专利名称：用于磁记录介质的硅基底、制造硅基底的方法以及磁记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于小尺寸磁记录介质的硅基底，该小尺寸磁记录介质用作数据处理装置的记录介质。
要求于2004年8月16日提交的日本专利申请2004-236580和于2004年8月24日提交的美国临时专利申请60/603,565的优先权，在此引入其内容作为参考。
背景技术：
伴随着数据处理装置的最近进展，磁记录介质的数据记录容量越来越增加。具体地说，在作为计算机的外部存储器的重要介质的磁盘中，存储容量和数据记录密度每年都增加，因此需要以更高密度记录数据的开发。例如，根据笔记本计算机或掌上型计算机的发展，需要小尺寸和耐冲击的磁记录介质，以及因此需要还具有高的机械强度的用于以更高密度记录数据的小尺寸磁记录介质。最近，导航系统或便携式音乐再现系统可以采用超小尺寸的磁记录介质。
通常将可以镀敷有NiP的由铝合金制成的基底或者玻璃基底用作用于磁盘的基底，该磁盘是如上所述的磁记录介质。由铝合金制成的基底具有差的耐磨损和加工性能，因此进行镀敷NiP以便解决该问题。然而，经过NiP镀敷的基底易于翘曲，并且当在高温下加工时可被磁化。另外，当加工玻璃基底以使其强化时，在基底的表面中可能产生变形层，而且基底可能承受压应力，并且当在高温下加工时，玻璃基底也易于翘曲。
关于需要更高记录密度的具有1英寸(即，25.4mm)或0.85英寸(即，21.6mm)直径的超小尺寸磁记录介质，基底的翘曲是致命的问题。因此，作为用于超小尺寸记录介质的基底，需要更薄的材料，该更薄的材料不容易被外力变形并且具有其上可以容易地形成磁记录层的平滑表面。
因此，已提出将普遍用作用于半导体器件的衬底的硅基底用作磁记录介质(见例如参考文件1日本未经审查的专利申请，首次公开号H06-076282)。
与铝相比，单晶硅具有更大的比重、更大的杨氏模量、更小的热膨胀系数、优越的高温特性和电导率。具有许多优点的这种单晶硅优选作为用于磁记录介质的基底的材料。另外，基底的直径越小，基底承受的冲击力越小，并且具有耐久性的磁记录装置甚至可以由硅基底制造。
为了制造用于磁记录介质的硅基底，通常，首先通过牵拉方法制造单晶硅锭，然后将该硅锭切成具有特定厚度的切断件材料(blank material)。
对各切断件材料进行研磨工艺，并在切断件材料的中心处形成圆形通孔。采用磨石等对内和外围边缘进行倒棱(chamfering)。然后，对内和外端面以及倒棱部分进行抛光，以制造镜面抛光的表面。最后，抛光主表面，然后采用基底。
用于硅基底的材料是脆的；因此，在上述制造工艺中易于产生裂纹或碎片。当裂纹或碎片产生时，制造磁记录介质的成品率下降，而且产生的颗粒可能在写/读过程中造成误差或者在写/读过程中造成磁头的损毁。
为了由脆性材料得到无裂纹或碎片的用于磁记录介质的基底，已提出了这样的方法，其中对于圆形中心孔的内周和基底的外周，将倒棱角设定为20°至24°，并将倒棱长度设定为0.03mm至0.15mm(见例如参考文件2日本未经审查的专利申请，首次公开号H07-249223)。
图10是用于磁记录介质的常规硅基底的纵向截面图。在图10中，在基底1的端面4与各主表面2和3之间，形成以20°至24°的角度倾斜的倒棱部分5。在基底的内周也形成了类似的倒棱部分(未示出)。
根据基底的上述形状，基底中的缺陷例如由于在制造工艺中加工或跌落基底导致的裂纹或碎片减少，因而成品率显著提高。
