时将小于预充电电流的感测电流提供至第一漏极节点。
[0097]所公开的技术的一种实施方式包括将第一感测放大器连接至第一位线。第一位线连接至第一存储器单元。第一感测放大器包括第一预充电电路。第一预充电电路包括第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极和第一源极节点。第一源极节点连接至第一位线。该方法还包括使用第一预充电电路来将第一位线预充电至第一电压。对第一位线预充电包括基于来自第一位线的反馈来将第一栅极设置成第一偏压。该方法还包括将第二感测放大器连接至第二位线。第二位线连接至第二存储器单元。第二感测放大器包括第二预充电电路。第二预充电电路包括第二晶体管。第二晶体管包括第二栅极和第二源极节点。第二源极节点连接至第二位线。该方法还包括使用第二预充电电路来将第二位线预充电至第一电压。对第二位线预充电包括基于来自第二位线的反馈来将第二栅极设置成第二偏压。第二偏压不同于第一偏压。该方法还包括:在对第一位线预充电之后使用第一感测放大器来感测第一存储器单元，以及在对第二位线预充电之后使用第二感测放大器来感测第二存储器单J L o
[0098]在一些情况下，该方法还可以包括生成源极偏压。对第一位线预充电包括基于源极偏压以及来自第一位线的反馈来将第一栅极设置成第一偏压。对第二位线预充电包括基于源极偏压以及来自第二位线的反馈来将第二栅极设置成第二偏压。
[0099]所公开的技术的一种实施方式包括多个存储器单元以及与所述多个存储器单元通信的一个或更多个管理电路。多个存储器单元包括第一存储器单元和第二存储器单元。一个或更多个管理电路使第一感测放大器被耦接至第一位线。第一位线连接至第一存储器单元。第一感测放大器包括第一预充电电路。第一预充电电路包括第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极和第一源极节点。第一源极节点连接至第一位线。一个或更多个管理电路使用第一预充电电路来使第一位线被预充电至读取电压。第一预充电电路基于来自第一位线的反馈来将第一栅极设置成第一偏压。一个或更多个管理电路使第二感测放大器被耦接至第二位线。第二位线连接至第二存储器单元。第二感测放大器包括第二预充电电路。第二预充电电路包括第二晶体管。第二晶体管包括第二栅极和第二源极节点。第二源极节点连接至第二位线。一个或更多个管理电路使用第二预充电电路来使第二位线被预充电至所述读取电压。第二预充电电路基于来自第二位线的反馈来将第二栅极设置成第二偏压。第二偏压不同于第一偏压。一个或更多个管理电路使用第一感测放大器来使第一存储器单元被感测，使用第二感测放大器来使第二存储器单元被感测。
[0100]所公开的技术的一种实施方式包括:生成源极偏压，生成读取电压以及将第一感测电路耦接至第一位线。第一位线连接至第一存储器单元。第一感测电路包括第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极和第一源极节点。第一源极节点耦接至第一位线。该方法还包括使用第一晶体管来将第一位线调节为读取电压。基于源极偏压以及来自第一源极节点的反馈来将第一栅极设置成第一偏压。该方法还包括将第二感测电路耦接至第二位线。第二感测电路包括第二晶体管。第二晶体管包括第二栅极和第二源极节点。第二源极节点耦接至第二位线。该方法还包括使用第二晶体管来将第二位线调节为读取电压。基于源极偏压以及来自第二源极节点的反馈来将第二栅极设置成不同于第一偏压的第二偏压。该方法还包括:在调节第一位线之后使用第一感测电路来感测经过第一存储器单元的第一电流，以及在调节第二位线之后使用第二感测电路来感测经过第二存储器单元的第二电流。
[0101]针对本文献的目的，可以连续地以及通过一个或更多个计算装置来执行与所公开的技术相关联的每个处理。处理中的每个步骤可以通过与其他步骤中使用的计算装置相同或不同的计算装置来执行，并且不需要必须地由单个计算装置来执行每个步骤。
[0102]针对本文献的目的，说明书中引用“实施方式”、“一种实施方式”、“一些实施方式”或“另一实施方式”可以用于描述不同实施方式而不必指同一实施方式。
[0103]针对本文献的目的，连接可以是直接连接或者间接连接(例如，经由其他部件)。
[0104]针对本文献的目的，术语对象的“集合”可以指一个或更多个对象的“集合”。
[0105]尽管以特定于结构特征和/或方法性动作的语言描述了本主题，但是应该理解，在所附权利要求书中限定的主题不一定限于上文所述的具体特征或动作。更确切的讲，上文所述的具体特征和动作作为实现权利要求的示例形式而公开。
【主权项】
1.一种用于操作非易失性存储系统的方法，包括: 将第一感测放大器连接至第一位线，所述第一位线连接至第一存储器单元，所述第一感测放大器包括第一预充电电路，所述第一预充电电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极和第一源极节点，所述第一源极节点连接至所述第一位线； 使用所述第一预充电电路将所述第一位线预充电至第一电压，对所述第一位线预充电包括:基于来自所述第一位线的反馈来将所述第一栅极设置成第一偏压； 将第二感测放大器连接至第二位线，所述第二位线连接至第二存储器单元，所述第二感测放大器包括第二预充电电路，所述第二预充电电路包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅极和第二源极节点，所述第二源极节点连接至所述第二位线； 使用所述第二预充电电路来将所述第二位线预充电至所述第一电压，对所述第二位线预充电包括:基于来自所述第二位线的反馈来将所述第二栅极设置成第二偏压，所述第二偏压不同于所述第一偏压； 在对所述第一位线预充电之后使用所述第一感测放大器来感测所述第一存储器单元；以及 在对所述第二位线预充电之后使用所述第二感测放大器来感测所述第二存储器单元。2.根据权利要求1所述的方法，还包括: 生成源极偏压，对所述第一位线预充电包括:基于所述源极偏压以及来自所述第一位线的反馈来将所述第一栅极设置成所述第一偏压，对所述第二位线预充电包括:基于所述源极偏压以及来自所述第二位线的反馈来将所述第二栅极设置成所述第二偏压。3.