1.一种设备，包括：
生成读取电源电压的电压源；
第一CES元件；
第一导电元件，用于在读取操作和写入操作期间响应于字线电压信号将位线连接到所述第一CES元件的端子，所述第一导电元件在所述读取操作期间允许所述位线与所述第一CES元件的端子之间的电压和电流，并且在所述写入操作期间允许所述位线与所述第一CES元件的端子之间的增加的电压和电流；以及
第二导电元件，用于在所述读取操作期间将所述第一CES元件连接在所述电压源和参考节点之间，并且在所述写入操作中将所述第一CES元件与所述电压源或所述参考节点隔离。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一导电元件包括晶体管以在栅极端子处接收所述字线电压，并且其中所述字线电压在所述写入操作期间被提升以允许所述位线与所述第一CES元件的端子之间的增加的电压和电流。
3.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第一导电元件包括具有NFET栅极的NFET晶体管，以在所述读取操作期间接收第一字线电压，所述NFET晶体管在所述写入操作期间接收提升的字线电压。
4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第二导电元件被耦合在所述电压源与所述第一CES元件之间。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述第二导电元件被耦合在所述第一CES元件和所述参考节点之间。
6.根据权利要求1或2中任一项所述的设备，其中所述第一导电元件包括具有PFET栅极的PFET晶体管，以在所述读取操作期间接收第一字线电压，所述PFET晶体管在所述写入操作期间接收第二字线电压。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述参考节点连接到地。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述设备还包括：
第二CES元件；以及
第三导电元件，用于在所述读取操作和所述写入操作期间响应于所述字线电压信号将互补位线连接到所述第二CES元件的端子，所述第三导电元件在所述读取操作期间允许在所述互补位线和所述第二CES元件的端子之间的电压和电流，并且在所述写入操作期间允许在所述互补位线和所述第二CES元件的端子之间的增加的电压和电流，
其中所述第二导电元件还在所述读取操作期间将所述第二CES元件连接在所述电压源与所述参考节点之间，并且在所述写入操作期间将所述第二CES元件与所述电压源或所述参考节点隔离。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第三导电元件包括第一传输门，以在所述读取操作期间响应于所述字线信号而允许在所述互补位线与所述第二CES元件的端子之间的第一电流水平，并且在所述写入操作期间允许在所述互补位线与所述第二CES元件的端子之间的第二电流水平，所述第二电流水平高于所述第一电流水平。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的设备，其中所述第一导电元件包括第一PFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述电压源连接到所述第一CES元件，并且在所述写入操作期间将所述电压源从所述第一CES元件断开连接，并且还包括第二PFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述电压源连接到所述第二CES元件，并且在所述写入操作期间将所述电压源从所述第二CES元件断开连接。
11.根据权利要求8或9中任一项所述的设备，其中所述第一导电元件包括第一NFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述电压源连接到所述第一CES元件，并且在所述写入操作期间将所述电压源从所述第一CES元件断开连接，并且还包括第二NFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述电压源连接到所述第二CES元件，并且在所述写入操作期间将所述电压源从所述第二CES元件断开连接。
12.根据权利要求8或9中任一项所述的设备，其中所述第一导电元件包括第一NFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述参考节点连接到所述第一CES元件，并且在所述写入操作期间将所述参考节点从所述第一CES元件断开连接，并且还包括第二NFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述参考节点连接到所述第二CES元件，并且在所述写入操作期间将所述参考节点从所述第二CES元件断开连接。