另外，关于玻璃基底，将磁头设计为低浮动，以实现高密度数据记录，并且将写/读方法逐渐从CSS(接触启动停止)方法切换为加载运行方法(或斜坡加载方法)。这些写/读方法还需要可以被可靠地安装且不造成在写/读过程中的写/读误差或磁头损毁的基底。
为了满足上述需要，已提出了这样的基底，其中(i)在基底的内和外端面与倒棱部分之间以及(ii)在基底的主表面与倒棱部分之间中的至少一处，设置半径为0.003mm至0.2mm以下的曲面(见例如参考文件3日本未经审查的专利申请，首次公开号2002-100031)。
根据这样的基底，即使当传送容纳在处理盒(其是在制造工艺中存储和传送基底的容器)中的基底时，不会产生裂纹或碎片，而且在写/读过程中不会发生写/读误差或磁头的损毁，从而提供可以可靠地安装的磁记录介质。
然而，硅基底是脆的，并且在制造工艺中采用的处理盒中，在盒的基底接受位置上设置具有参考文件2或3中所公开的形状的基底端面。因此，由于在传送时的冲击，基底在基底端面中引起裂纹或在基底上引起碎片，或者相对于处理盒的摩擦产生了粉尘颗粒，这些颗粒可能包括在基底中并导致不合标准的磁记录介质。
另外，在制造硅基底的常规方法中，在通过采用磨石对各基底逐个进行倒棱和研磨后，制备基底的叠层，并处理内和外端面的拐角部分以产生曲面。
然而，在该方法中，对于每个基底都要进行倒棱和研磨工艺；因此，需要相当多的时间和劳力，因而增加了成本。
此外，当在基底的端面中形成倒棱部分时，主表面上的可记录面积减小，这对于确保超小尺寸磁记录介质所需的记录容量不是优选的。
发明内容
考虑到上述情况，本发明的一个目的是提供一种硅基底，其是脆的但具有这样的形状，通过该形状，不容易在端面中产生裂纹或在基底上产生碎片，从而防止出现从基底的端面产生的或由于相对于处理盒的摩擦导致的粉尘颗粒。
本发明的另一个目的是简化制造工艺并改善成本降低，从而提供低价格、超小尺寸的磁记录介质。
本发明的另一个目的是确保在磁记录介质中尽可能宽的数据记录面积，从而提供具有大记录容量的磁记录介质。
因此，本发明提供一种用于磁记录介质的硅基底，其中在所述基底的主表面与端面之间的边缘部分处设置半径为0.01mm至0.05mm的曲面。
在典型实例中，在所述基底的外周或内周处设置所述在所述主表面与所述端面之间的曲面。
优选地，所述端面的表面粗糙度的最大高度小于等于1μm，且所述主表面的表面粗糙度的最大高度小于等于10nm。
本发明还提供一种用于磁记录介质的硅基底的制造方法，包括以下步骤在所述硅基底的中心处形成圆孔；将所述硅基底浸入其中颗粒悬浮的抛光液中；以及分别抛光所述硅基底的外周端面和内周端面，其中在抛光各端面时，抛光刷接触所述端面，同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对的旋转。
在对所述硅基底的内和外周进行倒棱之前，可以进行分别抛光所述外周端面和所述内周端面的步骤。
优选地，在采用通过其间的隔离物层叠的许多硅基底的层叠体的批处理时，进行所述分别抛光所述外周端面和所述内周端面的步骤。
在典型实例中，所述抛光刷由聚酰胺树脂制成。
本发明还提供一种采用如上所述的硅基底制成的磁记录介质，其中在所述硅基底的所述主表面上形成至少一个磁性层。
根据本发明，可以获得脆的但具有这样的形状的硅基底，通过该形状，不容易在端面中产生裂纹或在基底上产生碎片，从而防止出现从基底的端面产生的或由相对于处理盒的摩擦导致的粉尘颗粒。因此，产生较少数量的不合标准的产品和较少数量的写/读误差。另外，可以提供具有大存储容量的低价格、超小尺寸的磁记录介质。