根据权利要求2所述的方法，其中， 所述生成源极偏压包括:使用复制电路生成所述源极偏压，其中，所述复制电路将连接至伪存储器单元的伪位线偏置成所述读取电压。4.根据权利要求2所述的方法，其中， 所述第一电压包括读取电压。5.根据权利要求4所述的方法，其中， 所述源极偏压小于所述读取电压。6.根据权利要求4所述的方法，其中， 所述第一偏压大于所述读取电压，以及所述第二偏压大于所述读取电压。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中， 在将所述第一位线预充电至所述第一电压的同时，对所述第二位线进行预充电。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中， 对所述第一位线预充电包括:使用第三晶体管将所述第一栅极设置成所述第一偏压，所述第三晶体管包括第三栅极，所述第三栅极连接至所述第一源极节点。9.根据权利要求2所述的方法，其中， 所述生成源极偏压包括:生成所述源极偏压以使得所述第一预充电电路在一温度范围内将所述第一位线预充电至所述第一电压。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中， 所述第一存储器单元是单片式三维存储器阵列的一部分，所述单片式三维存储器阵列包括所述第一存储器单元和第三存储器单元，所述第一存储器单元位于所述第三存储器单元之上，所述第三存储器单元位于衬底之上，所述第一存储器单元和所述第三存储器单元形成在所述衬底之上，在所述第一存储器单元与所述第三存储器单元之间没有任何介于中间的衬底。11.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中， 所述非易失性存储系统包括包含所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的非易失性存储器，所述非易失性存储器单片式地形成为存储器单元的阵列的一个或更多个物理级，所述存储器单元具有布置在硅衬底之上的有源区，所述非易失性存储系统包括与所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的操作相关联的电路。12.—种非易失性存储系统，包括: 多个存储器单元，所述多个存储器单元包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及 与所述多个存储器单元通信的一个或更多个管理电路，所述一个或更多个管理电路使第一感测放大器被耦接至第一位线，所述第一位线连接至所述第一存储器单元，所述第一感测放大器包括第一预充电电路，所述第一预充电电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极和第一源极节点，所述第一源极节点连接至所述第一位线，所述一个或更多个管理电路使用所述第一预充电电路来使所述第一位线被预充电至读取电压，所述第一预充电电路基于来自所述第一位线的反馈来将所述第一栅极设置成第一偏压，所述一个或更多个管理电路使第二感测放大器被耦接至第二位线，所述第二位线连接至所述第二存储器单元，所述第二感测放大器包括第二预充电电路，所述第二预充电电路包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅极和第二源极节点，所述第二源极节点连接至所述第二位线，所述一个或更多个管理电路使用所述第二预充电电路来使所述第二位线被预充电至所述读取电压，所述第二预充电电路基于来自所述第二位线的反馈来将所述第二栅极设置成第二偏压，所述第二偏压不同于所述第一偏压，所述一个或更多个管理电路使用所述第一感测放大器来使所述第一存储器单元被感测，使用所述第二感测放大器来使所述第二存储器单元被感测。13.根据权利要求12所述的非易失性存储系统，还包括: 复制电路，所述复制电路生成源极偏压，所述第一预充电电路基于所述源极偏压以及来自所述第一位线的反馈来将所述第一栅极设置成所述第一偏压，所述第二预充电电路基于所述源极偏压以及来自所述第二位线的反馈来将所述第二栅极设置为第二偏压。14.根据权利要求13所述的非易失性存储系统，其中， 所述源极偏压小于所述读取电压，所述第一偏压大于所述读取电压，所述第二偏压大于所述读取电压。15.根据权利要求12至14中任一项所述的非易失性存储系统，其中， 所述非易失性存储系统包括包含所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的非易失性存储器，所述非易失性存储器单片式地形成为存储器单元的阵列的一个或更多个物理级，所述存储器单元具有布置在硅衬底之上的有源区，所述非易失性存储系统包括与所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的操作相关联的电路。
【专利摘要】描述了用于使用闭环反馈来对位线预充电的方法。在一种实施方式中，感测放大器可以包括用于在对连接至位线的存储器单元进行感测之前将该位线设置成读取电压的位线预充电电路。该位线预充电电路可以包括具有第一栅极和第一源极节点的为源极跟随器配置的第一晶体管，其中，第一源极节点电耦接至位线。通过施加从第一源极节点至第一栅极的局部反馈，可以减小位线建立时间。在一些情况下，可以基于从第一位线吸取的第一电流来确定施加至第一栅极的第一电压。从而，施加至第一栅极的第一电压可以取决于连接至位线的选中的存储器单元的传导率而随时间变化。
【IPC分类】G11C7/14, G11C7/04, G11C7/06, G11C11/56, G11C16/26, G11C16/24, G11C13/00, G11C7/12
【公开号】CN105378850
【申请号】CN201480021568
【发明人】常·西奥, 蒋小伟, 陈映彰
【申请人】桑迪士克3D有限责任公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年5月21日
【公告号】DE112014002532T5, US9378814, US20140347912, WO2014190046A1