用于垂直记录介质的软磁衬层的制作方法

专利名称：用于垂直记录介质的软磁衬层的制作方法
技术领域：
本发明总地涉及垂直磁记录介质，更特别地，涉及用于磁记录硬盘驱动 器的具有垂直磁记录层的盘。
背景技术：
垂直磁记录是在磁记录硬盘驱动器中实现超高记录密度的潜在途径之
一，垂直磁记录中所记录的位(bit)在磁层中存储得具有垂直或离面 (out-of-plane )的磁轴取向。普通类型的垂直磁记录系统是利用"双层"介 质的系统。此类系统示于图1中，具有单写极类型的记录头。双层介质包括 形成在"软磁，，或低矫顽力导磁衬层(SUL)上的垂直磁数据记录层(RL)， SUL层用作磁场从记录头的写极(pole )到返回极的》兹通返回路径。图1中， RL示出为具有垂直记录或磁化的区域，相邻区域具有相反的磁化方向，如 箭头所示。相邻的相反方向磁化区域之间的磁转变(magnetic transition)作 为所记录的位通过读元件或读头#皮;险测。
图2是现有技术垂直磁记录盘的横截面的示意图，示出作用在记录层 RL上的写场Hw。盘还包括硬盘衬底、用于SUL的生长的籽层或始层(onset layer, OL )、 SUL与RL之间的中间层(IL )、以及保护覆层(OC)。 IL是非 磁层或多层结构，也称为"交换中断层"或EBL,其中断导磁膜SUL和RL 之间的磁交换耦合且促进RL的其基面平行于薄膜平面的外延生长。虽然图 2未示出，但是籽层通常直接沉积在SUL上以促进IL的期望的生长取向。 如图2所示，RL位于"表象(apparent)"记录头(ARH)的间隙内，其允 许与纵向或面内记录相比显著更高的写场。ARH包括盘上方的作为真实写 头(RWH)的写极(图1 )、以及RL下方的有效次级写极(SWP)。 SWP由 SUL促成，其通过IL自RL退耦，并且由于其高的磁导率在写过程期间产 生RWH的磁镜像。这有效地使RL在ARH的间隙中且允许在RL内的大的 写场Hw。
软磁衬层(SUL)是垂直记录介质(PRM)结构的组成部分，其提供到
记录头的磁场闭合，由此允许比纵向记录中采用的更高矫顽力的介质的磁翻
转。为了最佳的介质性能，SUL是软磁的，展现出单畴特性，展现出单轴各 向异性且使其磁轴优选地沿径向排列。
非晶的高磁导率材料满足这些磁规格且当前用于垂直介质制造中。当前 技术的非晶SUL材料的一个固有问题在于其与晶体层相比机械上的相对软 性。这使PRM更易于在溅射后处理期间或由于意外头-盘相互作用而在存储 器水平(file level)受到损害和擦伤。尽管较厚和较硬的覆层可改善记录介 质的机械坚固度，但是较厚的覆层增大的磁间距，对介质记录性能产生有害 的结果。需要的是改善SUL的本征机械属性以增大PRM的坚固度的方法。 这是本发明的主题。
当前技术的非晶SUL材料的另一问题是其高的腐蚀倾向，这有损于垂 直记录介质的化学稳定性。该问题通过生长在SUL上的中间层(多层)的 粗糙的微结构而被恶化。粗糙度是用来控制记录层的分离(segregation )。当 前技术的方案包括使用双中间层，其包括在不同压强下溅射Ru,由此稠厚 的重叠层(overlayer)沉积在SUL上。沉积在SUL上的厚的重叠层产生较 粗糙的村层部件。尽管该方案改善了 PRM堆叠的总体腐蚀特性，但是厚的 重叠层中存在的缺陷或空缺会损及PRM的化学稳定性。还需要改善SUL本 身的本征腐蚀特性而不用厚的重叠层的方法。

发明内容
本发明是垂直磁记录盘，具有记录层(RL)、在软磁衬层(SUL)上的 交换中断层。SUL被掺杂以明智选择的材料以增大SUL的机械硬度。
此外，引入在间隔/帽层中或在SUL本身中的诸如铌的材料增大了 SUL 的耐腐蚀性。因此，不需要厚的重叠层以防止腐蚀。
为了更全面地理解本发明的本质和优点，请结合附图参照下面的详细说明。


图1是现有技术的垂直磁记录系统的示意图2是根据现有技术的垂直磁记录盘的示意性剖面图且示出了写场；
图3是垂直磁记录盘的示意性剖面图4是示出掺杂剂对SUL的磁属性的影响的曲线图5是示出SUL掺杂对机械硬度的影响的曲线图6是示出掺杂剂对CoTaZr软磁衬层的径向磁各向异性的影响的曲线