图1是根据本发明的用于磁记录介质的硅基底的透视图，其被切割并从切割面观察；图2是说明根据本发明的在图1中的硅基底的各部分的尺寸的图；图3是根据本发明的在图1中的硅基底的外周的放大图；图4是说明测量曲面的半径R的方法的图；图5是说明制造根据本发明的硅基底的工艺的图；图6是说明制造常规硅基底的工艺的图；图7是示出了根据本发明所采用的硅基底的层叠体的一部分的图；图8是说明刷抛光硅基底的中心圆孔的内周的方法的图；图9是说明刷抛光硅基底的外周的方法的图；以及图10是用于磁记录介质的常规硅基底的纵向截面图。
具体实施例方式
下面，将详细说明本发明。
图1是根据本发明的用于磁记录介质的硅基底的透视图，其被切割并从切割面观察。图2是说明根据本发明的在图1中的硅基底的各部分的尺寸的图。
如图1所示，根据本发明的用于磁记录介质的硅基底1形成了圆环形状的圆盘。用于实施磁记录的主表面2和3形成在圆盘的前和背面上。外周端面4位于圆盘的最外周处，且内周端面7位于盘的中心圆孔的内部。在外周端面4与主表面2和3之间形成外周曲面5，且在内周端面7与主表面2和3之间形成内周曲面6。
对主表面2和3、外周端面4和内周端面7进行抛光，以制造镜面抛光的表面。
在根据本发明的用于磁记录介质的硅基底1中，外周端面4与主表面2和3之间的外周曲面5的(弯曲)半径R，以及内周端面7与主表面2和3之间的内周曲面6的半径R均为0.01mm至0.05mm。
根据这样的曲面，即使在由脆性材料制成的硅基底中，拐角部分也不会断裂，而且不会由于裂纹或相对于处理盒的摩擦而产生粉尘颗粒，因此在基底中不包括粉尘颗粒。因此，产生较少数量的不合标准的磁记录介质和较少数量的写/读误差。
当曲面的半径R小于0.01mm时，拐角部分太尖而易于断裂，因此曲面不能产生充分的效果。当曲面的半径R大于0.05mm时，在主表面上不能确保足够的记录面积。
图2示出了根据本发明的用于磁记录介质的硅基底1的各部分的尺寸。在图中，参考标记D表示基底的外径，参考标记d表示基底的中心圆孔的内径，参考标记T表示基底的厚度，以及参考标记L表示具有半径R的曲面部分。
表1示出了根据本发明的用于磁记录介质的硅基底的各部分的尺寸的实例。
本发明可以广泛应用于具有0.85英寸至3.5英寸的尺寸的基底；然而，当其应用于如表1所示的具有0.85英寸或1英寸直径的超小尺寸基底时，本发明产生显著的效果。在各基底尺寸中，曲面的合适半径R为0.01mm至0.05mm。
表1单位mm
接着，根据本发明的用于磁记录介质的硅基底1的外周部分的放大图示于图3。在基底1的外周端面4与主表面2和3之间，形成半径R为0.01mm至0.05mm的曲面5。在根据本发明的用于磁记录介质的硅基底中，没有形成如常规基底中形成的常规类型的倒棱部分。
下面，将参考图4说明测量曲面的半径R的方法。如图4所示，定义来自主表面的延长线S1，并在曲面S2与延伸线S1分开的位置定义起点A。主表面上的点C离起点A 10μm远，且曲面上的点B离起点A 10μm远。将点A、B和C所在的圆的半径定义为曲面的半径R。当将曲面的半径R设定为0.01mm至0.05mm时，可以防止硅基底的相关拐角部分断裂。当R＜0.01mm时，拐角太尖并且不耐冲击，而且当基底被处理或冲击某物时易于产生碎片。当R＞0.05mm时，主表面上的记录数据面积减小，这是不优选的。
