所产生的比较后数据信号DQ’的工作周期为来调整参考电压Vref，这些设计上的变化均应隶属本发明的范畴。
[0033]另外，请同时参考图1及图4，图4为根据本发明另一实施例的存储器控制方法的流程图，其中图4的实施例可以适用于前景校正或是背景校正。首先，比较器110读取数据信号DQ，并比较数据信号DQ与一预设的参考电压Vref，以产生一比较后数据信号DQ’，其中当进行前景校正时，数据信号DQ是由存储器控制电路100中的一电路所产生至端点180的一随机数据信号(random data)，而当进行背景校正时，数据信号DQ则是从存储器102所接收得到。在步骤400中，眼宽测量电路120读取比较后数据信号DQ’，并测量比较后数据信号DQ’的眼宽以产生一测量结果至校正单元140。接着，在步骤402中，校正单元140主动将参考电压Vref增加AV，并在步骤404中观察判断比较后数据信号DQ’的眼宽是否有因此变大？若是比较后数据信号DQ’的眼宽变大，则流程进入步骤406以持续增加参考电压Vref，并反复地读取比较后数据信号DQ’并测量比较后数据信号DQ’的眼宽以判断眼宽是否有持续变大(步骤408、410)，且当眼宽不再变大的时候，校正电路140将目前所设定的参考电压Vref降低Λ V以作为最佳的参考电压Vref (步骤412)，并进入步骤424以结束校正流程。
[0034]另一方面，当在步骤404中判断比较后数据信号DQ’的眼宽没有变大时，则流程进入步骤414以将参考电压Vref降低Λ V，之后流程进入步骤416以持续降低参考电压Vref，并反复地读取比较后数据信号DQ’并测量比较后数据信号DQ’的眼宽以判断眼宽是否有持续变大(步骤418、420)，且当眼宽不再变大的时候，校正电路140将目前所设定的参考电压Vref加上Λ V以作为最佳的参考电压Vref (步骤422)，并进入步骤424以结束校正流程。
[0035]另外，请同时参考图1及图5，图5为根据本发明另一实施例的存储器控制方法的流程图，其中图5的实施例可以适用于前景校正或是背景校正。首先，比较器110读取数据信号DQ，并比较数据信号DQ与一预设的参考电压Vref，以产生一比较后数据信号DQ’，其中当进行前景校正时，数据信号DQ是由存储器控制电路100中的一电路所产生至端点180的一随机数据信号(random data)，而当进行背景校正时，数据信号DQ则是从存储器102所接收得到。在步骤500中，眼宽测量电路120读取比较后数据信号DQ’，并测量比较后数据信号DQ’的眼宽以产生一测量结果至校正单元140。接着，在步骤502中，校正单元140主动将参考电压Vref降低AV，并在步骤504中观察判断比较后数据信号DQ’的眼宽是否有因此变大？若是比较后数据信号DQ’的眼宽变大，则流程进入步骤506以持续降低参考电压Vref，并反复地读取比较后数据信号DQ’并测量比较后数据信号DQ’的眼宽以判断眼宽是否有持续变大(步骤508、510)，且当眼宽不再变大的时候，校正电路140将目前所设定的参考电压Vref加上Λ V以作为最佳的参考电压Vref (步骤512)，并进入步骤524以结束校正流程。
[0036]另一方面，当在步骤504中判断比较后数据信号DQ’的眼宽没有变大时，则流程进入步骤514以将参考电压Vref加上Λ V，之后流程进入步骤516以持续增加参考电压Vref的电平，并反复地读取比较后数据信号DQ’并测量比较后数据信号DQ’的眼宽以判断眼宽是否有持续变大(步骤518、520)，且当眼宽不再变大的时候，校正电路140将目前所设定的参考电压Vref降低Λ V以作为最佳的参考电压Vref (步骤522)，并进入步骤524以结束校正流程。
[0037]此外，上述的背景校正可以在存储器控制电路100不需要被要求读取存储器102中的数据时调整参考电压Vref，以使得比较后数据信号DQ’能够一直维持有最大的眼宽。
[0038]简要归纳本发明，在本发明的存储器控制电路及相关的存储器控制方法中，其可以通过前景校正的方式以使得在电子装置开机时便可以决定出最佳的参考电压Vref，也可以通过背景校正的方式在读取存储器102数据的过程中不断地调整参考电压Vref，以使得比较后数据信号DQ’能够一直维持有最大的眼宽。因此，通过本发明可以快速且随时地得到参考电压的最佳值，以快速且正确地读取存储器中的数据。
[0039]以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1.一种存储器控制电路，包含有: 一比较器，用以比较一数据信号与一参考电压，以产生一比较后数据信号； 一眼宽测量电路，耦接于该比较器，用以测量该比较后数据信号的眼宽，以产生一测量结果；以及 一校正电路，耦接于该比较器与该眼宽测量电路，用以根据该测量结果来调整该参考电压的电平。2.如权利要求1所述的存储器控制电路，其中该数据信号为0/1交替的数据信号，且该眼宽测量电路接收来一时脉信号，并调整该时脉信号的相位，以使用多个不同相位的该时脉信号来对该比较后数据信号进行过取样操作，以测量该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽以及对应到位元值1的眼宽，并产生该测量结果。