图7a是具有不同帽厚度的盘的刮擦深度的曲线图； 图7b是有和没有帽的盘上刮擦概率的图表；
图8a和8b比较了增大Cr和Nb在CoTaZr软磁衬层中的掺杂量对腐蚀 特性的影响；
图9示出用Cr、 Nb、 Pt和Re以10%的水平掺杂CoTaZr软/磁衬层的效
果；
图10是开路电势对CoTaZrSUL中的掺杂剂浓度的曲线图11是掺杂到CoTaZr SUL中的Nb对矫顽力和单轴各向异性的影响的
曲线图12a和12b是用于改善垂直记录介质的腐蚀特性的软磁衬层结构； 图13a和13b是用于改善垂直记录介质的腐蚀特性的另外的软磁衬层结
构；
图14是比较了包括2nm厚的Cr、 Nb、 Pt和Re的间隔层的SUL层的
腐蚀特性的图15是对于盖有各种过渡金属和二元合金的各种2nm厚的层的SUL结 构测量的开路电势的图16比较了采用纳米层的SUL之间的易轴矫顽力和单轴各向异性、以 及在采用单或双层沉积的相同层中测量的易轴矫顽力和单轴各向异性。
具体实施例方式
"X合金"意味着仅X的合金或者包括X的合金(例如术语CoFe合金 包括CoFe以及CoFeO和CoFeC )。合金包括至少两种元素且不是必须包括金属。
"上"意味着"在…之上"，但不是必须直接"在…上"。 图3是根据现有技术的垂直磁记录盘的示意性剖面图，示出了反铁磁耦 合的SUL。构成盘的各种层位于硬盘衬底上。衬底可以是任何商业可得的玻 璃衬底，但是还可以是具有NiP或其他已知表面涂层的常规铝合金，或者替代衬底，诸如硅、硅^减钙石或碳化硅。SUL位于衬底上，或者直接在衬底上
或者直接在粘合层或OL上。OL促进SUL的生长且可以是具有约2 - 5纳 米(nm)厚度的AlTi合金或类似材料。在图3的盘中，SUL是由通过层间 膜(诸如Ru、 Ir或Cr)分隔开的多个软^磁层(SULa和SULb )形成的层叠 或多层SUL ，层间膜用作反铁磁(AF )耦合层间膜以引起SULa和SULb之 间的反铁磁交换耦合。此类SUL描述于美国专利6686070B1和6835475B2 中。然而，代替AF耦合SUL, SUL可以是单层SUL或非AF耦合的层叠或 多层SUL，其由通过诸如碳或SiN膜的非磁膜或者Al或CoCr的导电膜分 隔开的多个软磁膜形成。SUL层或多层由非晶导磁材料形成，诸如合金 CoNiFe、 FeCoB、 CoCuFe、 NiFe、 FeAlSi、 FeTaN、 FeN、 FeTaC、 CoTaZr、 CoFeB和CoZrNb，或四元合金诸如CoFeTaZr。 SUL的厚度通常在约 50-400nm的范围。形成在RL上的OC可以是非晶"类金刚石"碳膜或其他 已知保护覆层，例如氮化硅(SiN)。
SUL上的非磁IL是具有六角密堆积(hcp )晶体结构的非磁金属或合金， 以用于控制颗粒RL中的hcp晶体取向。IL促进了 hcp颗粒RL的生长，使 得其c轴基本垂直地取向，由此导致垂直磁各向异性。4了(Ru)是一般使用 的用于IL的材料，但是其他材料包括选自Ti、 Re和Os的金属，以及含有 选自Ti、 Re、 Ru和Os的至少一种元素的合金，包括Ru基合金诸如RuCr 合金。IL可形成在形成于SUL上的籽层(SL)上。
RL是颗粒铁磁Co合金，具有包括氧化物或多种氧化物的颗粒间材料。 氧化物通常是Si、 Ta、 Ti和Nb中的一种或更多的氧化物。RL还可含有Cr， Cr的一种或更多氧化物也作为颗粒间材料存在。
SUL通过添加高熔点元素和合金得到加强。为了示出添加这些掺杂剂的 优点，60nm厚的CoTaZr软》兹衬层沉积在涂覆AlTi的紋理化的玻璃村底上。 SUL又涂覆以2.5nm的SiN。通过用高熔点(Tm)难熔元素和合金掺杂来提 高非晶合金的玻璃转变温度Tg，以寻求SUL硬度的改善。首先，Tg~2Tm/3 (wang et al， L， 18, 2747, 2003 )。此外，高熔点材料用来提高非晶
合金的玻璃转变温度。
