本发明涉及闪存存储装置的阈值电压参数排序领域。
背景技术：
在一个存储系统中，储存在非易失性存储器系统中的数据不会因为断电而遗失。因此，非易失性存储器系统变成一个重要的方式来保存系统数据。在这些非易失性存储器系统中，NAND闪存因为拥有低功耗与高效能的优点而受欢迎。然而，存储系统经过一段时间的使用，闪存中的块因为多次的读写而出现老化现象。为了克服闪存老化现象带来的数据读取出现位错误(bit error)状况，传统方式会透过调整闪存读取时的阈值电压，对同一个位置再做一次读取的动作。即：阈值电压透过参数设定来改变偏移值，参数列表中包含有任意参数组数，且依序并固定的排列着。如图1，当闪存的某一个页(page)发生位错误(bit error)，将会透过参数设定改变阈值电压的偏移值，然后用此改变过的阈值电压再次对这个页(page)作读取动作。图1中，V表示阈值电压，dV表示偏移值。当读取成功或是到达参数列表中参数组数的上限，整个重试的流程才算结束。
如此，无法把控闪存错误处理所需的时间。假如重试过程中，某一组参数的成功率最高，但是可能在后面的顺序，譬如参数列表中有n组参数可以设定，且在第 n-1组的参数才重读成功，因此需要执行n-1次的参数设定与重新读取动作。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供闪存存储装置用阈值电压参数排序方法和装置，利用优先级的方式排列参数列表中调整阈值电压的参数。
实现上述目的的技术方案是：
本发明之一的闪存存储装置用阈值电压参数排序方法，包括：
读取步骤，从闪存中初次读取闪存数据；
侦错步骤，侦测到闪存数据有错误发生；
重读步骤，依序透过阈值电压参数列表中某一组参数设定改变阈值电压的偏移值，利用调整后的阈值电压重新读取闪存数据，当读取闪存数据正确或达到参数列表中参数组数的上限为止；
成功率更新及排序步骤，对重新读取闪存数据正确的阈值电压所对应的某一组参数，更新其成功率记录，并按各组参数的成功率做降序排列。
优选的，阈值电压参数列表包括参数0-参数n，n≥1且为正整数；初次读取闪存数据的阈值电压对应参数列表中的参数0；
所述重读步骤包括：
利用公式m＝m+1对m重新赋值，m的初始值为0；
判断m是否大于n，若是，结束重读步骤；若否，进入下一步；
设定第m组参数来调整阈值电压，并用调整后的阈值电压重新读取闪存数据；
判断第m组参数调整后的阈值电压重读的闪存数据是否正确，若是，进入成功率更新及排序步骤；若否，重新开始重读步骤。
本发明之二的闪存存储装置用阈值电压参数排序装置，包括读取单元、侦测单元、参数组数选定单元、阈值电压调整单元和成功率排序单元，其中，
所述侦测单元对所述读取单元从闪存中初次读取的闪存数据进行侦测，侦测到错误时，发送错误信号给所述参数组数选定单元；
所述参数组数选定单元按照阈值电压参数列表的排序，依次选定某一组参数发送给所述阈值电压调整单元，直至参数列表中参数组数的上限为止；
所述阈值电压调整单元根据接收的一组参数改变阈值电压的偏移值，并将偏移值发送给所述读取单元以重新读取闪存数据；
所述侦测单元对重新读取的闪存数据进行侦测，闪存数据错误时，发送错误信号给所述参数组数选定单元以进入下一个循环；闪存数据正确时，发送包含有正确信号给所述成功率排序单元；该正确信号包含重新读取闪存数据正确的阈值电压所对应的参数的组数；
所述成功率排序单元对重新读取闪存数据正确的阈值电压所对应的某一组参数，更新其成功率记录，并按各组参数的成功率做降序排列。
优选的，阈值电压参数列表包括参数0-参数n，n≥1且为正整数；初次读取闪存数据的阈值电压对应参数列表中的参数0；
所述参数组数选定单元利用公式m＝m+1对m重新赋值，m的初始值为0；然后，判断m是否大于n，若是，结束；若否，将第m组参数发送给所述阈值电压调整单元。
本发明的有益效果是：本发明利用优先级的方式来挑选参数设定的顺序，藉此让高成功率的参数优先被执行，可以减少闪存读取时出现位错误而使用参数去调整阈值电压所需的时间。
附图说明
图1是阈值电压及其偏移值的示意图；
图2是本发明的闪存存储装置用阈值电压参数排序方法的具体流程图；
图3是本发明的闪存存储装置用阈值电压参数排序装置的结构图；
图4是本发明中预设的参数列表的示意图；
图5是本发明中按优先级排列后的参数列表的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
请参阅图2，本发明之一的闪存存储装置用阈值电压参数排序方法，包括下列步骤：
步骤S1，从闪存中初次读取闪存数据。
步骤S2，侦测闪存数据有无错误发生，若有，进入下一步，若否，结束。
步骤S3，利用公式m＝m+1对m重新赋值，m的初始值为0。
步骤S4，判断m是否大于n，若是，表示已达到参数列表中参数组数的上限，结束；若否，进入下一步。阈值电压参数列表包括参数0-参数n，n≥1且为正整数；初次读取闪存数据的阈值电压对应参数列表中的参数0。
步骤S5，设定第m组参数来调整阈值电压，并用调整后的阈值电压重新读取闪存数据。
步骤S6，判断第m组参数调整后的阈值电压重读的闪存数据是否正确，若是，进入下一步；若否，返回步骤S3。
步骤S7，对重新读取闪存数据正确的阈值电压所对应的某一组参数，更新其成功率记录；
步骤S8，按各组参数的成功率做降序排列，即：成功率最高的参数优先级最高，下一次闪存数据错误时，会透过更新过的参数列表来执行。
具体地，如下图4，为预设的列表，有n组参数，假设几次的重读发现第n-2 组的参数成功率最高，在没有优先级排列的状况，会需要作n-2次才会使用到这组参数。
如下图5，为优先级排列后的列表，第n-2组参数会被排在参数列表最前面的位置。因为第n-2组参数的成功率最高，将会最优先被执行，因此可以藉此减少闪存错误处理所需时间。
请参阅图3，本发明之二的闪存存储装置用阈值电压参数排序装置，包括读取单元1、侦测单元2、参数组数选定单元3、阈值电压调整单元4和成功率排序单元5。
侦测单元2对读取单元1从闪存中初次读取的闪存数据进行侦测，侦测到错误时，发送错误信号给参数组数选定单元3。参数组数选定单元3按照阈值电压参数列表的排序，依次选定某一组参数发送给阈值电压调整单元4，直至参数列表中参数组数的上限为止。参数组数选定单元3利用公式m＝m+1对m重新赋值，m的初始值为0；然后，判断m是否大于n，若是，表示达到参数列表中参数组数的上限，结束。若否，将第m组参数发送给阈值电压调整单元4。阈值电压参数列表包括参数0-参数n，n≥1且为正整数；初次读取闪存数据的阈值电压对应参数列表中的参数0。
阈值电压调整单元4根据接收的一组参数改变阈值电压的偏移值，并将偏移值发送给读取单元1以重新读取闪存数据。侦测单元2对重新读取的闪存数据进行侦测，闪存数据错误时，发送错误信号给参数组数选定单元3以进入下一个循环。闪存数据正确时，发送包含有正确信号给成功率排序单元5。该正确信号包含重新读取闪存数据正确的阈值电压所对应的参数的组数。成功率排序单元5对重新读取闪存数据正确的阈值电压所对应的某一组参数，更新其成功率记录，并按各组参数的成功率做降序排列。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求所限定。