专利名称：包括存储器件和系统的半导体器件的设定数据储存的制作方法
包括存储器件和系统的半导体器件的设定数据储存
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年9月22日提交的韩国专利申请No. 10-2011-0095763的优先 权,其全部内容以引用的方式并入本文中。技术领域
本发明的示例性实施例涉及存储系统设定信息储存，且更具体而言涉及用于储存 供诸如非易失性存储器件的各种器件的操作使用的设定信息的设定数据储存电路。
背景技术：
诸如摄录像机、数字相机、携带型电话、MP3 (MPEG-1层3)播放器等的高性能移动 产品是有需求的。
这些移动产品中大多数(如果不是全部的话)需要存储器件作为子组件部分。要应 用于移动产品中的通常为非易失性类型的存储器件的内部选项或设定通过符合移动产品 的操作特性来决定，以便允许存储器件与移动产品中运行的应用程序配合地操作。随着伴 随移动技术的进步越来越多的应用在移动产品中运行，使用熔丝来设定用于移动产品中的 非易失性存储器件的内部选项或设定的传统方式具有诸多限制。通常，非易失性存储器中 的熔丝用来储存设定信息；然而，在高集成、高性能的移动集成电路中，熔丝所占据的电路 面积有可能变为相当大。为了克服此问题，常常使用内容可寻址存储器(CAM)单元来替代 熔丝储存设定信息。
通常，仅允许读取操作存取CAM单元中储存的信息。一旦在将器件投入市场之前， 制造商写入信息到CAM单元，则不允许使用者或控制器对CAM单元进行重写。在非易失性 NAND快闪存储器中，例如，设定信息被储存在存储器的某一模块中。为了确保CAM单元的可 靠性，在一页中多次写入相同的数据。当执行CAM单元读取操作时，多次写入页中的数据被 读取，且读取数据被比较。然后，已连续地被读取到大多数次的相同数据被辨识为真实或正 确数据。然而，当非易失性存储器中的数据被读取如此多的次数时，非易失性存储器因其固 有的读取干扰特性而会最终失去保留所储存的数据的能力。因此，当CAM单元数据经受重 复的读取操作如此多的次数作为确保数据读取的完整性的过程的一部分时，可能会在非易 失性存储器中丢失CAM单元数据。发明内容
根据本发明的实施例来改善设定信息储存电路的可靠性。
根据本发明的一个实施例，一种设定数据储存电路可以包括设定数据储存模块， 其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取所述设定数据储存模块的所述设定 数据；错误检测单元，其被配置成检测所述设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配 置成在错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。
设定数据可以相同地被储存在设定数据储存模块中的至少两个区域(诸如，页)中。错误检测单元可通过比较储存在设定数据储存模块中的不同区域中的设定数据来检测 错误。错误恢复单元可在错误检测单元检测到错误时改变供设定数据储存模块中的设定数 据的读取使用的区域，或可以控制存取单元，使得在错误检测单元检测到错误时将设定数 据重写入设定数据储存模块中。
此外，根据本发明的一个实施例，一种设定数据储存电路可以包括设定数据储存 模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取设定数据储存模块的设定数 据；计数器，其被配置成对存取单元存取设定数据的次数进行计数；和错误恢复单元，其被 配置成在计数器所计数的存取次数等于或大于预定次数时恢复设定数据储存模块。
可以在错误恢复单元执行恢复操作时初始化计数器。计数器可通过对包括设定数 据储存电路的系统的加电次数进行计数而对存取次数进行计数。
另外，根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件可以包括多个正常数据 储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓 冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据； 错误检测单元，其被配置成检测设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误 检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。
另外，根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件可以包括多个正常数据 储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓 冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据； 计数器，其被配置成对加电次数进行计数；以及错误恢复单元，其被配置成在加电次数等于 或大于预定次数时恢复所述设定数据储存模块。
根据本发明的一个实施例，一种存储系统可以包括非易失性存储器件和用于控制 非易失性存储器件的控制器，所述非易失性存储器件包括多个正常数据储存模块，其被配 置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列，其被配 置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块；以及错误恢复单元，其被 配置成响应于错误恢复命令而恢复设定数据储存模块，其中控制器对非易失性存储器件的 加电次数进行计数，且在加电次数等于或大于预定次数时将错误恢复命令施加至非易失性 存储器件。
另外，根据本发明的一个实施例，一种存储系统可以包括非易失性存储器件和用 于控制非易失性存储器件的控制器，所述非易失性存储器件包括多个正常数据储存模块， 其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列， 其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块；错误检测单元，其 被配置成检测设定数据中的错误且在检测到错误时将错误发生通知给控制器；以及错误恢 复单元，其被配置成恢复设定数据储存模块中的错误，其中，当从非易失性存储器件通知错 误发生时，控制器控制非易失性存储器件的错误恢复单元以恢复设定数据储存模块中的错 误。
