专利名称：非晶系A1InGaN发光二极管结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管的结构。
化合物半导体组件在通讯及显示器方面有广泛的用途，近年来由于对蓝光光源的需求，氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(GaN based Ⅲ-Ⅴcompound semiconductor device)由于系直接能隙，且具有2.O-6.4eV之能隙范围，因此更是成为研发的重点。氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体制造方法，其明确使用单晶氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体制作发光二极管，然而，使用单晶氮化镓系化合物半导体制作组件会有成本高，合格率低的问题。因此本实用新型的目的即在提供一种非晶系AlInGaN发光二极管结构，以改善合格率并降低成本。
为达此目的，本实用新型揭示一种非晶系AlInGaN发光二极管结构，具有低成本及高良率的优点。
为达此目的，本实用新型揭示非晶系AlInGaN发光二极管结构，包括在一p型氮化镓基板上依序形成的第一p型非晶系化合物半导体层，第二p型非晶系化合物半导体层，一非晶系化合物半导体杂质掺杂层，一p/n非晶系化合物半导体层及一n型非晶系化合物半导体层。
为使本实用新型的步骤，功效及特点更为人所了解，特举实施例并配合附图，说明本实用新型的较佳实现方式；
图1为依据本实用新型的非晶系AlInGaN发光二极管结构的一具体实例组件结构图。
较佳具体实例详细说明参见1图，依据本实用新型的非晶系AlInGaN发光二极管结构的第一具体实例组件结构图。在一p型氮化镓基材料100，可用气相成长等方式长成一第一p型非晶系化合物半导体层102、第二p型非晶系化合物半导体层104，一非晶系化合物半导体杂质掺杂层次106、一p/n非晶系化合物半导体层次108及一n型非晶系化合物半导体层110。其中第一p型非晶系化合物半导体层102作为缓冲层第二p型非晶系化合物半导体层104作为下侧覆盖层(cladding layer)；非晶体化合物半导体杂质掺杂层106具有低阻抗以作为发光层；p/n非晶系化合物半导体层108作为上侧覆盖层；n型非晶系化合物半导体层110作为电极，并提供pn接面。
其中p杂质可为锌，镁，铍，锶及/或镉。n型杂质可为硅，锗，锡，硫，碲及/或硒。且在加入杂质后，可进行温度601.0-1200，1-50分钟的加热，退火或是电子束射击步骤(electron-beam shooting)。
另外气相成长气体包含氨(ammonia)或肼(hydrazine)或氨-肼(ammonia-hydrazine)结合三甲基铝(trimethylaluminum)，并加入三甲基镓(trimethyl gallium)，及/或三乙基镓(triethylgallium)。或是气相成长气体包含混合后使用的三乙基锌(diethyl-zinc)，三甲基锌(trimethl-zinc)，三甲基铟(trimethl-indium)环戌基二乙基镁(cyclopentadienyl-magnesium)。
综上所述，借由本实用新型的非晶系AlInGaN发光二极管结构，可以大幅降低成本，并且提高良好率。
按以上所述，仅为本实用新型的一具体实施例，但本实用新型的材料，流程并不局限于此，因此任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所实施的变化或修饰皆被涵盖在本案的专利范围内。
权利要求1.非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，包含在一p型氮化镓基板上依序形成的第一p型非晶系化合物半导体层、第二p型非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、一p/n非晶系化合物半导体层及一n型非晶系化合物半导体层。
2.如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，p型杂质可为锌，镁，铍，锶及/或钙，杂质浓度为1O14-22EA/cm3。
3.如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，n型杂质可为硅，锗，锡，硫，杂质浓度为1O14-22EA/cm3。
4.如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，该非晶系化合物半导体层用气相成长制成，且气相成长气体包含氨或肼e或氨-肼结合三甲基铝，并加入三甲基镓及/或三乙基镓。
5.如权利要求1的非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，气相成长气体包含混合后使用的二乙基锌、三甲基锌、三甲基铟、环戌基二乙基镁。
专利摘要一种非晶系AlInGaN发光二极管结构,在一氮化镓之上,用气相成多层非晶系化合物半导体层,分别加i型,p型(及/或)n型杂质,以形成发光二极管组件结构,达到低成本,高良好率的效果。
文档编号H01L33/00GK2422728SQ0023902
公开日2001年3月7日 申请日期2000年6月14日 优先权日2000年6月14日
发明者赵汝杰 申请人:赵汝杰