1.抗单粒子翻转的存储单元，其特征在于，它包括2个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管，所述的2个PMOS晶体管分别为晶体管P1和P2，8个NMOS晶体管分别为晶体管N1至N8；
晶体管P2的源极、晶体管P1的源极、晶体管N5的漏极和晶体管N6的漏极均接供电电源，
晶体管P2的漏极与晶体管P1的栅极、晶体管N6的栅极、晶体管N2的漏极同时连接，晶体管P2的漏极与晶体管P1的栅极的交点为节点C，
晶体管P2的栅极与晶体管P1的漏极、晶体管N4的漏极和晶体管N5的栅极同时连接，晶体管P1的漏极与晶体管N5的栅极的交点为节点D，
晶体管N6的源极与晶体管N8源极、晶体管N4的栅极、晶体管N3的漏极和晶体管N1的栅极同时连接，晶体管N4的栅极与晶体管N3的漏极的交点为存储单元输出节点A，
晶体管N4的源极与晶体管N3的源极、晶体管N1的源极和晶体管N2的源极同时接地，
晶体管N5的源极与晶体管N7源极、晶体管N3的栅极、晶体管N1的漏极和晶体管N2的栅极同时连接，晶体管N2的栅极与晶体管N1的漏极的交点为存储单元输出节点B，
晶体管N7的栅极和晶体管N8的栅极均通过字线WL来接收控制开关操作的信号，
晶体管N7的漏极与位线BLN连接，晶体管N8的漏极与位线BL连接。
2.根据权利要求1所述的抗单粒子翻转的存储单元，其特征在于，当节点A的电平为“1”、节点B的电平为“0”、节点C的电平为“1”、节点D的电平为“0”时，所述存储单元处于存操作状态的具体过程为：当字线WL为低电平“0”的时候，晶体管N4、N6、N1和P2处于开态，剩下的晶体管都处于关态，该种情况下，完成存储单元的存操作。
3.根据权利要求1所述的抗单粒子翻转的存储单元，其特征在于，当节点A的电平为“1”、节点B的电平为“0”、节点C的电平为“1”、节点D的电平为“0”时，所述存储单元进行读操作的具体过程为：
首先，位线BL和BLN被预充电到VDD，当字线WL为高电平“1”的时候，节点A保持高电平“1”状态，节点B保持低电平“0”状态,位线BLN通过晶体管N1和N7进行放电；
然后，外围电路中的放大器将根据两条位线BL和BLN之间的电压差，将存储单元的状态输出，从而完成存储单元的读操作。
4.根据权利要求1所述的抗单粒子翻转的存储单元，其特征在于，当节点A的电平为“1”、节点B的电平为“0”、节点C的电平为“1”、节点D的电平为“0”时，所述存储单元进行写操作的具体过程为：
将位线BL下拉到低电平“0”，同时将位线BLN上拉到高电平“1”，当字线WL为高电平“1”时，晶体管N7和N8处于导通的状态，节点A被下拉到低电平“0”，节点B被上拉到高电平“1”，此时，晶体管P1、N2、N3和N5处于导通态，晶体管N4、N6、N1和P2，处于关闭状态，当字线WL回到低电平“0”时，所有节点均处于稳定状态，从而完成存储单元的写操作。