一种编程监控的装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器的编程技术，尤其涉及一种编程监控的装置。
【背景技术】
[0002]目前，快闪存储器已经逐渐应用于各种电子、数码、智能产品中，诸如便携式多媒体播放器、手机或笔记本计算机，因此，快闪存储器的存储芯片会经过无数次的擦除和编程，而随着使用时间的增加，快闪存储器中的晶体管逐渐老化，导致存储芯片的编程性能逐渐降低，甚至每次编程指令中编程次数会达到最大计数值(Max Counter)，编程时间大大增力口，最终导致存储芯片不能再被正确的编程。
[0003]参考图1，为现有技术提供的快闪存储器的结构图，该快闪存储器包括，编程控制器10、电压调节器11和闪存阵列12，其中，闪存阵列12包含若干个存储单元，标记为存储单元O、存储单元1、存储单元2、…、存储单元1、…。
[0004]编程控制器10根据地址信号从闪存阵列12中选取该地址信号对应的存储单元，并直接对该存储单元的当前编程配置参数进行设定，可设定当前编程配置参数中的编程并行度、编程电压和/或编程加压时间，编程控制器10通过设定后的编程配置参数对闪存阵列12进行编程操作，以及将设定后的编程电压发送到电压调节器11。电压调节器11接收编程控制器10发送的设定后的编程电压，并根据设定后的编程电压进行电压调节，调节完成后，反馈完成信息至编程控制器10，此时电压调节器11施加在存储单元的编程电压为设定后的编程电压。闪存阵列12由编程控制器10进行编程控制。
[0005]由此可见，现有技术中的编程控制器10只能根据设定的编程配置参数对闪存阵列进行编程，无法解决随着快闪存储器中的晶体管逐渐老化，导致存储芯片的编程性能逐渐降低的问题。
【发明内容】
[0006]本发明提供一种编程监控的装置，以使存储芯片始终保持高性能的编程能力，并在存储芯片编程效率衰退时及时调整、缩短编程时间、提高编程效率，以及可多次调整编程配置参数，达到延长存储芯片使用寿命、优化编程性能的有益效果。
[0007]本发明提供了一种编程监控的装置，包括:数据读取电路、比较电路、调节电路和控制电路；
[0008]所述数据读取电路的输入端与编程性能参数传输线连接、第一输出端与所述比较电路的输入端连接，所述比较电路的输出端与所述调节电路的输入端连接，所述调节电路的输出端与所述控制电路的输入端连接，所述控制电路的输出端与编程配置参数传输线连接;
[0009]所述数据读取电路，用于读取闪存阵列中第一存储单元的编程性能参数；
[0010]所述比较电路，用于比较所述第一存储单元的编程性能参数是否超过预设阈值；
[0011]所述调节电路，用于当所述第一存储单元的编程性能参数超过预设阈值时，对目标存储单元的编程配置参数进行调节，所述目标存储单元包括所述第一存储单元和所述第一存储单元所在的闪存区块中的其余存储单元，所述闪存阵列包括至少一个闪存区块；
[0012]所述控制电路，用于根据调节后的编程配置参数，对所述目标存储单元进行编程控制。
[0013]进一步地，所述编程性能参数包括编程时间和/或编程次数。
[0014]进一步地，所述编程配置参数包括编程并行度、编程电压和编程加压时间中的任一或其组合。
[0015]进一步地，所述调节电路，具体包括:判断电路、逻辑电路、第一编程调节电路、第二编程调节电路和第三编程调节电路；
[0016]所述判断电路的第一输入端与所述比较电路的输出端，所述判断电路的输出端与所述逻辑电路的输入端连接，所述逻辑电路的输出端分别与所述第一编程调节电路、所述第二编程调节电路和所述第三编程调节电路的输入端连接，所述第一编程调节电路、所述第二编程调节电路和所述第三编程调节电路的输出端与所述控制电路的输入端连接；
[0017]所述判断电路，用于判断所述目标存储单元的编程并行度是否小于最大编程并行度，所述目标存储单元的编程电压是否小于最大编程电压，以及所述目标存储单元的编程加压时间是否小于最长编程加压时间；
