掩膜感知布线及所产生的设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及金属布线层。本申请尤其应用于针对10纳米(nm)以上的技术节点产生金属布线层。
【背景技术】
[0002]多重图案化技术包括微影蚀刻/微影蚀刻(LELE)、自对准双图案化(SADP)、自对准四图案化(SAQP)、定向自组装(DSA)等。在SADP及SAQP中，诸如切割掩膜或阻隔掩膜的掩膜用于产生线端。为简单起见，本申请的焦点放在切割掩膜，但掩膜可为切割掩膜及/或阻隔掩膜。SADP及SAQP由于相较于LELE未产生覆盖误差(overlay error)，因此为先进金属布线的较佳解决方案。
[0003]电子设计自动化(EDA)布线工具产生用以设计在集成电路里将单元连接的金属线，形成金属布线层。布线工具使用金属线设计规则检查以确保金属布线层未违反任何设计规则。
[0004]在使用SADP及/或SAQP形成金属布线层上具有挑战性。需要有单独的后布线(post-routing)分解工具来产生切割掩膜，以供产生连续金属线的端部。即布线工具未感知到用于形成切割掩膜的掩膜设计规则。通常，会有与切割掩膜相关联的设计规则检查错误存在，切割掩膜需要重复布线过程。这种反复的过程延迟设计收敛(design closure)。再者，根据切割掩膜设计规则错误来修改金属线并不够直觉。另外，由于布线工具未感知到用以形成金属布线层的切割掩膜，所以布线工具通常产生需要复杂掩膜几何形状的金属布线层，这对于制造来讲复杂度相当惊人。因此，需有另外的后布线工具来优化切割掩膜，切割掩膜需要延展金属布线层中已设计的金属线以降低掩膜几何形状的复杂度，并且必须广泛增加虚设金属填部，这两者皆未包括在设计的布线时序收敛(route timing closure)里。
[0005]因此，在设计金属布线层时需要切割掩膜感知布线，并且需要基于切割掩膜感知布线而形成的设备。
【发明内容】
[0006]本申请的一实施方案为新式布线法，其首先布设连续金属线，然后再插置切割掩膜以产生信号金属线将单元连接，其中，非信号金属线变为金属填部。
[0007]本申请的一个实施方案为一种基于切割掩膜设计规则用于设计金属布线层的方法。
[0008]本申请的另一实施方案是一种装置，其进行金属布线层的切割掩膜感知布线。
[0009]本申请的另一实施方案是一种设备，其包括基于切割掩膜感知布线形成的金属布线层。
[0010]本申请其另外的实施方案及其他特征将在随后说明中提出，并且通过审阅下文对于所属领域具备普通技术者将显而易知，或可经由实施本申请进行学习。可如所附权利要求书特别指出者实现并且获得本申请的优点。
[0011]根据本申请，某些技术功效可藉由一种包括下列所述者的方法而部分达成:在半导体设计布局里布设连续金属线，并且藉由处理器，基于切割或阻隔掩膜设计规则，根据切割或阻隔掩膜的置放，使用连续金属线对金属布线层进行布线。
[0012]本申请的一实施方案包括金属布线层中使用的连续金属线的部分形成信号线，并且连续金属线的剩余部分形成虚设线。布线的进一步实施方案包括判定切割或阻隔掩膜的位置，以从连续金属线产生信号线，用以将半导体设计布局里的单元连接，以及检查切割或阻隔掩膜的放置是否满足切割掩膜设计规则。另一实施方案包括说明布线期间因为信号线所导致的时间延迟。又另一实施方案包括说明布线期间因为虚设线所导致的时间延迟以产生虚设线感知时序收敛。一另外的实施方案包括判定两个用于布线金属布线层的候选切割或阻隔掩膜多边形会违反切割或阻隔掩膜设计规则，以及将这两个候选切割或阻隔掩膜多边形组合成单一切割或阻隔掩膜多边形以满足切割或阻隔掩膜设计规则。另一实施方案包括切割或阻隔掩膜设计规则基于两个候选切割或阻隔掩膜多边形的近似性。又另一实施方案包括掩膜为阻隔掩膜。再另一实施方案包括掩膜为切割掩膜。
[0013]本申请的另一实施方案是一种装置，其包括:处理器；以及存储器，此存储器包括用于一或多个程序的电脑程序码，存储器及电脑程序码配置成用来以处理器使本装置进行以下作业:在半导体设计布局中布设连续金属线；基于切割或阻隔掩膜设计规则，根据切割或阻隔掩膜的置放，使用连续金属线对金属布线层进行布线。