图1是根据本发明的一个实施例的包括非易失性存储器的存储器件的配置图。
图2是示出图1所示的错误检测单元检测错误的方案的流程图。
图3是示出图1中所示的错误恢复单元通过改变供设定数据储存模块中的设定数 据的读取用的区域(诸如，页)而恢复错误的第一恢复方案的流程图。
图4是示出图1中所示的错误恢复单元通过重写入设定数据储存模块的设定数据 而恢复错误的第二恢复方案的流程图。
图5是根据本发明的一个实施例的包括非易失性存储器的存储器件的配置图。
图6是根据本发明的一个实施例的存储系统的配置图。
图7是根据本发明的一个实施例的存储系统的配置图。
具体实施方式
下文将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以用不同 的形式来实施且不应解释为限于本文所提供的实施例。确切地说，提供这些实施例，使得本 发明将会清楚且完整，且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在本说明书，相同的 附图标记在本说明书的各个附图和实施例中表示相同的部分。
图1是根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件的配置图。
参看图1，根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件具体包括多个正常数 据储存模块110_0至110_N、设定数据储存模块120、存取单元130、错误检测单元140、错误 恢复单元150、计数器160和控制电路170。
所述多个正常数据储存模块110_0至110_N储存来自控制器或使用者的用于储存 的正常数据或任何信息。正常数据储存模块110_0至110_N的数目以及模块与页的大小可 以采用许多不同方式来设计，以适合非易失性存储器件的存储器容量和高集成度。
设定数据储存模块120储存设定数据或选项数据。与正常数据相对的设定数据涉 及与非易失性存储器件自身的各种设定相关联的信息、与非易失性存储器件的恢复相关联 的信息等。设定数据的大小可远小于正常数据的大小，且由此，设定数据储存模块120的页 数目和页大小可以小于正常数据储存模块110_0至110_N的页数目和页大小。
将设定数据多次重复地储存在设定数据储存模块120的每个页中。例如，以I个 字节(即，8个比特)为单位的设定数据可以在设定数据储存模块120的每个页中储存8次。 当读取设定数据储存模块120中的设定数据时，已重复读取过大多数次的相同的8字节数 据被判定为真实数据或正确数据。此外，设定数据重复地储存在预定数目个页例如3个页 中。即，例如，以字节为单位的设定数据可以在设定数据储存模块120的所述3个页中的每 个中写入8次，因而设定数据储存模块120中的多个页(例如，3个页)被写入相同的数据。 尽管多个页(例如，3页)被写入相同的设定数据，但为了使用设定数据而预先指定特定页来 用于存取，且关于哪一页将预先指定用于存取可通过控制电路170来决定。例如，可以在设 定数据储存模块120的页A、B、C中储存相同的设定数据，且可以预先指定页中的一个(例 如，页A)用于读取设定数据。
表I至3示出可分别储存在设定数据储存模块120的页A、B、C中的设定数据的实 例。
表I示出可储存在设定数据储存模块120的页A中的设定数据的一个实例。
权利要求
1.一种设定数据储存电路，包括 设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据； 存取单元，所述存取单元被配置成存取所述设定数据储存模块中的设定数据； 错误检测单元，所述错误检测单元被配置成检测所述设定数据中的错误；以及错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。
2.如权利要求1所述的设定数据储存电路，其中，相同的设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中。
3.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述区域包括页。
4.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误检测单元通过比较多个所述设定数据来检测错误，所述多个所述设定数据中的每个被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中的每个中。
5.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时，选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两个区域之中的另一区域。
6.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元控制所述存取单元，使得在所述错误检测单元检测到错误时所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。
7.如权利要求1所述的设定数据储存电路，还包括 计数器，所述计数器被配置成对所述存取单元存取所述设定数据的次数计数， 其中，所述错误检测单元被配置成每当所述设定数据被所述存取单元存取预定次数之后操作。
8.如权利要求1所述的设定数据储存电路，还包括 计数器，所述计数器被配置成对具有所述设定数据储存电路的系统的加电次数计数， 其中，所述错误检测单元被配置成每经过预定加电次数之后操作。
