1.一种存储系统，包括：
半导体存储器件，包括存储单元和内部随机存取存储器RAM；以及
控制器，适用于在用于存储单元的读取操作失败时，将读取重试表信息传输至半导体存储器件，
其中，在存储系统的操作期间，内部RAM储存读取重试表，以及
其中，半导体存储器件用读取重试电压来执行读取重试操作，基于读取重试表和读取重试表信息来确定所述读取重试电压。
2.如权利要求1所述的存储系统，其中，读取重试表信息是指示包括在读取重试表中的多个偏移电压之中的一个的设置数。
3.如权利要求1所述的存储系统，其中，读取重试表信息是包括在读取重试表中的多个偏移电压中的任意一个或者是指导根据预定次序来施加读取重试表的所述多个偏移电压中的一个的命令。
4.如权利要求1所述的存储系统，其中，控制器包括错误校正单元，所述错误校正单元适用于校正读取数据的错误位，将读取数据的错误位的数量与可校正错误位的数量进行比较，以及判断读取重试操作是通过还是失败。
5.如权利要求1所述的存储系统，其中，当读取重试操作通过时，控制器还控制将读取重试电压储存在半导体存储器件中。
6.如权利要求1所述的存储系统，其中，当电源被供应至存储系统时，半导体存储器件将读取重试表从存储单元提取至内部RAM。
7.如权利要求1所述的存储系统，其中，当读取重试操作失败预定次数时，控制器将对于其读取重试操作失败的页区域确定为有缺陷的。
8.如权利要求1所述的存储系统，其中，在存储系统的操作期间，读取重试表信息被从存储单元的一次可编程OTP区域提取至内部RAM。
9.如权利要求1所述的存储系统，还包括主机接口单元，所述主机接口单元适用于与连接至存储系统的主机通信。
10.一种操作存储系统的方法，包括：
将读取重试表储存在半导体存储器件的内部随机存取存储器RAM中；
当用于半导体存储器件的存储单元的读取操作失败时，产生读取重试表信息；
基于读取重试表信息和储存在内部RAM中的读取重试表来确定读取重试电压；以及
用确定的读取重试电压来执行读取重试操作。