另外，在根据本发明的用于磁记录介质的硅基底1中，对主表面以及外和内周端面进行抛光，以产生镜面抛光的表面。
关于主表面的表面粗糙度，最大高度Rmax小于等于10nm，并且对于外和内周端面的表面粗糙度，最大高度Rmax小于等于1μm。
另外，硅基底的中心圆孔的直径的精度应该在±20μm内。
具有半径R的曲面的上述硅基底是通过采用磨石研磨外和内周端面，然后采用抛光刷抛光研磨部分而得到的。
如图6所示，常规硅基底是以以下工艺制造的。首先，为了改善形状和尺寸的精度，对盘状硅材料进行研磨，这是通过采用研磨装置以两步进行的，从而实现其中表面精度小于等于1μm以及表面粗糙度的Rmax小于等于4μm的条件。
根据第一研磨步骤，内和外周端面的表面粗糙度的Rmax接近6μm，并且根据接下来的第二研磨步骤，表面精度达到小于等于1μm，而表面粗糙度的Rmax达到小于等于4μm(见图6中的步骤(a)和(b))。
接着，在通过采用圆柱形磨石在基底的中心处形成圆孔后，将特定倒棱工艺应用于内和外周(见图6中的步骤(c2)和(c3))。
接着，对内和外周端面以及倒棱部分进行抛光，以产生镜面抛光的表面(见图6中的步骤(d))。对每个基底(即，对各片)进行上述工艺。
最后，对在其上设置磁记录介质的主表面进行抛光。该抛光工艺以两步进行。第一抛光步骤是为了去除在先前工艺中产生的伤痕或变形而进行的，而第二抛光步骤是为了产生镜面抛光的表面而进行的(见图6中的步骤(e)和(f))。
对抛光后的硅基底充分清洗，然后转到检查工序(见图6中的步骤(g)和(h))。
根据上述工艺，得到了用于磁记录介质的常规硅基底。
在根据本发明的工艺中，如图5所示，首先，为了改善形状和尺寸的精度，对盘状硅材料进行研磨，该研磨是通过采用研磨装置以两步进行的(见图5中的步骤(a)和(b))。
接着，通过隔离物将许多硅基底捆扎在一起，从而制备硅基底的层叠体(见图5中的步骤(c1))。在层叠体的中心部分处形成圆孔，然后将特定倒棱工艺应用于基底的内和外周(见图5中的步骤(c2)和(c3))。
接着，采用抛光刷，对内和外周端面以及倒棱部分进行刷抛光(见图5中的步骤(d))。在根据本发明的制造用于磁记录介质的硅基底的方法中，从圆孔的形成到对内和外周的抛光的处理是应用于硅基底的层叠体的批处理。
最后，对在其上设置磁记录介质的主表面进行抛光。该抛光工艺是以两步进行的。第一抛光步骤是为了去除在先前工艺中产生的伤痕或变形而进行的，而第二抛光步骤是为了产生镜面抛光的表面而进行的(见图5中的步骤(e)和(f))。
对抛光后的硅基底充分清洗，然后转到检查工艺(见图5中的步骤(g)和(h))。
在根据本发明的方法中，一起处理许多基底，从而显著提高生产效率。
如上所述，获得了根据本发明的用于磁记录介质的硅基底，其中在边缘部分处形成曲面。
如上所述，如图7所示，从形成圆孔到抛光内和外周的处理是应用于许多硅基底的层叠体12的批处理。层叠体12包括100至200个硅基底1，并在硅基底1之间插入隔离物11。
通过采用这样的硅基底的层叠体，显著提高了工作效率。