13.根据权利要求8或9中任一项所述的设备，其中所述第一导电元件包括第一PFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述参考节点连接到所述第一CES元件，并且在所述写入操作期间将所述参考节点从所述第一CES元件断开连接，并且还包括第二PFET晶体管，以在所述读取操作期间将所述参考节点连接到所述第二CES元件，并且在所述写入操作期间将所述参考节点从所述第二CES元件断开连接。
14.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第一CES元件能够被置于至少导电或低阻抗存储器状态和绝缘或高阻抗存储器状态，并且其中所述第一CES元件能够通过跨所述CES元件的端子施加第一电流和第一电压而在第一写入操作中被置于设置存储器状态，或者在包括跨所述CES元件的端子的第二电压和第二电流的第二写入操作中被置于设置存储器状态，其中所述第二电压与所述第一电压相反，并且所述第二电流与所述第一电流相反。
15.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一导电元件包括耦合在所述第一CES元件的第一端子与所述位线之间的NFET，所述NFET响应于第一字线信号在所述写入操作之间连接所述第一CES元件的第一端子，并且其中所述第一导电元件还包括耦合在所述第一CES元件的第一端子和所述位线之间的PFET，所述PFET响应于第二字线信号在所述写入操作期间将所述第一CES元件的第一端子连接到所述位线。
16.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第一CES元件包括CeRAM元件。
17.一种方法，包括：
响应于字线电压信号通过第一导电元件将位线连接到第一非易失性存储器元件的第一端子，同时在读取操作期间将所述第一非易失性存储器元件连接在读取电源电压和参考节点之间；
响应于所述字线电压信号通过所述第一导电元件将所述位线连接到所述第一非易失性存储器元件的第一端子，同时在第一写入操作期间将所述第一非易失性存储器元件与所述读取电源电压或所述参考节点隔离，所述第一写入操作在所述第一非易失性存储器元件的第一端子与所述第一非易失性存储器元件的第二端子之间施加第一写入电压和第一写入电流，以将所述第一非易失性存储器元件置于第一存储器状态；
响应于所述字线电压信号通过所述第一导电元件将所述位线连接到所述第一非易失性存储器元件的第一端子，同时在第二写入操作期间将所述第一非易失性存储器元件与所述读取电源电压或所述参考节点隔离，所述第二写入操作在所述第一非易失性存储器元件的第一端子与所述第一非易失性存储器元件的第二端子之间施加第二写入电压和第二写入电流，以将所述第一非易失性存储器元件置于第二存储器状态；
其中所述第一写入电压的幅度大于所述第二写入电压的幅度，且所述第一写入电流的幅度小于所述第二写入电流的幅度。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在所述第一非易失性存储器元件的端子之间施加第三写入电压和第三写入电流以将所述第一非易失性存储器元件置于所述第一存储器状态，所述第三写入电压与所述第一写入电压相反，并且所述第三写入电流与所述第一写入电流相反。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：
在所述第一非易失性存储器元件的端子之间施加第四写入电压和第四写入电流以将所述第一非易失性存储器元件置于所述第二存储器状态，所述第四写入电压与所述第二写入电压相反，并且所述第四写入电流与所述第二写入电流相反。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的方法，并且还包括：
响应于字线电压信号，通过第二导电元件将互补位线连接到第二非易失性存储器元件的第一端子，同时在所述读取操作期间将所述第二非易失性存储器元件连接在所述读取电源电压和所述参考节点之间；
响应于所述字线电压信号通过所述第二导电元件将所述互补位线连接到所述第二非易失性存储器元件的第一端子，同时在所述第一写入操作期间将所述第二存储器元件与所述读取电源电压或所述参考节点隔离，所述第一写入操作还在所述第二非易失性存储器元件的第一端子和所述第二非易失性存储器元件的第二端子之间施加第三写入电压和第三写入电流，以将所述第二非易失性存储器元件置于所述第一存储器状态；以及
响应于所述字线电压信号通过所述第二导电元件将所述互补位线连接到所述第二非易失性存储器元件的第一端子，同时在第二写入操作期间将所述第二非易失性存储器元件与所述读取电源电压或所述参考节点隔离，所述第二写入操作在所述第二非易失性存储器元件的第一端子和所述第二非易失性存储器元件的第二端子之间施加第四写入电压和第四写入电流，以将所述第一非易失性存储器元件置于所述第二存储器状态；