[0014]实施方案包括金属布线层中使用的连续金属线的部分形成信号线，而连续金属线的剩余部分形成虚设线。另一实施方案包括使本装置进一步相对于布线金属层，判定切割或阻隔掩膜的位置，以从连续金属线产生信号线，用以将半导体设计布局里的单元连接，以及检查切割或阻隔掩膜的放置是否满足切割掩膜设计规则。再另一实施方案包括使本装置进一步说明布线期间因为信号线所导致的时间延迟。另一实施方案包括使本装置进一步说明布线期间因为虚设线所导致的时间延迟以产生虚设线感知时序收敛。进一步实施方案包括使本装置进一步判定两个用于布线金属布线层的候选切割或阻隔掩膜多边形会违反切割或阻隔掩膜设计规则，以及将这两个候选切割或阻隔掩膜多边形组合成单一切割或阻隔掩膜多边形以满足切割或阻隔掩膜设计规则。另一实施方案包括切割或阻隔掩膜设计规则基于两个候选切割或阻隔掩膜多边形的近似性。又另一实施方案包括掩膜为阻隔掩膜。一另外的实施方案包括掩膜为切割掩膜。
[0015]根据本申请，另外的技术功效可藉由一种包括以下所述者的方法而部分达成:在半导体设备的基材上面形成连续金属线，基于切割或阻隔掩膜设计规则判定切割或阻隔掩膜的位置以供经由连续金属线设计金属布线层，以及基于形成金属布线层的切割或阻隔掩膜移除部分连续金属线。另外的实施方案包括判定设计金属布线层时两个候选切割或阻隔掩膜多边形会违反切割或阻隔掩膜设计规则，以及藉由组合这两个候选切割或阻隔掩膜多边形形成单一切割或阻隔掩膜多边形以满足切割或阻隔掩膜设计规则。
[0016]本申请的额外实施方案及技术功效对于所属领域的技术人员而言在经由底下详细描述之后将显而易见，其中，本实施方案的具体实施例藉由经思考用以实施本方案的最佳模式的图示予以简单描述。将意识到，本申请可有其它及不同的具体实施例，以及本申请的许多细节可在各种明显的实施方案中作修改，全部都不脱离本申请。因此，图式及说明本质在于例示而非限制。
【附图说明】
[0017]本申请在附图的图示中通过实施例且非通过限制予以描述，并且其中相同的元件符号意指类似的元件，以及其中:
[0018]图1A根据一例示性具体实施例，说明藉由将切割掩膜用于连续金属线的切割图案化布局；
[0019]图1B及图1C根据一例示性具体实施例，说明金属线设计规则检查与切割掩膜设计规则检查之间的差异；
[0020]图2A根据一例示性具体实施例，是一程序的流程图，其基于切割掩膜设计规则用于布线金属布线层；
[0021]图2B根据一例示性具体实施例，是一程序的流程图，其基于切割掩膜设计规则用于判定切割掩膜在布线金属布线层时的位置；
[0022]图2C根据一例示性具体实施例，是一程序的流程图，其用于满足设计规则违规；
[0023]图3A至图3D根据一例示性具体实施例，概要说明一种用于形成金属布线层的方法;
[0024]图4A根据一例示性具体实施例，概要说明一满足切割掩膜设计规则检查的半导体设计；
[0025]图4B至图4C根据一例示性具体实施例，概要说明切割掩膜设计规则违规的修正；以及
[0026]图5根据一例示性具体实施例，概要说明一电脑系统，其用于实施图2A至图2C的程序。
[0027]符号说明
[0028]101、llla、lllb、lllc、llld、llle、303 金属线
[0029]103a、103b、409、411 箭号
[0030]105,305,401,413 切割掩膜
[0031]107 空间109 图案化金属线
[0032]113a、113b、113c、113d、113e 距离
[0033]115a、115b 掩膜117 金属延展部
[0034]119 金属填部200、220、240 程序
[0035]201、203、205、207、209、211 步骤
[0036]301 半导体设备307 间隙
[0037]309 信号线311 虚设线
[0038]403 输入线405 输出线
[0039]407 垂直互连进接口500 电脑系统
[0040]501 处理器503 存储器
[0041]505 储存空间507 显示器
[0042]509 输入设备511 应用程序
[0043]513 布局资料515 掩膜设计规则
[0044]517 掩膜图案资料库。
【具体实施方式】
[0045]在以下的说明中，为了解释，提出许多特定细节以便透彻理解例示性具体实施例。然而，应该明显可知的是，可实践例示性具