技术总结
说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
技术研发人员：H·栾;B·贝特曼;V·阿克赛尔拉德;C·程;C·谢瓦利尔
受保护的技术使用者：克劳帕斯科技有限公司
文档号码：201580010862
技术研发日：2015.09.25
技术公布日：2016.11.30