当SUL是92%的Co时，玻璃转变温度由Co (Tm=1495°C )支配。图 4-6示出具有下面的添加剂之一的SUL的结果W (Tm = 3410°C )、 Nb ( Tm =2468°C )、 B ( Tm = 2300°C )、 B4C ( Tm = 2450°C )和V ( Tm = 1890°C )。这
些材料的掺杂通过CoTaZr与W、 V、 Nb、 B和B4C的元素靶的共溅射来进 行。掺杂剂的量在0-12%的范围且B和B4C被RF溅射。对于修改合金的 Tg有效的掺杂剂，应具有比合金的组元更高的熔点。然而，这不是充分的， 其还应在有效生长温度下结合到材料的局域原子环境中。因此，增大SUL 的机械硬度的最有效的掺杂剂由记录介质的有效生长温度决定。
图4示出掺杂剂对SUL的磁属性的影响。在图4中，相对于掺杂剂水 平绘制饱和磁化。该图示出全部掺杂剂导致磁矩的减小。然而，当比较各种 摻杂剂时，减小程度显著变化。观察到B4C和B在掺杂剂水平达到8%时减 小38%的磁矩，而V、 Nb和W在相同的掺杂剂水平分别减小9%、 14%和 21%。
图5通过检查样品的纳米压痕(nanoindentation)示出SUL掺杂对机械硬 度的影响。具体地，通过检查AFM刮擦深度来量化纳米压痕。图5比较了 对于掺杂以W、 V、 B4C和B的SUL， AFM刮擦深度的测量结果与纳米压 痕器(indenter)施加的力之间的关系。将结果与相同过程制造的未掺杂样品比 较且与仅包括晶体层的完全纵向记录介质结构(MPC)比较。预期MPC样 品是测试样品中最硬的，因为它不包括非晶层。
图5表明，添加约2原子％的B4C或B到60nm的CoTaZr软磁衬层与 控制样品(没有掺杂剂)相比显著降低了 AFM刮擦深度，且靠近完成的纵 向介质(MPC)的刮擦深度。这是掺杂带来的改善的硬度的直接结果。对照 地，用甚至更高掺杂剂水平的V和W的掺杂没有导致硬度改善。这是应为 仅高熔点不足以改善机械硬度。如图5显见，用最高熔点元素W(Tm = 3410 °C )和用最低熔点元素V (Tm= 1890°C )的掺杂的效果在改善SUL机械硬 度方面是低效的。因此，优选地，掺杂剂材料是易于置于非晶结构局域序内 以改善机械属性的非金属。特别地，硼是小原子，其能够容易地居于最接近 的相邻原子位内。这还解释了其在弱化SUL的磁矩方面的强的效果。结果 表明B4C也易于被引入，且如在图4和5中所见的那样，对SUL的磁和硬 度属性具有可观的影响。以2%的水平用这些材料掺杂导致14%的磁矩减小， 其可以容易地通过增大SUL的厚度来补偿以维持所需的磁导率。这些结果 是针对在约70-9(TC的溅射。然而，在更高的溅射温度下，可能高Tm材料例 如W将产生更大机械坚固度的SUL。可以预期W在大于25(TC的生长温度 下良好混合。然而，如果要保持合金的非晶性(amorphicity)，则必须采用不同的SUL合金成份。
图6示出掺杂剂对CoTaZr软磁衬层的径向磁各向异性的影响。对于达 到4%的掺杂量，硼在增大SUL的径向各向异性方面是有利的。所述各向异 性的增大对于SUL畴稳定性是有利的，且预期通过降低SUL噪声贡献而改 善记录性能。与Nb、 V和W相比，B4C仅具有轻卩微的径向各向异性减小。
在纳米压痕研究中获得的较浅AFM刮擦深度与颗粒刮擦坚固度之间还 有相关性。为了示出该点，进行了单独的实验，其中在各种结构中进行纳米 压痕研究。如图7a中所见，PMR无盖盘在150pN处比5nm盖帽盘具有更 小的刮擦深度，因此可以预期其更坚固。颗粒刮擦坚固度的对应结果在图7b 中给出，其中清楚看出，PMR无盖帽盘的颗粒产生的刮擦概率小于5nm盖 帽盘。因此，本领域技术人员可以预期，SUL的用明智选择的元素和合金材 料的掺杂将还导致颗粒刮擦抵抗性的改善，其对于存储器可靠度是期望的。 B、 B4C、 BN和SiC是这样的元素和合金的示例。
SUL中的过渡金属
非晶软磁村层的抗腐蚀性通过在合金成份中引入一种或更多明智选择 的过渡金属元素而得到改善。该改善由特定过渡元素带来且正确的掺杂剂的 选择增大了软磁衬层的单轴各向异性，这随于SUL噪声抑制而言是高度期望的。
