明的实例中，感测电压将是沿着Vt轴的对应于经推断Vt分布曲线447-1及447-2的最小点448的电压。S卩，在图4B中说明的实例中，感测电压将是读取电压R3。
[0055]在多个实施例中，控制器332可确定经推断Vt分布的宽度。S卩，控制器332可确定表示由经推断Vt分布表示的目标状态的电压范围。
[0056]在其中用以确定所述组存储器单元的软数据的感测电压分开不同电压量的实施例(例如，图5A中说明的实例)中，控制器332(例如，正规化引擎336)可正规化与不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的经确定数量。正规化与不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的经确定数量可包含(例如)均衡与不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的经确定数量的权重(例如，统计权重)。例如，在图5A中说明的实例中，正规化可包含将与软数据值10相关的存储器单元的数量(例如，较宽直方图551-1及555-4内的存储器单元的数量)调整(例如，变换)为与关联于软数据值00的存储器单元的数量(例如，较窄直方图555-2及555-3内的存储器单元的数量)相同的比例及/或程度以补偿不同感测电压间隔。即，正规化引擎336可改进图503的y轴(例如，直方图高度)。
[0057]例如，正规化引擎336可通过调整由直方图构建器334创建的多个直方图的高度来正规化与不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的经确定数量，使得与不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量的权重相等。例如，在图5B中说明的实例中，直方图555-1及555-4的高度降低以分别形成正规化直方图556-1及556-4，而直方图555-2及555-3的高度则保持相同，从而分别形成正规化直方图556-2及556-3。
[0058]调整多个直方图的高度以后的每一直方图的高度(例如，每一正规化直方图的高度)可对应于与不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的正规化数量。例如，在图5B中说明的实例中，正规化直方图556-1的高度对应于与关联于数据状态LI的软数据10相关的存储器单元的正规化数量，正规化直方图556-2的高度对应于与关联于数据状态LI的软数据11相关的存储器单元的正规化数量，正规化直方图556-3的高度对应于与关联于数据状态L2的软数据11相关的存储器单元的正规化数量，且正规化直方图556-4的高度对应于与关联于数据状态L2的软数据10相关的存储器单元的正规化数量。
[0059]控制器332 (例如，解译引擎338)可接着指派Vt值(例如，单一个Vt值)以表示感测电压之间的间隔中的每一者(例如，沿着图503的X轴的每一 Vt间隔)。例如，在图5B中说明的实例中，第一 Vt值可用以表示读取电压Rl与R2之间的间隔，第二值可用以表示读取电压R2与R3之间的间隔等等。解译引擎338可通过例如以类似于本文中先前描述的方式的方式映射感测电压之间的间隔来指派Vt值。
[0060]控制器332(例如，内插引擎340)可接着通过使用与不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的正规化数量及经指派以表示感测电压之间的间隔中的每一者的Vt值执行内插过程来推断(例如，逼近)与所述组存储器单元相关的Vt分布的至少一部分(例如，Vt分布曲线的至少一部分)。内插可包含例如将存储器单元的正规化数量及经指派Vt值拟合到曲线。经拟合曲线可形成经推断Vt分布(例如，经推断Vt分布曲线)的至少所述部分。
[0061]图5C中说明经推断Vt分布的一部分的实例。在图5C中说明的实例中，经推断Vt分布包含分别对应于数据状态LI及L2的Vt分布(例如，Vt分布曲线)557-1及557-2。如图5C中所示，经推断Vt分布557-1及557-2可分别紧密逼近实际Vt分布525-1及525-2，但是可能不完全匹配实际Vt分布。
[0062]在图5C中说明的实例中，内插过程是三次样条内插过程。然而，如本文中先前描述，本发明的实施例不限于特定类型的内插过程(例如，内插过程可为线性或多项式内插过程)。
[0063]控制器332可接着基于经推断Vt分布确定用以确定所述组存储器单元的数据状态(例如，硬数据)的感测(例如，读取)电压。例如，用以确定所述组存储器单元的数据状态的感测电压可对应于经推断Vt分布曲线的最小值(例如，谷值)。例如，在图5C中说明的实例中，感测电压将是沿着Vt轴的对应于经推断Vt分布曲线557-1及557-2的最小点558的电压。即，在图5C中说明的实例中，感测电压将是读取电压R3。如本文中先前描述，在多个实施例中，控制器332可确定经推断Vt分布的宽度。
[0064]如本文中描述般使用内插推断Vt分布可提供增加的Vt分布分辨率。增加的Vt分辨率可(例如)增加准确地定义与Vt分布相关的最大值(例如，峰值)及/或最小值(例如，谷值)的能力。
[0065]结论
[0066]本发明包含用于经由内插推断与存储器单元相关的阈值电压分布的设备及方法。多个实施例包含确定各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据，其中所述软数据包括多个不同软数据值；确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量；及使用与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量经由内插过程推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布的至少一部分。
[0067]虽然本文中已说明并描述了特定实施例，但是所属领域的一般技术人员将明白，计划用于实现相同结果的布置可替代所示的特定实施例。本发明旨在涵盖本发明的多个实施例的调整或变动。应了解，以上描述是以说明方式且非限制方式而作出。所属领域的一般技术人员在检视以上描述之后将明白以上实施例及本文中没有具体描述的其它实施例的组合。本发明的多个实施例的范围包含其中使用以上结构及方法的其它应用。因此，本发明的多个实施例的范围应参考随附权利要求书以及此权利要求书所赋予的等效物的全部范围而确定。
[0068]在前文详述中，一些特征为了简化本发明的目的而一起分组在单一个实施例中。此发明方法不应被解译为反映本发明的所揭示实施例必须使用比每一权利要求中明确引用的特征更多的特征的意图。实情是，由于下列权利要求反映，发明主题依赖的特征少于单一个揭示的实施例的全部特征。因此，特此将下列权利要求并入实施方式中，就此点而论，每一权利要求均可作为本发明的个别实施例。
【主权项】
1.一种用于操作存储器的方法，其包括: 确定各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据，其中所述软数据包括多个不同软数据值； 确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量；以及 使用与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量经由内插过程推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含: 正规化与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量；以及 使用与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述正规化数量经由内插过程推断与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布的至少所述部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含基于与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布的所述经推断部分确定用来确定所述组存储器单元的数据状态的感测电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述组存储器单元的所述软数据包含使用多个感测电压对所述组存储器单元执行多个感测操作，其中所述多个感测电压中的每一者分开相同电压量。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述数量包含创建用于所述不同软数据值中的每一者的直方图，其中每一直方图的高度对应于与所述特定直方图的所述软数据值相关的存储器单元的所述数量。
6.根据权利要求5所述的方法，其中每一直方图的宽度对应于用来确定所述组存储器单元的所述软数据的感测电压之间的间隔。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含: 使用多个感测电压确定与所述组存储器单元相关的所述软数据，其中所述感测电压中的每一者分开某个电压量； 指派阈值电压值以表示所述感测电压之间的所述间隔中的每一者；以及 使用被指派以表示所述感测电压之间的所述间隔中的每一者的所述阈值电压值经由所述内插过程推断与所述组存储器单元相关的所述阈值电压分布的至少所述部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其中指派阈值电压值以表示所述感测电压之间的所述间隔中的每一者包含映射所述感测电压之间的所述间隔。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述感测电压之间的所述间隔的所述映射包含所述感测电压之间的所述间隔的基本映射。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述感测电压之间的所述间隔的所述映射包含所述感测电压之间的所述间隔的启发式映射。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述感测电压之间的