专利名称：半导体二极管导线架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体二极管导线架。
已知的半导体二极管，多数是利用焊接材(通常为焊锡片)51将半导体二极管晶蕊片52的两面电极，分别与铜导线或导线架53导接(如
图1所示)，某些未护封的晶蕊片则施以切面酸蚀及切面矽胶护封，之后，再模塑外壳；而锡焊的方法多使用回焊法(Solder Reflow)，即将提置于承载模具的晶蕊片、导线架、焊锡片等一起进入炉中加热至焊锡熔化。
由于二极管晶蕊片具有两面不同侧的电极，因此不管使用导线(Lead)或导线架(Lead Frame)均需使用两独立件或独片。另外半导体二极管整流电桥(Bridge)是将四个半导体二极管构接在一起，同样须使用两片导线架，在模具上定位后，进入焊接炉中熔接导线架与半导体二极管，然后再外加封装胶体55。由于焊锡片51进入炉中加热至焊锡熔化后，常形成焊锡溶液外流至矽晶片(玻璃)521周边晶蕊片52处，造成二极管晶蕊片52两面不同侧的电极而形成短路(Short)假焊现象，致使二极管导线架53产生不良率及减少使用寿命。
针对现有技术存在的缺点，本实用新型的主要目的在于提供一种半导体二极管导线架，使导线架与焊锡片的结合更加稳固，有效提高产品使用寿命。
为达到上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的一种半导体二极管导线架，由焊锡片、晶蕊片、导线架以及胶体所构成；其主要特征在于导线架一端凹槽面底部设有一通孔，当焊锡片进入炉中加热至焊锡熔化时，导入部分焊锡片溶液流经通孔而进入凹槽中，经冷却凝固后，不但能有效强化拉力，使导线架与焊锡片的结合更加稳固，同时更增进防止焊锡片熔化后流入晶蕊片周边矽晶片而产生短路假焊现象，避免不良率增加，更有效提高产品使用寿命应用。
通过本实用新型半导体二极管导线架，克服了现有技术的缺点，达到了上述创作的目的，本实用新型使导线架与焊锡片的结合力更加稳固，同时更增进防止焊锡片熔化后流入晶蕊片周边矽晶片而产生短路假焊现象，避免了不良率的增加，更有效提高产品使用寿命及应用。
以下结合附图具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
图1是已知二极管的剖视示意图；图2是本实用新型二极管的剖视示意图；图3是本实用新型二极管的剖视使用状态图。
首先，请参阅图2至图3所示，本实用新型的半导体二极管导线架在已知的构造焊锡片31、晶蕊片32、导线架33及胶体34所组成的基础上，其主要改进处在于导线架33一端凹槽331面底部挖设一通孔332；当焊锡片31进入炉中加热至焊锡熔化时，导入部分焊锡片31溶液流经通孔332而进入凹槽331中，经冷却凝固后，不但有效强化拉力，使导线架33与焊锡片31的结合更加稳固，同时更增进防止焊锡片31熔化后流入晶蕊片32周边矽晶片321而产生短路(Short)假焊现象，避免不良率增加，更有效提高产品使用寿命应用。
综上所述，当知本实用新型具有进步性与创作性，且本实用新型未见之于任何刊物或公开使用，当符合专利法的规定。唯以上所述，仅为本实用新型的一较佳实施例而已，当不能以其限定本实用新型实施的范围。凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围。
权利要求1.一种半导体二极管导线架，由焊锡片、晶蕊片、导线架以及胶体所构成；其主要特征在于导线架一端凹槽面底部设有一通孔。
专利摘要一种半导体二极管导线架,由焊锡片、晶蕊片、导线架以及胶体所构成;其特征在于:导线架一端凹槽面底部挖设有一通孔;因此当焊锡片进入炉中加热至焊锡熔化时,导入部分焊锡片溶液流经通孔而进入凹槽中,经冷却凝固后,不但能有效强化拉力,使导线架与焊锡片的结合更加稳固,同时更增进防止焊锡片熔化后流入晶蕊片周边矽晶片而产生短路假焊现象,避免了不良率的增加,更有效提高产品使用寿命及应用。
文档编号H01L23/48GK2443491SQ00257939
公开日2001年8月15日 申请日期2000年10月19日 优先权日2000年10月19日
发明者蔡上民 申请人:界龙工业股份有限公司