技术特征：
技术总结
本申请涉及用于改善EEPROM存储器的写操作的方法及相应器件。用于在存储器位置中进行写入的方法包括用于写入数据值的至少一个操作，该操作包括均使用隧道效应的擦除和/或编程步骤。存储器位置包括第一存储器单元和第二存储器单元，第一存储器单元包括具有在第一浮置栅极之下的第一氧化物的第一晶体管，而第二存储器单元包括具有在第二浮置栅极之下的第二氧化物的第二晶体管，第二浮置栅极与第一浮置栅极连接；擦除和/或编程步骤均包括第一阶段和第二阶段，在第一阶段中通过每个氧化物实现相同的隧道效应，而在第二阶段中增加第一氧化物和第二氧化物中的一个氧化物的端子间的电压并同时降低另一存储器单元的另一晶体管的另一氧化物的端子间的电压。
技术研发人员：F·塔耶特
受保护的技术使用者：意法半导体(鲁塞)公司
技术研发日：2016.07.28
技术公布日：2017.08.29