1.一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置，用于在DRAM或eDRAM的每个数据库的数据保持时间内执行刷新操作，包括：
刷新控制装置，其用于控制刷新周期小于数据保持时间，且控制生成是否执行刷新的信号；
内存控制装置，其接收读写请求，并根据所述刷新控制装置生成的信号，向内存发送读写请求或刷新命令；
其中，内存控制装置在向内存发送刷新请求后，在刷新执行的过程中，如果接收到读写请求，内存控制装置向刷新控制装置请示可否中断刷新而执行读写操作，刷新控制装置在预定条件下生成暂停刷新的信号，所述预定条件为刷新可以中断一延迟时间，该延迟时间为数据保持时间与刷新周期之间的差值。
2.如权利要求1所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述刷新控制装置在刷新周期开始时，生成执行刷新信号，并通知内存控制装置控制内存执行刷新操作，当满足预定条件时，刷新控制装置生成暂停刷新的信号，并通知内存控制装置控制内存暂停刷新，执行读写操作，当读写操作的累计时间超过延迟时间时，所述刷新控制装置再次生成执行刷新信号，并通知内存控制装置控制内存执行刷新操作，不再响应内存控制装置的读写请求，直到刷新完成。
3.如权利要求2所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，刷新完成后，内存控制装置控制内存执行读写操作，直到下一个刷新周期开始，再次执行刷新操作。
4.如权利要求3所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述刷新控制装置包括：
刷新周期寄存器，其用来存储刷新周期；
刷新延迟计数器，其用来存储当前刷新已经被延迟的时间；
刷新周期定时器，其用来记录当前刷新周期已经经过的时间；
刷新行数计数器，其用来记录数据库中当前刷新已经被刷新的数据的行数；
总行数寄存器，其用来存储数据库中的数据的总行数；以及
刷新延迟寄存器，其用来存储刷新总的可以被延迟的时间，即该延迟时间。
5.如权利要求4所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述刷新控制装置还包括：
刷新逻辑器，其根据所述总行数寄存器计算刷新完成所需要的时间；还根据所述刷新行数计数器计算刷新完成所需要的剩余时间；还根据刷新周期寄存器确定刷新周期的开始；还根据刷新周期定时器确定已经刷新的时间；还根据刷新延迟寄存器与刷新延迟计数器之间的差值，确定暂停刷新的时间。
6.如权利要求5所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述内存控制装置包括：
读缓存，其用来缓存从内存中读出的数据；
写缓存，其用来缓存将要写入到内存的数据；
控制逻辑，其用来接收读写请求，并根据所述刷新控制装置生成的信号，向内存发送读写请求或刷新命令；以及
内存控制信号发生器，其用来将控制逻辑发送的命令译码成内存可以识别的命令。
7.如权利要求6所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，每个数据库配置一套刷新装置；或者一组具有相同行数的数据库配置一套刷新装置。
8.如权利要求7所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，每个数据库的刷新装置相互独立运行。
9.一种用于DRAM或eDRAM刷新方法，用于在DRAM或eDRAM的每个数据库的数据保持时间内执行刷新操作，包括：
设置刷新周期小于数据保持时间，且在刷新周期开始时，刷新控制装置生成执行刷新的信号；
内存控制装置根据所生成的执行刷新的信号，向内存发送刷新命令；
若在刷新过程中，内存控制装置接收到读写请求，则向刷新控制装置请示可否中断刷新而执行读写操作；
刷新控制装置生成暂停刷新的信号，该暂停刷新信号的累计适用时间为一延迟时间，该延迟时间为数据保持时间与刷新周期之间的差值。
10.如权利要求9所述的用于DRAM或eDRAM刷新方法，所述延迟时间为3-5秒。