图8-9示出对试-睑样品结构的测试。样品包括沉积在涂覆有3nm厚AlTi 层的紋理化玻璃衬底上的60nm厚CoTaZr膜。掺杂通过共濺射CoTaZr和下 面的过渡元素来实现Cr、 Pt、 Re、 Nb、 Ti和Ta。掺杂剂的量在0-10%的 范围。准备了两种样品系列， 一种没有保护覆层，另一组涂覆有2.5nm的 SiN。 一种以上掺杂剂可用来掺杂SUL。
添加到非晶薄膜的过渡金属添加剂可通过两种机制改善其本征腐蚀特 性。第一，掺杂剂可改变合金的化学势。第二，掺杂剂可导致非晶薄膜的密 度和表面能的改变。可预期后者改善后续生长在这些掺杂的SUL材料上的 膜的粘合性和覆盖(coverage )。
样品的腐蚀特性通过极化电流测量来评估。在测量中，电势在样品表面 和贵金属对电极之间扫过，用DI水作为电解质监测交换电流。阳极电流密 度是合金的腐蚀倾向的良好度量，较高的电流表明较高的腐蚀倾向。测量允 许未涂覆的薄膜的不活泼性(nobility)及其钝化特性的定量评估。类似地，
对于被涂覆的样本，Eoc (开路电势)的改善表明改善的重叠层覆盖和平滑度。
图8a和8b比较了 CoTaZr软》兹衬层中Cr和Nb的增大4参杂量的效果。 未涂覆的60nm厚的样品用于这些测量。该图表明随着过渡金属掺杂量增大， 合金变得更不活泼。然而，Cr掺杂材料的情况下的腐蚀电流曲线的形状表明 这些膜没有发展钝化特性。相对照地，首先发现，Nb掺杂导致约100倍的 腐蚀电流的减小，直到开路电势之上的200mv。另外，10。/。掺杂的Nb的极 化电流显示出清楚的钝化的开始，如阳极分支的斜度减小所明示的。钝化， 腐蚀阻挡层的自发形成，是任何合金的腐蚀改善的目标，因为该行为导致长 期抗腐蚀性。这对于5%和10%掺杂的Nb-CoTaZrSUL两者是明显的。
图9示出以10%的水平用Cr、 Nb、 Pt和Re掺杂CoTaZr的效果。不活 泼性改善的最大增加归于Cr掺杂且最小增加归于Pt。然而，如上所述，Cr 掺杂不导致薄膜钝化。图8a、 8b和9的结果表明Nb掺杂改善了 SUL的本 征抗腐蚀性。在SiN涂覆的SUL膜中在过渡金属掺杂的CoTaZr SUL中进行 了类似的极化电流测量。
图IO是开路电势对CoTaZr SUL中的掺杂剂浓度的曲线图。该图示出 Nb、 Cr、 Pt和Re掺杂所带来的腐蚀性改善。Nb掺杂显示出改善，即使对 于小于3%的掺杂剂水平。对于以大于5%的量掺杂的Re观察到类似益处。 Cr的效果是类似的，但是比Nb掺杂的优点更小。
图11是掺杂到CoTaZr软磁衬层中的Nb对矫顽力和单轴各向异性的影 响的曲线图。该曲线图示出，SUL的磁各向异性通过Nb掺杂被增大，且径 向矫顽力稍微增大。因此，CoTaZr软磁衬层的Nb掺杂改善了非晶合金的抗 腐蚀性和磁属性。
过渡金属纳米层
0.5和4.0nm之间的纳米层厚的间隔层和盖帽层也向软磁衬层提供抗腐蚀性。
图12示出用于改善PRM的腐蚀特性的软磁衬层结构。图12a在SUL 或AFC-SUL的一层内采用纳米厚的间隔层。图12b是纳米盖帽层在SUL或 AFC-SUL结构上且在OL或IL膜的沉积之前。
尽管单个纳米层的使用示于图12a和12b中，但是多个纳米层可被采用。 还应意识到，本发明提供的额外改善可以通过结合图13a和图13b所示的两种配置的架构而获得。附图是示例性的而不是限制性的，例如，与盖帽层结 合的多层堆叠的组合可提供最佳的腐蚀保护。此外，纳米层的放置不限于图 中所示的层和间隔层的数目。
图14-16源自 一系列生长在AlTi涂覆的玻璃衬底上且然后涂覆以2.5nm 厚的SiN层的60nm厚的CoTaZr样品的结果。
图14-16的包括纳米间隔层的薄膜结构采用三溅射台生长30nm厚的 CoTaZr层首先利用高矩阴极沉积在AlTi涂覆的玻璃上。接着在相邻的溅射 台沉积纳米间隔层(2nm厚)，最后在沉积覆层之前在配备有高矩阴极的另 一台增加30nm的CoTaZr。
图14-16的盖帽层结构在两个步骤中生长首先60nm厚的SUL层生长 在AlTi涂;菱的玻璃上，在SiN覆层之前在其上沉积2nm厚的盖帽层。
