变到“X”以将存储区组合到该条目中，所以应将刷新间隔更新到所组合的存储区的最短刷新间隔。当区域是用开始和结束地址来加以表示的时，刷新表265可以考虑在线性地址空间上与存储区最接近的条目。当超过一个的条目被识别为与存储区“最接近”时，选择一个条目。所选的一个条目可以是具有与存储区的刷新间隔最接近的刷新间隔的条目。或者改变开始或结束地址以将存储区并入该条目中。再者，改变开始或结束地址会导致另外的存储区并入该条目中，所以应将刷新间隔更新到所组合的存储区的最短刷新间隔。选择上述一个条目时可由刷新表265对另外的区域的刷新间隔加以考虑，以使所并入的存储区的刷新间隔最小化。
[0040]在步骤435，刷新表265根据需要更新条目以将存储区并入条目中(即，更新单个地址、开始或结束地址、优先级和刷新间隔中的一个或多个)。
[0041]应予以注意的是，尽管这里与存储用于存储区的特性化信息以及组合刷新区条目相关地阐明了各种可选的特征，但这类特征仅为例示性目的且不应被解释为以任何方式加以限定。
[0042]图4C示出了根据一个实施例的、用于图3所示的步骤370的流程图。刷新表265中的每个条目均包含计时器字段。在刷新区中的行或页的刷新操作之间，计时器字段被初始化到时步(例如，时步=16 μ S)的数目。对于尺寸为|R|的刷新区R，计时器设置为ri (R)/(时步* I RI)，其中ri为刷新间隔。刷新表265配置为每个时步对每个条目的计时器字段进行更新(即，递减)。
[0043]在步骤450，存储器刷新单元270配置为校验刷新表265中所存储的任何计时器是否都已到期，若否，则重复步骤450。当计时器已到期时，在步骤460，存储器刷新单元270将计时器重置到初始值。在步骤465，存储器刷新单元270对由包含已到期的计时器的刷新表265的条目中的下一个地址字段所指定的DRAM280中的行或页执行存储器刷新操作。在步骤470，当存储器刷新操作结束时，存储器刷新单元270将下一个地址字段更新到指向刷新区中待更新的下一个地址(当已更新时，地址可以卷绕(wrap))。在另一个实施例中，存储器刷新操作可以在时间上紧接在一起执行。然而，爆发式地执行刷新操作而不使刷新操作在时间上间隔开，会导致功率耗散的尖峰(spike)，并且还会减少可用于存储器存取的带宽。
[0044]图5示出了示例性系统500，在该系统内可以实施前述各种实施例的各种架构和/或功能。如图所示，系统500设为包含与通信总线502耦连的至少一个中央处理器501。通信总线502可以利用诸如PCI (外围部件互连)、PC1-Express、AGP (加速图形端口)、超传输或者任何其他总线或对等(peer-to-peer)通信协议这样的任何合适的协议。系统500还包含主存储器504。主存储器500可以采用在其中存储控制逻辑(软件)和数据随机存取存储器(RAM)的形式。
[0045]系统500还包含输入设备512、图形处理器506和显示器508，即，常规的CRT (阴极射线管)、IXD (液晶显示器)、LED (发光二极管)、等离子体显示器或诸如此类。用户输入可以从输入设备512接收，例如，键盘、鼠标、触摸板、麦克风等。在一个实施例中，图形处理器506可包含多个着色模块、光栅化模块等。每个前述模块甚至都可以位于单个半导体平台上以形成图形处理单元(GPU)。图形处理器506可连接至一个或多个DRAM装置515，且可配置为基于特性化信息而以不同的速率刷新DRAM的不同区。在一个实施例中，中央处理器501连接至一个或多个DRAM装置515，并配置为基于特性化信息而以不同的速率刷新DRAM的不同区。DRAM515可实施为图2的DRAM280。
[0046]在本说明书中，单个半导体平台可以是指基于基底单一的(sole unitary)半导体的集成电路或芯片。应予以注意的是，术语单个半导体平台也可以是指具有仿真片上操作的增强互连性的多芯片模块，并且利用常规的中央处理单元(CPU)和总线实施方案取得实质性的改进。当然，各种模块也可以根据用户的期望分开地或以半导体平台的各种组合定位。也可以将一个或多个图5所示的系统500并入系统500中以向一个或多个芯片提供功率。
[0047]系统500还可包含次级存储设备510。次级存储设备510包含例如硬盘驱动和/或数字可移除存储设备驱动器，表现为软盘驱动器、磁带驱动器、压密盘驱动器、数字通用磁盘(DVD)驱动器、记录装置、通用串联总线(USB)闪存。可移除存储设备驱动器以公知的方式对可移除存储设备单元进行读取和/或写入。计算机程序或计算机控制逻辑算法可以存储在主存储器504和/或次级存储设备510中。这类计算机程序在被执行时可以启用系统500以执行各种功能。主存储器504、存储设备510和/或任何其他存储设备都可能是计算机可读介质的示例。
[0048]在一个实施例中，各种前述图的架构和/或功能都可以在中央处理器501、图形处理器506、能够实现中央处理器501和图形处理器506两者的至少部分能力的集成电路(未图示)、芯片组(即，被设计为作为用于执行相关功能等的单元来工作并出售的一组集成电路)和/或就此而言的任何其他集成电路的环境下加以实施。
[0049]再者，各种前述图的架构和/或功能也可以在通用计算机系统、电路板系统、专用于娱乐目的的游戏控制台系统、专用系统和/或任何其他的所期望的系统的环境下加以实施。例如，系统500可以采用桌上型电脑、膝上型电脑、服务器、工作站、游戏控制台、嵌入式系统和/或任何其他类型的逻辑。再者，系统500可以采用各种其他设备的形式，包括但不限于个人数字助理(PDA )设备、移动电话设备、电视机等。