[0018]所述逻辑电路用于在所述目标存储单元的编程并行度小于最大编程并行度时，选择所述第一编程调节电路进行调节；用于在所述目标存储单元的编程电压小于最大编程电压时，选择所述第二编程调节电路进行调节；以及用于在所述目标存储单元的编程加压时间小于最长编程加压时间时，选择所述第三编程调节电路进行调节；
[0019]所述第一编程调节电路用于对所述目标存储单元的编程并行度进行调节；
[0020]所述第二编程调节电路用于对所述目标存储单元的编程电压进行调节；
[0021]所述第三编程调节电路用于对所述目标存储单元的编程加压时间进行调节。
[0022]进一步地，所述数据读取电路还用于读取闪存阵列中第一存储单元的编程配置参数；
[0023]所述数据读取电路的第二输出端与所述判断电路的第二输入端连接。
[0024]本发明提供的一种编程监控的装置，通过数据读取模块读取第一存储单元的编程性能参数并利用比较电路进行比较，当该编程性能参数超过预设阈值时，调节电路对第一存储单元和目标存储单元进行编程配置参数的调节，使控制电路控制第一存储单元所在的闪存区块在下一次编程效率衰退之前的编程中均使用调节后的编程配置参数，从而缩短了编程时间、提高了编程效率、优化了存储芯片的编程性能，使存储芯片持续保持高性能的编程能力，以及延长存储芯片的使用寿命，当存储芯片的编程效率再次降低到预设阈值时，再对存储芯片的编程配置参数进行调节，可再次优化存储芯片。本发明的有益效果在于，通过调节电路调节存储单元的编程配置参数，使存储芯片始终保持高性能的编程能力，具有在存储芯片编程效率衰退时及时调整、缩短编程时间、提高编程效率的优势，以及可多次调整编程配置参数，达到延长存储芯片使用寿命、优化编程性能的有益效果。
【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为现有技术提供的快闪存储器的结构图；
[0027]图2是本发明实施例提供的一种编程监控的装置的示意图；
[0028]图3是本发明实施例提供的一种快闪存储器的示意图。
【具体实施方式】
[0029]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0030]图2为本发明实施例提供的一种编程监控的装置的示意图，本实施例的技术方案可适用于快闪存储器芯片编程效率衰退时，缩短编程时间、提高编程效率、延长芯片使用寿命并使存储芯片始终保持高性能的编程能力的情况，该装置可以采用硬件的方式实现，配置在存储器中执行。该装置具体包括:数据读取电路110、比较电路120、调节电路130和控制电路140 ；
[0031]其中，所述数据读取电路110的输入端与编程性能参数传输线连接、第一输出端与所述比较电路120的输入端连接、第二输出端与所述判断电路131的第二输入端连接，所述比较电路120的输出端与所述调节电路130的输入端连接，具体为所述比较电路120的输出端与所述调节电路130中的所述判断电路131的第一输入端连接，所述调节电路130的输出端与所述控制电路140的输入端连接，所述控制电路140的输出端与编程配置参数传输线连接；所述数据读取电路110，用于读取闪存阵列中第一存储单元的编程性能参数；所述比较电路120，用于比较所述第一存储单元的编程性能参数是否超过预设阈值；所述调节电路130，用于当所述第一存储单元的编程性能参数超过预设阈值时，对目标存储单元的编程配置参数进行调节，所述目标存储单元包括所述第一存储单元和所述第一存储单元所在的闪存区块中的其余存储单元，所述闪存阵列包括至少一个闪存区块；所述控制电路140，用于根据调节后的编程配置参数，对所述目标存储单元进行编程控制。
[0032]参考图3，为本发明实施例提供的一种快闪存储器的示意图，该快闪存储器中配置了图2所示的编程监控装置，其中，编程控制电路210与编程监控装置220连接，编程监控装置220还与电压调节电