通过极化电流测量评估腐蚀属性，将结果与在涂覆有2.5nm SiN的单个 60nm厚的CoTaZr层中获得的结果比较。对于SUL具有纳米间隔层的情况， 与采用沉积设备的不同賊射台在两个30nm沉积步骤中生长的CoTaZr层进 4亍t匕l交。
图14比较了包括2nm厚的Cr、 Nb、 Pt和Re间隔层的SUL层的腐蚀 特性。其是包括各种过渡金属的纳米间隔层的SUL结构的开路电势测量的 图。Eoc的负值表明SUL抗腐蚀性。图14的参考样品标识为"无间隔层" 且如上所述，其在两个步骤中沉积，每个提供30nm厚的SUL子层。所采用 的不同间隔层的Eoc值的比较表明Nb间隔层对SiN涂覆的SUL提供高度的 腐蚀保护。
在图15中，示出了采用本发明教导的超薄盖帽层提供的腐蚀保护。图 15是盖帽有2nm厚的各种过渡金属和二元合金的层的SUL结构的开路电势 测量的图。参考样品(无盖帽)与盖帽SUL结构在相同的賊射台中生长。 该图示出，参考层表现出较差的腐蚀特性。图15示出Nb提供最大的改善且 几乎是参考样品的2倍好。Re和RuCr25也表现出显著的保护特性。
图16比较了采用纳米层的SUL之间的易轴矫顽力和单轴各向异性、以 及在采用单或双层沉积的相同层中测量的易轴矫顽力和单轴各向异性。各向 异性场的比较表明采用Nb纳米层增强了单轴各向异性。Nb盖帽层增大了 Hk,其对于改善SUL记录噪声特性是有利的。此外，达到了Hk增大而没 有SUL易轴矫顽力的显著改变。这对于垂直介质的高数据速率应用是有利
的。
SUL中的非晶合金、SUL中的过渡金属和过渡金属纳米层可结合使用 ( 一次两种或者全部三种)以进一步增强SUL的性能。
虽然已经参照优选实施例特别显示和描述了本发明，但是本领域技术人 员将理解，可以进行形式和细节上的各种改变而不偏离本发明的思想和范 围。因此，所公开的本发明应仅理解为示例性的，且仅限制在所附权利要求 定义的范围内。
权利要求
1.一种垂直磁记录介质，包括衬底；在所述衬底上的包括至少三种元素的软磁衬层；在该软磁衬层上的包括Co或Fe的垂直磁记录层；以及其中该软磁衬层包括额外的具有大于1890℃的熔点温度的非金属元素或合金。
2. 根据权利要求1的垂直-兹记录介质，其中该额外元素是B、 B4C、 BN 和SiC中的至少一种。
3. 根据权利要求2的垂直磁记录介质，其中该额外元素的量在0-12 at%的范围。
4. 根据权利要求2的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层包括含有CoTaZr 的非晶合金。
5. 根据权利要求2的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层结构是单层。
6. 根据权利要求2的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层结构是反铁磁耦 合双层结构。
7. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该额外元素包括B。
8. 根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层中该额外元素的 量在0-12at。/。的范围。
9. 根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层中该额外元素的 量在0-6。/oat的范围。
10. 根据权利要求7的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层中该额外元素 的量在0.5-3 at。/。的范围。
11. 根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中该额外元素包括W。