9.一种设定数据储存电路，包括 设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据； 存取单元，所述存取单元被配置成存取所述设定数据储存模块中的所述设定数据；计数器，所述计数器被配置成对所述存取单元存取所述设定数据的次数计数；以及错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成每当所述设定数据被所述存取单元存取预定次数之后恢复所述设定数据储存模块。
10.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，在所述错误恢复单元执行恢复操作时所述计数器被初始化。
11.如权利要求9所述的设定数据储存电路， 其中，所述设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中，且其中，所述错误恢复单元被配置成选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两个区域之中的另一区域。
12.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元控制所述存取单元，使得将所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。
13.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，所述计数器被配置成通过对具有所述设定数据储存电路的系统的加电次数进行计数，来对存取次数进行计数。
14.一种存储器件，包括 多个正常数据储存模块，所述多个正常数据储存模块被配置成储存正常数据； 设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据； 页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据； 错误检测单元，所述错误检测单元被配置成检测所述设定数据中的错误；以及错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。
15.一种存储器件，包括 多个正常数据储存模块，所述多个正常数据储存模块被配置成储存正常数据； 设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据； 页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据； 计数器，所述计数器被配置成对加电次数进行计数；以及 错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成每当经过预定加电次数之后恢复所述设定数据储存模块。
16.一种包括存储器件和用于控制所述存储器件的控制器的存储系统，所述存储器件包括 多个正常数据储存模块，所述多个正常数据储存模块被配置成储存正常数据； 设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据； 页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块；以及 错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成响应于错误恢复命令而恢复所述设定数据储存模块， 其中，所述控制器对非易失性的存储器件的加电次数进行计数，且每当经过预定加电次数之后将所述错误恢复命令输出至所述非易失性的存储器件。
17.如权利要求16所述的存储系统，其中，在所述错误恢复命令输出时所述控制器计数的加电次数被初始化。
18.—种包括存储器件和用于控制所述存储器件的控制器的存储系统，所述存储器件包括 多个正常数据储存模块，所述多个正常数据储存模块被配置成储存正常数据； 设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据； 页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块； 错误检测单元，所述错误检测单元被配置成在检测到所述设定数据中的错误时将错误发生通知给所述控制器；以及 错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成恢复所述设定数据储存模块中的错误，其中，所述控制器在被通知错误发生时控制非易失性的存储器件的所述错误恢复单元以恢复所述设定数据储存模块中的错误。
19.如权利要求18所述的存储系统， 其中，所述设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个页中，且其中，所述错误检测单元通过比较多个所述设定数据而检测错误，所述多个所述设定数据中的每个被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个页中的每个中。
20.如权利要求19所述的存储系统，其中，所述错误恢复单元被配置成在所述控制器的控制下，选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两页之中的另一页。
21.如权利要求19所述的存储系统，其中，所述错误恢复单元在所述控制器的控制下控制所述页缓冲器阵列，使得将所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。
全文摘要
本发明公开了一种设定数据储存电路，所述设定数据储存电路包括设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取设定数据储存模块的设定数据；错误检测单元，其被配置成检测设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误检测单元检测到错误时恢复设定数据储存模块中的错误。
文档编号G11C29/44GK103021460SQ20121035948
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月24日 优先权日2011年9月22日
发明者元参规 申请人:爱思开海力士有限公司