其中所述第三写入电压的幅度大于所述第四写入电压的幅度，并且所述第三写入电流的幅度小于所述第四写入电流的幅度。
21.根据权利要求17至20中任一项所述的方法，其中所述第一非易失性存储器设备包括CES设备。
22.根据权利要求17至21中任一项所述的方法，其中所述第一非易失性存储器设备包括CeRAM设备。
23.一种设备，包括：
第一CES元件；
第二CES元件；
第一导电元件，该第一导电元件的第一端子连接到所述第一CES元件的第一端子；
第二导电元件，该第二导电元件的第一端子连接到所述第二CES元件的第一端子；
第三导电元件，用于响应于字线电压将所述第一CES元件的第一端子连接到位线；以及
第四导电元件，用于响应于所述字线电压将所述第二CES元件的第一端子连接到互补位线；
其中所述第一导电元件包括第二端子，该第二端子连接到所述第二导电元件的第二端子，
其中所述第一导电元件还响应于所述第二CES元件的第一端子处的第一电压而将所述第一CES元件的第一端子连接到所述第二导电元件的第二端子，以及
其中所述第二导电元件还响应于所述第一CES元件的第一端子处的第二电压而将所述第二CES元件的第一端子连接到所述第一导电元件的第二端子。
24.根据权利要求23所述的设备，所述设备还包括电压源以在读取操作期间提供第一输出电压，
其中所述第一导电元件还响应于所述第一电压而将所述第一CES元件连接在所述电压源与参考节点之间，
其中所述第二导电元件还响应于所述第二电压而将所述第二CES元件连接在所述电压源与所述参考节点之间。
25.根据权利要求24所述的设备，其中所述电压源在所述读取操作期间和所述写入操作期间连接到所述第一CES的第二端子和所述第二CES元件的第二端子，并且其中将所述第一输出电压施加到所述第一CES元件的第二端子限制所述第一CES元件的第一端子与第二端子之间的电压和所述第二CES元件的第一端子与第二端子之间的电压，以在所述读取操作期间维持所述第一非易失性存储器元件和所述第二非易失性存储器元件的导电或低阻抗存储器状态。
26.根据权利要求23至25中任一项所述的设备，还包括第五导电元件，用于在所述读取操作期间将所述第一CES元件和所述第二CES元件连接到所述电压源，并且当所述设备处于保持模式和写入操作时，将所述第一CES元件和所述第二CES元件从所述电压源断开连接。
27.根据权利要求23至25中任一项所述的设备，还包括第五导电元件，用于在所述读取操作期间将所述第一导电元件和所述第二导电元件连接到参考节点，并且当所述设备处于保持模式和写入操作时，将所述第一导电元件和所述第二导电元件从所述参考节点断开连接。
28.根据权利要求23至27中任一项所述的设备，其中所述电压源还用于在写入操作期间提供第二输出电压。
29.根据权利要求23至28中任一项所述的设备，其中所述第一导电元件被耦合在所述第一CES元件和电压源之间，以响应于所述第一电压将所述第一CES元件的第一端子连接到所述电压源，并且其中所述第二导电元件被耦合在所述第二CES元件与所述电压源之间，以响应于所述第二电压将所述第二CES元件的第一端子连接到所述电压源。
30.根据权利要求23至29中任一项所述的设备，其中，所述第一CES元件包括第一CeRAM元件，并且其中，所述第二CES元件包括第二CeRAM元件。
31.一种方法，包括：
响应于第二非易失性存储器元件的第一端子处的第一电压，将第一非易失性存储器元件的第一端子连接到第一导电元件的第一端子；以及
响应于所述第一非易失性存储器元件的第一端子处的第二电压，将所述第二非易失性存储器元件的第一端子连接到第二导电元件的第一端子；
执行第一写入操作以将所述第一非易失性存储器元件置于第一存储器状态并且将所述第二非易失性存储器元件置于第二存储器状态，所述第一写入操作包括至少在所述第一非易失性存储器元件的第一端子与第二端子之前施加第一编程信号，以将所述第一非易失性存储器元件置于所述第一存储器状态，所述第一编程信号包括第一写入电压和第一写入电流；以及
执行第二写入操作，以将所述第一非易失性存储器元件置于所述第二存储器状态并且将所述第二非易失性存储器元件置于所述第一存储器状态，所述第二写入操作包括至少在所述第一非易失性存储器元件的第一端子与第二端子之间施加第二编程信号，以将所述第一非易失性存储器元件置于所述第二存储器状态，
其中所述第一写入电压的幅度大于所述第二写入电压的幅度，并且所述第一写入电流的幅度小于所述第二写入电流的幅度。
32.根据权利要求31所述的方法，其中所述第一存储器状态包括导电或低阻抗存储器状态，并且所述第二存储器状态包括绝缘或高阻抗存储器状态。
33.根据权利要求31或权利要求32所述的方法，其中所述第一非易失性存储器元件和所述第二非易失性存储器元件包括第一CES元件和第二CES元件。
34.根据权利要求31至33中任一项所述的方法，其中所述第一非易失性存储器元件和所述第二非易失性存储器元件包括第一CeRAM元件和第二CeRAM元件。