专利名称：一种将otp存储器版图改为rom存储器版图的方法及应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路的版图设计方法，尤其涉及存储器的版图设计方法。
背景技术：
在可编程集成电路的设计生产过程中， 一般采用OTP技术进行小批量的集成电路的试制, 试制成功后，由于利用OTP技术制造、测试、烧录成本较高，往往采用ROM技术进行大批量 的集成电路生产，将集成电路中内嵌的程序直接掩模在ROM电路中。
传统上将OTP电路改成ROM电路的做法是分别设计OTP存储器版图和ROM存储器版图， 需要制造二套光刻版，既拖延了设计时间，也增加了设计风险和制版费用。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足，提供了一种基于一套OTP存储器版图，只修改部分层 次将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法。
本发明还提供利用OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法获得的一种ROM存储器版图。
一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法，特征在于在OTP存储器版图中将需 要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM存储器版图中通过短接实现；不需要烧录击穿的电路 结构的二端，在ROM存储器版图中通过断开实现。
将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法，其特征还在于
1) 按照版图层次，OTP存储器版图可以包括N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶 同第一层铝(一铝)的引线孔、 一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；
2) 0TP存储器版图中醒OS晶体管MO上的多晶和一铝同属于存储单元的行地址线ADDRH，
同一行的各存储单元通过引线孔连接；
3) OTP存储器版图改为ROM存储器版图时，先将NMOS晶体管MO的多晶删除；
4) 需要烧录的丽OS晶体管MO的栅极与源极，在ROM存储器版图中通过引线孔将刚OS 晶体管MO源极的N型有源区与MO上的一铝连接；
所述的OTP由存储单元阵列组成，每个存储单元，包括
一丽OS晶体管MO，所述MO的栅极引出作为行地址线ADDRH， MO的漏极悬空；
一丽OS晶体管Ml，所述Ml的栅极引出作为行地址线ADDR， Ml的漏极连接MO的源极，Ml的源极引出作为列地址线ADDC;
OTP存储器的各个存储单元分别通过行地址线ADDRH、行地址线ADDR、列地址线ADDC相互 连接。
将0TP存储器版图改为ROM存储器版图的方法，其特征还在于修改过程中保证不改变OTP 存储器版图的结构，如形状、大小、布局。
利用上述OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法得到一种ROM存储器版图，其特征 在于
ROM存储器版图层次依次包括N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一 铝)的引线孔、 一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；
所述的ROM存储器由存储单元阵列组成，存储单元有两种类型即R0M一1、 R0M一0;
其中R0M_1包括
一连接线，作为行地址线ADDRH;
一NM0S晶体管M1，所述M1的栅极引出作为行地址线ADDR，M1的漏极连接行地址线ADDRH， Ml的源极引出作为列地址线ADDC;
所述的ROM—1的版图的特征在于由引线孔连接Ml漏极的N型有源区与行地址线ADDRH的 一铝；
其中ROM—0包括
一画0S晶体管M1，所述M1的栅极引出作为行地址线ADDR， Ml的漏极悬空，Ml的源极 引出作为列地址线ADDC;
ROM存储器的各个存储单元分别通过行地址线ADDRH、行地址线ADDR、列地址线ADDC相互连接。
本发明的有益效果在于，基于一套OTP存储器版图，只修改部分层次将OTP存储器版图 改为ROM存储器版图，节省设计时间，降低设计风险、制版费用以及制造成本，同时，因OTP 存储器版图与ROM存储器版图在多晶前的版图是一致的，多晶前生产制造也一致，因此可以 等到多晶后再根据销售等因素选择OTP存储器版图或ROM存储器版图，确定最终产出是OTP 产品还是ROM产品，方便组织生产以及库存管理。
附图l OTP存储器的存储单元电路图
附图2图1中击穿的OTP存储器存储单元的等效电路图 -
附图3 R0M存储器的存储单元R0M—1电路图附图4 R0M存储器的存储单元R0M—0电路图
附图5 OTP存储器示意图
附图6图1所示的OTP存储器单元的版图
附图6-1图3所示的ROM存储单元R0M_1的版图
附图6-2图4所示的ROM存储单元ROM_0的版图
附图7图5所示的OTP存储器的版图
附图7-1图7的OTP存储器的版图修改为ROM存储器的版图 附图8将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的流程图
具体实施例
如图1所示的0TP存储器由存储单元阵列组成，每个存储单元，包括
一 NMOS晶体管M0，所述MO的栅极引出作为行地址线ADDRH， MO的漏极悬空；
一 NMOS晶体管Ml，所述Ml的栅极引出作为行地址线ADDR， Ml的漏极连接MO的源极，
Ml的源极引出作为列地址线ADDC;
OTP存储器的各个存储单元分别通过行地址线ADDRH、行地址线ADDR、列地址线ADDC相
互连接，如图5所示举例说明了 一两行两列的OTP存储器，所述存储单元0的行地址线ADDRH
连接存储单元1的行地址线ADDRH[O]，存储单元2的行地址线ADD朋[l]连接存储单元3的行
地址ADDRH线[l]，存储单元0的列地址线ADDC[O]连接存储单元2的列地址线ADDC[O]，存
储单元2的列地址线ADDC[l]连接存储单元3的列地址线ADDC[l]。
OTP存储器的存储单元在烧录模式下需要击穿时，其存储单元的MO被击穿，击穿的存储单元的等效电路图见图2，图2中的电阻越小，流过ADDRH至ADDC的电流越大，此时可以在
附图2的基础上将电阻视为导线(见附图3);
OTP存储器的存储单元在烧录模式下不需要击穿时，未击穿的存储单元的等效电路图见图4。
根据OTP存储器的存储单元在烧录后的等效原理，本发明提出了一种将OTP存储器版图 改为ROM存储器版图的方法，其特征在于在OTP存储器版图中将需要烧录击穿的电路结构的 二端，在ROM存储器版图中通过短接来实现；不需要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM存 储器版图中通过断开实现。
