具有高效刷新操作的闪存设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种闪存，并且更具体地说，涉及一种能够固定出现在存储于其中的数据中的干扰的闪存。
【背景技术】
[0002]闪存存储器设备包括多个非易失性存储器单元，所述多个非易失性存储器单元以具有字线和位线的矩阵布置并且即使在没有供电时仍然能够保留存储在其中的数据
[0003]在闪存存储器设备中，重复地执行对存储器单元中的数据进行编程的编程操作和擦除存储器单元中编程的数据的擦除操作。
[0004]在这种情况下，在擦除操作期间可能会出现降低未选择的存储器单元的阈值电压数据干扰。
【发明内容】
[0005]本发明致力于提供一种闪存设备，其能够有效地执行刷新操作以固定数据干扰。
[0006]根据本发明的一个方面，提供了一种闪存设备，所述闪存设备包括:常规存储器阵列，所述常规存储器阵列包括以多个字线和多个位线的矩阵布置的多个常规存储器单元，其中，所述多个常规存储器单元被划分成多个存储器块并且是可编程的和可擦除的；刷新地址生成装置，所述刷新地址生成装置被配置为生成刷新块地址，其中，所述刷新块地址响应于地址控制信号的激活顺序地增加并且即使在没有供电时仍然被保留；以及刷新驱动装置，所述刷新驱动装置被驱动以在单位刷新帧中刷新由所述刷新块地址在所述常规存储器阵列的所述存储器块当中指定的存储器块，并且生成所述地址和控制信号。
【附图说明】
[0007]通过参照附图详细描述其示例性实施方式，本发明的上述和其它目的，特征和优点对于本领域技术人员而言将变得更加显而易见，在附图中:
[0008]图1是例示出现在闪存设备中的数据干扰的曲线图；
[0009]图2是根据本发明的实施方式的闪存设备的框图；
[0010]图3是图1中的固化单元确定装置(curing cell determinat1n unit)的详细框图；以及
[0011]图4是根据本发明的实施方式的在闪存设备的刷新操作期间控制刷新块地址的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0012]下面将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。虽然结合本发明的示例性附图示出和描述了本发明，但是对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离分离的本发明的精神和范围的情况下可以做出各种修改。
[0013]首先，在描述根据本发明的实施方式的闪存设备之前，将参照图1描述‘数据干扰，。
[0014]通常，基于信道热电子(CHE)方法在闪存设备中执行编程操作。在这种情况下，以大约3.75V驱动选择的存储器单元的位线，并且以大约9V驱动连接到选择的字线的存储器单元的栅极。
[0015]因此，被编程的存储器单元具有高于编程参考电压VT-PRM的阈值电压。
[0016]通常，根据Fowler-Nordheim(FN)方法执行擦除操作。将例如大约9V的高压施加至选择的闪存单元的体块(bulk)，并且将例如大约-9V的高压施加至选择的闪存单元的栅极。
[0017]因此，被擦除的存储器单元基于低于擦除参考电压VT-ERS的阈值电压。
[0018]但是，在擦除操作中，高压也可被施加至未选择的存储器单元的体块。因此，可能出现干扰被编程的存储器单元的阈值的体块干扰。
[0019]结果，导致阈值电压低于编程参考电压VT-PRM的‘数据干扰’可能出现在被编程的存储器单元的一部分中(参见图1的区域‘ΡΤΓ )。
[0020]在这种情况下，针对其中出现‘数据干扰’的被编程的存储器单元执行刷新操作并且该刷新操作导致其阈值电压高于编程参考电压VT-PRM。
[0021 ] 将参照附图详细描述根据本发明的示例的闪存设备。
[0022]图2是根据本发明的实施方式的闪存设备的框图。参照图2，根据本发明的实施方式的闪存设备包括常规存储器阵列100、刷新地址生成装置200和刷新驱动装置300。
[0023]常规存储器阵列100包括多个常规存储器单元NMC，其以具有字线WL和位线BL的矩阵布置。字线WL连接到选择的常规存储器单元NMC的栅极。
[0024]多个常规存储器单元NMC可以被划分成多个存储器块MBK，并且能够被编程和能够被擦除。
[0025]刷新地址生成装置200生成刷新块地址RFBKADD。刷新块地址RFBKADD响应于地址控制信号XTRF的激活而顺序地增加。即使在没有供电时仍然可以保留刷新块地址RFBKADDο
[0026]假设在根据本发明的实施方式的刷新存储器设备中以帧为单位执行刷新操作。在这种情况下，在单位刷新帧的情况下针对一个存储器块执行刷新操作。