提供隔离物11，以可靠地防止(i)在应用于内周端面7的曲面6和外周端面4的曲面5的刷抛光工艺中的不充分抛光，以及(ii)在抛光工艺中的硅基底断裂。各隔离物11具有类似于硅基底形状的圆盘形状，圆盘具有中心圆孔。更具体地说，以这样方式安装隔离物，以使各隔离物11的端面(即，侧面)位于从硅基底1的端面4向内约0至2mm(优选地，0.5至2mm)处。当隔离物的端面位于基底的倒棱部分的端部还向内时，(尽管与隔离物的厚度和刷毛的直径有关，)刷毛够着了硅基底的主表面区域，从而使在主表面与倒棱部分之间的脊部分变圆。另外，根据抛光刷的毛的直径，适当地调整隔离物11的厚度。优选地，该厚度约为0.1至0.3mm。另外，隔离物11的优选材料是聚氨酯、丙稀酸、环氧树脂、与抛光工艺中采用的抛光垫的材料相同的材料等，其比硅基底软。也就是说，优选采用由适于防止硅基底由于来自抛光刷或抛光垫的压力而断裂的软材料制成。
在抛光工艺中，首先，将许多硅基底和许多隔离物交替地插入特定的夹具(未示出)中，并采用紧固盖紧紧地紧固并夹紧该主体，从而形成硅基底的层叠体。接着，将抛光刷插入硅基底1的中心圆孔中，并通过抛光刷调整挤压量，以便刷毛与各基底的内周端面接触。
优选地，通过将聚酰胺树脂纤维绑成螺旋形状，形成抛光刷，其中刷毛的直径和长度分别为0.05mm至0.3mm和1至10mm。
在下一步骤中，用适量抛光液填充其中容纳基底的容器。如图8所示，进行基底1的层叠体12和抛光刷13之间的相对垂直运动，同时层叠体12和刷13分别沿相反的旋转方向旋转，从而刷抛光基底的内周面。优选地，硅基底的层叠体12的旋转速率约为60rpm，而抛光刷13的旋转速率约为1000至3000rpm。
根据对内周面的刷抛光，主表面与内周端面之间的接触线产生半径为0.01至0.05mm的曲面。
在刷抛光内周端面后，采用刷抛光基底的外周端面。
如图9所示，使圆柱刷15按压层叠体12的硅基底1的端面。优选地，通过将聚酰胺树脂纤维绑成螺旋形状形成圆柱刷15，其中刷毛16的直径和长度分别为0.05mm至0.3mm和1至30mm，而圆柱刷15的直径为200至500mm。使该圆柱刷15按压硅基底1的层叠体12的外周部分，且在硅基底的层叠体12与圆柱刷15之间进行相对垂直运动，硅基底的层叠体12和圆柱刷15分别以60rpm和700至1000rpm的各自的旋转速率沿相反的旋转方向同时旋转，同时，将抛光液施加到层叠体12的外周与抛光刷15之间的接触面。从而，刷抛光硅基底1的外周端面。
在刷抛光后，用水清洗各硅基底，并对基底的主表面进行第一抛光步骤，该步骤是为了去除在先前工艺中产生的伤痕或变形而进行的。
在该第一抛光步骤中，采用通常采用的抛光装置。在采用抛光装置的抛光中，采用通过将硅胶添加到水中得到的抛光液；载重约为100g/cm2；抛光时的目标去除量是30μm；下表面板的旋转速率为40rpm；上表面板的旋转速率为35rpm；中心齿轮的旋转速率约为14rpm；以及内齿轮的旋转速率约为29rpm。在第一抛光步骤后，用水清洗硅基底，然后进行第二抛光步骤。
也就是，对进行了第一抛光步骤的各硅基底的主表面进行作为最后工艺的第二抛光步骤。关于作为最后抛光的第二抛光步骤的条件，采用通过将硅胶到添加水中得到的抛光液；载重约为100g/cm2；抛光时的目标去除量是5μm；下表面板的旋转速率为40rpm；上表面板的旋转速率为35rpm；中心齿轮的旋转速率约为14rpm；以及内齿轮的旋转速率约为29rpm。
在第二抛光步骤后，依次将硅基底浸入分别装在清洗槽中的中性洗涤剂、纯水、纯水和IPA(异丙醇)、以及异丙醇(用于水气干燥)中，由此进行对硅基底的超声清洗。
根据上述工艺，得到用于磁记录介质的硅基底，其中端面和倒棱部分是镜面，并且在基底的主表面与端面之间提供半径为0.01mm至0.05mm的曲面。该硅基底不具有常规类型的倒棱部分；因此，与常规基底相比，获得了更宽的数据记录面积。