12. —种垂直;兹记录介质，包括 衬底；在该村底上包括至少三种元素的软磁衬层； 在该软》兹衬层上的垂直》兹记录层；以及其中该软磁衬层包括量小于6at。/。的Cr、 Pt、 Re、 Nb和Ti的至少一种的额外元素。
13. 根据权利要求12的垂直磁记录介质，其中该额外元素是Nb、 Re和 Cr的至少一种。
14. 根据权利要求13的垂直磁记录介质，其中在该软磁衬层中的该额外 元素的浓度在0-15 at.。/。之间。
15. 根据权利要求13的垂直磁记录介质，其中在该软磁衬层中的该额外 元素的浓度在0.5-5 at.。/。之间。
16. 根据权利要求12的垂直磁记录介质，其中该额外元素的添加不减小 超过20%的合金》兹矩。
17. 才艮据权利要求12的垂直》兹记录介质，其中该额外元素增大该软^磁衬 层合金的不活泼性且表现出自钝化。
18. 根据权利要求12的垂直》兹记录介质，其中该额外元素增大该软磁衬 层的单轴磁各向异性。
19. 根据权利要求13的垂直》兹记录介质，其中该软-磁衬层包括CoTaZr。
20. 根据权利要求13的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层中的浓度包括 70-97 at.Q/。之间的Co、 0-30 at.。/。之间的Ta、以及0-30 at.。/o之间的Zr。
21. 根据权利要求12的垂直磁记录介质，其中该额外元素是Nb且Nb 的浓度在0.5-10 at.。/。之间。
22. 根据权利要求12的垂直磁记录介质，其中该额外元素是Pt、 Re和 Cr中的至少一种且该额外元素的浓度在0.5-10 at.。/。之间。
23. —种垂直;兹记录介质，包括 衬底；在该衬底上的软》兹衬层； 在该软;兹村层上的垂直磁记录层；以及其中该软磁衬层是被0.5至4.0nm金属或金属合金层盖帽、及被0.5至 4.0nm金属或金属合金层插入两种中的至少一种。
24. 根据权利要求23的垂直^兹记录介质，其中该软;兹村层被0.5至4.0nm 金属或金属合金层盖帽。
25. 根据权利要求23的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层被0.5至4.0nm 金属或金属合金层插入。
26. 根据权利要求24的垂直磁记录介质，其中该软磁村层被0.5至4.0nm 金属或金属合金层插入。
27. 根据权利要求23的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层被多个0.5至 4.0nm的金属或金属合金层插入。
28. 根据权利要求24的垂直磁记录介质，其中该软磁衬层被多个0.5至 4.0nm的金属或金属合金层插入。
29. 根据权利要求23的垂直磁记录介质，其中该金属或金属合金层包括Nb。
30. 根据权利要求23的垂直磁记录介质，其中该金属或金属合金层包括 Nb、 Re、 Cr或Pt中的至少一种。
31. —种垂直石兹记录介质，包括 衬底；在该衬底上包括至少三种元素的软^磁衬层； 在该软磁衬层上包括Co或Fe的垂直磁记录层；以及 其中该软磁衬层包括熔点温度大于18卯。C的第一额外非金属元素或合金、及量小于6at.。/。的Cr、 Pt、 Re、 Nb和Ti的第二额外元素；且该软磁衬层是被0.5至4.0nm金属或金属合金层盖帽、及被0.5至4.0nm金属或金属合金层插入两种中的至少一种。
全文摘要
本发明提供一种垂直磁记录介质。垂直磁记录盘具有在软磁衬层上的颗粒钴合金记录层。软磁衬层被掺杂以明智选择的元素或合金或者被所述元素或金属合金层盖帽或插入。所得盘和软磁衬层与没有掺杂或薄层的对比盘相比尤其具有好的记录属性，改善的机械强度和改善的抗腐蚀性。
文档编号G11B5/66GK101174426SQ20071018117
公开日2008年5月7日 申请日期2007年10月12日 优先权日2006年10月13日
发明者青 戴, 戴维·布朗斯坦, 欧内斯托·马里尼罗, 池田圭宏, 王仁汉 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司