[0027]当在根据本发明的实施方式的刷新存储器设备中不执行诸如读取操作、编程操作或擦除操作的常规操作时，可以针对单位刷新帧执行刷新操作。此外，根据本发明的实施方式的刷新存储器设备可以被设计，使得在刷新存储器设备上电的同时针对单位刷新帧执行刷新操作。
[0028]参照图2，刷新驱动装置300被驱动以在单位刷新帧中刷新由刷新块地址RFBKADD在常规存储器阵列100的存储器块MBK当中指定的存储器块MBK。
[0029]此外，刷新驱动装置300生成地址控制信号XTRF。地址控制信号XTRF在单位刷新帧中被一次激活，并且当刷新块地址RFBKADD指定的存储器块MBK被确定为‘刷新失败’时被去激活。
[0030]因此，在根据本发明的实施方式的闪存设备中，当针对单位刷新帧重复地执行刷新操作时，刷新块地址RFBKADD顺序地增加。但是，当刷新块地址RFBKADD所指定的单位刷新帧的存储器块MBK被确定为‘刷新失败’时，该刷新块地址RFBKADD被保持，而不管是否针对单位刷新帧重复地执行刷新操作。
[0031]在本公开中，术语‘刷新失败’表示对其执行刷新操作的存储器块MBK的被编程的常规存储器单元NMC (其储存出现干扰的数据)的数量是I或者等于或大于预定数量的情况。
[0032]术语‘刷新成功’表示对其执行刷新操作的存储器块MBK的被编程的常规存储器单元NMC(其储存出现干扰的数据)的数量是O或者小于预定数量的情况。
[0033]现在将详细描述刷新地址生成装置200。
[0034]具体地说，刷新地址生成装置200包括刷新地址储存存储器210、刷新地址控制器230和刷新地址生成器250。
[0035]刷新地址储存存储器210包括用于储存刷新块数据RFBKDAT的多个刷新存储器单元RMC。即使在没有供电时，多个刷新存储器单元RMC仍然能够保留储存在其中的存刷新块数据 RFBKDAT。
[0036]常规存储器阵列100的多个常规存储器单元NMC和刷新地址储存存储器210的多个刷新存储器单元RMC可以是非易失性存储器单元。
[0037]刷新地址控制器230被驱动以响应于刷新驱动信号XTRF的激活来增加刷新块数据 RFBKDAT。
[0038]刷新地址生成器250被驱动以生成刷新块地址RFBKADD，该刷新块地址RFBKADD与储存在刷新地址储存存储器210中的刷新块数据RFBKDAT对应。
[0039]接下来，将详细描述刷新地址驱动装置300。
[0040]具体地说，刷新地址驱动装置300包括行选择装置310、列选择感测装置330、固化单元确定装置(cell determinat1n unit) 350和控制器370。
[0041 ] 行选择装置310被驱动以激活单位刷新帧的刷新块地址RFBKADD所指定的存储器块MBK的字线WL。
[0042]更具体地说，行选择装置310包括块地址选择器311和行解码器313。
[0043]RFCMD地址选择器311将根据是否出现刷新命令选择的刷新块地址RFBKADD或者常规块地址NRBKADD生成为被选择块地址SLBKADD。
[0044]在这种情况下，常规块地址NRBKADD在常规操作模式中指定常规存储器阵列100的存储器块MBK。在本实施方式中，从控制器370提供刷新命令RFCMD和常规块地址NRBKADDο
[0045]换句话说，当出现刷新命令RFCMD时，生成刷新块地址RFBKADD作为被选择块地址SLBKADD ο在与刷新命令RFCMD无关的常规操作模式中，生成常规块地址NRBKADD作为被选择块地址SLBKADD。
[0046]行解码器313被驱动以通过对被选择块地址SLBKADD和低的行地址LRADD进行解码来指定常规存储器阵列100的字线WL。
[0047]在这种情况下，行解码器313使用从控制器370提供的选通电压VGT来控制字线WL。这里，选通控制电压VGT可以是适于根据本发明的闪存设备的操作模式的电压，诸如3.75V 或-9Vo
[0048]列选择感测装置330被驱动以将位线BL指定为与从控制器370提供的列地址CADD对应，感测指定的位线BL的数据，并且输出感测的数据作为感测数据SNDAT。
[0049]更具体地说，列选择感测装置330包括列解码器331和列选择感测放大器333。
[0050]列解码器331被驱动以通过对列地址CADD进行解码来激活特定的列选择信号YSEL0
[0051]列选择感测放大器333感测由激活的列选择信号YSEL所选择的位线BL的数据并且提供感测的数据作为感测数据SNDAT。
[0052]固化单元确定装置350生成干扰确定信号XDET。在这