用于磁记录介质的该硅基底由脆性硅制成；然而，不容易产生端面中的碎片和基底中的裂纹，从而防止出现从基底的端面产生的或由与处理盒的摩擦导致的粉尘颗粒。
另外，省去了对每个基底的倒棱工艺，而是以批处理进行刷抛光。因此，制造工艺显著简化，生产效率改善，从而有助于成本降低。
在如上所述得到的硅基底的两面中的任一面上，通过已知方法沉积各层，例如，通过采用在线溅射装置等依次沉积CrMo底层(base layer)、CoCrPtTa磁性层和氢化碳保护层，然后采用浸渍方法进一步沉积全氟聚醚液体润滑层，从而得到磁性记录介质。
通过上述工艺得到的根据本发明的磁记录介质具有在主表面与端面之间的半径为0.01mm至0.05mm的曲面；因此，不容易产生端面中的碎片或基底中的裂纹，从而防止出现从基底的端面产生的或由与处理盒的摩擦导致的粉尘颗粒。因此，有效防止了写/读过程中的写/读误差或磁头损毁。
具体实例制备各具有21.6mm(称为“0.85英寸”)直径的二十个硅基底和各具有25.4mm(称为“1英寸”)直径的二十个硅基底。对这些基底依次进行上述一系列工艺，即第一研磨步骤、第二研磨步骤、形成圆孔的步骤、倒棱内和外周端面的步骤、刷抛光内和外周端面的步骤、对主表面的第一抛光步骤以及对主表面的第二抛光步骤。因此，得到在各主表面的外周侧和内周侧的拐角处具有半径为0.01mm至0.05mm的曲面的硅基底。
在研磨(即倒棱)和刷抛光内和外周端面的步骤中，采用硅基底的层叠体，其中将由环氧树脂制成的隔离物插入硅基底之间，各隔离物具有20.5mm(对于0.85英寸的基底)或24.5mm(对于1英寸的基底)的直径以及0.2mm的厚度。
另外，在刷抛光内周端面的步骤中，采用通过将聚酰胺树脂纤维绑成螺旋形状形成的抛光刷，其中刷毛的直径和长度分别为0.1mm和1mm，并且采用通过使具有#400颗粒尺寸的铝研磨颗粒悬浮在水中得到的抛光液。将该抛光刷插入硅基底的中心圆孔中，然后进行抛光，同时硅基底的层叠体和抛光刷分别以60rpm和1500rpm的旋转速率沿相反方向旋转。
在抛光内周端面后，刷抛光硅基底的外周端面。在该步抛光中，采用通过将聚酰胺树脂纤维绑成螺旋形状形成的圆柱刷，其中刷毛的直径和长度分别为0.1mm和20mm，并且圆柱刷的直径为300mm。在抛光工艺中，硅基底的层叠体和圆柱刷分别以60rpm和900rpm的旋转速率沿相反方向旋转，同时使刷按压基底的端面，并对抛光刷与硅基底的层叠体的外周之间的接触部分施加抛光液。
如上所述，对于“0.85英寸”和“1英寸”均得到20个硅基底，并计算了基底的主表面上的记录面积(见表2)。
表2单位mm
另外，观察了硅基底的外周端面附近的最终精度。
接着，对上述20个硅基底施加当采用传送盒传送各基底时所预期的振动，并研究了在基底的端面处产生伤痕和粉尘颗粒的出现。
关于基底的端面处的伤痕的产生，采用光学显微镜观察各基底的端面。通过以下步骤，采用传送盒进行用于研究粉尘颗粒的测试。
(1)将各硅基底装在盒中，并将顶盖附接到盒上，以将基底封装在盒中。
(2)考虑到传送过程，使硅基底分别向盒的底部和顶部移动各十次。
(3)考虑到安装和从盒取出硅基底的过程，将基底交替地从盒的槽口取出和安装到盒的槽口十次。
在进行了上述步骤(1)至(3)后，采用光学显微镜测量在基底的外周处产生的聚碳酸酯颗粒的数量。在测量时，对于0.85英寸和1英寸的每种观测20个基底，然后用测量的颗粒数量除以基底数量(即20)，然后对得到的商进行比较。上述观测和测试的结果示于表3中。