如图8所示的流程图，其特征还在于
1)按照版图层次，OTP存储器版图可以包括N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一铝)的引线孔、 一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；
2) OTP存储器版图中麵0S晶体管M0上的多晶和一铝同属于单元的行地址线ADDRH，同 一行的各存储单元通过引线孔连接；
3) OTP存储器版图改为ROM存储器版图时，先将NM0S晶体管M0的多晶删除；
4) 需要烧录的画OS晶体管M0的栅极与源极，在ROM存储器版图通过引线孔将NMOS晶 体管M0的源极的N型有源区与M0上的一铝连接；
其中所述的二铝同一铝的通孔与N型有源区同一铝的引线孔在位置上可以重叠。 其中所述的OTP存储器的各存储单元的同一行地址线上的多晶和一铝可以通过一个或多 个引线孔连接。
将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法，其特征还在于修改过程中保证不改变OTP 存储器版图的结构，如形状、大小、布局。
利用上述OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法得到的如附图7所示的ROM存储器 版图，其特征在于
1)版图层次依次包括N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一铝) 的引线孔、 一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝。
所述的ROM存储器由存储单元阵列组成，存储单元有两种类型即R0M一1、 R0M_0。 其中R0M—1如图3所示包括 一连接线，作为行地址线ADDRH;
一醒0S晶体管M1，所述M1的栅极引出作为行地址线ADDR，M1的漏极连接行地址线ADDRH， Ml的源极引出作为列地址线ADDC;
所述的R0M_1的版图的特征在于由引线孔连接M1漏极的N型有源区与行地址线ADDRH的 一铝；
其中ROM—0如图4所示包括
一NM0S晶体管M1，所述M1的栅极引出作为行地址线ADDR， Ml的漏极悬空，Ml的源极
引出作为列地址线ADDC;
ROM的各个存储单元分别通过行地址线ADDRH、行地址线ADDR、列地址线ADDC相互连接； 其中所述的二铝同一铝的通孔与N型有源区同一铝的引线孔在位置上可以重叠。 应该理解的是上述实施例只是对本发明的说明，而不是对本发明的限制，任何不超出
本发明实质精神范围内的发明创造修改如将0TP存储器、ROM存储器的电路结构以及版图
中的醒0S改为PMOS等，均落入本发明保护范围之内。
权利要求
1.一种将OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法，其特征在于在OTP存储器版图中将需要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM存储器版图中通过短接来实现，将不需要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM存储器版图中通过断开实现。
2. 如权利要求1所述的一种将0TP存储器版图修改为R0M存储器版图的方法，其特征还在 于1) 按照版图层次，OTP存储器版图可以包括N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶 同第一层铝(一铝)的引线孔、 一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；2) 0TP存储器版图中醒OS晶体管MO上的多晶和一铝同属于存储单元的行地址线ADDRH， 同一行的各存储单元通过引线孔连接；3) OTP存储器版图修改为ROM存储器版图时，先将NMOS晶体管MO的多晶删除；4) 需要烧录的丽OS晶体管MO的栅极与源极，在ROM存储器版图通过引线孔将隨OS晶 体管MO的源极的N型有源区与MO上面的一铝连接；所述的OTP存储器由存储单元阵列组成，每个存储单元，包括一 NMOS晶体管MO，所述MO的栅极引出作为行地址线ADDRH， MO的漏极悬空；一醒0S晶体管M1，所述M1的栅极引出作为行地址线ADDR， Ml的漏极连接MO的源极，Ml的源极引出作为列地址线ADDC;OTP存储器的各个存储单元分别通过行地址线ADDRH、行地址线ADDR、列地址线ADDC相互 连接。
3. —种ROM存储器版图，其特征在于ROM存储器版图层次依次包括N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一 铝)的引线孔、 一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；所述的ROM存储器由存储单元阵列组成，存储单元有两种类型，即ROM一l、 ROM—0;其中R0M_1包括一连接线，作为行地址线ADDRH;一醒0S晶体管M1，所述M1的栅极引出作为行地址线ADDR,M1的漏极连接行地址线ADDRH， Ml的源极引出作为列地址线ADDC;所述的R0M_1的版图的特征在于由引线孔连接Ml漏极的N型有源区与行地址线ADDRH的 一铝；其中ROM—0包括一NM0S晶体管M1，所述M1的栅极引出作为行地址线ADDR， Ml的漏极悬空，Ml的源极引出作为列地址线ADDC;ROM存储器的各个存储单元分别通过行地址线ADDRH、行地址线ADDR、列地址线ADDC相互连接。
全文摘要
本发明提供了一种将OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法，其特征在于在OTP版图中将需要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM版图中通过短接实现；不需要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM版图中通过断开实现，本发明还提供了利用OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法获得的一种ROM版图。本发明基于一套OTP版图，只修改部分层次从而将OTP版图改为ROM版图，节省设计时间，降低设计风险、制版费用以及制造成本。
文档编号G11C17/00GK101635174SQ20081006322
公开日2010年1月27日 申请日期2008年7月23日 优先权日2008年7月23日
发明者群 何, 赵启永, 焱 陈 申请人:杭州士兰集成电路有限公司