3.如权利要求1所述的存储器控制电路，其中该测量结果包含了该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽以及对应到位元值1的眼宽，且当该测量结果指出该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽大于对应到位元值1的眼宽时，该校正电路降低该参考电压的电平；以及当该测量结果指出该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽小于对应到位元值1的眼宽时，该校正电路增加该参考电压的电平。4.如权利要求1所述的存储器控制电路，其中该数据信号为0/1交替的数据信号，且该存储器控制电路另包含有: 一工作周期检测电路，用以检测该比较后数据信号的工作周期，以产生一检测结果； 其中该校正电路还根据该检测结果来调整该参考电压的电平。5.如权利要求4所述的存储器控制电路，其中当该检测结果指出该比较后数据信号的工作周期小于50%时，该校正电路降低该参考电压的电平；以及当该检测结果指出该比较后数据信号的工作周期大于50%时，该校正电路增加该参考电压的电平。6.如权利要求1所述的存储器控制电路，其中该校正电路首先主动调整该参考电压的电平，并根据该眼宽测量电路所产生的该测量结果来继续增加或是降低该参考电压的电平，直到该眼宽测量电路所产生的该测量结果指出该比较后数据信号的眼宽到达一最大值为止。7.—种存储器控制方法,包含有: 比较一数据信号与一参考电压，以产生一比较后数据信号； 测量该比较后数据信号的眼宽，以产生一测量结果；以及 根据该测量结果来调整该参考电压的电平。8.如权利要求7所述的存储器控制方法，其中该数据信号为0/1交替的数据信号，且测量该比较后数据信号的眼宽以产生该测量结果的步骤包含有: 接收来一时脉信号，并调整该时脉信号的相位，以使用多个不同相位的该时脉信号来对该比较后数据信号进行过取样操作，以测量该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽以及对应到位元值1的眼宽，并产生该测量结果。9.如权利要求7所述的存储器控制方法，其中该测量结果包含了该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽以及对应到位元值1的眼宽，且根据该测量结果来调整该参考电压的电平的步骤包含有: 当该测量结果指出该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽大于对应到位元值1的眼宽时，降低该参考电压的电平；以及 当该测量结果指出该比较后数据信号中对应到位元值0的眼宽小于对应到位元值1的眼宽时，增加该参考电压的电平。10.如权利要求7所述的存储器控制方法，其中该数据信号为0/1交替的数据信号，且该存储器控制方法还包含有: 检测该比较后数据信号的工作周期，以产生一检测结果；以及 根据该检测结果来调整该参考电压的电平。11.如权利要求10所述的存储器控制方法，还包含有: 当该检测结果指出该比较后数据信号的工作周期小于50%时，降低该参考电压的电平；以及 当该检测结果指出该比较后数据信号的工作周期大于50%时，增加该参考电压的电平。12.如权利要求7所述的存储器控制方法，还包含有: 主动调整该参考电压的电平，并持续比较该数据信号与该参考电压以产生该比较后数据信号，且测量该比较后数据信号的眼宽以产生该测量结果；以及 根据该测量结果来继续增加或是降低该参考电压的电平，直到该测量结果指出该比较后数据信号的眼宽到达一最大值为止。13.一种存储器控制电路，包含有: 一比较器，用以比较一数据信号与一参考电压，以产生一比较后数据信号； 一工作周期检测电路，用以检测该比较后数据信号的工作周期，以产生一检测结果；以及 一校正电路，耦接于该比较器与该工作周期检测电路，用以根据该检测结果来调整该参考电压的电平。14.如权利要求13所述的存储器控制电路，其中当该检测结果指出该比较后数据信号的工作周期小于50%时，该校正电路降低该参考电压的电平；以及当该检测结果指出该比较后数据信号的工作周期大于50%时，该校正电路增加该参考电压的电平。
【专利摘要】本发明公开了一种存储器控制电路及相关的存储器控制方法，该存储器控制电路包含有一比较器、一眼宽测量电路以及一校正电路，其中该比较器用以比较一数据信号与一参考电压，以产生一比较后数据信号；该眼宽测量电路耦接于该比较器，且用以测量该比较后数据信号的眼宽，以产生一测量结果；以及该校正电路耦接于该比较器与该眼宽测量电路，并用以根据该测量结果来调整该参考电压的电平。通过本发明可以快速且随时地得到参考电压的最佳值，以快速且正确地读取存储器中的数据。
【IPC分类】G11C11/4063
【公开号】CN105448323
【申请号】CN201410389977
【发明人】余俊锜, 张志伟, 黄胜国
【申请人】瑞昱半导体股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月8日