一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控显示技术领域，尤指一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为:夕卜挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分开生产，然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。
[0003]On Cell触摸屏由于容易在显示面板上形成触控电极，因此是目前很多触摸屏厂家的首选。目前在制作应用于液晶显示面板的On Cell触摸屏时，如图1所示，一般是在对盒以后的液晶显示面板的彩膜基板1上形成触控电极2，为了保证透过率，一般均采用ΙΤ0(铟锡氧化物)材料制备触控电极，但是形成在彩膜基板1上的ΙΤ0触控电极2为了达到要求的透过率和电阻值，需要在沉积ΙΤ0材料以后，对ΙΤ0材料进行温度在200度以上的高温退火处理，但是温度高会对影响液晶显示面板中的液晶分子3以及配向膜4的特性。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明实施例提供了一种触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置，用以在保证触控电极性能的基础上避免对液晶显示面板中的液晶分子和配向膜产生影响。
[0005]本发明实施例提供的一种触摸屏的制备方法，包括:
[0006]在彩膜基板上形成触控电极；
[0007]在形成有所述触控电极的彩膜基板面向阵列基板一侧形成配向膜；
[0008]将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。
[0009]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在形成触控电极之后，在形成配向膜之前，还包括:
[0010]在所述彩膜基板面向阵列基板一侧形成彩色滤光层和黑矩阵。
[0011]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述触控电极的材料为金属，所述黑矩阵在所述彩膜基板的正投影覆盖所述触控电极在所述彩膜基板的正投影。
[0012]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述触控电极的材料为透明导电氧化物材料；在彩膜基板上形成触控电极，具体包括:
[0013]在所述彩膜基板上形成透明导电氧化物膜层；
[0014]对所述透明导电氧化物膜层进行构图形成初始触控电极的图形；
[0015]对所述初始触控电极进行退火处理形成触控电极。
[0016]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在形成所述触控电极之后，形成所述彩色滤光层和黑矩阵之前，还包括:
[0017]在所述彩膜基板上形成覆盖所述触控电极的绝缘层。
[0018]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述透明导电氧化物材料为铟锡氧化物。
[0019]相应地，本发明实施例还提供了一种触摸屏，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，位于所述彩膜基板和阵列基板之间的彩色滤光层和黑矩阵，还包括:位于所述彩膜基板背离所述阵列基板一侧的触控电极；其中，
[0020]所述触控电极的材料为金属，所述黑矩阵在所述彩膜基板的正投影覆盖所述触控电极在所述彩膜基板的正投影。
[0021]较佳地，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，所述彩色滤光层位于所述彩膜基板面向所述阵列基板一侧；和/或
[0022]所述黑矩阵位于所述所述彩膜基板面向所述阵列基板一侧。
[0023]相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种触摸屏。
[0024]本发明实施例提供的上述触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置，先在彩膜基板上形成触控电极，再在形成有触控电极的彩膜基板上形成配向膜，最后将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。即在形成配向膜与灌注液晶之前就形成触控电极，因此不管形成触控电极的工艺需要采用多高的温度都并不会影响之后形成的配向膜和液晶分子的特性，从而能够实现在保证触控电极性能的基础上避免对液晶分子和配向膜产生影响。
【附图说明】
[0025]图1为现有的On Cell触摸屏的结构示意图；
[0026]图2为本发明实施例提供的触摸屏的制备方法的流程示意图；
[0027]图3a至图4b分别为本发明实施例提供的制备方法在执行各步骤后对应的结构示意图；
[0028]图5为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图之一；
[0029]图6a为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图之二；
[0030]图6b为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图之三。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图，对本发明实施例提供的触摸屏的制备方法、触摸屏及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0032]附图中各膜层的厚度和形状不反映触摸屏的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0033]本发明实施例提供的一种触摸屏的制备方法，如图2所示，可以包括以下步骤:
[0034]S201、在彩膜基板02上形成触控电极03，如图3a ;
[0035]S202、在形成有触控电极03的彩膜基板02面向阵列基板01 —侧形成配向膜04，如图3b和图4a所示；
[0036]S203、将上述彩膜基板02与预先形成的阵列基板01对盒，如图3c和图4b所示。
[0037]本发明实施例提供的上述触摸屏的制备方法，先在彩膜基板上形成触控电极，再在形成有触控电极的彩膜基板上形成配向膜，最后将上述彩膜基板与预先形成的阵列基板对盒。即在形成配向膜与灌注液晶之前就形成触控电极，因此不管形成触控电极的工艺需要采用多高的温度都并不会影响之后形成的配向膜和液晶分子的特性，从而能够实现在保证触控电极性能的基础上避免对液晶分子和配向膜产生影响。
[0038]进一步地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在形成触控电极之后，在形成配向膜之前，一般还包括:
[0039]在彩膜基板面向阵列基板一侧形成彩色滤光层和黑矩阵。
[0040]具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，触控电极的材料可以为金属材料，也可以为透明导电氧化物材料，在此不作限定。
[0041]具体地，当触控电极的材料为金属材料时，可以在彩膜基板面向阵列一侧形成触控电极，这样可以防止异物对触控电极造成不良；当然也可以在彩膜基板背离阵列基板一侧形成触控电极，在此不作限定。
[0042]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，当触控电极的材料为金属时，为了避免触控电极占用显示区域面积，将触控电极形成在将要形成的黑矩阵所覆盖的区域内，即黑矩阵在彩膜基板的正投影覆盖触控电极在彩膜基板的正投影。
[0043]具体地，当触控电极的材料为透明导电氧化物材料时，可以在彩膜基板面向阵列一侧形成触控电极，也可以在彩膜基板背离阵列基板一侧形成触控电极，在此不作限定。
[0044]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，当触控电极的材料为透明导电氧化物材料时；在彩膜基板上形成触控电极，具体包括:
[0045]在彩膜基板上形成透明导电氧化物膜层；
[0046]对透明导电氧