表3
比较实例为了比较，对具有常规倒棱部分以及在基底的主表面与倒棱部分之间具有半径为0.005mm的曲面的基底进行类似评估。这些结果也示于表3中。
根据上述评估，当在脆性硅基底中的主表面与倒棱部分之间提供直径为0.01至0.05mm的曲面时，在基底的端面处不容易产生碎片或裂纹。因此，可以防止在端面处产生粉尘颗粒以及防止由与处理盒的摩擦导致的粉尘颗粒的产生。
尽管以上已经说明和示例了本发明的优选实施例，应理解，这些是本发明的示范性实施例，而不应被认为是限制。只要不脱离本发明的精神和范围，可以进行添加、省略、替换以及其它修改。因此，本发明不应被认为受限于上述说明，其仅仅受限于所附权利要求的范围。
工业适用性可以得到脆的但具有这样的形状的硅基底，通过该形状，不容易产生端面中的裂纹或基底上的碎片，从而防止从基底的端面产生的或由相对于处理盒的摩擦导致的粉尘颗粒的出现。因此，产生更少数量的不合标准的产品和更少数量的写/读误差。另外，可以提供具有大存储容量的低价格、超小尺寸的磁记录介质。
权利要求
1.一种用于磁记录介质的硅基底，其中在所述基底的主表面与端面之间的边缘部分处设置半径为0.01mm至0.05mm的曲面。
2.根据权利要求1的硅基底，其中在所述基底的外周处设置所述在所述主表面与所述端面之间的曲面。
3.根据权利要求1的硅基底，其中在所述基底的内周处设置所述在所述主表面与所述端面之间的曲面。
4.根据权利要求1的硅基底，其中所述端面的表面粗糙度的最大高度小于等于1μm。
5.根据权利要求1的硅基底，其中所述主表面的表面粗糙度的最大高度小于等于10nm。
6.一种用于磁记录介质的硅基底的制造方法，包括以下步骤在所述硅基底的中心处形成圆孔；将所述硅基底浸入其中颗粒悬浮的抛光液中；以及分别抛光所述硅基底的外周端面和内周端面，其中在抛光各端面时，抛光刷接触所述端面，同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对的旋转。
7.根据权利要求6的制造方法，其中在对所述基底的内和外周进行倒棱之前，进行所述分别抛光所述外周端面和所述内周端面的步骤。
8.根据权利要求6的制造方法，其中在采用通过其间的隔离物层叠的许多硅基底的层叠体的批处理时，进行所述分别抛光所述外周端面和所述内周端面的步骤。
9.根据权利要求6的制造方法，其中所述抛光刷由聚酰胺树脂制成。
10.一种采用权利要求1的硅基底制成的磁记录介质，其中在所述硅基底的所述主表面上形成至少一个磁性层。
全文摘要
在用于磁记录介质的硅基底中，在所述基底的主表面与端面之间的周部分处设置半径为0.01mm至0.05mm的曲面。所述曲面可以设置在所述基底的外周或内周。优选地，所述端面和所述主表面的表面粗糙度的最大高度分别小于等于1μm和小于等于10nm。一种制造硅基底的方法包括以下步骤在所述硅基底的中心处形成圆孔；将所述基底浸入其中颗粒悬浮的抛光液中；以及分别抛光所述基底的外和内周端面。在抛光各端面时，抛光刷接触所述端面，同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对旋转。
文档编号G11B5/84GK1993735SQ20058002672
公开日2007年7月4日 申请日期2005年8月11日 优先权日2004年8月16日
发明者会田克昭 申请人:昭和电工株式会社