[0050]此外，尽管未图示，但系统500可以连接至用于通信目的的网络(例如，电信网、局域网(LAN)、无线网、诸如因特网的广域网(WAN)、对等网络、电缆网等)。
[0051]尽管以上已描述了各种实施例，但应予以理解的是，这些实施例仅是通过示例而非限定性方式加以阐述的。因而，优选实施例的广度和范围不应受任何上述示例性实施例限定，而应当仅依据所附权利要求及其等同物加以界定。
【权利要求】
1.一种方法，包括: 以第一刷新速率刷新存储器的第一区；以及 以不同于所述第一刷新速率的第二刷新速率刷新所述存储器的第二区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区包含所述存储器的一个或多个页，且所述第二区包含所述存储器的另外的一个或多个页。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区包含所述存储器的一个或多个行，且所述第二区包含所述存储器的另外的一个或多个行。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器为动态随机存取存储器装置。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括:对所述第一区进行特性化，以测量所述第一区的数据保持特性。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述特性化包括: 从所述存储器的第一区将数据复制到存储资源； 将图案写入到所述 存储器的所述第一区； 等候保持时间段；以及 对所述第一区进行读取以获得读取数据。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括:当所述读取数据不匹配所述图案时，调整所述保持时间段。
8.根据权利要求6所述的方法，还包括:当所述读取数据匹配所述图案时，将所述保持时间段存储作为第一刷新间隔。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括:与基准温度相比较，调整所述第一刷新速率以补偿所测量的温度。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括:与基准电压电平相比较，调整所述第一刷新速率以补偿所测量的电压电平。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括:将对所述存储器的第三区的写入以及对所述存储器的所述第三区的读取映射到位于与所述存储器耦连的存储器控制器内的存储资源。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括: 对所述第三区进行特性化，以测量所述第三区的数据保持特性； 基于所述数据保持特性来确定第三刷新速率；以及 确定所述第三刷新速率大于所述第一刷新速率。
13.根据权利要求1所述的方法，还包括:将所述存储器的所述第一区的特性化数据存储在表的第一条目中。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括:将所述存储器的第三区的特性化数据并入与所述存储器的所述第一区对应的所述表的所述第一条目中。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器的所述第一区被指定为单个地址，且所述单个地址的每一位均被编码为0、1或X值。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器的所述第一区是用开始地址和结束地址来指定的。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，优先级与所述存储器的所述第一区相关联。
18.根据权利要求1所述的方法，还包括:从所述存储器的所述第一区将数据复制到存储资源；以及 将对所述存储器的所述第一区的存取映射到所述存储资源。
19.一种系统,包括: 动态存储器；和 存储器控制器，所述存储器控制器与所述动态存储器耦连，且配置为: 以第一刷新速率刷新所述动态存储器的第一区；以及 以不同于所述第一刷新速率的第二刷新速率刷新所述动态存储器的第二区。
20.根据权利要求19的系统，其中，所述存储器控制器还配置为:对所述第一区进行特性化，以测量所述第一区的数据保持特性。
21.根据权利要求20的系统，其中，所述特性化包括: 从所述存储器的所述第一区将数据复制到存储资源； 将图案写入到所述存储器的所述第一区； 等候保持时间段；以及 对所述第一区进行读取以获得读取数据。
22.根据权利要求21的系统，其中，所述存储器控制器还配置为:当所述读取数据不匹配所述图案时，调整所述保持时间段。
23.根据权利要求21的系统，其中，所述存储器控制器还配置为:当所述读取数据匹配所述图案时，将所述保持时间段存储作为第一刷新间隔。
【文档编号】G06F11/00GK104050049SQ201310739442
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年12月26日 优先权日:2013年3月11日
【发明者】威廉·J·达利 申请人:辉达公司